JP2007317885A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 太陽電池は、ガラス基板1上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含むカルコパイライト型の光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セルを直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成され、コンタクト電極部6に隣接し、基板上の下部電極層2(Mo電極層)が形成されていない部位には、光吸収層3の一部が除去され上部電極層5(TCO)が積層されたシースルー部7が形成されている。
【選択図】 図5
Description
また、金属針を用いた場合、摩耗による金属針の交換等、メンテナンスが面倒であるという問題があった。
尚、光吸収層形成工程の後にバッファ層形成工程を設ける場合には、バッファ層の上からレーザ光を照射する。
本発明によれば、第1のスクライブをおこなった領域に一部が重なるようにレーザ光(例えば周波数5kHz)を照射し、光吸収層の導電率が高まるように改質するコンタクト電極を形成すると共に、一部の光吸収層を除去することにより、可視光の透過性を有するようにしたので、リーク電流を引き起こさずにデッドスペースを減少させることが可能となり、光電変換効率が高く、一部が可視光を透過するので利用範囲が広い太陽電池を得ることができる。
本発明に係る太陽電池は、ガラス基板1上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含むカルコパイライト型の光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セルを直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成される。
なお、分析にはEPMA(Electron Probe Micro-Analysis)を用いた。EPMAは、加速した電子線を物質に照射し、電子線を励起することにより生じる特性X線のスペクトルを分析することにより構成元素を検出し、さらに、それぞれの構成元素の比率(濃度)を分析するものである。
この変化の理由について考察する。発明者によるシミュレーションによると、例えば、波長が355nmのレーザ光を0.1J/cm2で照射した際には、光吸収層の表面温度は6,000℃程度に上昇する。もちろん、光吸収層の内部(下部)側では温度が低くなるが、実施例に用いた光吸収層は1μmであり、光吸収層の内部でも、かなりの高温になっていると言える。
モリブデンは、周期表の6族に属する金属元素であり、比抵抗が5.4×10−6Ωcmの特性を示す。光吸収層が溶融し、モリブデンを取り込む形で再結晶化することで、抵抗率が減少することになる。
本発明におけるシースルー部は、下部電極であるモリブデンが除去されている部分の光吸収層、すなわち、ガラス基板上部に直接光吸収層が接触している部位に作成される。レーザ光により高温になった光吸収層は、その一定温度に達すると溶融し、ガラス基板とのぬれ性によって凝集する。光吸収層が凝集することによってガラス基板が露出する。
従来のスクライブでは、第1のスクライブで形成されたスクライブラインからある程度離間させてデッドスペースを形成するように第2のスクライブをおこなう必要があったが、本発明では、第1のスクライブで形成したスクライブラインに一部が重なるように光吸収層が改質されたコンタクト電極が形成されるため、デッドスペースを形成することなく、モノリシックな直列接続構造を得ることが可能となる。また、本発明のシースルー部を作成する際には、コンタクト電極を形成するレーザ光照射によって一度に作成することができるため、特別な工程を追加する必要がない。
Claims (6)
- ガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成され導電層を分割してなる複数の下部電極と、
前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたカルコパイライト型の光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された透明な導電層である複数の上部電極と、
前記分割された下部電極層間のガラス基板が露出する部分であって前記光吸収層が除去されその上に上部電極層が形成されているシースルー部と、
前記下部電極と光吸収層と上部電極にて構成される単位セルを直列接続すべく前記光吸収層の一部を光吸収層より導電性を高めるように改質してなるコンタクト電極部とを有することを特徴とする太陽電池。 - 請求項1に記載の太陽電池において、前記コンタクト電極部は、そのCu/In比率が、光吸収層のCu/In比率よりも高いことを特徴とする太陽電池。
- 請求項1または請求項2に記載の太陽電池において、前記コンタクト電極部は、モリブデンが含まれた合金であることを特徴とする太陽電池。
- 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の太陽電池において、前記光吸収層と上部電極との間にはバッファ層が形成されていることを特徴とする太陽電池。
- ガラス基板上に下部電極となる導電層を形成する導電層形成工程と、
前記導電層を複数の下部電極に分割する第1のスクライブ工程と、
前記下部電極上にカルコパイライト型の光吸収層を形成する光吸収層形成工程と、
前記光吸収層上部から前記第1のスクライブ工程で分割した部分が一部含まれるようにレーザ光を照射し、第1のスクライブ部で分割した部分の上部の光吸収層を除去し、同時に前記下部電極上部の光吸収層の導電率が高くなるように改善するコンタクト電極部形成工程と、
前記光吸収層とコンタクト電極部の上に上部電極となる透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、
前記透明導電層を複数の上部電極に分割する第2のスクライブ工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 請求項5に記載の太陽電池の製造方法において、前記光吸収層形成工程の後にバッファ層形成工程を設け、前記コンタクト電極部形成工程は、バッファ層の上からレーザ光を照射することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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