JP2007303854A - 端部検査装置 - Google Patents

端部検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007303854A
JP2007303854A JP2006129895A JP2006129895A JP2007303854A JP 2007303854 A JP2007303854 A JP 2007303854A JP 2006129895 A JP2006129895 A JP 2006129895A JP 2006129895 A JP2006129895 A JP 2006129895A JP 2007303854 A JP2007303854 A JP 2007303854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
illumination
image
imaging
back surface
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006129895A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5245212B2 (ja
Inventor
Tadashi Sakaguchi
直史 坂口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2006129895A priority Critical patent/JP5245212B2/ja
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to KR1020087027398A priority patent/KR101444474B1/ko
Priority to PCT/JP2007/059471 priority patent/WO2007129691A1/ja
Priority to EP07742906.6A priority patent/EP2023130B1/en
Priority to CN200780016768.6A priority patent/CN101443653B/zh
Priority to TW096116471A priority patent/TWI426261B/zh
Publication of JP2007303854A publication Critical patent/JP2007303854A/ja
Priority to US12/292,010 priority patent/US7800748B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5245212B2 publication Critical patent/JP5245212B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

【課題】平板形状の被検物体の端部の状態を精度よく検査する。
【解決手段】平板形状の被検物体1の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から拡散光を照射する照明手段5と、前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段4と、前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段7とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶ガラス基板など平板形状の基板の端部を検査する端部検査装置に関する。
近年、半導体ウエハ上に形成される回路パターンの集積度は、年々高くなっていると共に、生産過程のウエハの表面処理に用いられる物質の種類が増えてきている。これに伴い、生産過程においてウエハ上に形成される膜の境界部分に位置するウエハの端部付近の観察が重要となってきている。この端面付近の欠陥管理が、ウエハからできる回路の歩留まりに影響する。
そのため、たとえば、半導体ウエハなどの平板状の基板の端部周辺を複数の方向から観察して、異物や膜の剥離、膜内の気泡、膜の回り込み、切削痕などがないかを検査することが行われる。
これらの検査を行う検査装置としては、レーザ光等の照射による散乱光での異物検知を行うものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−351850号公報
たとえば、半導体ウエハの端部は、表面に対して傾きをもった面を有しており、従来の検査装置においては、この傾いた面の状態を検査することが困難であるという問題点があった。
本発明は、平板形状の被検物体の端部の状態を精度よく検査できる端部検査装置を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明の端部検査装置は、
平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から拡散光を照射する照明手段と、
前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の端部検査装置は、
平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から指向性の高い照明光を照射する照明手段と、
前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
を備えたことを特徴とする。
また、本発明の端部検査装置は、
平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から、拡散光あるいは指向性の高い照明光を照射する照明手段と、
前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
前記照明手段のよる照明光を、前記拡散光と前記指向性の高い照明光とで切り替える制御手段と
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、平板形状の被検物体の端部の状態を精度よく検査できる。
以下、本発明の実施形態の説明をする。
図1は、本発明の実施形態による端部検査装置の構成を示す図である。半導体ウエハ1は、保持テーブル2上に載置され吸着保持される。回転駆動部3は、保持テーブル2を、回転させる。これによって、保持テーブル2に保持された半導体ウエハ1を回転させることができる。
カメラ4は、半導体ウエハ1の上方に設置されており、半導体ウエハ1の外周の端部を上方から撮像することができる。カメラ4は、半導体ウエハ1の端部から半導体ウエハ1の表面に対して垂直方向の位置に設置するのが好ましいが、半導体ウエハ1の端部を撮像できる位置であれば、どこへ設置してもかまわない。なお、カメラ4を半導体ウエハ1の下方に設置して、ウエハ1の裏面の端部を撮像してもよい。
カメラ4は、落射照明機能を有しており、撮像範囲の少なくとも一部分に対して落射照明を行って撮像することができる。また、カメラ4の落射照明のための光学系はテレセントリック光学系である。
照明装置5は、半導体ウエハ1の端部に対して、横方向から照明するための装置である。拡散光による照明または指向性の高い照明光による照明を行う。照明装置による照明光は、半導体ウエハ1の表面あるいは裏面の上方、下方以外の方向から照明される。本実施形態では、半導体ウエハ1の表面(あるいは裏面)と同一面の外周より外側方向から照明が行えるように照明装置5を設置する。照明装置5は、制御装置7による制御により、照明装置5のよる照明を、拡散光による照明、指向性の高い照明光による照明のいずれかに切り替えることができる。また、照明装置5は、拡散光による照明または指向性の高い照明光による照明のどちらの照明を行う場合も、光源を切り替えることができる。光源を、たとえばハロゲンランプとLEDとで切り替えることにより、照明光の波長を変えることができる。照明光の波長を変えることにより、照明光の色が変わり、結果として、ホワイトバランスを調整することができる。
水平駆動部6は、保持テーブル2、回転駆動部3を水平方向に移動させる。ここで、水平方向とは、図中の保持テーブル2の半導体ウエハ1を載置する面と平行な方向であり、かつ図中の左右方向である。このような水平方向の駆動は、半導体ウエハ1を保持テーブル2に載置した際に、半導体ウエハ1の中心と保持テーブル2の回転中心が一致しないことによる、いわゆる偏芯状態を補正するために行う。
制御装置7は、回転駆動部3、カメラ4、照明装置5、水平駆動部6の動作の制御を行い、カメラ4からの画像に基づいて、半導体ウエハ1の端部の欠陥検出を行う。
次に、カメラ4により半導体ウエハ1の端部の画像を取得する構成について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。図2において、照明装置5aは、光源の前方に拡散板を設けることにより、拡散光を半導体ウエハ1の端部に照射する。
半導体ウエハ1の端部には、図2に記号Aで示す上面の領域と記号Bで示す上面に対して傾斜した領域がある。領域Aに対しては、カメラ4のテレセントリック光学系により落射照明を行い、カメラ4により、その落射照明に基づいた領域Aの明視野像を撮像する。そして、領域Bに対しては、照明装置5による照明を拡散光による照明に切り替え、拡散光照明によりカメラ4により明視野像を撮像する。なお、図中では、照明装置5を拡散光照明で使われる場合は、照明装置に符号5aを付し、指向性の高い照明光による照明で使われる場合は、照明装置に符号5bを付すこととする。このようにして、カメラ4により、領域A、領域Bの両方の明視野像を同時に撮像することができる。
カメラ4による撮像を行う前に、制御装置7は、カメラ4に入力されている像により、領域Aの輝度と領域Bの輝度とが、カメラ4で撮像可能な範囲の輝度となるように、カメラ4による落射照明の強度と照明装置5の照明光の強度を調整する制御を行う。また、制御装置7は、照明装置5の光源を切り替えることにより、カメラ4に入力されている像のホワイトバランスを調整する制御を行う。
図3は、撮像した画像による欠陥検出のしかたを説明するための図である。図3(a)の半導体ウエハ1の上面のCで示される領域が、カメラ4による撮像範囲である。図3(b)は、領域Cの画像を良品ウエハで予め撮像した画像である。図3(c)は、検査対象である半導体ウエハ1の領域Cの画像である。図3(b)の良品ウエハの画像は、予め制御部7に記憶されており、制御部7は、カメラ4によって撮像された検査対象の半導体ウエハ1の画像である図3(c)の画像と比較する。この比較は、図3(c)の画像の各画素値から図3(d)の画像の対応する各画素値を減ずることにより、図3(d)の画像を得ることにより行う。図3(d)の画像は欠陥を示す欠陥画像である。欠陥がなければ、図3(d)の画像は、全面的に白い画像となるはずであるが、図3(d)のように黒くなっている部分が欠陥である。
図4は、検出された欠陥の位置を特定するための座標系について説明するための図である。図4は、カメラ4による撮像範囲内で撮像した画像を示しているが、画像の中のある点を原点として座標系を定義することを考える。図4においては、画像の左上の点を原点Oととして、横方向をX軸、下方向をY軸として定義している。原点からのある位置までの画素数により、X値、Y値を求め、画像内での位置を特定することができる。さらに、半導体ウエハ1内での位置を特定するためにθ値を用いる。図3(a)矢印Fで示すように、半導体ウエハ1は回転させることができる。制御部7は、半導体ウエハ1を回転させる制御を行い、カメラ4による各回転角度位置で撮像を行う制御をすることにより、半導体ウエハ1の全周における端部の画像を得ることができる。回転角度位置は、ある基準位置からの回転角度によって特定することができる。基準位置は、周知の技術により、半導体ウエハ1の端部に設けられたノッチやオリエンテーションフラットを検出することにより決めることができる。したがって、半導体ウエハの端部位置は、基準位置からの回転角度θと、その回転角度θの位置における撮像画像内の位置X値、Y値による座標値(θ,X,Y)によって特定することができる。図4においては、欠陥である黒点の位置を座標値(θ,X,Y)によって示している。
図5は、半導体ウエハ1を保持テーブル2に載置した際に、半導体ウエハ1の中心と保持テーブル2の回転中心が一致しないことによる偏芯状態の補正について説明するための図である。半導体ウエハ1を保持テーブル載置する際に、、半導体ウエハ1の中心と保持テーブル2の回転中心とは一致させることは困難である。したがって、保持テーブル2を回転させて、複数の回転位置で順次カメラ4により半導体ウエハ1の端部を撮像していくと、撮像された画像内の端部の位置は、回転位置によってずれることになる。図5に示すように、カメラ4で撮像される画像内の半導体ウエハ1の最端部の領域Bの位置は、回転位置によって、画像内上方の破線で示した位置から、下方の破線で示した位置まで変化する。このような偏芯量は、周知の技術によって求めることができ、半導体ウエハ1を1回転させながら端部の位置を検出することにより求めることができる。
本実施形態では、予め各回転角度位置における偏芯量を求めることにより、画像撮像時に補正を行う。すべての回転角度位置における撮像時に、画像内での領域Bの位置が、図5の実線で示す位置となるように、制御部7が水平駆動部6を制御することにより、保持テーブル2を水平方向に移動させる。
図5のような、半導体ウエハ1の端部の画像の外周の円弧の一部は、直線として近似できるので、半導体ウエハ1の外周に対して法線方向となる座標(図4で示したY方向)の位置を補正(保持テーブル2の水平方向移動)をした後に撮像すれば、偏芯の補正をしながら各回転位置での画像が得られる。
以上のようにして、各回転角度位置で撮像された画像により、半導体ウエハ1の端部の欠陥検出を行う。欠陥検出は、図3で説明したが、さらに詳しく説明を行う。前述したように、欠陥の検出は、図3(a)で示した撮像された画像を、図3(b)で示した予め撮像された良品ウエハの画像と比較することにより行う。
検査時に撮像する回転角度位置は、予め設定することができる。半導体ウエハ1の全外周すべての端部を撮像できるように撮像する回転角度位置の数を設定することもできるし、所定の検査位置を設定することもできる。良品ウエハの画像は、検査時に撮像する回転角度位置と同じ位置での画像を予め撮像して、制御部7に記憶保持しておく。そして、各回転角度位置で撮像された画像(図3(b))と、それに対応する良品ウエハの画像(撮像された画像と同じ回転角度位置での良品ウエハの画像)とを比較することにより欠陥検出を行う。この動作を各回転角度位置での画像ごとに行う。
また、良品ウエハの画像は、必ずしも、検査時の撮像する各回転角度位置すべてに対応したものを予め保持する必要はない。良品ウエハの端部画像が回転角度位置によって大きな違いがないのであれば、良品ウエハのある一部の位置での画像を保持し、その画像と、各回転角度位置で撮像された画像とを比較することにより、欠陥検出は可能である。
また、良品ウエハの画像がなくても、次のようにして欠陥検出は可能である。本実施形態では、半導体ウエハ1を回転させることにより、複数の回転角度位置での端部の画像を得ている。そこで、ある角度位置での画像と他の角度位置での画像を比較することにより、欠陥検出を行うことができる。これは、欠陥が含まれている画像は、他の画像との差が大きいからである。例えば、ある回転角度位置での画像の欠陥検出をする場合、その隣の回転角度位置での画像との比較をすればよい。隣り合う部分は、正常であれば大きな差はないはずであるから、画像にある程度大きい差がある場合は、欠陥が存在すると判断する。もちろん、隣の回転角度位置ではない位置の画像と比較しても欠陥検出は可能である。
このように、良品ウエハの画像がなくても、検査対象の半導体ウエハの他の位置の端部の画像と比較することにより、欠陥検出を行うことができる。
図6は、本発明の第2の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。図6において、照明装置5による照明は、制御装置7によって、光ファイバによるライン照明に切り替えられており、指向性の高い照明が行なわれる。図中では、照明装置は、指向性の高い照明が行われている場合は、符号5bを付す。本実施形態においても、図2の場合と同様に、半導体ウエハ1の領域Aの部分に対しては、カメラ4のテレセントリック光学系により落射照明を行い、カメラ4により、その落射照明に基づいた領域Aの明視野像を撮像する。そして、領域Bに対しては、照明装置5bからのライン照明により、カメラ4により暗視野像を撮像する。このようにして、カメラ4により、領域Aの明視野像、領域Bの暗視野像を同時に撮像することができる。
図2の第1の実施形態と異なるのは、領域Bの暗視野像を撮像していることである。半導体ウエハ1の端部の傷や付着したゴミ等の異物の有無の検査においては、暗視野像の方が検出がしやすい。
図7は、本発明の第3の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。本実施形態では、図6の第2の実施形態と同様に照明装置5bからライン照明光を照射する。しかしながら、カメラ4からの落射照明は行わない。すなわち、本実施形態では、制御装置7による制御により、カメラ4からの落射照明をやめ、照明装置5による照明をライン照明に切り替え、ライン照明のみにより、カメラ4により領域Aと領域Bの暗視野像を撮像する。
前述のように、半導体ウエハ1の端部の傷や付着したゴミ等の異物の有無の検査においては暗視野像の方が検出がしやすいのであるが、本実施形態では、領域A、領域Bの両方に対して、その効果が得られる。
図8は、本発明の第4の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。本実施形態では、図2の第1の実施形態と同様に、照明装置5aからは拡散光による照明を行う。しかしながら、第3の実施形態と同様にカメラ4からの落射照明は行わない。すなわち、本実施形態では、照明装置5からの拡散光照明により、カメラ4により領域Bの明視野像を撮像する。
以上のように、実施形態に応じて、制御装置7により、照明装置5による照明を、拡散光による照明あるいは指向性の高い照明光による照明に切り替える。さらに、制御装置7により、カメラ4による落射照明を行うか行わないかを切り替える。このように照明方式を切り替えることにより、暗視野像での撮像により、ゴミなどの凹凸型の欠陥を検出しやすくする場合や、明視野像での撮像により、欠陥の状態、色合いを観測することが可能である。このように、検査したい欠陥を検出しやすくするような照明方式に切り替えながら検査を行うことができるので、最適な照明で検査を行うことができる。
図9は、本実施形態の端部検査装置を用いた欠陥検査の他の例を説明するための図である。半導体ウエハ1の表面端部には、表面に塗布されたレジスト膜の境界部分が存在する。この境界部分は、領域Aの部分に存在する。図9は、境界部分が撮像された画像を示している。この画像による欠陥検出は、図3で説明したように、良品ウエハの画像と比較することにより行うことができる。その場合、膜の境界部分が正常か否かは、以下のような処理を行って判断することができる。
図9に示す画像において、膜の境界部分から端部の最外周までの半径方向の距離を各位置で求める。半径方向とは、実際には図の上下方向とほぼ等しいから、上下方向の距離を求めればよい。そして、距離の最大値(図9中の矢印Maxで示した距離)と最小値(図9中の矢印Minで示した距離)を求める。良品ウエハでも同様にして最大値と最小値を求め許容範囲を決定し、それらの値を比較し、撮像された画像での値が許容範囲に入っているか否かによって、良否の判定を行う。
このような画像による良否判定は、カラー画像で行うことが好ましい。カラー画像より、R(赤色)成分、G(緑色)成分、B(青色)成分による画像の他、RGBの値からH(色相)、S(彩度),I(明度)成分を求め、これらの値により良否判定を行ってもよい。
上記実施形態では、図5で説明したように、半導体ウエハ1が保持テーブル2に載置された状態での偏芯の補正は、水平駆動部6を駆動することにより半導体ウエハ1を移動させることにより行った。この補正は、カメラ4と半導体ウエハ1の端部との相対位置関係を補正すればよいわけであるから、カメラ4を水平方向に移動させることによって補正を行ってもよい。
また、カメラ4と半導体ウエハ1の端部との物理的な相対位置関係は変えずに(すなわち、半導体ウエハ1もカメラ4も水平方向に移動させないで)、カメラ4で撮像した画像を処理することによって偏芯の補正を行ってもよい。図5に示すような破線部分の領域が画像処理をすることによって実線部分に来るようにすればよい。この場合、上下方向位置のずれを画像処理により補正するわけであるが、補正された画像は上下のいずれかの部分の画像情報が欠けることになる。
なお、照明装置5で用いる光源は、分光特性を可視領域に持つ光源としてもよいが、分光特性を赤外領域に持つ光源を用いてもよい。また、分光特性を紫外領域に持つ光源を用いてもよい。
また、本実施形態では、カメラ4を半導体ウエハ1の上方に設置して、半導体ウエハ1の表面端部を検査することとしたが、カメラ4を半導体ウエハ1の下方に設置して、半導体ウエハ1の裏面端部を検査する装置としてもよいし、上方、下方両方にカメラを設置し、表面、裏面両方の端部を検査する装置としてもよい。
本発明の実施形態による端部検査装置の構成を示す図である。 本発明の第1の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。 撮像した画像による欠陥検出のしかたを説明するための図である。 検出された欠陥の位置を特定するための座標系について説明するための図である。 半導体ウエハ1を保持テーブル2に載置した際に、半導体ウエハ1の中心と保持テーブル2の回転中心が一致しないことによる偏芯状態の補正について説明するための図である。 本発明の第2の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。 本発明の第3の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。 本発明の第4の実施形態による端部検査装置のカメラ4による半導体ウエハ1の端部の撮像を説明するための図である。 本実施形態の端部検査装置を用いた欠陥検査の他の例を説明するための図である。
符号の説明
1:半導体ウエハ、2:保持テーブル、3:回転駆動部、4:カメラ、5:照明装置、6:水平駆動部、7:制御部。

Claims (9)

  1. 平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から拡散光を照射する照明手段と、
    前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
    を備えたことを特徴とする端部検査装置。
  2. 平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から指向性の高い照明光を照射する照明手段と、
    前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
    を備えたことを特徴とする端部検査装置。
  3. 平板形状の被検物体の端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面の上方あるいは下方以外の位置から、拡散光あるいは指向性の高い照明光を照射する照明手段と、
    前記端部を前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から撮像する撮像手段と、
    前記撮像手段により得られた像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に対して傾斜した部分の状態を検査する検査手段と
    前記照明手段のよる照明光を、前記拡散光と前記指向性の高い照明光とで切り替える制御手段と
    を備えたことを特徴とする端部検査装置。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載の端部検査装置において、
    前記端部に対して、前記被検物体の表面あるいは裏面と平行な面に対して垂直方向位置から落射照明を行う落射照明手段を有し、
    前記検査手段は、前記撮像手段により得られた、前記落射照明手段によって照明された部分の像により、前記端部の前記表面あるいは裏面に平行な面の部分の状態を検査することを特徴とする端部検査装置。
  5. 請求項4に記載の端部検査装置において、
    前記撮像手段によって撮像される、前記照明手段によって照明された前記傾斜した部分の像と前記落射照明手段によって照明された前記平行な面の像の明るさが、前記撮像手段の感度の範囲内になるように調整する調整手段を有することを特徴とする端部検査装置。
  6. 請求項4に記載の端部検査装置において、
    前記調整手段は、前記照明手段と前記落射照明手段による照明光を調整することにより前記撮像手段により撮像されるそれぞれの像の状態を調整することを特徴とする端部検査装置。
  7. 請求項4に記載の端部検査装置において、
    前記照明手段と前記落射照明手段の光源を、分光特性を赤外領域に持つ光源とすることを特徴とする端面検査装置。
  8. 請求項4に記載の端部検査装置において、
    前記照明手段と前記落射照明手段の光源を、分光特性を紫外領域に持つ光源とすることを特徴とする端面検査装置。
  9. 請求項1から8のいずれか1項に記載の端部検査装置において、
    前記平板形状の被検物体を回転させる回転手段を有し、
    前記撮像手段は、前記被検物体の端部の複数位置を撮像することを特徴とする端部検査装置。
JP2006129895A 2006-05-09 2006-05-09 端部検査装置 Active JP5245212B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006129895A JP5245212B2 (ja) 2006-05-09 2006-05-09 端部検査装置
PCT/JP2007/059471 WO2007129691A1 (ja) 2006-05-09 2007-05-07 端部検査装置
EP07742906.6A EP2023130B1 (en) 2006-05-09 2007-05-07 Edge inspection apparatus
CN200780016768.6A CN101443653B (zh) 2006-05-09 2007-05-07 边缘检查设备
KR1020087027398A KR101444474B1 (ko) 2006-05-09 2007-05-07 검사 장치
TW096116471A TWI426261B (zh) 2006-05-09 2007-05-09 End inspection device
US12/292,010 US7800748B2 (en) 2006-05-09 2008-11-10 Edge inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006129895A JP5245212B2 (ja) 2006-05-09 2006-05-09 端部検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007303854A true JP2007303854A (ja) 2007-11-22
JP5245212B2 JP5245212B2 (ja) 2013-07-24

Family

ID=38837910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006129895A Active JP5245212B2 (ja) 2006-05-09 2006-05-09 端部検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5245212B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009133847A1 (ja) * 2008-04-30 2009-11-05 株式会社ニコン 観察装置および観察方法
JP2013160687A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Ohkura Industry Co Ltd 検査装置
JP2013224961A (ja) * 2013-07-12 2013-10-31 Hitachi High-Technologies Corp 半導体ウェハ検査装置
JP2015225288A (ja) * 2014-05-29 2015-12-14 株式会社レイテックス オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
KR20180038857A (ko) * 2016-10-07 2018-04-17 삼성전기주식회사 외관 검사 장치 및 그 광학계 자동 캘리브레이션 방법
WO2018092270A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社Fuji リード位置検出方法及びリード位置検出器
JP2018197695A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 株式会社カネカ 電子部品の外観検査方法及び外観検査装置
JP2020086363A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 Hoya株式会社 欠陥検査方法、並びにマスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
CN111458294A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 第一实业视检系统股份有限公司 检查装置
JP2021143990A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社東京精密 検査装置及び加工装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271438A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 New Kurieishiyon:Kk 検査装置
WO2003028089A1 (fr) * 2001-09-19 2003-04-03 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de controle de tranches en semiconducteur
JP2003207332A (ja) * 2002-01-09 2003-07-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 幅寸法測定装置および薄膜位置測定装置
JP2004518293A (ja) * 2001-01-26 2004-06-17 アプライド ビジョン テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体ウェーハ検査装置及びその方法
US20040169869A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Koung-Su Shin Method and apparatus for inspecting an edge exposure area of a wafer
WO2005008170A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 August Technology Corporation Edge normal process
JP2006005360A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh ウエハ検査方法及びシステム
JP2006017685A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検査装置
JP2006064975A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Olympus Corp 顕微鏡および薄板エッジ検査装置
JP2007059640A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Olympus Corp 外観検査装置
JP2007256272A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08271438A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 New Kurieishiyon:Kk 検査装置
JP2004518293A (ja) * 2001-01-26 2004-06-17 アプライド ビジョン テクノロジー カンパニー リミテッド 半導体ウェーハ検査装置及びその方法
WO2003028089A1 (fr) * 2001-09-19 2003-04-03 Olympus Optical Co., Ltd. Systeme de controle de tranches en semiconducteur
JP2003207332A (ja) * 2002-01-09 2003-07-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 幅寸法測定装置および薄膜位置測定装置
US20040169869A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Koung-Su Shin Method and apparatus for inspecting an edge exposure area of a wafer
WO2005008170A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 August Technology Corporation Edge normal process
JP2006005360A (ja) * 2004-06-16 2006-01-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh ウエハ検査方法及びシステム
JP2006017685A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Nippon Electro Sensari Device Kk 表面欠陥検査装置
JP2006064975A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Olympus Corp 顕微鏡および薄板エッジ検査装置
JP2007059640A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Olympus Corp 外観検査装置
JP2007256272A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2009133847A1 (ja) * 2008-04-30 2011-09-01 株式会社ニコン 観察装置および観察方法
WO2009133847A1 (ja) * 2008-04-30 2009-11-05 株式会社ニコン 観察装置および観察方法
JP2013160687A (ja) * 2012-02-07 2013-08-19 Ohkura Industry Co Ltd 検査装置
JP2013224961A (ja) * 2013-07-12 2013-10-31 Hitachi High-Technologies Corp 半導体ウェハ検査装置
JP2015225288A (ja) * 2014-05-29 2015-12-14 株式会社レイテックス オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
KR102653207B1 (ko) 2016-10-07 2024-04-01 삼성전기주식회사 외관 검사 장치 및 그 광학계 자동 캘리브레이션 방법
KR20180038857A (ko) * 2016-10-07 2018-04-17 삼성전기주식회사 외관 검사 장치 및 그 광학계 자동 캘리브레이션 방법
WO2018092270A1 (ja) * 2016-11-18 2018-05-24 株式会社Fuji リード位置検出方法及びリード位置検出器
JP2018197695A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 株式会社カネカ 電子部品の外観検査方法及び外観検査装置
JP2020086363A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 Hoya株式会社 欠陥検査方法、並びにマスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP7202861B2 (ja) 2018-11-30 2023-01-12 Hoya株式会社 欠陥検査方法、並びにマスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
CN111458294A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 第一实业视检系统股份有限公司 检查装置
JP2021143990A (ja) * 2020-03-13 2021-09-24 株式会社東京精密 検査装置及び加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5245212B2 (ja) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007303853A (ja) 端部検査装置
KR101444474B1 (ko) 검사 장치
JP5245212B2 (ja) 端部検査装置
TWI648534B (zh) 磊晶晶圓之裏面檢查方法、磊晶晶圓裏面檢查裝置、磊晶成長裝置之升降銷管理方法以及磊晶晶圓之製造方法
JP2006268050A (ja) 画像検査装置、パネル検査方法及び表示パネルの製造方法
JP7157580B2 (ja) 基板検査方法及び基板検査装置
TWI502186B (zh) A bright spot detection device for filtering foreign matter noise and its method
KR20100067659A (ko) 관찰 장치, 관찰 방법, 검사 장치 및 검사 방법
KR20100056545A (ko) 반도체 기판 이상들을 검출하기 위한 장치 및 방법
JP2013534312A (ja) ウェハのソーマークの三次元検査のための装置および方法
KR20180050369A (ko) 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 장치 및 그것을 이용한 에피택셜 웨이퍼 이면 검사 방법
JP5726628B2 (ja) 透明体ボトルの外観検査装置及び外観検査方法
JP2007333491A (ja) 板状部材の外観検査装置
JP2007093330A (ja) 欠陥抽出装置及び欠陥抽出方法
JP2006292412A (ja) 表面検査装置、表面検査方法、及び基板の製造方法
US8223328B2 (en) Surface inspecting apparatus and surface inspecting method
JP2012037425A (ja) 多結晶シリコンウェーハの検査方法及びその装置
JP2009109243A (ja) 樹脂封止材の検査装置
JP5634390B2 (ja) ガラス容器の欠陥検査方法及び装置
JP7125576B2 (ja) 異物検査装置及び異物検査方法
JP2001194322A (ja) 外観検査装置及び検査方法
JP5868203B2 (ja) 検査装置
JP2011196897A (ja) 検査装置
JP2009198395A (ja) 表面検査装置
JP4386326B2 (ja) プリント基板の検査方法およびこれに用いる装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080623

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090417

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091229

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121203

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20121203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121225

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130312

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130325

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5245212

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250