JP2007177016A - 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
(R1、R3、R4、R7、R9、R11はH又はCH3。Yはメチレン又はO。Yがメチレンの場合R2はCO2R10。YがOの場合R2はH又はCO2R10。R10はC1〜15のアルキル基又はアルキル基にOが挿入された基。R5、R6はH又はOH。R8は3級エステル型酸分解性保護基。R12はHを含むフルオロアルキル基。R12は酸素含有官能基で置換されていてもよく及び/又は炭素−炭素結合間にOを介在させてもよい。)
【効果】本発明の高分子化合物をベース樹脂として含むレジスト材料は、高解像度を有し、ラインエッジラフネス及びI/Gバイアスが改善されたものである。
【選択図】なし
Description
特に、ArFエキシマレーザーはKrFエキシマレーザーの次世代の光源として、90nm〜45nmノードの先端半導体用フォトリソグラフィーに不可欠と広く認知されている。
[I]下記一般式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)で示される繰り返し単位のうち、(1)の含有量が1〜60モル%、(2)の含有量が1〜60モル%、(3)の含有量が1〜50モル%、(4)の含有量が0〜60モル%、(5)の含有量が0〜30モル%、(6)の含有量が0〜30モル%であり、重量平均分子量が3,000以上30,000以下であり、分散度が1.5以上2.5以下であることを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1、R3、R4、R7、R9、R11はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。Yはメチレン又は酸素原子を示す。Yがメチレンの場合は、R2はCO2R10を示す。Yが酸素原子の場合は、R2は水素原子又はCO2R10を示す。R10は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素−炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。R5、R6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。R8は下記一般式(R8−1)、(R8−2)から選ばれる3級エステル型酸分解性保護基を示す。R12は水酸基を含み、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフルオロアルキル基を示す。R12は酸素含有官能基で置換されていてもよく及び/又は炭素−炭素結合間に酸素原子を介在させてもよい。)
(R13、R14、R15はそれぞれ独立に炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R16は炭素数1〜15の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Zは結合する炭素原子とともにシクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカンのいずれか又はその誘導体を形成する原子団を示す。)
[II]上記一般式(1)で示される繰り返し単位が下記式(1−1)又は(1−2)で示される繰り返し単位であることを特徴とする上記[I]記載の高分子化合物。
(R1は水素原子又はメチル基を示す。)
[III]重量平均分子量が4,000以上8,000未満であり、分散度が1.5以上2.3以下である上記[I]又は[II]記載の高分子化合物。
[IV]上記[I]乃至[III]のいずれかに記載の高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。
[V]上記[IV]に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
Yはメチレン又は酸素原子を示す。Yがメチレンの場合は、R2はCO2R10を示す。Yが酸素原子の場合は、R2は水素原子又はCO2R10を示す。R10は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素−炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。R10としては、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。また、炭素−炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基としては、具体的にはメトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1−エトキシエチル基、2−テトラヒドロフラニル基、2−テトラヒドロピラニル基等を例示できる。
R5、R6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。
(i)上記式(1a)及び(2a)及び(3a)の単量体
(ii)上記式(4a)の単量体
(iii)上記式(5a)の単量体
(iv)上記式(6a)の単量体
に加え、更に、
(v)上記(i)〜(iv)以外の炭素−炭素二重結合を含有する単量体、例えば、メタクリル酸メチル、クロトン酸メチル、マレイン酸ジメチル、イタコン酸ジメチル等の置換アクリル酸エステル類、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸、ノルボルネン、ノルボルネン−5−カルボン酸メチル等の置換ノルボルネン類、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の不飽和酸無水物、その他の単量体を共重合しても差支えない。
(I)式(1a)の単量体に基づく式(1)で示される繰り返し単位を1〜60モル%、好ましくは10〜50モル%、より好ましくは20〜45モル%、
(II)式(2a)の単量体に基づく式(2)で示される繰り返し単位を1〜60モル%、好ましくは5〜50モル%、より好ましくは20〜45モル%、
(III)式(3a)の単量体に基づく式(3)で示される繰り返し単位を1〜50モル%、好ましくは5〜40モル%、より好ましくは10〜35モル%、
(IV)式(4a)の単量体に基づく式(4)で示される繰り返し単位を0〜60モル%、特に0〜50モル%、好ましくは5〜40モル%、より好ましくは10〜30モル%、
(V)式(5a)の単量体に基づく式(5)で示される繰り返し単位を0〜30モル%、好ましくは3〜20モル%、より好ましくは5〜15モル%、
(VI)式(6a)の単量体に基づく式(6)で示される繰り返し単位を0〜30モル%、好ましくは3〜25モル%、より好ましくは5〜20モル%、
(VII)その他の単量体に基づくその他の繰り返し単位を0〜40モル%、好ましくは0〜30モル%、より好ましくは0〜20モル%
それぞれ含有することができる。
一般式(2)の単位の元となる一般式(2a)の単量体は市販のものをそのまま使用できる他、2−クロロメチルオキシアダマンタンを原料に公知の有機化学的手法により製造することができる。
一般式(3)の単位の元となる一般式(3a)の単量体は市販のものをそのまま使用できる他、ヒドロキシアダマンタン類を原料に公知の有機化学的手法を用いて製造することができる。
一般式(4)の単位の元となる一般式(4a)の単量体は市販のものをそのまま用いることができる他、ノルボルナンカルボン酸エステル化合物、アダマンタンカルボン酸エステル化合物、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アダマンタノンを原料に公知の有機化学的手法を用いて製造することができる。特に一般式(R8−2)の単量体は特開2000−336121号公報、特開2002−285161号公報に記載の方法で製造できる。
一般式(5)の単位の元となる一般式(5a)の単量体は市販のものをそのまま使用できる。
一般式(6)の単位の元となる一般式(6a)の単量体は公知の有機化学的手法を用いて製造することができる他、特願2004−283788号、特願2005−308044号に記載の方法で製造できる。
従って、本発明は、上記高分子化合物を含有するレジスト材料を提供する。
(上式中、RS1は置換又は非置換の炭素数1〜10のハロアルキルスルホニル又はハロベンゼンスルホニル基を表す。RS2は炭素数1〜11のハロアルキル基を表す。ArS1は置換又は非置換の芳香族基又はヘテロ芳香族基を表す。)
で示されるオキシムスルホネート(例えば国際公開第2004/074242号パンフレットに具体例記載)、具体的には、2−[2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ペンチル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4−ペンタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ブチル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ヘキシル]−フルオレン、2−[2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ペンチル]−4−ビフェニル、2−[2,2,3,3,4,4−ペンタフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ブチル]−4−ビフェニル、2−[2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−デカフルオロ−1−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ)−ヘキシル]−4−ビフェニルなどが挙げられる。
該高分子化合物の具体的な例としては下記式(R1)及び/又は下記式(R2)で示される重量平均分子量1,000〜100,000、好ましくは3,000〜30,000のものを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
R002は、水素原子、メチル基又はCO2R003を示す。
R003は、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、tert−アミル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、エチルシクロペンチル基、ブチルシクロペンチル基、エチルシクロヘキシル基、ブチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等を例示できる。
炭素数1〜15の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、具体的にはR003で例示したものと同様のものが例示できる。
Xは、CH2又は酸素原子を示す。
kは、0又は1である。
R015の酸不安定基としては、種々用いることができるが、具体的には下記一般式(L1)〜(L4)で示される基、炭素数4〜20、好ましくは4〜15の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基等を挙げることができる。
RL01とRL02、RL01とRL03、RL02とRL03とは互いに結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはRL01、RL02、RL03はそれぞれ炭素数1〜18、好ましくは1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
a1’、a2’、a3’、b1’、b2’、b3’、c1’、c2’、c3’、d1’、d2’、d3’、e’は0以上1未満の数であり、a1’+a2’+a3’+b1’+b2’+b3’+c1’+c2’+c3’+d1’+d2’+d3’+e’=1を満足する。f’、g’、h’、i’、j’は0以上1未満の数であり、f’+g’+h’+i’+j’=1を満足する。x’、y’、z’は0〜3の整数であり、1≦x’+y’+z’≦5、1≦y’+z’≦3を満足する。
R203は、水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは−(R207)hCOOH(式中、R207は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)を示し、例えば、R201、R202と同様なもの、あるいは−COOH、−CH2COOHが挙げられる。
R204は、−(CH2)i−(i=2〜10)、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示し、例えば、エチレン基、フェニレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
R205は、炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示し、例えば、メチレン基、あるいはR204と同様なものが挙げられる。
R206は、水素原子、炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、又はそれぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示し、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、ブチル基、プロピル基、エチニル基、シクロヘキシル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
R208は、水素原子又は水酸基を示す。
含窒素有機化合物としては、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適している。含窒素有機化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。
N(X)n(Y)3-n (B)−1
(上式中、nは1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(X)−1〜(X)−3で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成してもよい。)
(上式中、R300、R302、R305は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1個あるいは複数個含んでいてもよい。R303は単結合、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1個あるいは複数個含んでいてもよい。)
(上式中、Xは前述の通り、R307は炭素数2〜20の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィドを1個あるいは複数個含んでいてもよい。)
(上式中、X、R307、nは前述の通り、R308、R309は同一又は異種の炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。)
(上式中、R310は炭素数2〜20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基として水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基、アセタール基を1個あるいは複数個含む。R311、R312、R313は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。)
(上式中、R314は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。R315は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としてエステル基、アセタール基、シアノ基を一つ以上含み、その他に水酸基、カルボニル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基を一つ以上含んでいてもよい。)
(上式中、Aは窒素原子又は≡C−R322である。Bは窒素原子又は≡C−R323である。R316は炭素数2〜20の直鎖状、分岐状、又は環状の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を一つ以上含む。R317、R318、R319、R320は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基であるか、又はR317とR318、R319とR320はそれぞれ結合してベンゼン環、ナフタレン環あるいはピリジン環を形成してもよい。R321は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R322、R323は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアリール基である。R321とR323は結合してベンゼン環又はナフタレン環を形成してもよい。)
(上式中、R324は炭素数6〜20のアリール基又は炭素数4〜20のヘテロ芳香族基であって、水素原子の一部又は全部が、ハロゲン原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基、炭素数1〜10のアシルオキシ基、又は、炭素数1〜10のアルキルチオ基で置換されていてもよい。R325はCO2R326、OR327又はシアノ基である。R326は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基である。R327は一部のメチレン基が酸素原子で置換されていてもよい炭素数1〜10のアルキル基又はアシル基である。R328は単結合、メチレン基、エチレン基、硫黄原子又は−O(CH2CH2O)n−基である。n=0,1,2,3又は4である。R329は水素原子、メチル基、エチル基又はフェニル基である。Xは窒素原子又はCR330である。Yは窒素原子又はCR331である。Zは窒素原子又はCR332である。R330、R331、R332はそれぞれ独立に水素原子、メチル基又はフェニル基であるか、あるいはR330とR331又はR331とR332が結合して、炭素数6〜20の芳香環又は炭素数2〜20のヘテロ芳香環を形成してもよい。)
(上式中、R333は水素又は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基である。R334及びR335はそれぞれ独立に、エーテル、カルボニル、エステル、アルコール、スルフィド、ニトリル、アミン、イミン、アミドなどの極性官能基を一つ又は複数含んでいてもよい炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基であって水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよい。R334とR335は互いに結合して、炭素数2〜20のヘテロ環又はヘテロ芳香環を形成してもよい。)
下記一般式(A1)〜(A10)で示される化合物のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部を−R401−COOH(R401は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基)により置換してなり、かつ分子中のフェノール性水酸基(C)と≡C−COOHで示される基(D)とのモル比率がC/(C+D)=0.1〜1.0である化合物。
[II群]
下記一般式(A11)〜(A15)で示される化合物。
R402、R403はそれぞれ水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基を示す。R404は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、あるいは−(R409)h−COOR’基(R’は水素原子又は−R409−COOH)を示す。
R405は−(CH2)i−(i=2〜10)、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。
R406は炭素数1〜10のアルキレン基、炭素数6〜10のアリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、酸素原子又は硫黄原子を示す。
R407は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基、それぞれ水酸基で置換されたフェニル基又はナフチル基を示す。
R409は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
R410は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基又は−R411−COOH基(式中、R411は炭素数1〜10の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)を示す。
R412は水素原子又は水酸基を示す。
jは0〜3の数であり、s1、t1、s2、t2、s3、t3、s4、t4は、それぞれs1+t1=8、s2+t2=5、s3+t3=4、s4+t4=6を満足し、かつ各フェニル骨格中に少なくとも1つの水酸基を有するような数である。
s5、t5は、s5≧0、t5≧0で、s5+t5=5を満足する数である。
uは、1≦u≦4を満足する数であり、hは、1≦h≦4を満足する数である。
κは式(A6)の化合物を重量平均分子量1,000〜5,000とする数である。
λは式(A7)の化合物を重量平均分子量1,000〜10,000とする数である。
(上式中、R501、R502、R503、R504、R505はそれぞれ水素原子、又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、X、Yは0又は正数を示し、下記値を満足する。0≦X≦30、0≦Y≦30、0≦X+Y≦40である。)
[合成例]
本発明の高分子化合物を、以下に示す処方で合成した。
31.9gの(2−アダマンチルオキシ)メチルメタクリレート、25.1gの3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート、42.9gの4,8−ジオキサ−5−オキソトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イルメタクリレート、3.49gの2,2’−アゾビスイソブチロニトリルを350gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートに溶解させた。この溶液を、窒素雰囲気下で80℃に加熱したプロピレングリコールメチルエーテルアセテート100gに4時間かけて滴下した。滴下終了後、窒素雰囲気下、80℃の状態で2時間加熱撹拌した。反応終了後、室温に冷却し、得られた反応液をヘキサン2.3Lに激しく撹拌しながら滴下した。生じた固体分を濾過した後、50℃で15時間減圧乾燥したところ、81.7g、収率81.7%で白色固体を得た。GPC、13C−NMR分析を行った結果、下記表1中Polymer1で示される高分子化合物であることが確認された。重量平均分子量(Mw)、分散度はGPCを用いて測定したポリスチレン標準換算の値である。
各単量体の種類、配合比率が異なる以外は、上記と同様にして表1に示したPolymer2〜25を製造した。表1に示した各単量体の構造を表2に示した。
本発明の高分子化合物をベース樹脂としてレジスト材料に配合した際の感度及び解像性の評価を行った。
表1で示されるポリマー(Polymer1〜18)及び比較例として表1で示されるポリマー(Polymer19〜25)をベース樹脂とし、表1に示される高分子化合物(Polymer1〜25)をベース樹脂として使用し、下記名称並びに下記式で示される酸発生剤(PAG1,2)、溶解制御剤(DRR1〜4)、塩基性化合物(Base1)を表3,4に示す組成でKH−20(旭硝子製)0.01質量%を含む溶媒(PGMEA)中に溶解してレジスト材料を調合し、更に各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで濾過することにより、レジスト液をそれぞれ調製した。
PAG2:ノナフルオロブタンスルホン酸4−t−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム
Base1:トリスメトキシメトキシエチルアミン
PGMEA:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
このように調製したレジスト材料の溶液(実施例1〜24、比較例1〜7)について、ArF(波長193nm)露光を行った。
Claims (5)
- 下記一般式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、(6)で示される繰り返し単位のうち、(1)の含有量が1〜60モル%、(2)の含有量が1〜60モル%、(3)の含有量が1〜50モル%、(4)の含有量が0〜60モル%、(5)の含有量が0〜30モル%、(6)の含有量が0〜30モル%であり、重量平均分子量が3,000以上30,000以下であり、分散度が1.5以上2.5以下であることを特徴とする高分子化合物。
(式中、R1、R3、R4、R7、R9、R11はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示す。Yはメチレン又は酸素原子を示す。Yがメチレンの場合は、R2はCO2R10を示す。Yが酸素原子の場合は、R2は水素原子又はCO2R10を示す。R10は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は該アルキル基の任意の炭素−炭素結合間に1個又は複数個の酸素原子が挿入された基を示す。R5、R6はそれぞれ独立に水素原子又は水酸基を示す。R8は下記一般式(R8−1)、(R8−2)から選ばれる3級エステル型酸分解性保護基を示す。R12は水酸基を含み、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたフルオロアルキル基を示す。R12は酸素含有官能基で置換されていてもよく及び/又は炭素−炭素結合間に酸素原子を介在させてもよい。)
(R13、R14、R15はそれぞれ独立に炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R16は炭素数1〜15の直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Zは結合する炭素原子とともにシクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン又はテトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカンのいずれか又はその誘導体を形成する原子団を示す。) - 重量平均分子量が4,000以上8,000未満であり、分散度が1.5以上2.3以下である請求項1又は2記載の高分子化合物。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載の高分子化合物を含有することを特徴とするレジスト材料。
- 請求項4に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
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