JP2018160641A - レーザアニール方法及びレーザアニール装置 - Google Patents
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Abstract
Description
活性化されていないドーパントが注入された炭化ケイ素からなるウエハの表面に金属からなる吸収膜が形成されたアニール対象物を準備する工程と、
前記吸収膜にレーザビームを入射させて前記ドーパントを活性化させる工程と
を有し、
前記アニール対象物の表面における前記レーザビームのパワー密度は、前記吸収膜と前記ウエハとの間でシリサイド反応を生じさせ、形成された金属シリサイド膜を蒸発させることができる大きさであるレーザアニール方法が提供される。
活性化されていないドーパントが注入された炭化ケイ素からなるウエハの表面に吸収膜が形成されたアニール対象物を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された前記アニール対象物にレーザビームを入射させるレーザ光源と、
前記アニール対象物の表面における前記レーザビームのパワー密度は、前記吸収膜と前記ウエハとの間でシリサイド反応を生じさせ、形成された金属シリサイドを蒸発させることができる大きさになるように前記レーザ光源を制御する制御装置と
を有するレーザアニール装置が提供される。
図2は、実施例によるレーザアニール装置の概略図である。チャンバ20内に保持機構21が収容されている。保持機構21はアニール対象物1(図1A〜図1D)を保持する。ガス導入口25からチャンバ20内に不活性ガス、例えばアルゴン(Ar)が導入される。ガス排気口26からチャンバ20内のガスが排気される。チャンバ20の壁にレーザ導入窓23が取り付けられている。レーザ導入窓23を通してチャンバ20内に導入されたレーザビームが、アニール対象物1に入射する。
次に、SiC内のドーパントを活性化させるために必要となる熱処理温度について説明する。
レーザアニールにおいても、従来の誘導加熱炉を用いたアニール時の熱処理温度及び熱処理時間と同程度のアニール条件に設定すれば、従来と同程度の活性化を行うことができる。ただし、レーザアニールの特徴である局所加熱を生かすためには熱処理温度を高くし、熱処理時間を短くすることが好ましい。
次に、SiC内のドーパントを活性化させるために必要となる拡散距離について説明する。
イオン注入されたドーパント、例えばAlを活性化させるには、ドーパントを結晶格子の位置まで移動(拡散)させなければならない。この時の拡散距離Lは、熱処理温度T、熱処理時間tを用いて以下の式で表すことができる。
ここで、D(T)は以下の式で定義される。
D0は拡散係数、EAは活性化エネルギ、kはボルツマン定数である。SiC中のAlの拡散係数D0は1.3×10−8m2/s、活性化エネルギEAは2.394eVである。
次に、図3を参照して、SiC内のドーパントを活性化させるためにレーザ照射によってSiCウエハを直接加熱する方法について考察する。
次に、レーザアニールを行う際に、SiCウエハを予熱しておく方法について考察する。SiCウエハの温度が高くなると、格子振動が大きくなりSiCの各原子を結合する共有結合が影響を受ける。これにより、室温時のエネルギバンドギャップよりも低い光子エネルギの光でもSiCに吸収されるようになる。4H−SiC結晶の室温時のエネルギバンドギャップは3.26eVである。4H−SiC結晶に一般的な緑色(光子エネルギ約2.3eV)や近赤外(光子エネルギ約1.5eV)の光を吸収させるには、かなりの予熱が必要になることがわかる。このため、SiCウエハを高温に予熱するための加熱装置が必要になり、アニール装置の構成が大きな制約を受けることになる。
レーザ照射によってSiCウエハを直接加熱してドーパントの活性化を行う方法、及び予熱を併用して直接加熱する方法が現実的ではないことがわかった。その他の方法として、レーザエネルギを吸収する吸収膜12(図1A)をSiCウエハ10に形成し、吸収膜12をレーザ照射によって加熱することにより、間接的にドーパント注入層11を加熱する方法が活性化アニールの候補として挙げられる。
次に、図4を参照して、上記実施例の優れた効果について説明する。
上記実施例では、アニール対象物1(図1A)が吸収膜12を含む。吸収膜12は、レーザアニールに用いられるレーザビームの波長域、例えば800nmの波長域の光に対して、SiCウエハ10よりも高い吸収係数を持つ。このため、レーザエネルギを効率的に吸収することができる。
次に、図5及び図6を参照して、SiCウエハ10内のドーパントの活性化を行った評価実験の結果について説明する。
口径:直径100mm
厚さ:350μm
オフ角度:4度
エピタキシャル成長膜の厚さ:5μm
エピタキシャル成長膜のn型ドーパント濃度:1×1015cm−3以下
イオン種:Al+
加速エネルギ:350keV
ドーズ量:4×1014cm−2
注入時ウエハ温度:500℃
結晶性を回復させることができる条件でレーザアニールを行ったサンプルについて、ドーパントの活性化の程度を評価した。以下、図7を参照して、その結果について説明する。上述の評価実験で用いたAl注入済みのアニール対象物1に対して、パワー密度26.2kW/cm2で10秒間のレーザアニールを行った。
SiCウエハ10の表面にシリサイド反応する金属からなる吸収膜12を形成し、レーザアニールを行って金属シリサイド膜13を形成し、さらに金属シリサイド膜13を蒸発させることにより、SiCウエハ10を十分予熱することができる。予熱されたSiCウエハ10にさらにレーザ照射を継続することにより、ドーパントを活性化させることができる。十分な予熱効果を得るためには、吸収膜として、融点の高い金属を用いることが好ましい。例えば、単結晶シリコンの融点より低い融点を持つ金属だと、十分な温度まで加熱されない状態でシリサイド膜が形成されてしまうため、十分な予熱を行うことが困難である。シリサイド膜形成時に十分な予熱を行うために、単結晶シリコンの融点よりも高い融点を持つ金属を用いることが好ましい。このような金属として、タングステン、モリブデン、チタン、ニオブ等が挙げられる。
上記実施例では、レーザ光源として発振波長800nmのレーザダイオードを用いたが、その他の波長域の発振波長を持つレーザ光源を用いてもよい。レーザ光源として、吸収膜12(図1A)が吸収することができる波長域の発振波長を持つレーザ発振器を用いることが好ましい。また、上記実施例では、連続発振レーザビームを用いたが、金属シリサイド膜13(図1B)を蒸発させることができるパワーを持つパルスレーザビームを用いてもよい。
10 SiCウエハ
11 ドーパント注入層
12 吸収膜
13 金属シリサイド膜
14 極表層部
15 レーザビーム
20 チャンバ
21 保持機構
23 レーザ導入窓
25 ガス導入口
26 ガス排気口
30 レーザ光源
31 光ファイバ
32 集光光学系
35 制御装置
36 入力装置
37 出力装置
41 アッテネータ
42 ビームエキスパンダ
43 ホモジナイザ
44 ベンディングミラー
45 集光光学系
Claims (10)
- 活性化されていないドーパントが注入された炭化ケイ素からなるウエハの表面に金属からなる吸収膜が形成されたアニール対象物を準備する工程と、
前記吸収膜にレーザビームを入射させて前記ドーパントを活性化させる工程と
を有し、
前記アニール対象物の表面における前記レーザビームのパワー密度は、前記吸収膜と前記ウエハとの間でシリサイド反応を生じさせ、形成された金属シリサイド膜を蒸発させることができる大きさであるレーザアニール方法。 - 前記レーザビームのパワー密度は、前記ドーパントの注入で悪化した結晶性を回復させることができる大きさである請求項1に記載のレーザアニール方法。
- 前記アニール対象物の表面における前記レーザビームのパワー密度は26kW/cm2以上である請求項1または2に記載のレーザアニール方法。
- 前記アニール対象物の同一地点への前記レーザビームの照射時間は1秒以上である請求項2に記載のレーザアニール方法。
- 前記吸収膜の融点は単結晶シリコンの融点よりも高い請求項1乃至4のいずれか1項に記載のレーザアニール方法。
- 前記吸収膜は、タングステン、モリブデン、チタン、ニオブからなる群より選択された少なくとも1つの金属で形成されている請求項5に記載のレーザアニール方法。
- 前記ドーパントは、活性化することにより炭化ケイ素にp型導電性を付与する元素である請求項1乃至6のいずれか1項に記載のレーザアニール方法。
- 活性化されていないドーパントが注入された炭化ケイ素からなるウエハの表面に吸収膜が形成されたアニール対象物を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持された前記アニール対象物にレーザビームを入射させるレーザ光源と、
前記アニール対象物の表面における前記レーザビームのパワー密度は、前記吸収膜と前記ウエハとの間でシリサイド反応を生じさせ、形成された金属シリサイドを蒸発させることができる大きさになるように前記レーザ光源を制御する制御装置と
を有するレーザアニール装置。 - さらに、
前記保持機構に保持された前記アニール対象物を収容するチャンバと、
前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入口と
を有する請求項8に記載のレーザアニール装置。 - 前記保持機構は、前記アニール対象物から外部への熱伝達を阻害する構造を有する請求項8または9に記載のレーザアニール装置。
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