JP2007322150A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】自己テスト機能を有する半導体装置は、メモリと、第1のパスを介してメモリの前段に接続された第1のデータ処理部と、第2のパスを介してメモリの後段に接続された第2のデータ処理部と、テストパターンを用いて第1のデータ処理部、第1のパス、メモリ、第2のパス及びデータ処理部の故障を検出する故障検出回路と、第1のデータ処理部の入力側に設けられ、当該半導体装置の通常動作時に第1のデータ処理部へ信号を伝送する通常パスと、第1のデータ処理部の入力側に設けられ、半導体装置のテスト動作時に故障検出回路から出力されたテストパターンを伝送する第1のテストパスと、通常パスを介して入力された信号及び第1のテストパスを介して入力された信号のいずれかを選択して第1のデータ処理部に出力する選択出力部とを備える。
【選択図】図1
Description
101 メモリ
103a,103b 通常パス
105a,105b フリップフロップ
107a,107b ロジック回路
109a,109b 共通パス
111 BIST回路
113 セレクタ
115a,115b テストパス
Claims (5)
- 自己テスト機能を有する半導体装置であって、
データを記憶するメモリと、
信号を伝送する第1のパスを介して前記メモリの前段に接続された第1のデータ処理部と、
信号を伝送する第2のパスを介して前記メモリの後段に接続された第2のデータ処理部と、
テストパターンを用いて前記第1のデータ処理部、前記第1のパス、前記メモリ、前記第2のパス及び前記データ処理部の故障を検出する故障検出回路と、
前記第1のデータ処理部の入力側に設けられ、当該半導体装置の通常動作時に前記第1のデータ処理部へ信号を伝送する通常パスと、
前記第1のデータ処理部の入力側に設けられ、当該半導体装置のテスト動作時に前記故障検出回路から出力された前記テストパターンを伝送する第1のテストパスと、
前記通常パスを介して入力された信号及び前記第1のテストパスを介して入力された信号のいずれかを選択して前記第1のデータ処理部に出力する選択出力部と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第1のデータ処理部は、前記選択出力部から出力された信号が入力されるフリップフロップを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記メモリから読み出されたデータは、前記第2のパス及び前記第2のデータ処理部、並びに当該半導体装置のテスト動作時に信号を伝送する第2のテストパスを介して、前記故障検出回路に伝送されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置であって、
前記第2のデータ処理部は、前記メモリから読み出されたデータを前記第2のテストパスに出力するフリップフロップを含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記故障検出回路は遅延故障を検出することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006149955A JP2007322150A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置 |
US11/806,122 US20070280014A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-05-30 | Semiconductor device |
CNA2007101081044A CN101083141A (zh) | 2006-05-30 | 2007-05-30 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006149955A JP2007322150A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007322150A true JP2007322150A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=38789933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006149955A Pending JP2007322150A (ja) | 2006-05-30 | 2006-05-30 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070280014A1 (ja) |
JP (1) | JP2007322150A (ja) |
CN (1) | CN101083141A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008262630A (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路及びメモリ検査方法 |
KR20100011751A (ko) * | 2008-07-25 | 2010-02-03 | 삼성전자주식회사 | 테스트 시스템 및 방법 |
US20110219266A1 (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-08 | Qualcomm Incorporated | System and Method of Testing an Error Correction Module |
KR101889509B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2018-09-20 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2628154B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1997-07-09 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
JPH02181677A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Sharp Corp | Lsiのテストモード切替方式 |
JPH05274895A (ja) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体記憶装置 |
US5987635A (en) * | 1996-04-23 | 1999-11-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device capable of simultaneously performing self-test on memory circuits and logic circuits |
US6114892A (en) * | 1998-08-31 | 2000-09-05 | Adaptec, Inc. | Low power scan test cell and method for making the same |
US6934900B1 (en) * | 2001-06-25 | 2005-08-23 | Global Unichip Corporation | Test pattern generator for SRAM and DRAM |
JP4512314B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP4307445B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2009-08-05 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 内蔵されるメモリマクロのac特性を測定するテスト回路を有する集積回路装置 |
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-
2006
- 2006-05-30 JP JP2006149955A patent/JP2007322150A/ja active Pending
-
2007
- 2007-05-30 US US11/806,122 patent/US20070280014A1/en not_active Abandoned
- 2007-05-30 CN CNA2007101081044A patent/CN101083141A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070280014A1 (en) | 2007-12-06 |
CN101083141A (zh) | 2007-12-05 |
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