JP5979625B2 - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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(3C−SiC)は、シリコンとプロセス互換性に優れていること、及びシリコンに比してバンドギャップが大きいため、高温(例えば、500℃)動作や高耐圧動作が可能であるので、様々な用途への展開が期待できる。とりわけ絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板を用いたSiCデバイスは、需要拡大が期待されるカーエレクトロニクス分野における次世代電子デバイスや、MEMS(microelectro mechanical systems)技術との一体化を目指した、信号処理・制御に関する集積回路への可能性も模索でき、適用分野は多岐にわたるものと考えられる。
市販のSOI(Silicon on insulator、Si膜/SiO2膜/Si基板)基板の表面Siを薄層化し、その極薄Si層を炭化処理によりSiC層に変性した。その上に、SiCエピタキシャル膜を、CVD(化学気相成長)法により厚膜成長させた。膜厚100nmの3C−SiCを有する絶縁層埋め込み型SiC基板に、アルミニウムイオンを、エネルギー10、20、30、および50keVにおいて、それぞれドーズ量5.0×、1.0×、1.0、及び0.6×1014/cm2注入した。その後、YAGレーザ(波長:355nm)を未照射、0.09、0.14、0.20、0.23、0.26、0.28、0.33、0.38、0.49、及び0.62J/cm2エネルギーで、表面のみ照射したサンプルを用意した。その後、当該サンプル表面に対して四探針測定装置を用いることにより、SiC層のシート抵抗を測定した。
得られた結果は図1に示した。図より明らかなように、当該SiC層のシート抵抗は、レーザ照射がなされない状態や、レーザ照射エネルギー密度が0.2J/cm2程度以下では、数十kΩ/□という非常に高い値を示すのに対して、レーザ照射エネルギー密度を0.2J/cm2以上にすることでシート抵抗が減少し始め、0.4J/cm2程度で最小値が得られた。また、0.4J/cm2程度以上のレーザ照射エネルギー密度のサンプルに対しては、逆にシート抵抗が増大する傾向が得られた。この結果は、Alをイオン注入したSiC層において、エネルギー密度が0.2〜0.7J/cm2、好ましくは、0.35〜0.55J/cm2位のレーザ照射を行うことで、SiC半導体にて、Alがアクセプターとして活性化していることを示すものである。この結果、SiC表面層のシート抵抗が小さくなったと考えられる。
Claims (3)
- 絶縁層埋め込み型立方晶構造半導体炭化珪素基板である3C−SiC膜/SiO2膜/Si基板にイオン注入しp型不純物層を形成させ、次いで、p型不純物層に発生した格子欠陥を、熱処理により、最大限に減少させ、熱処理が、レーザー照射0.2〜0.7J/cm2の範囲の条件下で行われることを特徴とするp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型立方晶構造半導体炭化珪素基板の製造方法。
- 注入されるイオンが、アルミニウムイオンであることを特徴とする請求項1記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型立方晶構造半導体炭化珪素基板の製造方法。
- 熱処理が、レーザアニールを用いて行われることを特徴とする請求項1又は2記載のp型不純物層を有する絶縁層埋め込み型立方晶構造半導体炭化珪素基板の製造方法。
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