JP2010239152A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記イオン注入工程に於いて、炭化珪素ウェハの温度を175〜300℃、望ましくは175〜200℃に保持しておく。175〜300℃でのイオン注入により形成されるp++領域を用いたpベースオーミックコンタクト抵抗率は8E−4Ωcm2以下となり、300℃を超える温度でイオン注入した場合よりも低くなる。又、プロセス不良も発生しない。
【選択図】図44
Description
本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される、炭化珪素p型ベースオーミックコンタクト用p++領域に対する高温プロセスの影響について、以下に詳述する。
本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される、炭化珪素p型ベースオーミックコンタクト用p++領域の電気的特性及びpベースオーミックコンタクト抵抗率について、記載する。
本実施の形態は、実施の形態1及び2に於いて明らかとなった既述の評価結果を反映させた、炭化珪素半導体装置の製造方法に関している。
以上、本発明の実施の形態を詳細に開示し記述したが、以上の記述は本発明の適用可能な局面を例示したものであって、本発明はこれに限定されるものではない。即ち、記述した局面に対する様々な修正や変形例を、この発明の範囲から逸脱することの無い範囲内で考えることが可能である。
Claims (4)
- 炭化珪素層と、
前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており、不純物濃度が1E19cm-3以上、1E21cm-3以内の範囲内にあるp型の不純物を有するp型の炭化珪素領域と、
その裏面が前記p型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えており、
前記p型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率が8E−4Ωcm2以下であることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置であって、
前記p型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の5%以上であることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置であって、
前記p型の炭化珪素領域のホール移動度が4cm2/Vs以下であることを特徴とする、
炭化珪素半導体装置。 - 請求項1記載の炭化珪素半導体装置であって、
前記p型の炭化珪素領域の表面は、バンチングステップの表面荒れ及びその他の表面荒れの両方を有することを特徴とする、
炭化珪素半導体装置。
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