JP2010270260A - フォトレジスト用共重合体ならびにその製造方法および保存方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】保存中のラクトン構造および酸性基含有樹脂の経時変化を防ぐことができるフォトレジスト用共重合体の製造方法の提供。
【解決手段】本発明によるフォトレジスト用共重合体の製造方法は、ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むフォトレジスト用共重合体の製造方法であって、前記共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む保存工程を含むことを特徴とするものである。
【選択図】なし
Description
本発明の製造方法で得られる共重合体は、ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むものである。なお、ラクトン構造と、酸性基とは、同一の繰り返し単位上に存在してもよいし、異なる繰り返し単位上に存在してもよい。また、具体的な構造としては、例えば、以下に挙げる様な構造式を有するものが好ましい。
本発明の好ましい態様によれば、ラクトン構造を有する繰り返し単位は、式(A)で表される構造を有するものである。
本発明の好ましい態様によれば、酸性基を有する繰り返し単位としては、pKa10以下の置換基を有する繰り返し単位を挙げることができ、好ましくは、pKa6以下の置換基、およびフェノール性ヒドロキシ基を有する繰り返し単位を挙げることができる。より好ましくは、カルボキシル基、フェノール基、ナフトール基、チオール基、およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも1種を有する繰り返し単位を挙げることができ、さらにより好ましくは、カルボキシル基を有する繰り返し単位を挙げることができる。また、カルボキシル基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、またはこれらの混合物から誘導される繰り返し単位を挙げることができる。酸性基が上記範囲程度のpKaの置換基である場合には、その酸性度と大気中の水分の作用により、酸分解性基とラクトン類が分解するため溶液状態での保存の効果が高まる。
本発明の好ましい態様によれば、共重合体は上記の繰り返し単位以外にさらにその他の繰り返し単位を含むことができる。その他の繰り返し単位としては、例えば、酸によりアルカリ可溶性になる繰り返し単位、極性基含有脂環基を有する繰り返し単位、環状エーテル構造を有する繰り返し単位、酸安定性溶解抑制構造を有する繰り返し単位、その他の任意の繰り返し単位を挙げることができる。好ましくは、酸によりアルカリ可溶性になる繰り返し単位、または極性基含有脂環基を有する繰り返し単位を含むものがよい。
末端構造
本発明の好ましい態様によれば、共重合体は、公知の末端構造を含む。通常、ラジカル重合開始剤から発生するラジカル構造を重合開始末端として含む。連鎖移動剤を用いる場合は、連鎖移動剤から発生するラジカル構造を重合開始末端として含む。溶媒や単量体等に連鎖移動する場合は、溶媒や単量体から発生するラジカル構造を重合開始末端として含む。停止反応が再結合停止の場合は両末端に重合開始末端を含むことができ、不均化停止の場合は片方に重合開始末端を、もう片方に単量体由来の末端構造を含むことができる。重合停止剤を用いる場合は、一方の末端に重合開始末端を、もう片方の末端に重合停止剤由来の末端構造を含むことができる。これらの開始反応および停止反応は、一つの重合反応の中で複数発生する場合があり、その場合、複数の末端構造を有する共重合体の混合物となる。本発明で用いることができる重合開始剤、連鎖移動剤、溶媒については後述する。
本発明の共重合体は、質量平均分子量(以下、「Mw」と言うことがある。)が高すぎるとレジスト溶剤やアルカリ現像液への溶解性が低くなり、一方、低すぎるとレジストの塗膜性能が悪くなることから、Mwは1,000〜50,000の範囲内であることが好ましく、1,500〜30,000の範囲内であることがより好ましく、2,000〜20,000の範囲内であることがさらにより好ましく、3,000〜15,000の範囲内であることが特に好ましい。また、分子量分布が広すぎたり狭すぎたりするとリソグラフィー工程において所望のパターン形状が得られないことがあるため、分散度(以下、「Mw/Mn」と言うことがある)は1.0〜5.0の範囲内であることが好ましく、1.0〜3.0の範囲内であることがより好ましく、1.2〜2.5の範囲内であることがさらにより好ましく、1.4〜2.0の範囲内であることが特に好ましい。
塗膜形成用溶媒は、リソグラフィー組成物を構成する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、塗膜形成用溶媒として公知のものの中から任意のものを1種の単独溶媒または2種以上の混合溶媒として用いることができる。溶解性に優れるため、ケトン結合、エステル結合、エーテル結合、ヒドロキシ基から選ばれる少なくとも1種以上の極性基を有する溶媒が好ましい。中でも常圧での沸点が110〜220℃の溶媒は、スピンコーティングの後のベークにおいて蒸発速度が適度であり、製膜性に優れるため、特に好ましい。このような溶媒の具体例として、メチルイソブチルケトン、メチルイソアミルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン等のケトン結合を有する溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のエーテル結合とヒドロキシ基を有する溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−エトキシプロピオン酸エチル等のエーテル結合とエステル結合を有する溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)等のエステル結合とヒドロキシ基を有する溶媒、γ−ブチロラクトン等のエステル結合を有する溶媒等を挙げることができる。特に好ましくは、PGMEAを含む溶媒である。
リソグラフィー用共重合体溶液は、上記の共重合体および塗膜形成用溶媒を含んでなる。また、リソグラフィー組成物として使用するために必要な添加剤を含んでも良い。
本発明の製造方法は、ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むフォトレジスト用共重合体の製造方法であって、前記共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む保存工程を含むものである。本発明の製造方法は、下記の繰り返し単位を与えることができる単量体、溶媒、重合開始剤、連鎖移動剤、およびその他添加剤等を用いて行うことができ、以下の工程を含むことができる。
本発明の好ましい態様によれば、ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位、さらにはその他の繰り返し単位を与えることができる単量体の重合工程には、ラジカル重合、カチオン重合、リビングアニオン重合、開環重合など、公知の総ての重合方法を適用することができる。
本発明の好ましい態様によれば、製造方法は、モノマー溶液を全量供給後に、冷却あるいは重金属の添加によって重合反応を停止させる工程を含むことができる。例えば、モノマー溶液を全量供給後、直ちに重合系内を急冷することが好ましい。急冷により重合反応を即座に停止させ、モノマー組成の偏りの大きい重合体の生成を防ぐことができる。あるいは、重金属の添加によって重合反応を停止させてもよいが、その後に重金属の除去処理を要することから、急冷によって重合反応を停止させることがより好ましい。
本発明の好ましい態様によれば、製造方法は、重合後、溶媒に再沈殿させるなどの公知の方法により、共重合体溶液を精製する工程を含むことができる。例えば、反応溶液を大量のトルエン中に滴下して、生成樹脂を析出させ、残モノマーおよび低分子量体を含むトルエン溶媒と分離する。続いて、樹脂をメタノールに溶解し、再度トルエンを加える操作を数回繰り返し、樹脂を精製する。このような一連の操作により、共重合体溶液から単量体や重合開始剤等の未反応物やオリゴマー等の低分子量成分を溶媒に抽出して除去することで、樹脂の性能を向上させ、半導体製造工程において、パターン形状を良好なものとし、感度を向上させるとともに、発生するディフェクトを抑制し、不良率を低減することができる。
本発明の好ましい態様によれば、製造方法は、共重合体溶液をフィルターでろ過して、金属イオン等を除去する工程を含むことができる。好ましくは、上記の精製工程後に脱メタル化を行うのが良い。精製された共重合体溶液を、脱メタルフィルターを用いて、金属イオン等を除去することで、半導体製造工程において、感度を向上させるとともに、発生するディフェクトを抑制し、不良率を低減することができる。
本発明の製造方法は、ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含む共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む保存工程を含むものである。共重合体は上記の精製工程および脱メタル工程を経たものであることが好ましい。保存工程で用いられるヒドロキシ基非含有溶媒としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、およびヘキサンからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒を挙げることができ、特にメチルエチルケトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ヘキサン、およびシクロヘキサノンからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒が好ましい。ヒドロキシ基非含有溶媒を用いることで、酸性基に由来する酸が存在する環境においても、共重合体に含まれるラクトン構造と酸分解性基の分解反応を抑制し、保存中の樹脂の品質劣化を抑制することができると考えられる。
ラクトン構造
G:γ−ブチロラクトンメタクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーG:γ−ブチロラクトンメタクリレート
Ga:γ−ブチロラクトンアクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーGa:γ−ブチロラクトンアクリレート
酸解離性溶解抑制基
M:2−メチル−2アダマンチルメタクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーM:2−メチル−2アダマンチルメタクリレート
Ma:2−メチル−2アダマンチルアクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーMa:2−メチル−2アダマンチルアクリレート
アルコール構造
O:3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーO:3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート
Oa:3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレートから誘導される繰り返し単位
モノマーOa:3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート
酸性基
MA:メタクリル酸から誘導される繰り返し単位(カルボキシル基のpKa:4.26)
AA:アクリル酸から誘導される繰り返し単位 (カルボキシル基のpKa:4.25)
溶媒
MEK:メチルエチルケトン
THF:テトラヒドロフラン
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
CHON:シクロヘキサノン
下記のGPC、炭素13NMR、中和滴定、GC、および水分の検査方法は以下のとおりである。
GPCにより測定した。分析条件は以下の通りである。
装 置:東ソー製GPC8220
検出器:示差屈折率(RI)検出器
カラム:昭和電工製KF−804L(×3本)
試 料:共重合体の粉体約0.02gをテトラヒドロフラン約1mlに溶解して測定用試料を調製した。GPCへの注入量は60μlとした。
装 置:Bruker製AV400
試 料:共重合体の粉体約1gとアセチルアセトンクロム0.1gをMEK0.5g、重アセトン1.5gに溶解して調製した。
測 定:40℃、測定チューブ径10mm、積算回数10,000回
共重合体の組成は、炭素13NMRスペクトルで検出可能な成分の合計を100%とする表記とした。(アクリル酸とメタクリル酸は検出できないために除かれる)
共重合体固形分1g相当を正確に計量して、THF30gおよび指示薬ブロモチモールブルーを混合し、0.1wt%(=0.025N)のNaOH水にて滴定した。終点は、緑からわずかに青となった時点とした。以下の式(1)から酸価を計算した。
酸価(mmol/g)=BxF/A/M 式(1)
B:NaOH水滴下量 F:NaOH水ファクター
A:共重合体計量値 M:共重合体の濃度
装 置:島津製GC−1700
検出器:FID検出器
カラム:ジーエルサイエンス製TC−1カラム
試 料:THFに溶解して、内部標準物質としてエチルベンゼンを添加した。
装 置:平沼産業株式会社製カールフィッシャー式微水分測定装置AQ−7
モノマー組成比(モル比):G/Ma/Oa/AA=38/38/19/5
まず、容器にMEK2657g、モノマーG646g、モノマーMa836g、モノマーOa422g、およびアクリル酸36gを加えて溶解させ、均一なモノマー溶液を調製した。別の容器に、MEK200gおよび2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル(MAIB)69gを溶解させ、均一な開始剤溶液を調製した。
分子量(GPC):Mw=10,230、Mw/Mn=2.15
組成(炭素13NMR):G/Ma/Oa=41/39/20
酸価(中和滴定):0.25mmol/g
残留溶媒(GC):ヘキサン5%、MEK1%
樹脂濃度:13.1%。
溶媒組成(GC):MEK87.0%、ヘキサン13.0%、残留水分150ppm
溶媒組成(GC):PGMEA99.98%、MEK0.02%、残留水分80ppm
モノマー組成比:Ga/M/O/MA=38/38/19/5
モノマー組成比を上記のとおりとした以外は、合成例1と同様の手順で合成を行った。なお、容器にMEK2868g、モノマーGa593g、モノマーM889g、モノマーO448g、およびメタクリル酸43gを加えて溶解させ、均一なモノマー溶液を調製した。
分子量(GPC):Mw=10,650、Mw/Mn=2.03
組成(炭素13NMR):Ga/M/O=40/40/20
酸価(中和滴定):0.25mmol/g
残留溶媒(GC):ヘキサン5%、MEK1%
溶媒組成(GC):PGMEA99.98%、MEK0.02%、残留水分80ppm。
モノマー組成比:G/M/MA=40/40/20
モノマー組成比を上記のとおりとした以外は、合成例1と同様の手順で合成を行った。なお、容器にMEK1950g、モノマーG680g、モノマーM936g、およびメタクリル酸172gを加えて溶解させ、均一なモノマー溶液を調製した。
分子量(GPC):Mw=9750、Mw/Mn=1.98
組成(炭素13NMR):G/M=53/47
酸価(中和滴定):1.02mmol/g
残留溶媒(GC):ヘキサン5%、MEK1%
溶媒組成(GC):シクロヘキサノン99.98%、MEK0.02%、残留水分150ppm
合成例1にて作製した樹脂1について、粉状態および溶液状態(PGMEA溶液)のそれぞれで保存安定性試験を以下の条件下にて行った。保存状態は、100mlのポリエチレン(HDPE)容器に詰め、外側にアルミ箔を巻いて遮光した。保存温度は20℃と5℃、期間は3、6、および12ヶ月とした。また、加速保存安定性試験として保存温度40℃で、粉状態および溶液状態(MEK/ヘキサン溶液またはPGMEA溶液)の計3種類について、2、4、6、および8週間の試験を行った。
合成例2にて作製した樹脂2について、粉状態および溶液状態(PGMEA溶液)のそれぞれで保存安定性試験を以下の条件下にて行った。保存状態は、100mlのポリエチレン(HDPE)容器に詰め、外側にアルミ箔を巻いて遮光した。保存温度は、20℃と5℃、保存期間は2、4、および6ヶ月とした。
合成例3にて作製した樹脂3について、粉状態および溶液状態(CHON溶液)のそれぞれで保存安定性試験を以下の条件下にて行った。保存状態は、100mlのポリエチレン(HDPE)容器に詰め、外側にアルミ箔を巻いて遮光した。保存温度は20℃、保存期間は2、4、および6ヶ月とした。
Claims (24)
- ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むフォトレジスト用共重合体の製造方法であって、
前記共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む保存工程を含む、フォトレジスト用共重合体の製造方法。 - 前記ヒドロキシ基非含有溶媒が、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、およびヘキサンからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒である、請求項1に記載の製造方法。
- 溶液状態に保たれた前記共重合体の含水量が、500ppm以下である、請求項1または2に記載の製造方法。
- 前記酸性基が、pKa10以下の置換基である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記酸性基が、pKa6以下の置換基またはフェノール性ヒドロキシ基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記酸性基が、カルボキシル基、フェノール基、ナフトール基、チオール基、およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記ラクトン構造を有する繰り返し単位が、式(A):
で表される構造を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。 - 前記保存工程が、前記共重合体を密封状態に保つことをさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記保存工程が、前記共重合体を20℃以下に保つことをさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記保存工程が、前記共重合体を遮光状態に保つことをさらに含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法。
- ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むフォトレジスト用共重合体の保存方法であって、
前記共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む、保存方法。 - 前記ヒドロキシ基非含有溶媒が、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、およびヘキサンからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒である、請求項11に記載の保存方法。
- 溶液状態に保たれた前記共重合体の含水量が、500ppm以下である、請求項11または12に記載の保存方法。
- 前記酸性基が、pKa10以下の置換基である、請求項11〜13のいずれか一項に記載の保存方法。
- 前記酸性基が、pKa6以下の置換基またはフェノール性ヒドロキシ基である、請求項11〜14のいずれか一項に記載の保存方法。
- 前記酸性基が、カルボキシル基、フェノール基、ナフトール基、チオール基、およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項11〜15のいずれか一項に記載の保存方法。
- 前記ラクトン構造を有する繰り返し単位が、式(A):
で表される構造を有する、請求項11〜16のいずれか一項に記載の保存方法。 - ラクトン構造を有する繰り返し単位および酸性基を有する繰り返し単位を含むフォトレジスト用共重合体であって、
前記共重合体をヒドロキシ基非含有溶媒によって溶液状態に保つことを含む保存工程を経た、フォトレジスト用共重合体。 - 前記ヒドロキシ基非含有溶媒が、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、およびヘキサンからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒である、請求項18に記載のフォトレジスト用共重合体。
- 溶液状態に保たれた前記共重合体の含水量が、500ppm以下である、請求項18または19に記載のフォトレジスト用共重合体。
- 前記酸性基が、pKa10以下の置換基である、請求項18〜20のいずれか一項に記載のフォトレジスト用共重合体。
- 前記酸性基が、pKa6以下の置換基またはフェノール性ヒドロキシ基である、請求項18〜21のいずれか一項に記載のフォトレジスト用共重合体。
- 前記酸性基が、カルボキシル基、フェノール基、ナフトール基、チオール基、およびスルホ基からなる群から選択される少なくとも1種である、請求項18〜22のいずれか一項に記載のフォトレジスト用共重合体。
- 前記ラクトン構造を有する繰り返し単位が、式(A):
で表される構造を有する、請求項18〜23のいずれか一項に記載のフォトレジスト用共重合体。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06191589A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-07-12 | Mitsubishi Kasei Corp | フォトレジスト組成物用容器 |
JPH09204052A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジストの長期保存方法 |
JPH09204051A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジストの保存方法 |
JP2002244295A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物の溶液および該溶液の保存安定性改善方法 |
JP2004143281A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Maruzen Petrochem Co Ltd | レジスト用ポリマー及び感放射線性レジスト組成物 |
JP2005171093A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Maruzen Petrochem Co Ltd | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該方法により得られる半導体リソグラフィー用共重合体 |
WO2006030604A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2007177016A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP2008050482A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体の製造方法、重合体およびレジスト組成物 |
-
2009
- 2009-05-22 JP JP2009124499A patent/JP5646149B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06191589A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-07-12 | Mitsubishi Kasei Corp | フォトレジスト組成物用容器 |
JPH09204051A (ja) * | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジストの保存方法 |
JPH09204052A (ja) * | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジストの長期保存方法 |
JP2002244295A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物の溶液および該溶液の保存安定性改善方法 |
JP2004143281A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Maruzen Petrochem Co Ltd | レジスト用ポリマー及び感放射線性レジスト組成物 |
JP2005171093A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-30 | Maruzen Petrochem Co Ltd | 半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該方法により得られる半導体リソグラフィー用共重合体 |
WO2006030604A1 (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP2007177016A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP2008050482A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 重合体の製造方法、重合体およびレジスト組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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