KR100694681B1 - 수직형 소자용 후면 옴 접촉부의 저온 형성 방법 - Google Patents
수직형 소자용 후면 옴 접촉부의 저온 형성 방법 Download PDFInfo
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- H01L21/0485—Ohmic electrodes
Abstract
Description
옴 접촉부 및 옴 접촉부를 제조하는 방법은 당업계에 공지되어 있다. 예를 들면, Glass 등의 미국 특허 제5,409,859호 및 제5,323,022호(이하 Glass 특허라 함)는 플래티늄(platinum)과 p형 실리콘 카바이드(silicon carbide; SiC)로 형성되는 옴 접촉부와 상기 옴 접촉부의 구조를 형성하는 방법을 기술한다. L. Spies 등의 "Aluminum Implantation of p-SiC for Ohmic Contacts", Diamond and Related Materials, vol.6, pp.1414-1419(1997)와 J. Chen 등의 "Contact Resistivity of Re, Pt and Ta Films On n-type β-SiC: preliminary results, "Materials and Science Engineering, B29, pp.185-189(1995) 및 WO 98/37584 등도 옴 접촉부와 SiC를 기술한다.
옴 접촉부 및 그 형성 방법은 공지되어 있지만, 옴 접촉부를 제조하는 공지의 방법, 특히 실리콘 카바이드 기판을 이용하여 제조되는 옴 접촉부는 적절히 실시하기가 어렵다.
Claims (27)
- 실리콘 카바이드 기판(12)의 표면에 선택된 불순물 재료를 실온에서 주입하여, 상기 실리콘 카바이드 기판 상에 증가된 불순물 재료 농도를 갖는 층(16)을 형성하는 단계;상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드 기판을 800℃ 내지 1300℃ 사이의 온도에서 1차 어닐링하는 단계;상기 불순물이 주입된 표면의 반대편 실리콘 카바이드 기판 상에 적어도 하나의 에피택셜층을 성장시키는 단계;상기 실리콘 카바이드 기판의 상기 불순물이 주입된 표면 상에 금속층을 증착하는 단계; 및상기 기판 상에 배치된 상기 에피택셜층(14)의 심각한 열화(degradation)가 발생할 수 있는 온도 이하이지만, 상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드와 상기 증착된 금속(18) 사이에 옴 접촉부를 형성하기에는 충분한 온도에서 상기 금속 및 상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드(12, 16)를 2차 어닐링하는 단계를 포함하고,상기 선택된 불순물 재료를 실온에서 주입하여 증가된 불순물 재료 농도를 갖는 층을 형성하는 단계는, 상기 실리콘 카바이드 기판의 표면으로 상기 선택된 불순물을 점진적으로 변화하는 농도로 주입하여 상기 실리콘 카바이드 기판 내에 상기 선택된 불순물 재료가 주입된 표면에서는 증가된 불순물 재료 농도를 가지고 상기 주입된 표면으로부터의 거리가 증가할수록 감소하는 캐리어 농도를 가지는 구역을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 기판(12) 상에 상기 에피택셜층(14)을 성장시키는 상기 단계가 상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드 기판(12)의 상기 1차 어닐링 이전에 행해지는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 기판(12) 상에 상기 에피택셜층(14)을 성장시키는 상기 단계가 상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드 기판(12)의 상기 1차 어닐링 이후에 행해지는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 선택된 불순물 재료가 질소, 알루미늄, 비소, 인, 붕소 및 갈륨으로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 불순물이 주입된 실리콘 카바이드 기판(12, 16)을 1차 어닐링하는 단계가 1000℃ 내지 1300℃의 온도에서 수행되는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 금속(18)이 니켈, 팔라듐, 플래티늄 및 티타늄으로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드 옴 접촉부에 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 기판(12)과 상기 금속(18)을 2차 어닐링하는 단계가 850℃ 이하의 온도에서 수행되는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
- 상부에 옴 접촉부가 형성되는 적어도 하나의 구역을 가지는 반도체 소자(10)에 있어서,제1 표면, 제2 표면, 제1 도전형, 및 초기 캐리어 농도를 가진 반도체 기판(12);상기 반도체 기판의 재료보다 더 낮은 해리 온도를 가진 재료로 형성된, 상기 반도체 기판의 상기 제1 표면 상의 적어도 하나의 에피택셜층(14);상기 반도체 기판 내에서, 상기 반도체 기판의 상기 제2 표면으로부터 상기 반도체 기판의 전체 두께 미만의 깊이로 상기 반도체 기판 내로 확장되는, 상기 초기 캐리어 농도보다 높은 증가된 캐리어 농도를 가진 증가된 캐리어 농도 구역(16); 및금속과 상기 증가된 캐리어 농도 구역(16)의 접합면(interface)에 옴 접촉부를 형성하는 상기 반도체 기판(12)의 상기 제2 표면 상에 증착되는 금속층(18)을 포함하고,상기 증가된 캐리어 농도 구역(16)은, 상기 제2 표면으로부터 상기 제1 표면으로 갈수록 점진적으로 감소하는 캐리어 농도를 가지는, 반도체 소자(10).
- 제8항에 있어서,상기 반도체 기판(12)이 실리콘 카바이드인, 반도체 소자(10).
- 제8항에 있어서,질소, 알루미늄, 비소, 인, 붕소 및 갈륨으로 구성되는 그룹에서 선택되는 주입 불순물 재료를 더 포함하는, 반도체 소자(10).
- 제9항에 있어서,상기 실리콘 카바이드의 초기 캐리어 농도가 1015 내지 1019cm-3 인, 반도체 소자(10).
- 제11항에 있어서,상기 증가된 캐리어 농도 구역의 캐리어 농도가 1018 내지 1020cm-3로 상기 실리콘 카바이드의 초기 캐리어 농도보다 큰, 반도체 소자(10).
- 제8항에 있어서,상기 에피택셜층(14)이 갈륨 나이트라이드(gallium nitride), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(aluminum gallium nitride), 인듐 갈륨 나이트라이드(indium gallium nitride) 및 실리콘, 갈륨, 알루미늄과 인듐의 산화물로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자(10).
- 제9항에 있어서,상기 금속(18)이 니켈, 팔라듐, 플래티늄 및 티타늄으로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자(10).
- 제1 표면, 제2 표면 및 초기 도전형과 동일한 불순물의 초기 캐리어 농도를 갖는 실리콘 카바이드 기판(12);상기 실리콘 카바이드 기판(12)의 상기 제1 표면 상의 적어도 하나의 에피택셜층(14);상기 실리콘 카바이드 기판(12) 내에서, 상기 실리콘 카바이드 기판의 상기 제2 표면에서 상기 제1 표면으로 확장되고, 불순물의 농도가 상기 제2 표면에서 상기 제1 표면으로 갈수록 점진적으로 감소하는, 증가된 캐리어 농도 구역(16); 및상기 실리콘 카바이드 기판(12)의 상기 제2 표면 상의 니켈 옴 접촉부(18)를 포함하는 반도체 소자(10).
- 제15항에 있어서,상기 불순물 재료가 질소, 알루미늄, 비소, 인, 붕소 및 갈륨으로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자(10).
- 제15항에 있어서,상기 실리콘 카바이드의 초기 캐리어 농도가 1015 내지 1019cm-3인, 반도체 소자(10).
- 제17항에 있어서,상기 증가된 캐리어 농도 구역의 캐리어 농도가 1018 내지 1020cm-3로 상기 실리콘 카바이드의 초기 캐리어 농도보다 큰, 반도체 소자(10).
- 제15항에 있어서,상기 에피택셜층(14)이 갈륨 나이트라이드, 알루미늄 갈륨 나이트라이드, 인듐 갈륨 나이트라이드 및 실리콘, 갈륨, 알루미늄과 인듐의 산화물로 구성되는 그룹에서 선택되는, 반도체 소자(10).
- 제15항에 있어서,상기 반도체 소자가 수직형 소자(vertical device)인, 반도체 소자(10).
- 제1항에 있어서,상기 선택된 불순물 재료를 실온에서 주입하여 증가된 불순물 재료 농도를 갖는 층을 형성하는 단계가, 상기 선택된 불순물 재료를 10keV 내지 60keV 사이에서 하나 이상의 주입 에너지로 주입하는 단계를 더 포함하는, 반도체 소자용 실리콘 카바이드에 옴 접촉부 형성 방법.
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