JP2007287193A - 磁気記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 磁気抵抗素子2は、第1端および第2端を有し、第1端から第2端に向かう電流を供給されることにより第1データを書き込まれ、第2端から第1端に向かう電流を供給されることにより第2データを書き込まれる。第1p型MOSFET13は、一端を第1端と接続される。第2p型MOSFET14は、一端を第2端と接続される。第1n型MOSFET15は、一端を第1端と接続される。第2n型MOSFET16は、一端を第2端と接続される。第1電流ソース回路21は、第1、第2p型MOSFETの各他端と接続され、電流を供給する。第1電流シンク回路24は、第1、第2n型MOSFETの各他端と接続され、電流を引き抜く。
【選択図】 図2
Description
Vgs=Vg−Vs=Vdd−Vs>Vth
を満たすとオンする。このときのソース電位Vsは、
Vs<Vdd−Vth
となり、Vddより小さくなる。
図2は、本発明の第1実施形態に係る磁気記憶装置(MRAM)の回路構成を示している。図2に示すように、複数のメモリセル1が行列状に配置されている。各メモリセル1は、直列接続された磁気抵抗素子2と選択トランジスタ3とから構成される。
第2実施形態は、隣接する2つのメモリセルアレイが電流ソース回路を共用する構成に関する。
第3実施形態は、隣接する2つのメモリセルアレイが電流シンク回路を共用する構成に関する。
第4実施形態は、トランジスタ13乃至16のオン、オフを制御するための構成(制御回路6)に関する。
第5実施形態は、第1実施形態のトランジスタ13乃至16のオン、オフを制御するための構成(制御回路6)に関する。
Claims (5)
- 第1端および第2端を有し、前記第1端から前記第2端に向かう電流を供給されることにより第1データを書き込まれ、前記第2端から前記第1端に向かう電流を供給されることにより第2データを書き込まれる、第1磁気抵抗素子と、
一端を前記第1端と接続された第1p型MOSFETと、
一端を前記第2端と接続された第2p型MOSFETと、
一端を前記第1端と接続された第1n型MOSFETと、
一端を前記第2端と接続された第2n型MOSFETと、
前記第1、第2p型MOSFETの各他端と接続され、電流を供給する第1電流ソース回路と、
前記第1、第2n型MOSFETの各他端と接続され、電流を引き抜く第1電流シンク回路と、
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第1磁気抵抗素子に前記第1データが書き込まれる際、前記第1p型MOSFETと前記第2n型MOSFETとがオンとされ、前記第2p型MOSFETと前記第1n型MOSFETとがオフとされ、
前記第1磁気抵抗素子に前記第2データが書き込まれる際、前記第2p型MOSFETと前記第1n型MOSFETとがオンとされ、前記第1p型MOSFETと前記第2n型MOSFETとがオフとされる、
ことを特徴とする請求項1に記載の磁気記憶装置。 - 前記第1、第2n型MOSFETが、スタンバイ時にオンとされていることを特徴とする請求項2に記載の磁気記憶装置。
- 第3端および第4端を有し、前記第3端から前記第4端に向かう電流または前記第3端から前記第4端に向かう電流を供給されることによりデータを書き込まれる、第2磁気抵抗素子と、
前記第3端と前記第1電流ソース回路との間に接続された第3p型MOSFETと、
前記第4端と前記第1電流ソース回路との間に接続された第4p型MOSFETと、
一端を前記第3端と接続された第3n型MOSFETと、
一端を前記第4端と接続された第4n型MOSFETと、
前記第3、第4n型MOSFETの各他端と接続され、電流を引き抜く第2電流シンク回路と、
をさらに具備する請求項1に記載の磁気記憶装置。 - 第3端および第4端を有し、前記第3端から前記第4端に向かう電流または前記第3端から前記第4端に向かう電流を供給されることによりデータを書き込まれる、第2磁気抵抗素子と、
前記第3端と前記第1電流シンク回路との間に接続された第3n型MOSFETと、
前記第4端と前記第1電流シンク回路との間に接続された第4n型MOSFETと、
一端を前記第3端と接続された第3p型MOSFETと、
一端を前記第4端と接続された第4p型MOSFETと、
前記第3、第4p型MOSFETの各他端と接続され、電流を供給する第2電流ソース回路と、
をさらに具備する請求項1に記載の磁気記憶装置。
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