JP2007299467A - 磁気再生ヘッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一の電極層103の一部に、第一の絶縁層106を介して接する第一の強磁性電極層101と、第一の電極層の異なる部分に第二の絶縁層205を介して接する第二の強磁性電極層102とからなる強磁性電極対を備え、第一の電極層103と第一の強磁性層101は電流供給回路の一部であり、かつ、第一の電極層103と、第一の絶縁層が接していない領域において第二の絶縁層205を介して接する第二の強磁性層101は電圧測定回路の一部をなす構造を有し、第二の強磁性層と第二の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率が、第一の強磁性層と第一の絶縁層との交差領域の界面スピン分極率より大きい。
【選択図】図1
Description
本発明を適用した磁気ヘッドの最も原理的な素子構造は、図1に示されるような線状の導電体103と、第一の磁性体101とが、この導電体上に形成した第一の絶縁障壁層106において接しており、かつ、この導電体103の他の場所で、第二の磁性体102が絶縁障壁層205を介して導電体103と接している構造である。第一の磁性体101と導電体103には電流を流す電流源が接続されており、矢印109の方向から矢印110の方向へと電流を流すようになっている。また、磁性体102と導電体103は電圧を測定できる回路に接続している。
SNN∝P(J1)×(1−P(J2))×I …(1)
Iは、センス電流である。この式は、ショットノイズ低減には、自由層の分極率が1であるか、固定層のスピン分極を極力下げることが有効であることを意味している。ただし、出力ΔRは、dを二つの磁性層の距離、λをスピン拡散長とすると、下式で表されるので、P(J1)はゼロにはできないため、P(J2)をできるだけ高い値にすることが、シグナルを大きくし、ノイズを低減させるには重要であることがわかる。従って、図1に示すように、ジャンクション105の界面スピン分極率の値がジャンクション104の界面スピン分極率の値よりも大きいことが条件となる。
ΔR∝P(J1)×P(J2)×Iexp(−d/λ) …(2)
MR=100(RAP−RP)/RP=100・PAPB/(1−PAPB) …(3)
P=100×(n↑−n↓)/(n↑+n↓) …(4)
SNN∝P(J1)P(J2)×((P(J4)−P(J3))×I …(5)
Iは、センス電流である。この式は、ショットノイズ低減には、固定相の分極率P(J1)及びP(J2)を小さくすることと、固定層J3と自由層J4のスピン分極を近い値にすることが有効であることを示している。ただし、出力ΔRが、dを二つの磁性層の距離、λをスピン拡散長とすると、次式
ΔR∝P(J1)×P(J2)×P(J4)×P(J3)×Iexp(−d/λ) …(6)
で表されるので、P(J1)×P(J2)はゼロにはできない。P(J4)×P(J3)をできるだけ高い値にすることが本デバイスにおいてシグナルを大きくし、ノイズを低減させるには重要であることがわかる。従って、図8に示すように、ジャンクション810の界面スピン分極率の値がジャンクション808の界面スピン分極率の値とくらべ大きいことが条件となる。
SNN∝P(J1)P(J2)×((P(J4)−P(J3))×I …(7)
Iは、センス電流である。この式は、ショットノイズ低減には、固定相の分極率P(J1)及びP(J2)を小さくすることと、固定層J3と自由層J4のスピン分極を同じにすることが有効であることを示している。ただし、出力ΔRが、dを二つの磁性層の距離、λをスピン拡散長とすると、次式
ΔR∝P(J1)×P(J2)×P(J4)×P(J3)×Iexp(−d/λ) …(8)
で表されるので、P(J1) ×P(J2)はゼロにはできない。P(J4)×P(J3)をできるだけ高い値にすることが本デバイスにおいてシグナルを大きくし、ノイズを低減させるには重要であることがわかる。従って、図8に示すように、ジャンクション810の界面スピン分極率の値がジャンクション808の界面スピン分極率の値と同等である場合に、ノイズが低減する特徴的な条件となる。
図2の素子断面に見られる多層構造の膜は、SiO2基板やガラス基板などの通常用いられる基板(酸化マグネシウム基板、GaAs基板、AlTiC基板、SiC基板、Al2O3基板等を含む)213上に真空中スパッタリング法、分子線エピタキシー法(MBE)等の膜形成装置を用いて成膜した。例えばRFスパッタリング法の場合、Ar雰囲気中で、約1〜0.05Paのガス圧力、50W〜500Wのパワーで膜を形成した。素子形成する基体には、上記基板213を直接用いるか、又は、これら基板上に絶縁膜や、適当な下地金属膜214などを形成したものを用いる。
図14の膜も同様で、各磁性層とAl膜802の位置が異なる構造を示すものである。
Claims (20)
- 導電層と、
前記導電層に絶縁障壁層を介して強磁性層が積層され、前記導電層と前記強磁性層とは電流供給回路の一部をなしている第1の素子部と、
前記導電層に絶縁障壁層を介して強磁性層が積層され、前記導電層と前記強磁性層とは電圧測定回路の一部をなしている第2の素子部とを有し、
前記第2の素子部の強磁性層と絶縁障壁層との接合部の界面スピン分極率が前記第1の素子部の強磁性層と絶縁障壁層との接合部の界面スピン分極率より大きいことを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部は前記第2の素子部より素子高さ方向上方に位置することを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項2記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部の強磁性層は、前記絶縁障壁層に接している面と反対側の面に、当該強磁性層の磁化を固定するための膜が形成されていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項2記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第2の素子部の絶縁障壁層は結晶質であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項4記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第2の素子部の強磁性層は、体積比率において主たる結晶構造が体心立方格子あるいはアモルファス構造あるいはその混合状態であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項4記載の磁気再生ヘッドにおいて、少なくとも前記第2の素子部の絶縁層とこれと接する磁性層との界面について、障壁層のバリヤ高さが0.4eV以下であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項4記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁障壁層を構成する材料が、MgO,ZnO,TiO,MgAlO2,SrTiO3の少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項5記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記強磁性層を構成する材料は、FeとCoを含有したB,C,Nの少なくとも一種類との化合物、あるいは純Feあるいはこれの酸化物からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項1記載の磁気再生ヘッドにおいて、
前記第1の素子部は、前記導電層の第1の位置で前記導電層に第1の絶縁障壁層を介して積層された第1の強磁性層、及び前記導電層の第2の位置で前記導電層に第2の絶縁障壁層を介して積層された第2の強磁性層を有し、前記電流供給回路は前記第1の強磁性層と前記2の強磁性層に結線され、
前記第2の素子部は、前記導電層の第3の位置で前記導電層に第3の絶縁障壁層を介して積層された第3の強磁性層、及び前記導電層の第4の位置で前記導電層に第4の絶縁障壁層を介して積層された第4の強磁性層を有し、前記電圧測定回路は前記第3の強磁性層と前記第4の強磁性層に結線され、
前記第3の位置は前記第4の位置より素子高さ方向上方に位置し、前記第1の位置と第2の位置を結ぶ線分は前記第3の位置と前記第4の位置を結ぶ線分と交差することを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 請求項9記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の強磁性層、第2の強磁性層及び第3の強磁性層は、それぞれ絶縁障壁層に接している面と反対側の面に、当該強磁性層の磁化を固定するための膜が形成されていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項9記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第3の絶縁障壁層は結晶質であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項11記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第3の強磁性層は、体積比率において主たる結晶構造が体心立方格子あるいはアモルファス構造あるいはその混合状態であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項11記載の磁気再生ヘッドにおいて、少なくとも前記第2の素子部の絶縁層とこれと接する磁性層との界面について、該界面に電流を流したときの電流に対する電圧変化が、該界面の両面に接触する磁性層の磁化方向が平行と反並行の場合が一致せず、かつ、少なくともいずれか一方の磁化方向についての障壁層のバリヤ高さが0.4eV以下であることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項11記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記絶縁障壁層を構成する材料が、MgO,ZnO,TiO,MgAlO2,SrTiO3の少なくとも一種類からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項12記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記強磁性層を構成する材料は、FeとCoを含有したB,C,Nの少なくとも一種類との化合物、あるいは純Feあるいはこれの酸化物からなることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 導電層と、
前記導電層に、MgOからなる絶縁障壁層を介して、磁化方向が固定されたCoFeBからなる強磁性層が積層された積層膜を備え、前記導電層と当該積層膜の強磁性層は電流供給回路の一部をなしている第1の素子部と、
前記導電層に、MgOからなる絶縁障壁層を介して、外部磁界によって磁化方向が変化するCoFeBからなる強磁性層が積層された積層膜を備え、前記導電層と当該積層膜の強磁性層は電圧測定回路の一部をなしている第2の素子部と
を有することを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 請求項16記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部は前記第2の素子部より素子高さ方向上方に位置することを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項17記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の素子部の強磁性層は、前記絶縁障壁層に接している面と反対側の面に、当該強磁性層の磁化を固定するための膜が形成されていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
- 請求項16記載の磁気再生ヘッドにおいて、
前記第1の素子部は、前記導電層の第1の位置で前記導電層に第1の絶縁障壁層を介して積層された第1の強磁性層、及び前記導電層の第2の位置で前記導電層に第2の絶縁障壁層を介して積層された第2の強磁性層を有し、前記電流供給回路は前記第1の強磁性層と前記2の強磁性層に結線され、
前記第2の素子部は、前記導電層の第3の位置で前記導電層に第3の絶縁障壁層を介して積層された第3の強磁性層、及び前記導電層の第4の位置で前記導電層に第4の絶縁障壁層を介して積層された第4の強磁性層を有し、前記電圧測定回路は前記第3の強磁性層と前記第4の強磁性層に結線され、
前記3の位置は前記第4の位置より素子高さ方向上方に位置し、前記第1の位置と第2の位置を結ぶ線分は前記第3の位置と前記第4の位置を結ぶ線分と交差することを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 請求項19記載の磁気再生ヘッドにおいて、前記第1の強磁性層、第2の強磁性層及び第3の強磁性層は、それぞれ絶縁障壁層に接している面と反対側の面に、当該強磁性層の磁化を固定するための膜が形成されていることを特徴とする磁気再生ヘッド。
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