JP2007103931A - 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】工程中の有機半導体に与える影響を最小化すると同時に、有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板、基板上に形成されているデータ線、データ線に接続されているソース電極、ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、ソース電極及びドレーン電極上に形成されており、開口部及び接触孔を有する隔壁、開口部に位置し、ソース電極及びドレーン電極と少なくとも一部重なる有機半導体、有機半導体上に形成されているゲート絶縁部材、ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、データ線と交差し、遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線、接触孔を介してドレーン電極に接続されている画素電極を含む有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【選択図】図２
【解決手段】基板、基板上に形成されているデータ線、データ線に接続されているソース電極、ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、ソース電極及びドレーン電極上に形成されており、開口部及び接触孔を有する隔壁、開口部に位置し、ソース電極及びドレーン電極と少なくとも一部重なる有機半導体、有機半導体上に形成されているゲート絶縁部材、ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、データ線と交差し、遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線、接触孔を介してドレーン電極に接続されている画素電極を含む有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【選択図】図２
Description
本発明は、有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関するものである。
一般的に、液晶表示装置、有機発光表示装置、電気泳動表示装置（electrophoretic display）などの平板表示装置は、複数対の電場生成電極とその間に入っている電気光学（electro−optical）活性層とを含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層として液晶層を含み、有機発光表示装置の場合、電気光学活性層として有機発光層を含む。
一対を成す電場生成電極のうちの１つは、通常、スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層は、この電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
一対を成す電場生成電極のうちの１つは、通常、スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層は、この電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
平板表示装置では、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタを使用し、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線と、画素電極に印加される信号を伝達するデータ線とが平板表示装置に形成される。
このような薄膜トランジスタの中で、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに、有機半導体を使用する有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に関する研究が活発に行われている。
このような薄膜トランジスタの中で、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに、有機半導体を使用する有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に関する研究が活発に行われている。
有機薄膜トランジスタは、低温で溶解工程（solution process）によって製作することができるので、蒸着工程のみでは限界がある大面積平板表示装置の製作にも容易に適用することができる。また、有機物質の特性上、繊維又はフィルムのような形態に製作できるので、可撓性表示装置の核心的な素子として注目されている。
このような有機薄膜トランジスタがマトリックス形態に配列されている有機薄膜トランジスタ表示板は、従来の薄膜トランジスタと比較すれば、構造及び製造方法において多くの差がある。
このような有機薄膜トランジスタがマトリックス形態に配列されている有機薄膜トランジスタ表示板は、従来の薄膜トランジスタと比較すれば、構造及び製造方法において多くの差がある。
特に、工程中に有機半導体に与える影響を最小化し、有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる新たな方案が要求されている。
特開2002-359374号公報
特開2003-142692号公報
特開2001-244467号公報
特開2003-249658号公報
特開2003-295792号公報
特開2004-080026号公報
本発明が目的とする技術的課題は、工程中の有機半導体に与える影響を最小化すると同時に、有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することにある。
本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板は、基板、前記基板上に形成されているデータ線、前記データ線に接続されているソース電極、前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に形成されており、開口部及び接触孔を有する隔壁、前記開口部に位置し、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と少なくとも一部重なる有機半導体、前記有機半導体上に形成されているゲート絶縁部材、前記ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、前記データ線と交差し、前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線、前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続されている画素電極を含む。
前記遮断部材及び前記画素電極は同一物質を含むことができる。
前記遮断部材及び前記画素電極は、ＩＺＯ又はＩＴＯを含むことができる。
前記遮断部材と前記画素電極は異なる層に形成されることができる。
また、前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＴＯ又はＩＺＯを含むことができる。
前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆うことができる。
前記遮断部材及び前記画素電極は、ＩＺＯ又はＩＴＯを含むことができる。
前記遮断部材と前記画素電極は異なる層に形成されることができる。
また、前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＴＯ又はＩＺＯを含むことができる。
前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆うことができる。
前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含むことができる。
前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重なる部分を含むことができる。
前記ドレーン電極と前記維持電極との間に層間絶縁膜が形成されることができる。
前記有機半導体の下部に位置し、前記データ線と同一層に形成される光遮断膜をさらに含むことができる。
前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重なる部分を含むことができる。
前記ドレーン電極と前記維持電極との間に層間絶縁膜が形成されることができる。
前記有機半導体の下部に位置し、前記データ線と同一層に形成される光遮断膜をさらに含むことができる。
前記隔壁は、前記開口部及び前記接触孔を除いた基板全面に形成されることができる。
前記隔壁は有機物質を含むことができる。
前記ゲート絶縁部材は有機物質を含むことができる。
前記ゲート電極を覆う保護部材をさらに含むことができる。
本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にデータ線を形成する段階、前記データ線上に層間絶縁膜を形成する段階、前記層間絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に開口部及び接触孔を有する隔壁を形成する段階、前記開口部に有機半導体を形成する段階、前記有機半導体上にゲート絶縁部材を形成する段階、前記ゲート絶縁部材上に遮断部材を形成する段階、前記遮断部材及び前記隔壁上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上に、前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続される画素電極を形成する段階を含む。
前記隔壁は有機物質を含むことができる。
前記ゲート絶縁部材は有機物質を含むことができる。
前記ゲート電極を覆う保護部材をさらに含むことができる。
本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にデータ線を形成する段階、前記データ線上に層間絶縁膜を形成する段階、前記層間絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に開口部及び接触孔を有する隔壁を形成する段階、前記開口部に有機半導体を形成する段階、前記有機半導体上にゲート絶縁部材を形成する段階、前記ゲート絶縁部材上に遮断部材を形成する段階、前記遮断部材及び前記隔壁上にゲート線を形成する段階、前記ゲート線上に、前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続される画素電極を形成する段階を含む。
前記有機半導体を形成する段階は、前記隔壁を表面改質する段階、有機半導体層を塗布する段階、前記表面改質によって前記隔壁が形成されていない部分にのみ有機半導体を残す段階を含むことができる。
前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁が形成された部分と前記隔壁が形成されていない部分での水に対する親和度を異なるようにすることができる。
前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁が形成された部分と前記隔壁が形成されていない部分での水に対する親和度を異なるようにすることができる。
前記隔壁が形成された部分は、前記隔壁が形成されていない部分より水に対する親和度が小さいことができる。
前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁上にフッ素含有気体を供給して前記隔壁表面にフッ素化処理をすることができる。
前記ゲート絶縁部材を形成する段階は、ゲート絶縁部材層を塗布する段階、前記表面改質によって前記隔壁が形成されていない部分にのみゲート絶縁部材を残す段階を含むことができる。
前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁上にフッ素含有気体を供給して前記隔壁表面にフッ素化処理をすることができる。
前記ゲート絶縁部材を形成する段階は、ゲート絶縁部材層を塗布する段階、前記表面改質によって前記隔壁が形成されていない部分にのみゲート絶縁部材を残す段階を含むことができる。
前記遮断部材を形成する段階の後に、乾式エッチングする段階をさらに含むことができる。
前記隔壁を形成する段階は、有機膜を塗布する段階及びパターニングする段階を含み、前記有機膜を塗布する段階において、前記有機膜は、前記乾式エッチングする段階の後の隔壁の厚さより厚く形成することができる。
前記隔壁を形成する段階は、有機膜を塗布する段階及びパターニングする段階を含み、前記有機膜を塗布する段階において、前記有機膜は、前記乾式エッチングする段階の後の隔壁の厚さより厚く形成することができる。
前記ゲート絶縁部材を形成する段階及び前記遮断部材を形成する段階は、ゲート絶縁膜を塗布する段階、前記遮断部材を形成する段階、前記遮断部材をマスクとして前記ゲート絶縁膜をパターニングする段階を含むことができる。
前記有機半導体を形成する段階及び前記ゲート絶縁部材を形成する段階のうちの少なくとも１つは、インクジェット印刷方法で形成することができる。
前記有機半導体を形成する段階及び前記ゲート絶縁部材を形成する段階のうちの少なくとも１つは、インクジェット印刷方法で形成することができる。
前記画素電極を形成する段階の後に、保護部材を形成する段階をさらに含むことができる。
本発明によれば、有機半導体を隔壁内に形成し、遮断部材で覆うことによって、後続工程中の有機半導体に与える影響を最小化することができ、有機半導体との接触特性が良好なソース電極及びドレーン電極を含んで有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる。また、有機半導体を、表面改質方法などを使用して簡単に形成することによって工程を単純化することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相違する形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とする場合、これは他の部分の直上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とする場合には中間に他の部分がないことを意味する。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とする場合、これは他の部分の直上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とする場合には中間に他の部分がないことを意味する。
図１及び図２を参照して、本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
図１は、本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板のII-II線による断面図である。
透明なガラス、シリコン又はプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に、複数のデータ線１７１、複数の維持電極線１７２及び光遮断膜１７４が形成されている。
図１は、本発明の１つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板のII-II線による断面図である。
透明なガラス、シリコン又はプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に、複数のデータ線１７１、複数の維持電極線１７２及び光遮断膜１７４が形成されている。
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に図１の縦方向に延びている。各データ線１７１は、側方に突出した複数の突出部１７３と、他の層又は外部駆動回路との接続のために幅が広く形成された端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することができる。データ駆動回路を基板１１０上に集積する場合、データ線１７１を延長してこれに直接接続することができる。
維持電極線１７２はデータ線１７１とほぼ平行に並んで形成されており、所定の電圧の印加を受ける。各維持電極線１７２は２つのデータ線１７１の間に位置し、２つのデータ線１７１のうちの右側に近い位置に形成される。維持電極線１７２は側方に分岐して環状に形成された維持電極１７７を含む。このような維持電極線１７２の形状及び配置は多様に変更することができる。
光遮断膜１７４は、データ線１７１及び維持電極線１７２と分離されている。
データ線１７１、維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、金（Ａｇ）や金合金などの金系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。また、これらは物理的性質の異なる２つの導電膜（示せず）を含む多重膜構造で構成することもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成することができる。他の導電膜は、基板１１０との接着性が優れており、他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた金属、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで形成される。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。データ線１７１及び維持電極線１７２は、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
データ線１７１、維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、金（Ａｇ）や金合金などの金系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで形成することができる。また、これらは物理的性質の異なる２つの導電膜（示せず）を含む多重膜構造で構成することもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少できるように比抵抗の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成することができる。他の導電膜は、基板１１０との接着性が優れており、他の物質、特に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）及びＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた金属、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで形成される。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。データ線１７１及び維持電極線１７２は、その他にも多様な金属又は導電体で形成することができる。
データ線１７１、維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４は、その側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の傾斜角で傾いていることが好ましい。
データ線１７１、維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの無機絶縁物で形成することができ、その厚さを約２００〜５００ｎｍに形成することができる。
データ線１７１、維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯ2）などの無機絶縁物で形成することができ、その厚さを約２００〜５００ｎｍに形成することができる。
層間絶縁膜１６０は、データ線１７１の突出部１７３及び端部１７９を各々露出する複数の接触孔１６３、１６２を有する。
層間絶縁膜１６０上には、複数のソース電極１３３、複数のドレーン電極１３５、及び複数の接触補助部材８２が形成されている。ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は有機半導体と直接接触するため、有機半導体と仕事関数の差の大きくない導電物質で形成され、したがって、有機半導体と電極との間にショットキー障壁（schottky barrier）を低くして、キャリア注入及び移動を容易に行うことができる。このような物質にはＩＺＯ又はＩＴＯが挙げられる。これらの厚さは約３０〜１００ｎｍとすることができる。
層間絶縁膜１６０上には、複数のソース電極１３３、複数のドレーン電極１３５、及び複数の接触補助部材８２が形成されている。ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は有機半導体と直接接触するため、有機半導体と仕事関数の差の大きくない導電物質で形成され、したがって、有機半導体と電極との間にショットキー障壁（schottky barrier）を低くして、キャリア注入及び移動を容易に行うことができる。このような物質にはＩＺＯ又はＩＴＯが挙げられる。これらの厚さは約３０〜１００ｎｍとすることができる。
ソース電極１３３は島型であることができ、接触孔１６３を介してデータ線１７１に接続されている。
ドレーン電極１３５は、光遮断膜１７４上でソース電極１３３と対向する部分（以下、‘電極部’という）１３６、及び維持電極線１７２と少なくとも一部重なる部分（以下、‘容量部’という）１３７を含む。電極部１３６はソース電極１３３と対向して薄膜トランジスタの一部を成し、容量部１３７は維持電極線１７２と重なって、電圧維持能力を強化するためのストレージキャパシタを形成する。
ドレーン電極１３５は、光遮断膜１７４上でソース電極１３３と対向する部分（以下、‘電極部’という）１３６、及び維持電極線１７２と少なくとも一部重なる部分（以下、‘容量部’という）１３７を含む。電極部１３６はソース電極１３３と対向して薄膜トランジスタの一部を成し、容量部１３７は維持電極線１７２と重なって、電圧維持能力を強化するためのストレージキャパシタを形成する。
接触補助部材８２は、接触孔１６２を介してデータ線１７１の端部１７９に接続されており、データ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
ソース電極１３３、ドレーン電極１３５、及び層間絶縁膜１６０を含んだ基板の前面には隔壁１４０が形成されている。隔壁１４０は、溶解工程が可能な感光性有機物質で形成することができ、その厚さは約0.5〜４μｍとすることができる。
ソース電極１３３、ドレーン電極１３５、及び層間絶縁膜１６０を含んだ基板の前面には隔壁１４０が形成されている。隔壁１４０は、溶解工程が可能な感光性有機物質で形成することができ、その厚さは約0.5〜４μｍとすることができる。
隔壁１４０は、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する。開口部１４７は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５とこれらの間の層間絶縁膜１６０を露出し、接触孔１４５はドレーン電極１３５を露出する。
隔壁１４０の開口部１４７内には、複数の島型有機半導体１５４が形成されている。
有機半導体１５４は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５と接し、その高さが隔壁１４０より低いために隔壁１４０で完全に囲まれている。このように有機半導体１５４が隔壁１４０によって完全に囲まれて側面が露出されないので、後続工程で有機半導体１５４の側面から化学液などが浸透することを防止できる。
隔壁１４０の開口部１４７内には、複数の島型有機半導体１５４が形成されている。
有機半導体１５４は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５と接し、その高さが隔壁１４０より低いために隔壁１４０で完全に囲まれている。このように有機半導体１５４が隔壁１４０によって完全に囲まれて側面が露出されないので、後続工程で有機半導体１５４の側面から化学液などが浸透することを防止できる。
また、有機半導体１５４は、光遮断膜１７４上部に形成されている。光遮断膜１７４は、バックライトから供給される光が有機半導体１５４に直接流入することを遮断して、有機半導体１５４で光漏洩電流が急激に増加することを防止する。
有機半導体１５４は、水溶液や有機溶媒に溶解する高分子化合物や低分子化合物を含むことができる。
有機半導体１５４は、水溶液や有機溶媒に溶解する高分子化合物や低分子化合物を含むことができる。
有機半導体１５４は、テトラセン（tetracene）又はペンタセン（pentacene）の置換基を含む誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はまた、チオフェン環（thiophene ring）の２,５位置で連結された４〜８個のチオフェンを含むオリゴチオフェンを含むことができる。
有機半導体１５４は、ポリチニレンビニレン（polythienylenevinylene）、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（poly 3-hexylthiophene）、ポリチオフェン（polythiophene）、フタロシアニン（phthalocyanine）、金属化フタロシアニン又はそのハロゲン化誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はまた、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はこれらのイミド誘導体を含むことができる。有機半導体１５４は、ペリレン又はコロネンとこれらの置換基を含む誘導体を含むこともできる。
有機半導体１５４は、ポリチニレンビニレン（polythienylenevinylene）、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（poly 3-hexylthiophene）、ポリチオフェン（polythiophene）、フタロシアニン（phthalocyanine）、金属化フタロシアニン又はそのハロゲン化誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はまた、ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物又はこれらのイミド誘導体を含むことができる。有機半導体１５４は、ペリレン又はコロネンとこれらの置換基を含む誘導体を含むこともできる。
有機半導体１５４の厚さは約３０〜３００ｎｍとすることができる。
有機半導体１５４上にはゲート絶縁部材１４６が形成されている。ゲート絶縁部材１４６もまた、隔壁１４０より高さが低いため、隔壁１４０で完全に囲まれている。
ゲート絶縁部材１４６は、比較的に高い誘電定数を有する有機物質又は無機物質で形成される。このような有機物質の例としては、ポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール系化合物、ポリフルオラン系化合物、パリレンなどの溶解性高分子化合物が挙げられ、無機物質の例としては、オクタデシルトリクロロシランで表面処理された酸化ケイ素などが挙げられる。
有機半導体１５４上にはゲート絶縁部材１４６が形成されている。ゲート絶縁部材１４６もまた、隔壁１４０より高さが低いため、隔壁１４０で完全に囲まれている。
ゲート絶縁部材１４６は、比較的に高い誘電定数を有する有機物質又は無機物質で形成される。このような有機物質の例としては、ポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール系化合物、ポリフルオラン系化合物、パリレンなどの溶解性高分子化合物が挙げられ、無機物質の例としては、オクタデシルトリクロロシランで表面処理された酸化ケイ素などが挙げられる。
ゲート絶縁部材１４６上には遮断部材１２６が形成されている。遮断部材１２６はゲート絶縁部材１４６及び有機半導体１５４を保護し、ＩＺＯ又はＩＴＯで形成することができる。
遮断部材１２６及び隔壁１４０上には、複数のゲート線１２１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びてデータ線１７１及び維持電極線１７２と交差する。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層又は外部駆動回路との接続のための広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することも可能である。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長してゲート駆動回路と直接接続することができる。
遮断部材１２６及び隔壁１４０上には、複数のゲート線１２１が形成されている。
ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に図の横方向に延びてデータ線１７１及び維持電極線１７２と交差する。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層又は外部駆動回路との接続のための広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（示せず）上に装着することができ、基板１１０上に直接装着することもでき、基板１１０に集積することも可能である。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積する場合、ゲート線１２１を延長してゲート駆動回路と直接接続することができる。
ゲート電極１２４は、ゲート絶縁部材１４６を隔てて有機半導体１５４と重なっており、遮断部材１２６前記に遮断部材１２６を完全に覆う大きさで形成されている。遮断部材１２６は、ゲート電極１２４とゲート絶縁部材１４６との間の接着性を強化して、ゲート電極１２４のリフティング（lifting）を防止することができる。
ゲート線１２１は、データ線１７１及び維持電極線１７２と同一の材料で形成することができる。ゲート線１２１及びストレージキャパシタ用導電体１２７の側面もまた、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが好ましい。
ゲート線１２１は、データ線１７１及び維持電極線１７２と同一の材料で形成することができる。ゲート線１２１及びストレージキャパシタ用導電体１２７の側面もまた、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０°〜約８０°であることが好ましい。
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１３３、及び１つのドレーン電極１３５は、有機半導体１５４と共に１つの薄膜トランジスタを成し、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１３３とドレーン電極１３５との間の有機半導体１５４に形成される。
ゲート線１２１及び隔壁１４０上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１が形成されている。これらはＩＺＯ又はＩＴＯなどのような透明な導電物質で形成され、その厚さは約３０〜約８０ｎｍであることができる。
ゲート線１２１及び隔壁１４０上には、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１が形成されている。これらはＩＺＯ又はＩＴＯなどのような透明な導電物質で形成され、その厚さは約３０〜約８０ｎｍであることができる。
画素電極１９１は、接触孔１４５を介してドレーン電極１３５に接続されており、ゲート線１２１及び／又はデータ線１７１と重なって開口率を高めることができる。
画素電極１９１は、薄膜トランジスタからデータ電圧の印加を受けて、共通電圧の印加を受ける他の表示板（示せず）の共通電極（示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極の間の液晶層（示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極は、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”とする）を構成して、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１は、薄膜トランジスタからデータ電圧の印加を受けて、共通電圧の印加を受ける他の表示板（示せず）の共通電極（示せず）と共に電場を生成することによって、２つの電極の間の液晶層（示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極は、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”とする）を構成して、薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。
接触補助部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９上に形成されて、ゲート線１２１の端部１２９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。
画素電極１９１上には保護部材１８０が形成されている。保護部材１８０は有機薄膜トランジスタを保護するためのものであって、基板の一部分又は全面に形成することができ、場合によって省略することもできる。
画素電極１９１上には保護部材１８０が形成されている。保護部材１８０は有機薄膜トランジスタを保護するためのものであって、基板の一部分又は全面に形成することができ、場合によって省略することもできる。
以下では、図１及び図２に示した有機薄膜トランジスタを製造する方法について、図３〜図１５を参照して詳細に説明する。
図３、図５、図７、図９、図１２、及び図１４は、図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図４は、図３の有機薄膜トランジスタ表示板のIV-IV線による断面図であり、図６は、図５の有機薄膜トランジスタ表示板のVI-VI線による断面図であり、図８は、図７の有機薄膜トランジスタ表示板のVIII-VIII線による断面図であり、図１０は、図９の有機薄膜トランジスタ表示板のX-X線による断面図であり、図１１は、図１０の有機薄膜トランジスタ表示板の連続工程を示した断面図であり、図１３は、図１２の有機薄膜トランジスタ表示板のXIII-XIII線による断面図であり、図１５は、図１４の有機薄膜トランジスタ表示板のXV-XV線による断面図である。
図３、図５、図７、図９、図１２、及び図１４は、図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の１つの実施例によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図４は、図３の有機薄膜トランジスタ表示板のIV-IV線による断面図であり、図６は、図５の有機薄膜トランジスタ表示板のVI-VI線による断面図であり、図８は、図７の有機薄膜トランジスタ表示板のVIII-VIII線による断面図であり、図１０は、図９の有機薄膜トランジスタ表示板のX-X線による断面図であり、図１１は、図１０の有機薄膜トランジスタ表示板の連続工程を示した断面図であり、図１３は、図１２の有機薄膜トランジスタ表示板のXIII-XIII線による断面図であり、図１５は、図１４の有機薄膜トランジスタ表示板のXV-XV線による断面図である。
まず、基板１１０上にスパッタリングなどの方法で金属層を積層し、これを写真エッチングして、図３及び図４に示したように、突出部１７３及び端部１７９を含むデータ線１７１、維持電極１７７を含む維持電極線１７２、及び光遮断膜１７４を形成する。
次に、図５及び図６に示したように、窒化ケイ素を化学気相蒸着して層間絶縁膜１６０を形成し、層間絶縁膜１６０上に感光膜を塗布し、写真エッチングして、接触孔１６２、１６３を形成する。
次に、図５及び図６に示したように、窒化ケイ素を化学気相蒸着して層間絶縁膜１６０を形成し、層間絶縁膜１６０上に感光膜を塗布し、写真エッチングして、接触孔１６２、１６３を形成する。
次に、図７及び図８に示したように、ＩＴＯ又はＩＺＯをスパッタリングした後、写真エッチングして、ソース電極１３３、ドレーン電極１３５、及び接触補助部材８２を形成する。
次に、図９及び図１０に示したように、基板全面に感光性有機膜を塗布し現像して、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する隔壁１４０を形成する。この時、隔壁１４０は所望の厚さより厚く形成し、例えば、２〜３０μｍの厚さに形成する。
次に、図９及び図１０に示したように、基板全面に感光性有機膜を塗布し現像して、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する隔壁１４０を形成する。この時、隔壁１４０は所望の厚さより厚く形成し、例えば、２〜３０μｍの厚さに形成する。
次に、有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６を形成する方法について、大きく３つに分けて説明する。
第１に、インクジェット印刷方法を利用する。
まず、開口部１４７内に有機半導体溶液を滴下した後、乾燥して、島型の有機半導体１５４を形成する。次いで、有機半導体１５４上にゲート絶縁部材溶液を滴下した後、乾燥して、所定の厚さのゲート絶縁部材１４６を形成する。
第１に、インクジェット印刷方法を利用する。
まず、開口部１４７内に有機半導体溶液を滴下した後、乾燥して、島型の有機半導体１５４を形成する。次いで、有機半導体１５４上にゲート絶縁部材溶液を滴下した後、乾燥して、所定の厚さのゲート絶縁部材１４６を形成する。
第２に、表面改質方法を利用する。
まず、隔壁１４０を表面改質する。表面改質とは、プラズマを利用して物質の表面を親水性（hydrophilic）又は疏水性（hydrophobic）に変える技術である。
本実施例では、隔壁１４０をプラズマ雰囲気でフッ素化処理する。例えば、乾式エッチングチャンバーで、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＳＦ6のようなフッ素含有気体を酸素気体（Ｏ2）及び／又は不活性気体と共に供給する。この場合、有機物質で形成された隔壁１４０は、表面で炭素（Ｃ）−フッ素（Ｆ）結合が行われてフッ素化処理され、開口部１４７及び接触孔１４５を介して露出されているソース電極１３３、ドレーン電極１３５、及び層間絶縁膜１６０は無機物質で形成されるため、フッ素化処理されない。このようにフッ素化処理することによって、隔壁１４０の表面は疏水性に改質され、開口部１４７及び接触孔１４５を介して露出された部分は相対的に親水性を有する。
まず、隔壁１４０を表面改質する。表面改質とは、プラズマを利用して物質の表面を親水性（hydrophilic）又は疏水性（hydrophobic）に変える技術である。
本実施例では、隔壁１４０をプラズマ雰囲気でフッ素化処理する。例えば、乾式エッチングチャンバーで、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＳＦ6のようなフッ素含有気体を酸素気体（Ｏ2）及び／又は不活性気体と共に供給する。この場合、有機物質で形成された隔壁１４０は、表面で炭素（Ｃ）−フッ素（Ｆ）結合が行われてフッ素化処理され、開口部１４７及び接触孔１４５を介して露出されているソース電極１３３、ドレーン電極１３５、及び層間絶縁膜１６０は無機物質で形成されるため、フッ素化処理されない。このようにフッ素化処理することによって、隔壁１４０の表面は疏水性に改質され、開口部１４７及び接触孔１４５を介して露出された部分は相対的に親水性を有する。
次に、図１１に示したように、有機半導体物質を溶媒に溶解し、スピンコーティング又はスリットコーティングなどの方法で基板全面に塗布する。この場合、前述のように、隔壁１４０の表面は疏水性を有し、開口部１４７及び接触孔１４５は親水性を有するので、開口部１４７及び接触孔１４５にのみ有機半導体溶液が集まる。
次に、乾燥過程などによって溶媒を除去すれば、開口部１４７内に島型の有機半導体１５４が形成され、接触孔１４５内にも有機半導体残留物１５４ａが残る。
次に、乾燥過程などによって溶媒を除去すれば、開口部１４７内に島型の有機半導体１５４が形成され、接触孔１４５内にも有機半導体残留物１５４ａが残る。
次に、前述の工程を繰り返してゲート絶縁部材１４６を形成する。つまり、ゲート絶縁部材溶液（図示せず）を基板全面に塗布すれば、前述のように、開口部１４７内の有機半導体１５４上に溶液が集まってゲート絶縁部材１４６を形成し、接触孔１４５内の有機半導体残留物１５４ａ上にもゲート絶縁部材残留物１４６ａが残る。
このように表面改質を通じて基板上に親水性領域及び疏水性領域を定義し、これを利用して有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６を形成する場合、印刷方法やシャドーマスクを使用する場合より簡単であり、しかも作業時間及び費用を節減することができる。
このように表面改質を通じて基板上に親水性領域及び疏水性領域を定義し、これを利用して有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６を形成する場合、印刷方法やシャドーマスクを使用する場合より簡単であり、しかも作業時間及び費用を節減することができる。
次に、図１２及び図１３に示したように、ＩＺＯをスパッタリングした後、フォトエッチングして、ゲート絶縁部材１４６を覆う遮断部材１２６を形成する。
次に、基板前面を乾式エッチングして、接触孔１４５内に残っている有機半導体残留物１５４ａ及びゲート絶縁部材残留物１４６ａを除去する。この時、有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６は、遮断部材１２６により覆われているので除去されない。また、この時に隔壁１４０も共にエッチングされて、有機半導体残留物１５４ａとゲート絶縁部材残留物１４６ａの厚さの合計の分だけ、隔壁１４０の高さもまた低くなる。
次に、基板前面を乾式エッチングして、接触孔１４５内に残っている有機半導体残留物１５４ａ及びゲート絶縁部材残留物１４６ａを除去する。この時、有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６は、遮断部材１２６により覆われているので除去されない。また、この時に隔壁１４０も共にエッチングされて、有機半導体残留物１５４ａとゲート絶縁部材残留物１４６ａの厚さの合計の分だけ、隔壁１４０の高さもまた低くなる。
第３に、表面改質方法を利用してゲート絶縁部材１４６を形成できない場合には、遮断部材１２６をマスクとしてパターニングする。
まず、前述の方法に従って隔壁１４０を表面改質し、開口部１４７内に有機半導体１５４、及び接触孔１４５内に有機半導体残留物１５４ａを形成する。
次に、ゲート絶縁部材溶液を、スピンコーティング又はスリットコーティングなどによって基板全面に形成する。
まず、前述の方法に従って隔壁１４０を表面改質し、開口部１４７内に有機半導体１５４、及び接触孔１４５内に有機半導体残留物１５４ａを形成する。
次に、ゲート絶縁部材溶液を、スピンコーティング又はスリットコーティングなどによって基板全面に形成する。
次に、前述のように、有機半導体１５４を覆う大きさの遮断部材１２６を形成した後、遮断部材１２６をマスクとしてゲート絶縁部材をパターニングする。この時、接触孔１４５に残っている有機半導体残留物１５４ａも共に除去される。
このような３種類の方法で、有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６を形成することができる。
このような３種類の方法で、有機半導体１５４及びゲート絶縁部材１４６を形成することができる。
その次に、スパッタリングなどの方法で金属層を積層し、これを写真エッチングして、図１４及び図１５に示したように、ゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１を形成する。
この時、ゲート電極１２４は、遮断部材１２６を完全に覆うことのできる大きさで形成する。このようにゲート電極１２４が遮断部材１２６を完全に覆うことによって、写真エッチング工程で使用するエッチング液などが、ＩＴＯ又はＩＺＯのように耐薬品性の弱い物質で形成された遮断部材１２６に流入することを防止でき、下部のゲート絶縁部材１４６及び有機半導体１５４を保護することができる。
この時、ゲート電極１２４は、遮断部材１２６を完全に覆うことのできる大きさで形成する。このようにゲート電極１２４が遮断部材１２６を完全に覆うことによって、写真エッチング工程で使用するエッチング液などが、ＩＴＯ又はＩＺＯのように耐薬品性の弱い物質で形成された遮断部材１２６に流入することを防止でき、下部のゲート絶縁部材１４６及び有機半導体１５４を保護することができる。
次に、図１及び図２に示したように、ＩＺＯ又はＩＴＯをスパッタリングした後、写真エッチングして、画素電極１９１及び接触補助部材８１を形成する。
一方、遮断部材１２６及び画素電極１９１はＩＺＯ又はＩＴＯなどの同一物質で形成することができるが、異なる層に形成する必要がある。つまり、遮断部材１２６はゲート線１２１を形成する前に、画素電極１９１はゲート線１２１を形成した後に、各々形成しなければならない。ＩＴＯ又はＩＺＯは耐薬品性が弱いため、後続工程で使用される金属用エッチング液などにより損傷しやすい。前述のように、遮断部材１２６はゲート電極１２４で完全に覆うことによってエッチング液などから保護できるが、画素電極１９１はそのまま露出されているため、金属用エッチング液などにより損傷しやすい。したがって、画素電極１９１をゲート線１２１形成の後に形成することによってこれを防止することができる。
一方、遮断部材１２６及び画素電極１９１はＩＺＯ又はＩＴＯなどの同一物質で形成することができるが、異なる層に形成する必要がある。つまり、遮断部材１２６はゲート線１２１を形成する前に、画素電極１９１はゲート線１２１を形成した後に、各々形成しなければならない。ＩＴＯ又はＩＺＯは耐薬品性が弱いため、後続工程で使用される金属用エッチング液などにより損傷しやすい。前述のように、遮断部材１２６はゲート電極１２４で完全に覆うことによってエッチング液などから保護できるが、画素電極１９１はそのまま露出されているため、金属用エッチング液などにより損傷しやすい。したがって、画素電極１９１をゲート線１２１形成の後に形成することによってこれを防止することができる。
最後に、有機薄膜トランジスタを覆う保護部材１８０を形成する。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
８１、８２ 接触補助部材
１１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１２６ 遮断部材
１２９ ゲート線の端部
１３３ ソース電極
１３５ ドレーン電極
１３６ 電極部
１３７ 容量部
１４５ 接触孔
１４６ ゲート絶縁部材
１４７ 開口部
１５４ 有機半導体
１６０ 層間絶縁膜
１６２、１６３ 接触孔
１７１ データ線
１７２ 維持電極線
１７３ データ線の突出部
１７４ 光遮断膜
１７７ 維持電極
１７９ データ線の端部
１９１ 画素電極
１１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１２６ 遮断部材
１２９ ゲート線の端部
１３３ ソース電極
１３５ ドレーン電極
１３６ 電極部
１３７ 容量部
１４５ 接触孔
１４６ ゲート絶縁部材
１４７ 開口部
１５４ 有機半導体
１６０ 層間絶縁膜
１６２、１６３ 接触孔
１７１ データ線
１７２ 維持電極線
１７３ データ線の突出部
１７４ 光遮断膜
１７７ 維持電極
１７９ データ線の端部
１９１ 画素電極
Claims (25)
- 基板と、
前記基板上に形成されているデータ線と、
前記データ線に接続されているソース電極と、
前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に形成されており、開口部及び接触孔を有する隔壁と、
前記開口部に位置し、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と少なくとも一部重なる有機半導体と、
前記有機半導体上に形成されているゲート絶縁部材と、
前記ゲート絶縁部材上に形成された遮断部材と、
前記データ線と交差し、前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線と、
前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続されている画素電極と、
を含む、有機薄膜トランジスタ表示板。 - 前記遮断部材及び前記画素電極は同一物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記遮断部材及び前記画素電極はＩＺＯ又はＩＴＯを含む、請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記遮断部材と前記画素電極は異なる層に形成されている、請求項２又は３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＺＯ又はＩＴＯを含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆う、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重なる部分を含む、請求項７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極と前記維持電極との間に層間絶縁膜が形成されている、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記有機半導体の下部に位置し、前記データ線と同一層に形成される光遮断膜をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記隔壁は、前記開口部及び前記接触孔を除いた基板全面に形成されている、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記隔壁は有機物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート絶縁部材は有機物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート電極を覆う保護部材をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 基板上にデータ線を形成する段階と、
前記データ線上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に、開口部及び接触孔を有する隔壁を形成する段階と、
前記開口部に有機半導体を形成する段階と、
前記有機半導体上にゲート絶縁部材を形成する段階と、
前記ゲート絶縁部材上に遮断部材を形成する段階と、
前記遮断部材及び前記隔壁上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上に、前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続される画素電極を形成する段階と、
を含む、有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記有機半導体を形成する段階は、
前記隔壁を表面改質する段階と、
有機半導体層を塗布する段階と、
前記表面改質によって前記隔壁が形成されてない部分にのみ有機半導体を残す段階と、
を含む、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁が形成された部分と前記隔壁が形成されていない部分での水に対する親和度を異なるようにする、請求項１６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁が形成された部分は、前記隔壁が形成されていない部分より水に対する親和度が小さい、請求項１７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁上にフッ素含有気体を供給して前記隔壁表面にフッ素化処理をする、請求項１６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート絶縁部材を形成する段階は、
ゲート絶縁部材層を塗布する段階と、
前記表面改質によって前記隔壁が形成されていない部分にのみゲート絶縁部材を残す段階と、
を含む、請求項１６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記遮断部材を形成する段階の後に、乾式エッチングする段階をさらに含む、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁を形成する段階は、有機膜を塗布する段階及びパターニングする段階を含み、
前記有機膜を塗布する段階において、前記有機膜は、前記乾式エッチングする段階の後の隔壁の厚さより厚く形成する、請求項２１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記ゲート絶縁部材を形成する段階及び前記遮断部材を形成する段階は、
ゲート絶縁膜を塗布する段階と、
前記遮断部材を形成する段階と、
前記遮断部材をマスクとして前記ゲート絶縁膜をパターニングする段階と、
を含む、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記有機半導体を形成する段階及び前記ゲート絶縁部材を形成する段階のうちの少なくとも１つはインクジェット印刷方法で形成する、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記画素電極を形成する段階の後に、保護部材を形成する段階をさらに含む、請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
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