JP3055662B2 - 強磁性トンネル接合 - Google Patents
強磁性トンネル接合Info
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素
子、磁気ヘッドに用いられる強磁性トンネル接合に関す
る。
子、磁気ヘッドに用いられる強磁性トンネル接合に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高密度磁気記録における再生ヘッドとし
て、異方性磁気抵抗（以下AMRと称する）効果を用いた
磁気抵抗効果型ヘッド（以下MR磁気ヘッドと称する）が
商品化されている。しかしながら、磁性層にNiFe等のAM
R効果膜を用いているため、磁気抵抗（ＭＲ）変化率は
約２％、感度は0.5%/Oeと低いので、さらに高ＭＲ変化
率、高感度なMR膜が望まれている。
て、異方性磁気抵抗（以下AMRと称する）効果を用いた
磁気抵抗効果型ヘッド（以下MR磁気ヘッドと称する）が
商品化されている。しかしながら、磁性層にNiFe等のAM
R効果膜を用いているため、磁気抵抗（ＭＲ）変化率は
約２％、感度は0.5%/Oeと低いので、さらに高ＭＲ変化
率、高感度なMR膜が望まれている。
【０００３】このような要望に応える技術として、近
年、巨大磁気抵抗効果(GMR効果）という新しい現象が見
出され、従来のAMR効果より大きな磁気抵抗変化率が得
られるということで研究が進められている。GMR効果を
生じる、強磁性層／非磁性金属層／強磁性層／反強磁性
層の膜構成からなるスピンバルブ（ＳＶ）膜は、２〜５
%/Oeの高感度な特性を示すため、これを用いたSVヘッド
が次世代再生ヘッドとして注目され、実用化研究が始め
られている。
年、巨大磁気抵抗効果(GMR効果）という新しい現象が見
出され、従来のAMR効果より大きな磁気抵抗変化率が得
られるということで研究が進められている。GMR効果を
生じる、強磁性層／非磁性金属層／強磁性層／反強磁性
層の膜構成からなるスピンバルブ（ＳＶ）膜は、２〜５
%/Oeの高感度な特性を示すため、これを用いたSVヘッド
が次世代再生ヘッドとして注目され、実用化研究が始め
られている。
【０００４】一方、GMR効果とは別に、強磁性層／絶縁
層／強磁性層の接合構造を持ち、両強磁性層の磁化の相
対角度に依存してトンネル効果があらわれる強磁性トン
ネル効果という現象が見出され、この現象を利用した磁
気抵抗効果素子の研究及び開発が進められている。強磁
性トンネル効果膜は非常に高い磁場感度を有するため、
１０Gbit/inch2以上の超高密度磁気記録における再生ヘ
ッドとして可能性がある。S.Maekawa and V.Gafvert等
は、IEEE Trans. Magn., MAG-18, 707(1982)において、
磁性体／絶縁体／磁性体接合で両磁性層の磁化の相対角
度に依存してトンネル効果が現れることが期待されるこ
とを理論的、実験的に示した。
層／強磁性層の接合構造を持ち、両強磁性層の磁化の相
対角度に依存してトンネル効果があらわれる強磁性トン
ネル効果という現象が見出され、この現象を利用した磁
気抵抗効果素子の研究及び開発が進められている。強磁
性トンネル効果膜は非常に高い磁場感度を有するため、
１０Gbit/inch2以上の超高密度磁気記録における再生ヘ
ッドとして可能性がある。S.Maekawa and V.Gafvert等
は、IEEE Trans. Magn., MAG-18, 707(1982)において、
磁性体／絶縁体／磁性体接合で両磁性層の磁化の相対角
度に依存してトンネル効果が現れることが期待されるこ
とを理論的、実験的に示した。
【０００５】特開平4-42417号公報は、強磁性トンネル
効果膜を有する磁気抵抗効果素子を開示しており、従来
のMRヘッドにくらべ、微小な漏洩磁束の変化を高感度、
かつ、高分解能に検出できること、接合面積を狭めるこ
とによりピンホ−ルの発生確率を小さくして、再生感度
を一層向上させることができる旨述べられている。
効果膜を有する磁気抵抗効果素子を開示しており、従来
のMRヘッドにくらべ、微小な漏洩磁束の変化を高感度、
かつ、高分解能に検出できること、接合面積を狭めるこ
とによりピンホ−ルの発生確率を小さくして、再生感度
を一層向上させることができる旨述べられている。
【０００６】また、特開平4-103014号公報は、磁性層に
反強磁性体からのバイアス磁界を印加する強磁性トンネ
ル効果膜およびそれを用いた磁気抵抗効果素子を開示し
ている。
反強磁性体からのバイアス磁界を印加する強磁性トンネ
ル効果膜およびそれを用いた磁気抵抗効果素子を開示し
ている。
【０００７】更に、T.Miyazaki及びN.Tezuka等は、J.Ma
gn.Magn.Mater.139(1995)L231において、Fe/Al2O3/Feト
ンネル接合で室温においてＭＲ変化率１８％が得られた
と報告している。また、M.Pomerantz,J.C.Sloczewski及
びE.Spiller等は、Fe/a-Carbon/Fe膜について開示して
いる。
gn.Magn.Mater.139(1995)L231において、Fe/Al2O3/Feト
ンネル接合で室温においてＭＲ変化率１８％が得られた
と報告している。また、M.Pomerantz,J.C.Sloczewski及
びE.Spiller等は、Fe/a-Carbon/Fe膜について開示して
いる。
【０００８】しかしながら、これまで報告された強磁性
トンネル接合には、種々の解決すべき課題が存する。
トンネル接合には、種々の解決すべき課題が存する。
【０００９】なお、本発明における強磁性トンネル接合
は上記の強磁性トンネル効果膜と同一のものである。
は上記の強磁性トンネル効果膜と同一のものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
ＭＲ変化率を、再現性良く得ることのできる強磁性トン
ネル接合を提供することである。
ＭＲ変化率を、再現性良く得ることのできる強磁性トン
ネル接合を提供することである。
【００１１】本発明のもう一つの課題は、磁気抵抗効果
素子または磁気ヘッド等への応用において、構造を簡素
化し得る強磁性トンネル接合を提供することである。
素子または磁気ヘッド等への応用において、構造を簡素
化し得る強磁性トンネル接合を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、第１強磁性層と、絶縁層と、第２強磁
性層とが順次積層されてなる強磁性トンネル接合におい
て、前記絶縁層によるバリアポテンシャルを0.5〜３eV
の範囲に設定したことを特徴とする。
ため、本発明は、第１強磁性層と、絶縁層と、第２強磁
性層とが順次積層されてなる強磁性トンネル接合におい
て、前記絶縁層によるバリアポテンシャルを0.5〜３eV
の範囲に設定したことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は強磁性トンネル接合を概念
的に示す斜視図、図２は図１のＡ２ーＡ２線に沿った断
面図である。図示するように、強磁性トンネル接合は、
第１強磁性層１と、絶縁層３と、第２強磁性層２とが順
次積層されてなる。これらは、適当な絶縁支持基板４上
に積層されている。本発明は、かかる構造において、絶
縁層３によるバリアポテンシャルを0.5〜３eVの範囲に
設定したことを特徴とする。
的に示す斜視図、図２は図１のＡ２ーＡ２線に沿った断
面図である。図示するように、強磁性トンネル接合は、
第１強磁性層１と、絶縁層３と、第２強磁性層２とが順
次積層されてなる。これらは、適当な絶縁支持基板４上
に積層されている。本発明は、かかる構造において、絶
縁層３によるバリアポテンシャルを0.5〜３eVの範囲に
設定したことを特徴とする。
【００１４】強磁性トンネル接合において、電子ｅがス
ピンの向きを保ったまま、第１強磁性層１から、絶縁層
３を介して、第２強磁性層２に通り抜ける（図１、図２
参照）とき、電子ｅの透過率はスピンを考慮して求めた
波動関数を用いて、入射波と透過波の振幅自乗比から求
められ、そのトンネルコンダクタンスＧは、 G=G0′(1+P1′・P2′)COSθ と表される。ここで、 P1′= [(K1↑-K1↓)/(K1↑+K1↓)]α1 P2′= [(K2↑-K2↓)/(K2↑+K2↓)]α2 Ｇ0′：両強磁性層内での電子の波数K1↑、K1↓、K2↑、K
2↓及びバリアポテンシャルの高さで定まる定数 α1、α2： バリアポテンシャルの高さに依存する係数 P1′、P2′： 両強磁性層１、２の有効スピン偏極度 P1、 P2： 両強磁性層１、２のスピン偏極度（有効スピ
ン偏極度P1′、P2′の分数部分） である。トンネルコンダクタンスの変化率△G/G0は、 △G/G0=2・P1′・P2′ となる。トンネルコンダクタンスの変化率△G/G0はＭＲ
変化率と同義である。
ピンの向きを保ったまま、第１強磁性層１から、絶縁層
３を介して、第２強磁性層２に通り抜ける（図１、図２
参照）とき、電子ｅの透過率はスピンを考慮して求めた
波動関数を用いて、入射波と透過波の振幅自乗比から求
められ、そのトンネルコンダクタンスＧは、 G=G0′(1+P1′・P2′)COSθ と表される。ここで、 P1′= [(K1↑-K1↓)/(K1↑+K1↓)]α1 P2′= [(K2↑-K2↓)/(K2↑+K2↓)]α2 Ｇ0′：両強磁性層内での電子の波数K1↑、K1↓、K2↑、K
2↓及びバリアポテンシャルの高さで定まる定数 α1、α2： バリアポテンシャルの高さに依存する係数 P1′、P2′： 両強磁性層１、２の有効スピン偏極度 P1、 P2： 両強磁性層１、２のスピン偏極度（有効スピ
ン偏極度P1′、P2′の分数部分） である。トンネルコンダクタンスの変化率△G/G0は、 △G/G0=2・P1′・P2′ となる。トンネルコンダクタンスの変化率△G/G0はＭＲ
変化率と同義である。
【００１５】バリアポテンシャルの高さが低いと、それ
に依存する係数α1、α2が小さくなるため、両強磁性層
の有効スピン偏極度P1′、P2′も小さくなり、ＭＲ変化
率が低くなる。逆に、バリアポテンシャルが充分に高い
と、有効スピン偏極度P1′、P2′が、スピン偏極度P1、 P
2に近づき、高いＭＲ変化率が得られる。
に依存する係数α1、α2が小さくなるため、両強磁性層
の有効スピン偏極度P1′、P2′も小さくなり、ＭＲ変化
率が低くなる。逆に、バリアポテンシャルが充分に高い
と、有効スピン偏極度P1′、P2′が、スピン偏極度P1、 P
2に近づき、高いＭＲ変化率が得られる。
【００１６】バリアポテンシャルが0.5〜３eVの範囲に
ある本発明の場合、高いＭＲ変化率を、再現性よく得る
ことができる。その理由の一つは、バリアポテンシャル
を0.5〜３eVの範囲に保つことにより、均一性が良好
で、ピンホールの非常に少ない絶縁層３の形成が保証さ
れるためと推測される。
ある本発明の場合、高いＭＲ変化率を、再現性よく得る
ことができる。その理由の一つは、バリアポテンシャル
を0.5〜３eVの範囲に保つことにより、均一性が良好
で、ピンホールの非常に少ない絶縁層３の形成が保証さ
れるためと推測される。
【００１７】もう一つの理由は、上述したバリアポテン
シャルの範囲では、第１強磁性層１と第２強磁性層２と
の間に、絶縁層３を介して、安定した反強磁性的結合を
生じるためと推測される。バリアポテンシャルが1.5〜
2.5eVの範囲では、特に好ましい結果が得られた。
シャルの範囲では、第１強磁性層１と第２強磁性層２と
の間に、絶縁層３を介して、安定した反強磁性的結合を
生じるためと推測される。バリアポテンシャルが1.5〜
2.5eVの範囲では、特に好ましい結果が得られた。
【００１８】バリアポテンシャルが３eVを越えると、高
いＭＲ変化率を得ることができなくなる。原因は明確で
はないが、３eVを越えるバリアポテンシャルの範囲で
は、トンネル電流が流れなくなるためではないかと推測
される。
いＭＲ変化率を得ることができなくなる。原因は明確で
はないが、３eVを越えるバリアポテンシャルの範囲で
は、トンネル電流が流れなくなるためではないかと推測
される。
【００１９】バリアポテンシャルが0.5eVよりも小さく
なると、この種の強磁性トンネル接合において期待され
る高いＭＲ変化率を得ることができなくなる。その理由
は、絶縁層３の均一性が劣化し、ピンホールが増えるた
めと推測される。
なると、この種の強磁性トンネル接合において期待され
る高いＭＲ変化率を得ることができなくなる。その理由
は、絶縁層３の均一性が劣化し、ピンホールが増えるた
めと推測される。
【００２０】次に、バリアポテンシャルが0.5〜３eVと
なる範囲において、第１強磁性層１と第２強磁性層２と
の間に、絶縁層３を介して、安定した反強磁性的結合を
生じさせ得る可能性は、この強磁性トンネル接合を、磁
気ヘッドの読み取り用磁気変換素子に用いる場合に大き
な利点をもたらす。
なる範囲において、第１強磁性層１と第２強磁性層２と
の間に、絶縁層３を介して、安定した反強磁性的結合を
生じさせ得る可能性は、この強磁性トンネル接合を、磁
気ヘッドの読み取り用磁気変換素子に用いる場合に大き
な利点をもたらす。
【００２１】図３は反強磁性的結合を生じている場合の
磁場ー磁気抵抗変化率特性を示す図である。図３に示す
ように、反強磁性的結合を生じている場合、磁場ー磁気
抵抗曲線Ｌ１、Ｌ２が零磁場付近の領域△Ｈで、ＭＲ変
化率が最も高い値を示すようになる。従って、この強磁
性トンネル接合を磁気ヘッドの読み取り用磁気変換素子
として用いた場合、バイアス磁場を印加する必要がな
く、形状効果のみで、零磁場付近で直線領域が得られ
る。このため、磁気ヘッドの構造を簡素化することがで
きる。
磁場ー磁気抵抗変化率特性を示す図である。図３に示す
ように、反強磁性的結合を生じている場合、磁場ー磁気
抵抗曲線Ｌ１、Ｌ２が零磁場付近の領域△Ｈで、ＭＲ変
化率が最も高い値を示すようになる。従って、この強磁
性トンネル接合を磁気ヘッドの読み取り用磁気変換素子
として用いた場合、バイアス磁場を印加する必要がな
く、形状効果のみで、零磁場付近で直線領域が得られ
る。このため、磁気ヘッドの構造を簡素化することがで
きる。
【００２２】上述のようなバリアポテンシャルを確保し
得る絶縁層３の一例は、大気中で４０〜１００℃アニー
ルした酸化アルミニウム膜である。かかる酸化アルミニ
ウム膜は、金属アルミニウムが局部的に存在しなくなっ
たため、上下の強磁性層１−２間でブリッジができなく
なり、その結果、高いバリアポテンシャルを有する極薄
絶縁層３を有する強磁性トンネル接合が実現できる。
得る絶縁層３の一例は、大気中で４０〜１００℃アニー
ルした酸化アルミニウム膜である。かかる酸化アルミニ
ウム膜は、金属アルミニウムが局部的に存在しなくなっ
たため、上下の強磁性層１−２間でブリッジができなく
なり、その結果、高いバリアポテンシャルを有する極薄
絶縁層３を有する強磁性トンネル接合が実現できる。
【００２３】絶縁膜の他の例としては、ダイアモンド状
炭素膜(Diamond-like carbon膜、以下DLC膜と称する）
も、高いバリアポテンシャルを有する極薄絶縁層３を実
現するのに有効である。特に、プラズマCVD法で作製し
たDLC膜は、数十Åという非常に薄い層厚においても、
均一、かつ、ピンホ−ルのない良好な絶縁層３が得られ
る。
炭素膜(Diamond-like carbon膜、以下DLC膜と称する）
も、高いバリアポテンシャルを有する極薄絶縁層３を実
現するのに有効である。特に、プラズマCVD法で作製し
たDLC膜は、数十Åという非常に薄い層厚においても、
均一、かつ、ピンホ−ルのない良好な絶縁層３が得られ
る。
【００２４】なお、M.Pomerantz,J.C.Sloczewski及びE.
Spiller等が開示した中間膜のＣ膜は、ＭＢＥ法で作製
したアモルファス−Ｃ膜であり、プラズマＣＶＤ法で作
製したＤＬＣ膜とは異なる。具体的には、アモルファス
−Ｃ膜は炭素同士がネットワ−ク状に結合しているもの
であるが、本発明のＤＬＣ膜は炭素と水素がネットワ−
ク状に結合しており、本質的に異なるものである。
Spiller等が開示した中間膜のＣ膜は、ＭＢＥ法で作製
したアモルファス−Ｃ膜であり、プラズマＣＶＤ法で作
製したＤＬＣ膜とは異なる。具体的には、アモルファス
−Ｃ膜は炭素同士がネットワ−ク状に結合しているもの
であるが、本発明のＤＬＣ膜は炭素と水素がネットワ−
ク状に結合しており、本質的に異なるものである。
【００２５】本発明において、通常、第１強磁性層１の
保磁力と、第２強磁性層２の保磁力とは、互いに異なら
せる。図４は第１強磁性層１の保磁力Ｈ１と、第２強磁
性層２の保磁力Ｈ２とを、Ｈ１＞Ｈ２（またはＨ２＞Ｈ
１）のように異ならせた場合の磁化曲線を示している。
図示するように、磁化曲線は二段ループになっている。
図４中、円の内部に示された２つの矢印は、第１強磁性
層１の磁化の向き、及び、第２強磁性層２の磁化の向き
をそれぞれ示している。
保磁力と、第２強磁性層２の保磁力とは、互いに異なら
せる。図４は第１強磁性層１の保磁力Ｈ１と、第２強磁
性層２の保磁力Ｈ２とを、Ｈ１＞Ｈ２（またはＨ２＞Ｈ
１）のように異ならせた場合の磁化曲線を示している。
図示するように、磁化曲線は二段ループになっている。
図４中、円の内部に示された２つの矢印は、第１強磁性
層１の磁化の向き、及び、第２強磁性層２の磁化の向き
をそれぞれ示している。
【００２６】第１強磁性層１の磁化の向きと、第２強磁
性層２の磁化の向きは、印加磁界が保磁力Ｈ２（絶対
値）より大きく、かつ、保磁力Ｈ１（絶対値）よりも小
さい場合は、反平行になり、印加磁界が保磁力Ｈ１より
も大きい場合は、平行になる。電気抵抗は、磁化の向き
が反平行状態のとき大きく、磁化の向きが平行状態であ
るとき小さくなる。磁化の向きが平行である時の抵抗値
Ｒｓとし、磁化の向きが反平行から平行へ変化した時の
抵抗の変化分を△Ｒとすると、ＭＲ変化率は△Ｒ／Ｒｓ
となる。これにより、外部印加磁界を検出することがで
きる。
性層２の磁化の向きは、印加磁界が保磁力Ｈ２（絶対
値）より大きく、かつ、保磁力Ｈ１（絶対値）よりも小
さい場合は、反平行になり、印加磁界が保磁力Ｈ１より
も大きい場合は、平行になる。電気抵抗は、磁化の向き
が反平行状態のとき大きく、磁化の向きが平行状態であ
るとき小さくなる。磁化の向きが平行である時の抵抗値
Ｒｓとし、磁化の向きが反平行から平行へ変化した時の
抵抗の変化分を△Ｒとすると、ＭＲ変化率は△Ｒ／Ｒｓ
となる。これにより、外部印加磁界を検出することがで
きる。
【００２７】次に実施例を挙げて説明する。 実施例１ ３インチφのガラス基板でなる絶縁支持基板４上に、Ni
Feでなる第１強磁性層１、酸化アルミニウム膜でなる絶
縁層３及びＣｏでなる第２強磁性層２を積層し、図１及
び図２に示した強磁性トンネル接合を得た。酸化アルミ
ニウム膜でなる絶縁層３は、アルミニウム膜を大気中に
おいて６０℃、２４時間の熱処理を行なって形成した。
強磁性トンネル接合の接合面積は0.25〜2500μm2とし
た。
Feでなる第１強磁性層１、酸化アルミニウム膜でなる絶
縁層３及びＣｏでなる第２強磁性層２を積層し、図１及
び図２に示した強磁性トンネル接合を得た。酸化アルミ
ニウム膜でなる絶縁層３は、アルミニウム膜を大気中に
おいて６０℃、２４時間の熱処理を行なって形成した。
強磁性トンネル接合の接合面積は0.25〜2500μm2とし
た。
【００２８】上述した接合面積を持つ強磁性トンネル接
合を、各２０個ずつ作製し、各接合面積毎のバリアポテ
ンシャル、ＭＲ変化率の平均値及びそのばらつきを調べ
た。また、歩留りについても調べた。次に、強磁性トン
ネル接合の作製方法を具体的に説明する。
合を、各２０個ずつ作製し、各接合面積毎のバリアポテ
ンシャル、ＭＲ変化率の平均値及びそのばらつきを調べ
た。また、歩留りについても調べた。次に、強磁性トン
ネル接合の作製方法を具体的に説明する。
【００２９】まず、大きさ３インチφのコ−ニング7059
ガラス基板でなる支持基板４上に第１強磁性層１とし
て、層厚１０nmのNiFe膜をＲＦスパッタ法で成膜し、レ
ジストフォトリソ、Ａｒイオンミリング、レジスト剥離
の微細加工技術を用いて、0.5〜50μm×0.5mmの矩形状
にパタ−ニングした。
ガラス基板でなる支持基板４上に第１強磁性層１とし
て、層厚１０nmのNiFe膜をＲＦスパッタ法で成膜し、レ
ジストフォトリソ、Ａｒイオンミリング、レジスト剥離
の微細加工技術を用いて、0.5〜50μm×0.5mmの矩形状
にパタ−ニングした。
【００３０】その後、レジストパタ−ニングをおこな
い、第１強磁性層１を構成するＮｉＦｅ層の表面酸化層
を逆スパッタにより除去したあと、電子ビーム加熱式真
空蒸着法により、層厚５nmのアルミニウム膜を成膜し
た。
い、第１強磁性層１を構成するＮｉＦｅ層の表面酸化層
を逆スパッタにより除去したあと、電子ビーム加熱式真
空蒸着法により、層厚５nmのアルミニウム膜を成膜し
た。
【００３１】その後、サンプルを真空蒸着装置から取り
出して、大気中において６０℃、２４時間の熱処理を行
なった後、リフト・オフ・プロセスを経て、直径３mmφ
の酸化アルミニウム膜でなる絶縁層３を形成した。
出して、大気中において６０℃、２４時間の熱処理を行
なった後、リフト・オフ・プロセスを経て、直径３mmφ
の酸化アルミニウム膜でなる絶縁層３を形成した。
【００３２】次に、再びレジストパタ−ニングをおこな
った後、第２強磁性層２として層厚１００nmのＣｏ膜を
ＲＦスパッタ法で成膜し、続いて、リフトオフプロセス
を経て、第１強磁性層１と直角方向に0.5〜50μm×0.5m
mの矩形状パタ−ンを持つ第２強磁性層２を形成した。
これにより、接合面積0.25〜2500μm2の強磁性トンネル
接合が得られた。
った後、第２強磁性層２として層厚１００nmのＣｏ膜を
ＲＦスパッタ法で成膜し、続いて、リフトオフプロセス
を経て、第１強磁性層１と直角方向に0.5〜50μm×0.5m
mの矩形状パタ−ンを持つ第２強磁性層２を形成した。
これにより、接合面積0.25〜2500μm2の強磁性トンネル
接合が得られた。
【００３３】また、比較として、従来用いられている自
然酸化アルミニウム膜（成膜後、大気中において２４時
間放置）を絶縁層３としたNiFe/酸化アルミニウム/Co強
磁性トンネル接合も同様に作製した。
然酸化アルミニウム膜（成膜後、大気中において２４時
間放置）を絶縁層３としたNiFe/酸化アルミニウム/Co強
磁性トンネル接合も同様に作製した。
【００３４】実施例及び比較例において採用された第１
強磁性層１および第２強磁性層２の成膜条件は以下に示
す通りである。また、アルミニウム膜は、到達圧力３×
１０-5 Ｐａ 、蒸着速度0.05nm/sec で作製した。 ＜強磁性層成膜条件＞ 到達圧力：１×10-5Pa タ−ゲット： Ni80Fe20 at%、Co(４インチφ) スパッタガス：Ar 5 sccm スパッタ圧力：0.5Pa 投入パワ−： 150 Ｗ 成膜レ−ト：NiFe 45nm/min、Co 40nm/min 基板温度： 水冷 このようにして作製したサンプルについて、直流４端子
法で磁気抵抗（ＭＲ）曲線を測定した。なお、測定時の
最大印加磁場は±１kOeとし、−１kOeの磁場を印加させ
たのち、磁場を徐々に大きくして＋１kOeまでかけ、再
び−１kOeに戻した。また、バリアポテンシャルはトン
ネル接合のＶ−Ｉ特性を測定し、直線領域からのずれを
もとめた。
強磁性層１および第２強磁性層２の成膜条件は以下に示
す通りである。また、アルミニウム膜は、到達圧力３×
１０-5 Ｐａ 、蒸着速度0.05nm/sec で作製した。 ＜強磁性層成膜条件＞ 到達圧力：１×10-5Pa タ−ゲット： Ni80Fe20 at%、Co(４インチφ) スパッタガス：Ar 5 sccm スパッタ圧力：0.5Pa 投入パワ−： 150 Ｗ 成膜レ−ト：NiFe 45nm/min、Co 40nm/min 基板温度： 水冷 このようにして作製したサンプルについて、直流４端子
法で磁気抵抗（ＭＲ）曲線を測定した。なお、測定時の
最大印加磁場は±１kOeとし、−１kOeの磁場を印加させ
たのち、磁場を徐々に大きくして＋１kOeまでかけ、再
び−１kOeに戻した。また、バリアポテンシャルはトン
ネル接合のＶ−Ｉ特性を測定し、直線領域からのずれを
もとめた。
【００３５】図５に本発明に係る接合面積50×50μm2の
強磁性トンネル接合の磁気抵抗曲線を示す。印加磁場を
−１kOeより大きくしていくと、＋５Oeにおいて、第１
強磁性層１の磁化反転がおこり、第１強磁性層１ と第
２強磁性層２のスピンが反平行になるため、電気抵抗が
大きくなる。バリアポテンシャルを求めた結果0.5ｅＶ
であり、作製した２０個のうち１６個において同様のＭ
Ｒ曲線が得られた。ＭＲ変化率は6.6〜8.1％であり、Ｍ
Ｒ変化率の平均値は7.6％で、変化率ばらつきは±７％
であった。
強磁性トンネル接合の磁気抵抗曲線を示す。印加磁場を
−１kOeより大きくしていくと、＋５Oeにおいて、第１
強磁性層１の磁化反転がおこり、第１強磁性層１ と第
２強磁性層２のスピンが反平行になるため、電気抵抗が
大きくなる。バリアポテンシャルを求めた結果0.5ｅＶ
であり、作製した２０個のうち１６個において同様のＭ
Ｒ曲線が得られた。ＭＲ変化率は6.6〜8.1％であり、Ｍ
Ｒ変化率の平均値は7.6％で、変化率ばらつきは±７％
であった。
【００３６】一方、自然酸化アルミニウム膜を絶縁層３
とした比較例の強磁性トンネル接合においては、バリア
ポテンシャルは0.2eVしか得られなかった。また、４個
しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ変化率平均値は1.5％
と低く、平均値ばらつき±８８％と非常に大きかった。
種々の接合面積についても同様の評価を行なった。これ
らの結果を表１ー１、１ー２に示す。
とした比較例の強磁性トンネル接合においては、バリア
ポテンシャルは0.2eVしか得られなかった。また、４個
しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ変化率平均値は1.5％
と低く、平均値ばらつき±８８％と非常に大きかった。
種々の接合面積についても同様の評価を行なった。これ
らの結果を表１ー１、１ー２に示す。
【００３７】表１から明らかなように、大気中６０℃熱
処理により形成した酸化アルミニウム膜を絶縁層３とし
ての用いることにより、0.5〜３eVの高いバリアポテン
シャルと高いＭＲ変化率が得られ、しかもばらつきが少
なく、高い歩留まりが得られる。特にバリアポテンシャ
ルが1.5〜2.5eVのとき歩留りが高い。また、３０〜２５
０℃の温度範囲で大気中熱処理して得られた酸化アルミ
ニウム膜を絶縁層３とした強磁性トンネル接合のＭＲ特
性を調べた結果、４０〜１００℃熱処理した場合に、高
いＭＲ変化率が得られ、しかも、ばらつきが少なく、高
い歩留まりが得られることがわかった。
処理により形成した酸化アルミニウム膜を絶縁層３とし
ての用いることにより、0.5〜３eVの高いバリアポテン
シャルと高いＭＲ変化率が得られ、しかもばらつきが少
なく、高い歩留まりが得られる。特にバリアポテンシャ
ルが1.5〜2.5eVのとき歩留りが高い。また、３０〜２５
０℃の温度範囲で大気中熱処理して得られた酸化アルミ
ニウム膜を絶縁層３とした強磁性トンネル接合のＭＲ特
性を調べた結果、４０〜１００℃熱処理した場合に、高
いＭＲ変化率が得られ、しかも、ばらつきが少なく、高
い歩留まりが得られることがわかった。
【００３８】実施例２ ガラス基板でなる支持基板４上に、絶縁層３をDLC膜に
よって構成した強磁性トンネル接合を形成した。第１強
磁性層１はCo50Fe50によって構成し、第２強磁性層２は
Ｃｏによって構成した。接合面積は0.25〜2500μm2とし
た。第１強磁性層１及び第２強磁性層２は実施例１と同
様の方法で作製した。絶縁膜３を構成するDLC膜は、プ
ラズマCVD法により、層厚５nm、直径３mmφになるよう
成膜し、リフトオフ法によりパタ−ニングした。DLC膜
の成膜条件は以下に示す。
よって構成した強磁性トンネル接合を形成した。第１強
磁性層１はCo50Fe50によって構成し、第２強磁性層２は
Ｃｏによって構成した。接合面積は0.25〜2500μm2とし
た。第１強磁性層１及び第２強磁性層２は実施例１と同
様の方法で作製した。絶縁膜３を構成するDLC膜は、プ
ラズマCVD法により、層厚５nm、直径３mmφになるよう
成膜し、リフトオフ法によりパタ−ニングした。DLC膜
の成膜条件は以下に示す。
【００３９】＜DLC膜成膜条件＞ 到達圧力：２×１０-3 Pa 導入ガス：メタン 5sccm スパッタ圧力：３．５Pa ＲＦパワ−：５０ Ｗ 自己バイアス：−１５０ Ｖ 成膜レ−ト：１０nm/min 基板温度：加熱および水冷なし また、比較例として、自然酸化アルミニウム膜を絶縁層
３としたCo50Fe50/酸化アルミニウム/Co強磁性トンネル
接合を作製した。
３としたCo50Fe50/酸化アルミニウム/Co強磁性トンネル
接合を作製した。
【００４０】上記実施例及び比較例のサンプルについ
て、直流４端子法でＭＲ特性を測定して得られた結果を
表２ー１、２ー２に示す。
て、直流４端子法でＭＲ特性を測定して得られた結果を
表２ー１、２ー２に示す。
【００４１】表２から明らかなように、プラズマCVD法
で作製したDLC膜を、絶縁層３として用いることによ
り、高いバリアポテンシャルおよび高いＭＲ変化率が得
られ、しかも、ばらつきが少なく、高い歩留まりが得ら
れることがわかる。例えば、本実施例による接合面積50
×50μm2のサンプルについて、作製した２０個のうち、
１５個でＭＲ曲線が得られた。ＭＲ変化率の平均値は1
8.9％で、変化率のばらつきは±１２％であった。ま
た、実施例１と同様に、バリアポテンシャル1.5〜2.5eV
のとき特に歩留りが高かった。これに対して、自然酸化
アルミニウム膜を絶縁層３とした比較例の強磁性トンネ
ル接合においては、バリアポテンシャルは小さく、５個
しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ変化率平均値は3.3％
と低く、ばらつきは±８８％と非常に大きかった。
で作製したDLC膜を、絶縁層３として用いることによ
り、高いバリアポテンシャルおよび高いＭＲ変化率が得
られ、しかも、ばらつきが少なく、高い歩留まりが得ら
れることがわかる。例えば、本実施例による接合面積50
×50μm2のサンプルについて、作製した２０個のうち、
１５個でＭＲ曲線が得られた。ＭＲ変化率の平均値は1
8.9％で、変化率のばらつきは±１２％であった。ま
た、実施例１と同様に、バリアポテンシャル1.5〜2.5eV
のとき特に歩留りが高かった。これに対して、自然酸化
アルミニウム膜を絶縁層３とした比較例の強磁性トンネ
ル接合においては、バリアポテンシャルは小さく、５個
しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ変化率平均値は3.3％
と低く、ばらつきは±８８％と非常に大きかった。
【００４２】次に、接合面積と反転磁場との関係につい
て述べる。接合面積が小さいほど絶縁層３のピンホール
などの欠陥が少なくなるため高い歩留まりが得られるこ
とは報告されている。表１および表２からわかるよう
に、本実施例の強磁性トンネル接合において、接合面積
が小さいほどＭＲ変化率は高く、また高い歩留まりが得
られる。特にバリアポテンシャル1.5〜2.5eVのときに歩
留りが高くなる。また、図５に示す磁場Ｈａｂ、即ち、
第１強磁性層１の磁化が反転する磁場が、負の方向にシ
フトしていくことがわかった。特に、接合面積が１０μ
m2より小さくバリアポテンシャルが1.5〜2.5eVのとき、
零磁場において第１強磁性層１と第２強磁性層２の各々
の磁化が反平行状態になる。このことは、両磁性層間に
反強磁性的結合力が作用していることを示している。接
合面積が１０μm2より小さい場合に高いＭＲ変化率と高
い歩留まりが得られたのは、均一でピンホールの非常に
少ない絶縁層３を用い、かつ、接合面積を小さくするこ
とにより、両磁性層間に反強磁性的結合が生じたためと
考えられる。また実施例１−７及び実施例２−８に示す
ように、接合面積が１０μm2以下でもバリアポテンシャ
ルが2.5eVより大きいと、両磁性層間で反強磁性的接合
は得られず、歩留りも若干低下する。
て述べる。接合面積が小さいほど絶縁層３のピンホール
などの欠陥が少なくなるため高い歩留まりが得られるこ
とは報告されている。表１および表２からわかるよう
に、本実施例の強磁性トンネル接合において、接合面積
が小さいほどＭＲ変化率は高く、また高い歩留まりが得
られる。特にバリアポテンシャル1.5〜2.5eVのときに歩
留りが高くなる。また、図５に示す磁場Ｈａｂ、即ち、
第１強磁性層１の磁化が反転する磁場が、負の方向にシ
フトしていくことがわかった。特に、接合面積が１０μ
m2より小さくバリアポテンシャルが1.5〜2.5eVのとき、
零磁場において第１強磁性層１と第２強磁性層２の各々
の磁化が反平行状態になる。このことは、両磁性層間に
反強磁性的結合力が作用していることを示している。接
合面積が１０μm2より小さい場合に高いＭＲ変化率と高
い歩留まりが得られたのは、均一でピンホールの非常に
少ない絶縁層３を用い、かつ、接合面積を小さくするこ
とにより、両磁性層間に反強磁性的結合が生じたためと
考えられる。また実施例１−７及び実施例２−８に示す
ように、接合面積が１０μm2以下でもバリアポテンシャ
ルが2.5eVより大きいと、両磁性層間で反強磁性的接合
は得られず、歩留りも若干低下する。
【００４３】次に、本発明に係る強磁性トンネル接合
を、磁気ヘッドへ適用した例について述べる。 ＜本発明のＭＲヘッド＞実施例２によるCo50Fe50/DLC/C
o強磁性トンネル接合を磁気抵抗効果膜に用いた再生用
磁気抵抗効果型ヘッドを作製し、磁気記録媒体に書き込
まれた記録信号を読み出し、再生感度および再生出力を
調べ、従来のAMR磁気抵抗効果型ヘッドと比較した。図
６に本発明にかかる強磁性トンネル接合を用いた再生用
磁気ヘッドの模式図を示す。次に、ヘッドの作製方法に
ついて説明する。
を、磁気ヘッドへ適用した例について述べる。 ＜本発明のＭＲヘッド＞実施例２によるCo50Fe50/DLC/C
o強磁性トンネル接合を磁気抵抗効果膜に用いた再生用
磁気抵抗効果型ヘッドを作製し、磁気記録媒体に書き込
まれた記録信号を読み出し、再生感度および再生出力を
調べ、従来のAMR磁気抵抗効果型ヘッドと比較した。図
６に本発明にかかる強磁性トンネル接合を用いた再生用
磁気ヘッドの模式図を示す。次に、ヘッドの作製方法に
ついて説明する。
【００４４】まず、膜厚３０μmのアルミナ絶縁膜が形
成されたAl2O3ーTiC基板（図示しない）上に下部シ−ル
ド膜７１として、ＤＣスパッタ法を用いて、膜厚２μm
のセンダスト膜を形成し、フォトリソグラフおよびＡｒ
イオンエッチングにより所定の形状にした。
成されたAl2O3ーTiC基板（図示しない）上に下部シ−ル
ド膜７１として、ＤＣスパッタ法を用いて、膜厚２μm
のセンダスト膜を形成し、フォトリソグラフおよびＡｒ
イオンエッチングにより所定の形状にした。
【００４５】次に、この上に下部絶縁層８１として、Ｒ
Ｆスパッタ法を用いて、膜厚８０nmのアルミナ膜を形成
し、続いて、第１電極膜６１として、レジストパタ−ニ
ング後、Cr(5nm)/Cu(30nm)/Cr(5nm)膜をＤＣスパッタ法
により成膜し、リフトオフ法で所定の形状に加工した。
Ｆスパッタ法を用いて、膜厚８０nmのアルミナ膜を形成
し、続いて、第１電極膜６１として、レジストパタ−ニ
ング後、Cr(5nm)/Cu(30nm)/Cr(5nm)膜をＤＣスパッタ法
により成膜し、リフトオフ法で所定の形状に加工した。
【００４６】次に、膜厚１０nmのCo50Fe50膜でなる第１
強磁性層１、膜厚５nmのDLC膜でなる絶縁膜３及び膜厚
５nmのＣｏ膜でなる第２強磁性層２を積層し、それによ
って強磁性トンネル接合９を形成した。強磁性トンネル
接合の形成方法について述べる。
強磁性層１、膜厚５nmのDLC膜でなる絶縁膜３及び膜厚
５nmのＣｏ膜でなる第２強磁性層２を積層し、それによ
って強磁性トンネル接合９を形成した。強磁性トンネル
接合の形成方法について述べる。
【００４７】まず、レジストパタ−ニング後第１強磁性
層１として、Co50Fe50(10nm)層をＲＦスパッタ法で形成
し、絶縁層３としてDLC(5nm)層をプラズマCVD法で形成
した。次に、第２強磁性層２として、Co(10nm)層をＲＦ
スパッタ法で形成し、リフトオフ法により幅１μm ×長
さ６μm の形状にした。
層１として、Co50Fe50(10nm)層をＲＦスパッタ法で形成
し、絶縁層３としてDLC(5nm)層をプラズマCVD法で形成
した。次に、第２強磁性層２として、Co(10nm)層をＲＦ
スパッタ法で形成し、リフトオフ法により幅１μm ×長
さ６μm の形状にした。
【００４８】最後に、第１電極膜６１と同じ方法で、レ
ジストパタ−ニング後、第２電極膜６２としてCr(5nm)/
Cu(30nm)/Cr(5nm)膜を成膜し、リフトオフ法で所定の形
状に加工した。なお、第２電極膜を成膜する前に、第２
強磁性層２の上部に形成された表面酸化層などを逆スパ
ッタで除去し、最終的な第２強磁性層厚が５μnm になる
ようにした。その上に、上部絶縁層８２として膜厚９０
nmのアルミナ膜を形成した。
ジストパタ−ニング後、第２電極膜６２としてCr(5nm)/
Cu(30nm)/Cr(5nm)膜を成膜し、リフトオフ法で所定の形
状に加工した。なお、第２電極膜を成膜する前に、第２
強磁性層２の上部に形成された表面酸化層などを逆スパ
ッタで除去し、最終的な第２強磁性層厚が５μnm になる
ようにした。その上に、上部絶縁層８２として膜厚９０
nmのアルミナ膜を形成した。
【００４９】次に、上部シ−ルド膜７２として、膜厚２
μmのNiFe膜をＤＣスパッタ法で成膜し、フォトリソお
よびＡｒイオンエッチングにより所定の形状にした。最
後に、めっき法でＣｕのバンプ電極膜を作製したのち、
保護膜として膜厚３０μmのアルミナ膜を被せた。その
後、所定の大きさに加工研磨して接合面積が幅１μm 、
長さ１μm の再生用磁気抵抗効果型ヘッドとした。すな
わち、ヘッドのトラック幅は１μmおよびＭＲハイトは
１μm、ＭＲシ−ルド間隔は0.27μmとした。 ＜従来のAMRヘッド：比較例＞比較のため、図７に示す
ような、SALバイアス方式のNiFe層をＭＲ膜としたトラ
ック幅１μm、ＭＲハイト１μm、ＭＲシ−ルド間隔0.27
μmの従来のAMRヘッドも作製した。作製方法を以下に示
す。下部絶縁層８１の形成までは本発明の強磁性トンネ
ル接合型ＭＲヘッドと同じである。下部絶縁層８１を形
成した後、まずSAL膜としてNiFeRh膜５１、磁気分離膜
としてTa膜５２及び、ＭＲ膜としてNiFe膜５３をＤＣス
パッタ法で成膜し、微細加工技術により矩形状に加工し
た。その後、電極膜６１、６２、上部絶縁層８２及び上
部シ−ルド膜７２を薄膜及び微細加工技術で形成した。
μmのNiFe膜をＤＣスパッタ法で成膜し、フォトリソお
よびＡｒイオンエッチングにより所定の形状にした。最
後に、めっき法でＣｕのバンプ電極膜を作製したのち、
保護膜として膜厚３０μmのアルミナ膜を被せた。その
後、所定の大きさに加工研磨して接合面積が幅１μm 、
長さ１μm の再生用磁気抵抗効果型ヘッドとした。すな
わち、ヘッドのトラック幅は１μmおよびＭＲハイトは
１μm、ＭＲシ−ルド間隔は0.27μmとした。 ＜従来のAMRヘッド：比較例＞比較のため、図７に示す
ような、SALバイアス方式のNiFe層をＭＲ膜としたトラ
ック幅１μm、ＭＲハイト１μm、ＭＲシ−ルド間隔0.27
μmの従来のAMRヘッドも作製した。作製方法を以下に示
す。下部絶縁層８１の形成までは本発明の強磁性トンネ
ル接合型ＭＲヘッドと同じである。下部絶縁層８１を形
成した後、まずSAL膜としてNiFeRh膜５１、磁気分離膜
としてTa膜５２及び、ＭＲ膜としてNiFe膜５３をＤＣス
パッタ法で成膜し、微細加工技術により矩形状に加工し
た。その後、電極膜６１、６２、上部絶縁層８２及び上
部シ−ルド膜７２を薄膜及び微細加工技術で形成した。
【００５０】この磁気ヘッドを用いて、保磁力2500Oe
、膜厚５０nmの磁気記録媒体に書き込まれた記録信号
を再生し、特性を調べた。図８は、単位トラック幅当た
りの再生出力と記録密度を比較した図である。曲線Ｌ３
は本発明に係る強磁性トンネル接合を用いた磁気ヘッド
の特性、曲線Ｌ４は従来のAMRヘッドの特性をそれぞれ
示している。図８に示すように、本発明の再生用磁気抵
抗効果型ヘッドによれば、従来のAMRヘッドより４〜５
倍の再生出力が得られた。
、膜厚５０nmの磁気記録媒体に書き込まれた記録信号
を再生し、特性を調べた。図８は、単位トラック幅当た
りの再生出力と記録密度を比較した図である。曲線Ｌ３
は本発明に係る強磁性トンネル接合を用いた磁気ヘッド
の特性、曲線Ｌ４は従来のAMRヘッドの特性をそれぞれ
示している。図８に示すように、本発明の再生用磁気抵
抗効果型ヘッドによれば、従来のAMRヘッドより４〜５
倍の再生出力が得られた。
【００５１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）高いＭＲ変化率を、再現性良く得ることのできる
強磁性トンネル接合を提供することができる （ｂ）磁気抵抗効果素子または磁気ヘッド等への応用に
おいて、構造を簡素化し得る強磁性トンネル接合を提供
することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）高いＭＲ変化率を、再現性良く得ることのできる
強磁性トンネル接合を提供することができる （ｂ）磁気抵抗効果素子または磁気ヘッド等への応用に
おいて、構造を簡素化し得る強磁性トンネル接合を提供
することができる。
【図１】本発明に係る強磁性トンネル接合を模式的に示
す斜視図
す斜視図
【図２】図１のＡ２ーＡ２線に沿った断面図である。
【図３】強磁性トンネル接合の磁気抵抗変化率特性を示
す図である。
す図である。
【図４】強磁性トンネル接合の磁化曲線を示す図であ
る。
る。
【図５】本発明に係る強磁性トンネル接合の磁気抵抗変
化率特性を示す図である。
化率特性を示す図である。
【図６】本発明に係る強磁性トンネル接合を用いた磁気
ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。
ヘッドの構成を概略的に示す斜視図である。
【図７】AMR効果を用いた従来の磁気ヘッドの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図８】本発明の再生磁気ヘッドと従来のＡＭＲヘッド
の再生特性を示す図である。
の再生特性を示す図である。
１ 第１強磁性層 ２ 第２強磁性層 ３ 絶縁層 ４ 基板 ５１ SAL膜 ５２ 磁気分離膜 ５３ ＭＲ膜 ６１、６２ 電極膜 ７１ 下部シ−ルド膜 ７２ 上部シ−ルド膜 ８１ 下部絶縁層 ８２ 上部絶縁層 ９ 強磁性トンネル接合
フロントページの続き (72)発明者 太田 学 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 荒木 悟 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−91949（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−106514（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−64434（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39 H01L 43/08
Claims (9)
- 【請求項１】 第１強磁性層と、絶縁層と、第２強磁性
層とが順次積層されてなる強磁性トンネル接合であっ
て、 前記絶縁層によるバリアポテンシャルが0.5〜３eVの範
囲にある強磁性トンネル接合。 - 【請求項２】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 前記絶縁層によるバリアポテンシャルは1.5〜2.5eVの範
囲にある強磁性トンネル接合。 - 【請求項３】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 前記第１強磁性層の保磁力と、前記第２強磁性層の保磁
力とが異なる強磁性トンネル接合。 - 【請求項４】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 前記第１強磁性層および前記第２強磁性層が、前記絶縁
層を介して、反強磁性的結合している強磁性トンネル接
合。 - 【請求項５】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 前記絶縁層は、成膜後に大気中において４０〜１００℃
で熱処理して形成した酸化アルミニウム膜である強磁性
トンネル接合。 - 【請求項６】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 前記絶縁層は、ダイアモンド状炭素膜である強磁性トン
ネル接合。 - 【請求項７】 請求項１に記載された強磁性トンネル接
合であって、 トンネル接合部分の面積が１０μm2以下である強磁性ト
ンネル接合。 - 【請求項８】 強磁性トンネル接合を感磁部とする磁気
抵抗効果素子であって、 前記強磁性トンネル接合は、請求項１乃至７に記載され
た何れかでなる磁気抵抗効果素子。 - 【請求項９】 磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果
型ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果素子は、請求項８に記載されたもので
なる磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP8248410A JP3055662B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 強磁性トンネル接合 |
| EP97307274A EP0831541A3 (en) | 1996-09-19 | 1997-09-18 | Ferromagnetic tunnel junction, magnetoresistive element and magnetic head |
| SG1997003458A SG72760A1 (en) | 1996-09-19 | 1997-09-18 | Ferromagnetic tunnel junction magnetoresistive element and magnetic head |
| US08/933,347 US5862022A (en) | 1996-09-19 | 1997-09-19 | Ferromagnetic tunnel junction, magnetoresistive element and magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248410A JP3055662B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 強磁性トンネル接合 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1091925A JPH1091925A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3055662B2 true JP3055662B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=17177707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248410A Expired - Fee Related JP3055662B2 (ja) | 1996-09-19 | 1996-09-19 | 強磁性トンネル接合 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3055662B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3520242B2 (ja) | 1996-12-10 | 2004-04-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気ヘッド |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6178074B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Double tunnel junction with magnetoresistance enhancement layer |
| JP4487472B2 (ja) | 2002-07-05 | 2010-06-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子、及びこれを備える磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ |
| JP4128938B2 (ja) | 2003-10-28 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| JP4731393B2 (ja) | 2006-04-28 | 2011-07-20 | 株式会社日立製作所 | 磁気再生ヘッド |
| EP2306540B1 (en) | 2008-06-24 | 2014-08-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Spin valve recording element and storage device |
| EP2320489B1 (en) | 2008-07-14 | 2014-05-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Spin valve element and its driving method and storage device employing them |
-
1996
- 1996-09-19 JP JP8248410A patent/JP3055662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3520242B2 (ja) | 1996-12-10 | 2004-04-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁気ヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1091925A (ja) | 1998-04-10 |
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