JP2009141365A - 活性光吸収体中に形成された導電経路を備える太陽電池装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 73
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 53
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 2
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical group [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 claims 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 claims 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012776 robust process Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016001 MoSe Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
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Abstract
【課題】表面および裏面の両電極間に高品質の相互接続経路を形成した太陽電池ＰＶモジュールと太陽電池ＰＶモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池ＰＶモジュールは、共通の基板３２上に直列接続されて相互に間隔をおいて配置されたＰＶ太陽電池セルのアレイを含む。各電池セルは、前記基板３２上の第１電極３０、該第１電極３０上の活性なＰＶ膜３８、第２電極４２を含み、前記両電極の少なくとも一方は光透過性を有する。前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの第２電極４２は、前記ＰＶ膜３８の残部よりも実質的に高い導電率を有する一部分４０を経て、引き続く（ｎ＋１）番目の太陽電池セルの第１電極に接続されている。本発明の新規な構成は、所望の領域で前記ＰＶ膜３８にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収ＰＶ膜３８の導電率を実質的に増大させることによって達成される。
【選択図】図６
【解決手段】太陽電池ＰＶモジュールは、共通の基板３２上に直列接続されて相互に間隔をおいて配置されたＰＶ太陽電池セルのアレイを含む。各電池セルは、前記基板３２上の第１電極３０、該第１電極３０上の活性なＰＶ膜３８、第２電極４２を含み、前記両電極の少なくとも一方は光透過性を有する。前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの第２電極４２は、前記ＰＶ膜３８の残部よりも実質的に高い導電率を有する一部分４０を経て、引き続く（ｎ＋１）番目の太陽電池セルの第１電極に接続されている。本発明の新規な構成は、所望の領域で前記ＰＶ膜３８にドーパントを添加することにより、所望の電気接触領域で連続する光吸収収ＰＶ膜３８の導電率を実質的に増大させることによって達成される。
【選択図】図６
Description
本発明は、大面積の光起電力（ＰＶ）太陽電池装置および該装置の製造方法に関する。
ほとんどの太陽電池の単セル電圧は、多くの適用のために直接使用しあるいは有能であるとするには、低すぎる。例えば、銅-インジウム-ガリウム-２セレン（CuInxGa1-xSe2あるいは略してＣＩＧＳ）材料の単セル電圧は、ＣＩＧＳ材料（前記太陽電池セルの吸収体）の組成に依存して、０．５および０．８ボルトの範囲で変動する。
従来の結晶シリコンウエハを基にしたＰＶモジュール製造方法に比べ、薄膜太陽電池（ＰＶ）製造技術の大きな利点は、大面積結晶ＳｉＰＶモジュールの工業生産で見られる面倒で困難な電池セル接続（直列および／または並列での)にたよらないで、広範囲の太陽電池セルの製造に使われる同じ基板上に個々の太陽電池セルのモノリシックな集積化の見込みがあることである。
単電池セルは、異なる適用毎で適した高圧を得るために、ＰＶモジュールの製造で直列に接続される。一般的に、ＰＶモジュールの出力電圧は、直列に相互接続された電池セルの数に応じて、１０から１００ボルトに及ぶ。
図１Ａおよび１Ｂは、半導体膜を除去することにより個々が直列に接続された電池セルアレイを製造する、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：H)ＰＶモジュールのための従来の直列相互接続の仕組みを示す。最初の電池セルの表面の透明な導電層１０（前面電極）、例えば酸化スズを、隣接する電池セルの裏面の導電層１２、例えばアルミニウムに、相互接続することによって、相互接続は、通常、製造工程で行われる。これらの層は、それぞれ２枚のガラス１４および１６の間で密封される。前記モジュールの導電層１０および１２間でこれに隣接する半導体Ｓｉ膜１８（ｐ-ｉ-ｎ層）は、例えばレーザスクライブにより切除され、引き続いて堆積された（ｎ＋１）番目の電池セルの背面電極膜が隣接する（ｎ）番目の前面電極に直接接続されることが可能となるように、ＳｎＯ２前面電極１０が露出する。このような方法で、アレイ中の個々の電池セルは、前記モジュールの出力電圧を増大させるように、連続して接続される。一般的に、前記モジュールは、前面および背面のガラス基板１４および１６を接合するエチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）などの密封材１９によって大気から封止される。
ＣＩＧＳ ＰＶ膜を使用した他の従来装置モジュールが図２に示されている。支持板２１の反対側から前記装置に光が差すこれらの装置では、その目的は、（ｎ＋１）番目の電池セルのモリブデン（Ｍｏ）背面電極２２に（ｎ）番目の電池セルの透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）前面電極２０を接続することである。個々の電池セルの相互直列接続は、通常、接続レーザまたは機械的な処理を使って行われ、これにより、異なる前記薄膜および異なる電池セルは、種々の薄膜材料の細いライン部分を取り除くことによって、分離される。ガラス／Ｍｏ／ＣＩＧＳ／バッファ／ＺｎＯ構造の従来のＣＩＧＳ ＰＶ装置では、３つのスクライビングステップがあり、Ｍｏ層２２、ＣＩＧＳ膜２４およびＣＩＧＳ／バッファ／ＺｎＯ層２０中に分離ラインを形成するために、それぞれ、位置Ａ、ＢおよびＣ（例示については図２参照）で行われる。初めと最後のスクライビングステップは、個々の（電気的に分離された）電池セルを同じ基板上に作成するために必要であり、他方、２回目のスクライブ（前記Ｍｏ膜を露出すべく前記ＣＩＧＳ膜を除去するために）は、隣接する電池セルが直列（太陽電池セルのモノリシック集積化）に電気的に接続されることを可能にする重要な工程である。
また、前記ＺｎＯ前面電極（および一般的にａ-Ｓｉを基材とするＰＶモジュールのためのＳｎＯ２を含むＴＣＯ薄膜）は、通常、レーザ除去および機械的なスクラッチのようなスクライビング技術により、分離される。この手法は、ＣＩＧＳ半導体薄膜を損ない、「切断」溝の中の材料を劣化させる傾向がある。分離溝に残る残渣は、しばしば、そのようなＰＶ装置の出力を低下させる短絡を引き起こす。前述したバッファ（図示せず）は、オプションではあるが、一般的に推奨される層である。それは、非常に薄い膜の高抵抗ＺｎＯ（ＨＲＺｎＯ）、あるいはｐ形ＣＩＧＳ吸収膜と接合を構成する例えばｎ形ＣｄＳのようなn形半導体で構成することができる。他の有益なバッファ材料には、ＺｎＳおよびＣｄＺｎＳがある。さらにその他のバッファ材料については、後述する引用された参照で言及されている。バッファ層は、導電性ＺｎＯの堆積前に前記光吸収層上に堆積される。ここに記載の図面では、用語ＴＣＯは、ＺｎＯを含むことを意味すると共に、簡素化のために、バッファ層およびＺｎＯの積層をも含むことを意味する。
直列相互接続のために膜を機械的および／または化学的に除去することについてのこれらの従来技術やそれらの欠点の一般的な議論については、例えば米国特許第6459032号明細書および同6380477号明細書を参照されたい（特許文献１および２参照）。従来のスクライビング（けがき）技術は、例えば米国特許第5131954号、同4892592号および同6288325号の各明細書が教示する（特許文献３、４および５参照）。また、米国特許第4724011号および4517403号の各明細書には、半導体薄膜を除去しない代替的な直列相互接続手法が記載されている（特許文献６および７参照）。これらの方法は、薄膜（予測できないあるいはロバスト処理でない）またはレーザまたは局部加熱を使う堆積後の物理的処理のある種の短絡のいずれかに依存している。上記に引用された各特許の教示は、参照によって本書に組み込まれる。また、ウィリアム エヌ シャッファーマン（William N. Shafarman）およびラルス ストルト（Lars Stolt）による最近の包括的なレビュー論文「Cu(InGa)Se2太陽電池セル（Cu(InGa)Se2 Solar Cells）」「光起電力科学およびジニアリングハンドブック（Handbook of Photovoltaic Science and Engineering）」、英国（２００３年）、第１３章、５６７頁、Antonio LugueおよびSteven Hegedus編、John Wiley & Sons Ltd発行は参照により、本書に組み込まれる（非特許文献１参照）。これらの参照は、ＣＩＧＳ太陽装置を製造するための従来技術で知られまた用いられた方法および当該装置の特性についての特性を教示する。最後の参照に記述され、本書に含まれるように、用語ＣＩＧＳは、セレンのいくらかが硫黄に置換された化合物をも含む。
ＣＩＧＳ半導体装置の場合には、特にレーザを使用しての材料の除去は、単純ではない。材料は溶け、この材料は、レーザ除去によって形成されたトラフ（トレンチ）を再び満たし、良好な電気接触をなすに必要な清浄なＭｏ表面を残さない。さらに、ＣＩＧＳ膜のために現在使用されている従来の機械的スクライブ技術（前記層を切断する刃物の鋭利な刃に依る）は、スクライブの品質が、Ｍｏ膜の形態、Ｍｏ膜の表面組成（ＭｏＳｅｘがＣＩＧＳの高温成長の間に形成される）、前記ＣＩＧＳ膜の特性（付着強度を含む）および前記刃物の先端に関する基板の運動の滑らかさおよび前記刃物の圧力等のような多くのパラメータに敏感すぎるので、ロバスト処理すなわち強健な処理ではない。表面ＺｎＯと裏面Ｍｏとの相互接続がしばしば大きな電気抵抗（接触不良）を示す。また、前記膜の削除は、しばしばいくらかの安全域を維持する必要があるために、太陽電池セルの活性面積の多大な損失をもたらしている。したがって、表面および裏面の両電極間で高品質の相互接続経路を造り出す、より簡単で代替的な方法が強く望まれている。
ＺｎＯ前面電極の場合、相互接続の形成のための機械的スクライブは、遅く、面倒で、極めて強健（robust）ではなく、また、機器に高い設備投資を必要（例えば、平面運動の整合性および精度を保証するためにスクライブテーブルの高精度な動き）とし、前記層下に損傷を与えることなく最適な分離品質のために、切断深さを調整しづらい。我々は、先に、スクライビング技術に伴って生じる砕片が、通常、引き起こす短絡問題を指摘した。
太陽ＰＶモジュールは、共通の基板の上に相互に直列接続されたＰＶ太陽電池セルのアレイを含み、該各セルは、前記基板上の第１電極と、該第１電極上の光吸収ＰＶ膜と、第２電極とを含み、前記両電極の少なくとも一方が光透過性を有し、前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの第２電極は、前記ＰＶ膜の残りの光吸収部分よりも実質的に高い誘電率を有するＰＶ膜材料の細い帯を経由して、前記アレイの引き続く（ｎ＋１）番目の第１電極に接続されている。
本発明の新規な構成は、平坦な基板にその厚さあるいは側方の形態に著しい影響を及ぼすことなく、前記光吸収ＰＶ膜の所望の電気接触領域での通常の導電率を実質的に増大させることにより達成される。ＰＶモジュール製造者によって行われていたような活性光吸収膜の帯の削除に代わり、ここでは、相互接続は、適所に膜を置いていくことによって遂行されるが、有効な相互直列接続が１つのセルの第１電極から隣接する電池セルの第２電極になされるように、その膜の導電率を変更する。前記導電率の変更は、適当なドーパント（または合金元素）を前記光吸収層に組み入れることによって達成され、前記ドーパント（添加不純物）は、添加された領域で本質的な導電性と作り出すように、前記接触領域で前記活性半導体層の電気抵抗（抵抗率）を減少させる。
本発明は、ＣＩＧＳ ＰＶ太陽モジュールについて説明されるであろう。しかしながら、ＣＩＧＳ以外の光吸収光起電力膜が本発明の実施に使用できることは、当業者にとって明らかであろう。さらに、ここに使われるような用語ＴＣＯは、例えばシャッファーマンおよびストルトの非特許文献１が教示するようなバッファ層を含むどのような適当な透明な導電膜をも含む。
本発明によれば、太陽電気モジュールは、全体的に、基板の上で直列に相互接続された薄膜ＰＶ太陽電池セルのアレイを含む。前記アレイの各電池セルは、隣接する電池セルの背面電極から間隔をおく背面電極と、１つの電池セルの背面電極と接触しかつ隣接する電池セルの背面電極の少なくとも一部の上に延びる光吸収ＰＶ膜と、該ＰＶ膜を覆うＴＣＯ前面電極であって該前面電極の小さな部分が前記隣接する電池セルの前記背面電極の小さな部分上に横たわるＴＣＯ前面電極とを含み、前記各電池セルの前記ＴＣＯ前面電極および前記背面電極は隣接する電池セルのそれぞれの前記前面電極および前記背面電極から間隔をおき、1つの電池セルの前記ＴＣＯ層と隣接する前記電池セルの前記背面電極との間に横たわりかつ通常は非常に高い電気抵抗を示すＰＶ膜は、隣接する前記電池セル間の導電性の相互直列接続を形成するように、変更されている。
本発明の主要な観点は、ＣＩＧＳ膜がその堆積後に適所に置いておかれるが、第１電極（例えばＺｎＯ透明電極）と隣接する電池セルの第２電極（例えばＭｏ電極）との間に有効な相互接続がなされるように、前記電池セルの相互接続の領域の導電率が変更されるという事実である。前記導電率の変更は、1つ以上の適当なドーパントまたは合金元素を前記ＣＩＧＳ膜の相互接続領域中に組み入れることによって達成することができる。典型的には、前記ドーパントは、前記ＣＩＧＳ膜のシート抵抗を約１０５オーム／単位面積（Ω／□）から、１０Ω／□に変化させる。ＣＩＧＳ薄膜中でシート抵抗を減少させるための可能なドーパントは、金属、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｇａ、ＫおよびCsと、それらのセレン化物、テルル化物、硫化物およびヨウ化物などの化合物とである。一般的に、Ｃｕ２Ｓｅなどのドーパントに比べて、金属ドーパントの側方拡散を制御、制限し、これにより前記アレイの相互接続ラインの幅を制御することは、より難しい。使用されるドーパントの量すなわちドーパント層の厚さおよびその幅の各寸法は、前記ＣＩＧＳ吸収層の厚さに依存する。
１．５ミクロンの厚さのＣＩＧＳ薄膜の例としては、約０．５ミクロンの厚さを有するドーパント化合物の細い帯が低抵抗の相互接続経路を形成するに十分であろう。Ｃｕ２Ｓｅドーパント層の細い帯がＣＩＧＳ形成に先立って堆積されるとき、前記ＣＩＧＳの形成の温度（典型的には５００℃から６００℃）で前記ドーパントが容易に前記ＣＩＧＳ内に拡散して前記細いドーパントラインのわずかな広がりだけで相互接続の低抵抗を形成するので、前記ＣＩＧＳの形成後に、さらなる熱処理は不要となる。しかしながら、ドーパント層が既に存在するＣＩＧＳ層上に堆積するとき、前記アレイは、導電性経路を形成するために、前記ＣＩＧＳ層中に前記ドーパントを拡散させるための熱処理が必要になる。約３００℃での半時間の加熱で十分である。
本発明の２つの実施例が図面に関連して例示されている。最初の実施例（図３から７）では、前記モジュールの前記背面電極として作用するパターン化されたモリブデン膜３０は、基板３２、例えばガラス上に形成される。隣り合うＭｏ膜間の空所３４は、電池セル分離ラインを形成する。「ドーパント」材料３６からなる薄く、細い帯が、Ｍｏ膜３０上で前記Ｍｏ分離ライン３４に隣接して堆積される。適切なドーパントは、Ｃｕ２Ｓｅ、Ｃｕ２Ｓおよび銀合金であるが、これらに限定されない。連続するＣＩＧＳ膜３８の堆積中に、ドーパント３６は、添加されたあるいは合金化されたＣＩＧＳからなる局部的な導電経路４０を形成すべく、前記ＣＩＧＳ膜３８内に拡散する。前記ＣＩＧＳ半導体膜３８の形成中の自然な処理の一部として、前記導電経路が形成されるので、この処理のために特定の堆積後処理は、まったく不要である。これは、本発明の実施例の好ましい方法である。前記ＣＩＧＳ膜の堆積に引き続いて、透明な導電性電極層４２（バッファ膜の有無に拘わらず）、例えばＺｎＯまたはＣｄＳ／ＨＲＺｎＯ／ＺｎＯが前記アレイ上で形成される。ＴＣＯセル分離ライン４４は、前記ＴＣＯ層を通り抜けて、その時、提供される。分離ライン４４がＴＣＯ層４２を通り抜けて伸長する限り、それらはＣＩＧＳ膜３８のすべてを通り抜けるかあるいは部分的に通り抜けることができる（図６および７を比較）。前記導電性の相互接続は、前記アレイの隣接する電池セル間の直列接続を形成する。
図８から１３は、本発明の新規なＰＶモジュールの形成のための第２の実施例を図示する。この実施例によれば、所望位置でのＣＩＧＳ膜の堆積後（post-deposition）の導電率の変更が遂行される。ここでは、Ｍｏ分離ライン６２により分離されたＭｏ背面電極６０は、ガラス基板６４上に設けられる。従来技術でよく知られているように、連続するＣＩＧＳ膜６６が前記アレイの上に堆積される。ＣＩＧＳ膜６６の形成に引き続いて、細いドーパントライン６８が、Ｍｏ分離ライン６２に隣接してＭｏ電極６０の上方で前記ＣＩＧＳ膜６６上に堆積される。前記サンプル（アレイ）の後処理（熱、レーザあるいは熱圧力）は、前記ＣＩＧＳホスト中への前記ドーパントの拡散を引き起こし、所望位置で細い高導電性の相互接続経路が形成される。ＴＣＯ膜７２は、ＣＩＧＳ膜６６上に堆積される。その後、前記アレイの前記電池セルの前面電極７２を提供するように、分離ライン７４がＴＣＯ膜７２中に形成される。１つの電池セルのＴＣＯ電極７２は、如何なるＣＩＧＳ膜の除去の有無のいずれであっても、隣接する電池セルのＭｏ背面電極６０との良好な電気接続を果たす。先に述べたように、ＴＣＯ膜は、導電性酸化物、例えばＺｎＯまたはＺｎＳＯとすることができ、また薄いバッファ層、例えばＨＲＺｎＯおよび／またはＣｄＳを組み入れることができる。さらに、前記前面電極の分離中に、下にあるＣＩＧＳ膜の全体の一部が除去され、あるいは除去されなくとも良い。
前記両実施例では、必要以上に相互接続の導電ラインを広げ、さもなければ他の活性ＣＩＧＳ材料の領域に不活性領域を作り出す結果を招くドーパントの実質的な横方向の拡散がまったく無いことに注意が払われるべきである。
材料をそれらの所望位置に堆積するために、従来技術でよく知られたいずれの方法をも用いることができる。これらは、スクリーン印刷、レーザ加熱、プリントヘッドを用いたライン形成、マスクを通した蒸着などを含む。各電池セルの前記ＴＣＯ層が、隣接する電池セルの前記ＴＣＯ層から分離されるように、前記ＴＣＯ層がマスクを通して堆積されるなら、その後の分離ステップは不要となり、前記ＣＩＧＳ層（前記導電帯をも含む）を連続層として残存させることができる。
３０、６０ Ｍｏ背面電極（第１電極）
３２、６４ ガラス基板
３４、６２、７４ 分離ライン
３６、６８ ドーパント帯
３８、６６ ＣＩＧＳ層
４０、７０ 導電性経路
４２、７２ ＴＣＯ層前面電極（第２電極）
３２、６４ ガラス基板
３４、６２、７４ 分離ライン
３６、６８ ドーパント帯
３８、６６ ＣＩＧＳ層
４０、７０ 導電性経路
４２、７２ ＴＣＯ層前面電極（第２電極）
Claims (20)
- 共通の基板上で相互に直列接続されたＰＶ太陽電池セルのアレイを含む太陽ＰＶモジュールであって、各電池セルは前面電極と、該前面電極から間隔をおく背面電極と、前記前面電極および背面電極間の光吸収ＰＶ膜とを含み、前記前面電極は光透過性を有し、前記アレイの（ｎ）番目の太陽電池セルの前記前面電極は、前記アレイの引き続く（ｎ＋１）番目の太陽電池セルの前記背面電極に、該背面電極上にあって前記ＰＶ膜における残部よりも実質的に高い導電率を有するように変更された部分を経由して接続されているＰＶモジュール。
- 前記光吸収ＰＶ膜は、ＣＩＧＳ層である、請求項１に記載のＰＶモジュール。
- 前記ＰＶ膜の高導電率部分は、（ｎ）番目の電池セルの前記前面電極が引き続く（ｎ＋１）番目の電池セルの前記背面電極上に重なる互いに間隔をおく細い帯に沿っての前記ＰＶ膜への連続的なドーパント添加によって形成されている、請求項２に記載のＰＶモジュール。
- 前記ドーパントの材料は、セレン化銅である、請求項３に記載のＰＶモジュール。
- 基板上で相互に直列接続された複数の薄膜ＣＩＧＳＰＶ太陽電池セルのアレイを含むＰＶモジュールであって、
前記アレイの前記電池セルは、前記基板上の金属背面電極であって１つの前記電池セルの金属背面電極が隣接する前記電池セルの金属背面電極に間隔をおく金属背面電極と、前記アレイの前記電池セルの複数の前記背面電極および該背面電極間の空所を覆って配置された光吸収ＣＩＧＳ ＰＶ膜と、該ＣＩＧＳ ＰＶ膜を覆うＴＣＯ前面電極層であって１つの電池セルのＴＣＯ前面電極層が隣接する前記電池セルの前記背面電極を覆うＴＣＯ前面電極層とを含み、１つの前記電極の前記ＴＣＯ層と隣接する前記電池セルの前記背面電極との間の前記ＣＩＧＳ膜は、隣接する前記電池セル間の細い導電性の相互直列接続帯を構成すべくドーパントにより変更されている、ＰＶモジュール。 - 前記ＴＣＯ層は、少なくとも１つの薄膜バッファを含む、請求項５に記載のＰＶモジュール。
- 前記背面電極はモリブデンであり、前記ＴＣＯ層は酸化亜鉛から成り、導電性の相互接続の前記ドーパントはセレン化銅を含み、前記モジュールは、さらに、ガラス製カバー板および密封材を含む、請求項６に記載のＰＶモジュール。
- 相互に直列接続された複数の太陽電池セルのアレイを含む太陽ＰＶモジュールの製造方法であって、 相互に間隔をおく複数の第１電極を有する基板の上方に連続した光吸収の高電気抵抗のＰＶ層を堆積するステップと、
前記ＰＶ層に細い導電性の帯に沿って前記ＰＶ層を通る導電経路を形成するドーパントでドーピングするステップとを含み、
その後、前記アレイの１つの電池セルの前記第１電極と隣接する前記電池セルの第２電極との間の相互直列接続を提供するように、前記導電性の帯を有する前記ＰＶ層上で間隔をおく前記第２電極を形成する、ＰＶモジュールの製造方法。 - ドーパントの細い帯は、光吸収ＰＶ膜の堆積に先立って前記アレイの相互に間隔をおく前記第１電極の縁部に隣接して適用され、これにより前記ＰＶ膜の堆積中に該膜内に前記導電性の帯が形成される、請求項８に記載の方法。
- 前記ＰＶ膜は、ＣＩＧＳおよび前記ドーパントを含み、該ドーパントは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇａ、Ｋ、Ｃｓおよびそれらのセレン化合物、テルル化物、硫化物、ヨウ化物のそれぞれから選ばれた１つである、請求項９に記載の方法。
- 前記ドーパントはセレン化銅である、請求項１０に記載の方法。
- 前記アレイの第１電極は、ガラス基板上のモリブデン膜であり、前記アレイの第２電極はＴＣＯ薄膜である、請求項１１に記載の方法。
- 前記ＴＣＯ層は、ＺｎＯおよびバッファ層を含む、請求項１２に記載の方法。
- 電気抵抗の、連続する、前記光吸収ＰＶ膜は、複数の前記第１電極上および該第１電極間の空所に堆積され、ドーパントの細い帯がその後前記ＰＶ膜上に堆積され、次に前記アレイは前記ＰＶ膜への前記ドーパントの拡散のための熱処理を受け、その結果、前記ＰＶ膜内に前記細い導電経路が形成される、請求項８に記載の方法。
- 前記ＰＶ膜は、ＣＩＧＳおよびドーパントを含み、該ドーパントは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｇａ、Ｋ、Ｃｓ、それらのセレン化物、テルル化物、硫化物およびヨウ化物のグループから選択された一つである、請求項１４に記載の方法。
- 前記ドーパントはセレン化銅である、請求項１５に記載の方法。
- 前記アレイの前記第１電極はガラス基板上のモリブデン膜であり、前記第２電極はＴＣＯ電極である、請求項１６に記載の方法。
- 前記ＴＣＯ層はＺｎＯおよびバッファ層を含む、請求項１７に記載の方法。
- 前記バッファ層は硫化銅を含む、請求項１８に記載の方法。
- 前記バッファ層は硫化銅を含む、請求項１３に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/953,222 US20090145472A1 (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Photovoltaic devices having conductive paths formed through the active photo absorber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009141365A true JP2009141365A (ja) | 2009-06-25 |
Family
ID=40720373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008310859A Pending JP2009141365A (ja) | 2007-12-10 | 2008-12-05 | 活性光吸収体中に形成された導電経路を備える太陽電池装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090145472A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009141365A (ja) |
| CN (1) | CN101459183A (ja) |
| TW (1) | TW200926427A (ja) |
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| KR101081251B1 (ko) | 2009-10-01 | 2011-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
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- 2008-12-10 CN CNA2008101857863A patent/CN101459183A/zh active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200926427A (en) | 2009-06-16 |
| CN101459183A (zh) | 2009-06-17 |
| US20090145472A1 (en) | 2009-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090511 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110928 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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