JP5159116B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 160
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 90
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 102100035420 DnaJ homolog subfamily C member 1 Human genes 0.000 description 9
- 101000804122 Homo sapiens DnaJ homolog subfamily C member 1 Proteins 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
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- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0023—Address circuits or decoders
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/10—Phase change RAM [PCRAM, PRAM] devices
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- Hall/Mr Elements (AREA)
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Description
2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, pp.454-457, 2003 IEDM Proceedings, pp.995-997
[1−1]1セル群の構成
図1は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの1セル群の等価回路図を示す。以下に、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの1セル群の回路構成について説明する。
図2は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプAのメモリセルアレイの等価回路図を示す。以下に、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプAのメモリセルアレイの回路構成について説明する。尚、本図のセル群G1は、図1のセル群G1と同様であるため回路構成の説明は省略する。
図3は、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプBのメモリセルアレイの等価回路図を示す。以下に、本発明の一実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプBのメモリセルアレイの回路構成について説明する。尚、本図のセル群G1は、図1のセル群G1と同様であるため回路構成の説明は省略する。
第1の実施形態は、トランジスタの共有ノードとなるソース/ドレイン拡散層を隣接するビット線まで引き出して接続する例である。
図4は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプAのメモリセルアレイのレイアウト図を示す。図5は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのタイプBのメモリセルアレイのレイアウト図を示す。以下に、本発明の第1の実施形態に係るメモリセルアレイのレイアウトについて、セル群G1を例に挙げて説明する。
図6(a)は、図4及び図5のA−A線に沿った断面構造例1の断面図を示す。図6(b)は、図4及び図5のB−B線に沿った断面構造例1の断面図を示す。以下に、断面構造例1について、セル群G1を例に挙げて説明する。
図7(a)及び図8(a)は、図4及び図5のA−A線に沿った断面構造例2の断面図を示す。図7(b)及び図8(b)は、図4及び図5のB−B線に沿った断面構造例2の断面図を示す。以下に、断面構造例2について、セル群G1を例に挙げて説明する。
第2の実施形態は、MTJ素子下の下部電極層を隣接するビット線間で延在させ、この下部電極層を用いてトランジスタの共有ノードと隣接ビット線とを接続する例である。
第3の実施形態は、トランジスタの共有ノードを配線層に接続し、この配線層を半導体基板上に這うように引き出して隣接するビット線に接続する例である。
上記各実施形態では、セルの両端につながるビット線対を同一配線層で形成するため、配線層が少なくなっている。そこで、第4の実施形態では、ワード線の裏打ち(shunt)配線を設けている。このワード線の裏打ち配線層Lは、各実施形態に適用することが可能である。
上述するMTJ素子は、磁化方向が固定された固定層(ピン層)と磁化方向が可変な記録層(フリー層)と固定層及び記録層間に設けられた非磁性層(例えば絶縁層)とを含んで構成されている。
書き込み方法は、特許文献1にあるような、スピン注入磁化反転技術を採用する。スピン注入による磁化反転は、固定層の磁気モーメントによってスピン偏極された電子(スピン偏極電子)を記録層に注入し、そのスピン偏極電子と記録層内の電子との交換相互作用によるスピン角運動量の移動によって記録層を磁化反転させることで行われる。
従来は、メモリセルMCの両端に接続されるビット線対を異なる配線層で形成していた。このため、メモリセルMCを構成するために必要な配線層が、ゲート電極を除いて最低でも2層必要であった。これに対して、本発明の一実施形態は、メモリセルMCの両端に接続されるビット線対の両方が、同一配線層で形成されている。このため、ゲート電極を除いて配線層が1層のみしか必要でなく、従来に比べて配線層を1層削減することが可能である。このため、メモリセル面積を増大することなく、プロセスコストの低減とチップ作成工期の短縮を図ることができる。このような本発明の一実施形態のセルサイズは8F2(Fは最小加工寸法)となる。
Claims (5)
- 同一の配線層で形成され、同一の方向に延在され、互いに隣り合う第1及び第2のビット線と、
前記第1及び第2のビット線と交差し、互いに隣り合う第1及び第2のワード線と、
第1のゲート電極と第1のソース/ドレイン拡散層と第2のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第1のゲート電極は前記第1のワード線に接続され、前記第1及び第2のソース/ドレイン拡散層は前記第1のワード線を挟んで前記第2のビット線下に配置され、前記第2のソース/ドレイン拡散層は前記第1及び第2のワード線間に配置されて前記第1のビット線に接続された第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと共有する前記第2のソース/ドレイン拡散層と第2のゲート電極と第3のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第2のゲート電極は前記第2のワード線に接続され、前記第2及び第3のソース/ドレイン拡散層は前記第2のワード線を挟んで前記第2のビット線下に配置された第2のトランジスタと、
前記第1のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第2のビット線下に配置され、前記第2のビット線に接続された一端と前記第1のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第1の抵抗性記憶素子と、
前記第3のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第2のビット線下に配置され、前記第2のビット線に接続された一端と前記第3のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第2の抵抗性記憶素子と、
前記第1及び第2のビット線と交差し、互いに隣り合う第3及び第4のワード線と、
第3のゲート電極と第4のソース/ドレイン拡散層と第5のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第3のゲート電極は前記第3のワード線に接続され、前記第4及び第5のソース/ドレイン拡散層は前記第3のワード線を挟んで前記第1のビット線下に配置され、前記第5のソース/ドレイン拡散層は前記第3及び第4のワード線間に配置されて前記第2のビット線に接続された第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタと共有する前記第5のソース/ドレイン拡散層と第4のゲート電極と第6のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第4のゲート電極は前記第4のワード線に接続され、前記第5及び第6のソース/ドレイン拡散層は前記第4のワード線を挟んで前記第1のビット線下に配置された第4のトランジスタと、
前記第4のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第1のビット線下に配置され、前記第1のビット線に接続された一端と前記第4のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第3の抵抗性記憶素子と、
前記第6のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第1のビット線下に配置され、前記第1のビット線に接続された一端と前記第6のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第4の抵抗性記憶素子と、
前記第1及び第2のワード線間の前記第1のビット線下に配置され、前記第1のビット線に接続されたコンタクトと
を具備し、
前記第2のソース/ドレイン拡散層は、前記第2のビット線下から前記第1のビット線下まで前記第1及び第2のワード線の延在方向に延長し、前記コンタクトに接続されており、
前記第1乃至第3のソース/ドレイン拡散層を有する素子領域は、凸型の平面形状であり、
前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子のそれぞれは、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が可変な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた絶縁層とを有するトンネル磁気抵抗素子であり、
前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子のそれぞれの両端に電位差を印加して磁化反転閾値電流以上の書き込み電流を流すことで前記記録層の前記磁化方向を反転させ、前記書き込み電流の流れる向きに応じて前記固定層及び前記記録層の磁化方向を平行又は反平行にし、前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子の抵抗値を変化させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 同一の配線層で形成され、同一の方向に延在され、互いに隣り合う第1及び第2のビット線と、
前記第1及び第2のビット線と交差し、互いに隣り合う第1及び第2のワード線と、
第1のゲート電極と第1のソース/ドレイン拡散層と第2のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第1のゲート電極は前記第1のワード線に接続され、前記第1及び第2のソース/ドレイン拡散層は前記第1のワード線を挟んで前記第2のビット線下に配置され、前記第2のソース/ドレイン拡散層は前記第1及び第2のワード線間に配置されて前記第1のビット線に接続された第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと共有する前記第2のソース/ドレイン拡散層と第2のゲート電極と第3のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第2のゲート電極は前記第2のワード線に接続され、前記第2及び第3のソース/ドレイン拡散層は前記第2のワード線を挟んで前記第2のビット線下に配置された第2のトランジスタと、
前記第1のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第2のビット線下に配置され、前記第2のビット線に接続された一端と前記第1のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第1の抵抗性記憶素子と、
前記第3のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第2のビット線下に配置され、前記第2のビット線に接続された一端と前記第3のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第2の抵抗性記憶素子と、
前記第1及び第2のビット線と同一の配線層で形成され、前記第1及び第2のビット線と同一の方向に延在され、前記第2のビット線と隣り合う第3のビット線と、
前記第1乃至第3のビット線と交差し、互いに隣り合う第3及び第4のワード線と、
第3のゲート電極と第4のソース/ドレイン拡散層と第5のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第3のゲート電極は前記第3のワード線に接続され、前記第4及び第5のソース/ドレイン拡散層は前記第3のワード線を挟んで前記第3のビット線下に配置され、前記第5のソース/ドレイン拡散層は前記第3及び第4のワード線間に配置されて前記第2のビット線に接続された第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタと共有する前記第5のソース/ドレイン拡散層と第4のゲート電極と第6のソース/ドレイン拡散層とを有し、前記第4のゲート電極は前記第4のワード線に接続され、前記第5及び第6のソース/ドレイン拡散層は前記第4のワード線を挟んで前記第3のビット線下に配置された第4のトランジスタと、
前記第4のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第3のビット線下に配置され、前記第3のビット線に接続された一端と前記第4のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第3の抵抗性記憶素子と、
前記第6のソース/ドレイン拡散層の上方の前記第3のビット線下に配置され、前記第3のビット線に接続された一端と前記第6のソース/ドレイン拡散層に接続された他端とを有する第4の抵抗性記憶素子と
を具備し、
前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子のそれぞれは、磁化方向が固定された固定層と磁化方向が可変な記録層と前記固定層及び前記記録層の間に設けられた絶縁層とを有するトンネル磁気抵抗素子であり、
前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子のそれぞれの両端に電位差を印加して磁化反転閾値電流以上の書き込み電流を流すことで前記記録層の前記磁化方向を反転させ、前記書き込み電流の流れる向きに応じて前記固定層及び前記記録層の磁化方向を平行又は反平行にし、前記第1乃至第4の抵抗性記憶素子の抵抗値を変化させることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2のワード線間の前記第1のビット線下に配置され、前記第1のビット線に接続されたコンタクトをさらに具備し、
前記第2のソース/ドレイン拡散層は、前記第2のビット線下から前記第1のビット線下まで前記第1及び第2のワード線の延在方向に延長し、前記コンタクトに接続されており、
前記第1乃至第3のソース/ドレイン拡散層を有する素子領域は、凸型の平面形状であることを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の抵抗性記憶素子下に配置され、前記第1の抵抗性記憶素子に接続された第1の下部電極層と、
前記第2の抵抗性記憶素子下に配置され、前記第2の抵抗性記憶素子に接続された第2の下部電極層と、
前記第1及び第2のワード線間に配置され、前記第1のビット線下から前記第2のビット線下まで前記第1及び第2のワード線の延在方向に延長された第3の下部電極層と、
前記第1の抵抗性記憶素子下に配置され、前記第1の下部電極層と前記第1のソース/ドレイン拡散層とを接続する第1のコンタクトと、
前記第2の抵抗性記憶素子下に配置され、前記第2の下部電極層と前記第3のソース/ドレイン拡散層とを接続する第2のコンタクトと、
前記第1及び第2のワード線間の前記第2のビット線下に配置され、前記第3の下部電極層と前記第2のソース/ドレイン拡散層とを接続する第3のコンタクトと、
前記第1及び第2のワード線間の前記第1のビット線下に配置され、前記第3の下部電極層と前記第1のビット線とを接続する第4のコンタクトと
をさらに具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2のワード線間に配置され、前記第2のビット線下から前記第1のビット線下まで前記第1及び第2のワード線の延在方向に延長され、前記第2のソース/ドレイン拡散層に接して半導体基板上及び前記半導体基板上に形成された絶縁層上を這う配線層と、
前記第1及び第2のワード線間の前記第1のビット線下に配置され、前記配線層と前記第1のビット線とを接続するコンタクトと
をさらに具備することを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007028384A JP5159116B2 (ja) | 2007-02-07 | 2007-02-07 | 半導体記憶装置 |
KR1020080011639A KR100971059B1 (ko) | 2007-02-07 | 2008-02-05 | 반도체 기억 장치 |
US12/026,885 US7755077B2 (en) | 2007-02-07 | 2008-02-06 | Semiconductor memory device |
US12/793,172 US8097875B2 (en) | 2007-02-07 | 2010-06-03 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007028384A JP5159116B2 (ja) | 2007-02-07 | 2007-02-07 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008192990A JP2008192990A (ja) | 2008-08-21 |
JP5159116B2 true JP5159116B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=39752775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007028384A Expired - Fee Related JP5159116B2 (ja) | 2007-02-07 | 2007-02-07 | 半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7755077B2 (ja) |
JP (1) | JP5159116B2 (ja) |
KR (1) | KR100971059B1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4864760B2 (ja) | 2007-02-15 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み/読み出し方法 |
JP2009253036A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
JP4538067B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP5412640B2 (ja) * | 2008-11-13 | 2014-02-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気メモリ装置 |
JP2010225783A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2011029258A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
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-
2007
- 2007-02-07 JP JP2007028384A patent/JP5159116B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-05 KR KR1020080011639A patent/KR100971059B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-06 US US12/026,885 patent/US7755077B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-03 US US12/793,172 patent/US8097875B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7755077B2 (en) | 2010-07-13 |
US8097875B2 (en) | 2012-01-17 |
US20100237321A1 (en) | 2010-09-23 |
US20090014703A1 (en) | 2009-01-15 |
KR20080074042A (ko) | 2008-08-12 |
KR100971059B1 (ko) | 2010-07-20 |
JP2008192990A (ja) | 2008-08-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
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