JP2007227655A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiCからなる基板を400℃以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有する。
【選択図】図1
Description
ETL NEWS 2001.2 超高温・超高速熱アニール処理による4H−SiCへの低抵抗n+型イオン注入層形成
清浄なバルク4H−SiC基板及び6H−SiC基板の8mm角の断片を、抵抗加熱による高温注入用治具上に固定し、室温(RT)〜500℃まで加熱温度を変化させて、150keVのAlイオンを1×1015cm−2注入した。イオン注入後、RBS法(ラザフォード後方散乱法)により2MeVのHeイオンビームを結晶軸に沿って入射し、後方に散乱されたHeイオンのエネルギー分布を測定することにより、基板中に存在する損傷を評価した。結果は図1に示した。
Claims (5)
- SiCからなる基板を400℃以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 前記SiCからなる基板の加熱温度が、150〜400℃である請求項1記載の半導体素子の製造方法。
- イオンの注入量が各イオン種に対して下記のとおりである請求項2記載の半導体素子の製造方法。
Alイオン:5×1013cm−2以上
Bイオン:2×1014cm−2以上
Pイオン:5×1013cm−2以上
Bイオン:1×1014cm−2以上 - 前記SiCからなる基板の加熱温度が、150℃未満である請求項1記載の半導体素子の製造方法。
- イオンの注入量が各イオン種に対して下記のとおりである請求項4記載の半導体素子の製造方法。
Alイオン:5×1013cm−2未満
Bイオン:2×1014cm−2未満
Pイオン:5×1013cm−2未満
Bイオン:1×1014cm−2未満
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