CN1941398B - 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 - Google Patents

有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板及其制造方法，所述阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层、置于开口内并至少部分接触源电极和漏电极的有机半导体、形成于有机半导体上的栅绝缘体、形成于栅绝缘体上的终止层、形成于终止层上且交叉在数据线上并包含栅电极的栅线、以及经接触孔与漏电极连接的像素电极。

Description

有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及制造有机薄膜晶体管阵列面板的方法。 
背景技术
通常，平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、以及电泳显示器等，包括多对场发生电极和夹在其间的电光有源层。LCD包含作为电光有源层的液晶材料层，而OLED显示器包含作为有源层的有机发光层。 
场发生电极对中的一个典型地连接到开关元件以接收电学信号，电光有源层将电学信号转换成用于显示图像的光学信号。平板显示器使用为三端元件的薄膜晶体管(TFT)作为开关元件，使用栅线传输控制TFT的扫描信号，且使用数据线将信号经TFT传输到形成于显示器上的像素电极。 
就TFT而言，目前研究的重心集中于使用有机半导体材料的有机薄膜晶体管(OTFT)领域，而非例如Si的传统无机半导体。由于可以在相对低的温度下使用溶液工艺制造OTFT，因此OTFT可以有利地，特别是应用于制造大尺寸平板显示器，这些大尺寸平板显示器的制造否则会受到其制造中使用的沉积工艺的制约。此外，根据所使用的有机材料的特性，OTFT可形成纤维型或膜型，因此OTFT作为柔性显示装置的核心元件已经引起广泛关注。 
用于制造OTFT阵列面板的方法与用于制造现有的TFT阵列面板的方法在结构及制造方法方面存在很大差异，因此需要提供这样的制造方法，即，最小化在工艺过程中制造工艺对有机半导体的负面影响同时改善OTFT的特性。 
发明内容
根据这里所描述的本发明的示范性实施方案，本发明提供了一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板及其制造方法，该方法最小化了在工艺过程中制造工艺对有机半导体的负面影响同时还改善了OTFT的特性。 
在本发明的一个示范性实施方案中，OTFT阵列面板包含基板、形成于基板上的数据线、与数据线连接的源电极、包含面向源电极的一部分的漏电极、以及形成于源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层。有机半导体置于该开口内，从而至少部分接触源电极和漏电极。栅绝缘体形成于有机半导体上，终止层(stopper)形成于栅绝缘体上。栅线形成于终止层上，该栅线与数据线交叉并包含栅电极；像素电极经接触孔与漏电极连接。 
终止层和像素电极可包括相同材料，该材料可包含氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)，且分别形成于彼此不同的层内。源电极和漏电极还可以包含ITO或IZO。栅电极完全覆盖终止层。 
OTFT阵列面板进一步包含形成于与形成数据线的层相同的层内的存储电极。漏电极包含与存储电极交叠的一部分。层间绝缘层形成于漏电极和存储电极之间。 
OTFT阵列面板进一步包含光线阻挡部件，该光线阻挡部件置于有机半导体下方并形成于与形成数据线的层相同的层内。绝缘层形成于除开口和接触孔之外的基板整个表面上，并可包含有机材料或无机材料。 
OTFT阵列面板可进一步包含覆盖栅电极的保护部件。 
另一方面，本发明提供了OTFT阵列面板制造方法，所述方法包括：在基板上形成数据线；在数据线上形成层间绝缘层；在层间绝缘层上形成源电极和漏电极；以及在源电极和漏电极上形成具有开口和接触孔的绝缘层。随后在开口内形成有机半导体，在有机半导体上形成栅绝缘体。在栅绝缘体上形成终止层，在终止层和绝缘层上形成栅线。在栅线上形成像素电极，从而经接触孔与漏电极连接。 
形成有机半导体可包含：执行对绝缘层的表面改性；形成有机半导体层；以及通过表面改性仅在未在其上形成绝缘层的部分留下有机半导体层。在绝缘层的表面改性过程中，其上分别形成和不形成绝缘层的部分可具有不同的亲水性。其上形成了绝缘层的部分的亲水性弱于未形成绝缘层的部分的亲水性。在绝缘层的表面改性过程中，可在绝缘层上供给含氟的气体以氟化绝缘层表面。 
形成栅绝缘体可包含：形成栅绝缘层，以及通过表面改性工艺仅在未在其上形成绝缘层的部分留下栅绝缘层。 
制造OTFT的示范性方法进一步包含在形成终止层之后执行干法蚀刻。 形成绝缘层包含形成有机膜以及图形化该有机膜，且在形成有机膜期间，膜的厚度形成大于干法蚀刻后绝缘层的最终厚度。形成栅绝缘体和形成终止层可包含：形成栅绝缘层；形成终止层；以及以终止层为掩模图形化栅绝缘层。可使用喷墨印刷方法实现形成有机半导体和形成栅绝缘体中的至少一个。 
该方法可进一步包含，在基板上形成像素电极之后形成保护部件以保护底下的结构。 
考虑下述对一些示范性实施方案的详细描述，特别地结合附图进行这样的考虑，则可以更好地理解OTFT阵列面板及其制造方法的上述及许多其它特征和优点，附图中相同的参考数字用于表示在一个或多个图中说明的相同元件。 
附图说明
图1为根据本发明的有机TFT阵列面板的示范性实施方案的部分俯视图，示出了该有机TFT阵列面板的单个像素区域； 
图2为沿图1中线II-II截取的图1的示范性OTFT面板的部分剖面视图； 
图3、5、7、9、12和14为分别说明根据本发明示范性实施方案的图1和2的OTFT阵列面板的制造方法的顺序的中间步骤的部分俯视图； 
图4为沿图3中线IV-IV截取的面板的部分剖面视图； 
图6为沿图5中线VI-VI截取的面板的部分剖面视图； 
图8为沿图7中线VIII-VIII截取的面板的部分剖面视图； 
图10为沿图9中线X-X截取的面板的部分剖面视图； 
图11为图10的OTFT面板的部分剖面视图，示出了后续工艺的结果； 
图13为沿图12中线XIII-XIII截取的面板的部分剖面视图；以及 
图15为沿图14中线XV-XV截取的面板的部分剖面视图。 
具体实施方式
根据本发明的有机薄膜晶体管(OTFT)阵列面板的示范性实施方案如图1的部分俯视图所示，其中示出该阵列面板的单个像素区域，图2为沿图1中线II-II截取的示范性OTFT面板的部分剖面视图。 
参考图1和2，在由诸如玻璃、硅、塑料等的透明材料制成的绝缘基板 110上形成了多条数据线171、多条存储电极线172以及光线阻挡部件174。数据线171通常在图1沿垂直方向延伸，各个数据线传送各自数据信号。各个数据线171包含：形成朝一侧突出的多个凸起173；以及用于与不同层或外部驱动电路连接的大的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在被安装到基板110上的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者备选地，可以与基板110本身集成，这种情况下，数据线171可以延长从而直接连接数据驱动电路。 
存储电极线172分别接收选定的电压，并基本上平行于数据线171延伸。 
各个存储电极线172置于两个数据线171之间，并排列成更靠近这两个数据线中的右边数据线。各个存储电极线172包含朝一侧分裂以形成圆形的存储电极177。然而，应该理解，存储电极线172可以调整成结合除了这里所描述和示出之外的各种其它形状和排列。 
光线阻挡部件174与数据线171及存储电极线172分离。数据线171、存储电极线172以及光学阻挡部件174可分别由下述材料制成：例如铝(Al)或铝合金的含铝的金属、例如银(Ag)或银合金的含银的金属、例如金(Au)或金合金的含金的金属、例如铜(Cu)或铜合金的含铜的金属、例如钼(Mo)或钼合金的含钼的金属、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)以及许多其它导电材料。 
数据线171、存储电极线172和光线阻挡部件174还可具有多层结构，包含分别具有不同物理性能的两个导电层(未示出)。例如，这两个导电层之一可由具有低电阻率的含铝的金属、含银的金属、含铜的金属等制成，从而减小该导电层内的任何信号延迟或电压降落。相反地，另一个导电层可由与基板110具有良好附着力的材料制成，或者由与ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)具有特别良好的物理、化学和电学接触的其它材料制成，例如含钼的金属、铬、钽、钛等。良好的材料组合可包含例如下层铬与上层铝(或其合金)的组合，以及下层铝(或其合金)与上层钼(或其合金)的组合。 
数据线171、存储电极线172和光线阻挡部件174还可由各种其它金属或导体制成。优选地，数据线171、存储电极线172和光线阻挡部件174的侧部与基板110表面成约30°至80°的角度。 
层间绝缘层160形成于数据线171、存储电极线172和光线阻挡部件174上。层间绝缘层160可由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)等的无机绝 缘体制成，并具有约2000至5000
Figure 200610154248910000210003_1
的厚度。层间绝缘层160包含多个接触孔162和163，这些接触孔分别暴露数据线171的凸起173和端部179。各多个源电极133、漏电极135和接触辅助(contact assistant)82形成于层间绝缘层160上。源电极133和漏电极135与有机半导体直接接触，因此源电极和漏电极由功函数与有机半导体相似的导电材料制成，所以肖特基势垒被降低从而有利于载流子注入和移动。该材料可包含IZO(氧化铟锌)或ITO(氧化铟锡)，示范性厚度约为300至1000
Figure 200610154248910000210003_3
。 
源电极133可以是岛状电极，并经接触孔163和数据线171连接。各个漏电极135包含位于光线阻挡部件174上侧且面向源电极133的部分136(这里称为电极部分)以及至少部分交叠相关存储电极线172的部分137(这里称为电容器部分)。电极部分136与对面的源电极133一起形成TFT一部分，电容器137与交叠的存储电极线172一起形成存储电容器，用于加强与该TFT关联的电极的电压维持能力。 
各接触辅助82经接触孔162与数据线171的各自端部179连接，用于补充数据线171的端部179与外部器件之间的附着力并保护该端部。 
绝缘层140形成于包括源电极133、漏电极135和层间绝缘层160的整个表面上。绝缘层140可包含可采用溶液工艺进行制备的光敏有机材料，且厚度为约5000至4μm。绝缘层140具有多个开口147和多个接触孔145。各个开口147暴露源电极133、漏电极135以及源电极133和漏电极135之间的层间绝缘层160，且各个接触孔145暴露漏电极135。多个有机半导体岛154形成于绝缘层140的开口147内。 
各个有机半导体岛154接触源电极133和漏电极135，且由于有机半导体岛154置于绝缘层140下方，这些岛完全受绝缘层140限制，绝缘层用做阻挡层。由于有机半导体154完全受绝缘层140限制，有机半导体的各侧未被暴露，这种排列防止在任何后续工艺中化学溶液渗透到有机半导体岛154的各侧。 
有机半导体岛154形成于光线阻挡部件174的上侧。光线阻挡部件174用于阻挡由背光供给的光线直接辐射到有机半导体岛154上，由此防止在有机半导体岛154内形成光伏电流。 
有机半导体岛154厚度可以为约300
Figure 200610154248910000210003_5
至3000
Figure 200610154248910000210003_6
，并包含溶解到水溶液或有机溶剂的小分子量聚合物或化合物。有机半导体岛154可包含包括其取 代基的并四苯或并五苯的衍生物；或者可以包含低聚噻吩，其包括4至8个噻吩连接在噻吩环的第二和第五位置上。 
有机半导体岛154还可包含聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)、聚3-己基噻吩、聚噻吩、酞菁、金属化酞菁、或其卤化衍生物。有机半导体岛154还可包含二萘嵌苯四甲酸二酐(PTCDA)、萘四甲酸二酐(NTCDA)、或其亚酰胺衍生物。有机半导体154可包含二萘嵌苯或六苯并苯，以及包含其取代基的衍生物。 
栅绝缘体146形成于各个有机半导体岛154上。栅绝缘体146还置于绝缘层140之下，因此完全受绝缘层140限制，绝缘层140因此用做阻挡层。各个栅绝缘体146由具有相对高介电常数的有机材料或无机材料制成。有机材料可包含例如聚酰亚胺、聚乙烯醇、含氟化合物、或者诸如聚对二甲苯的可溶性聚合化合物，无机材料可包含例如使用十八烷基三氯硅烷(OTS)进行表面处理的氧化硅。 
终止层126形成于各个栅绝缘体146上。终止层126用于保护栅绝缘体146和有机半导体岛154，且可由IZO或ITO制成。 
多个栅线121形成于终止层126和绝缘层140上。各个栅线121传送各自的栅信号，且通常沿图1中水平方向延伸，从而与数据线171及存储电极线172交叉。各个栅线121包含多个向上凸起的栅电极124以及用于连接不同层或外部驱动电路的大的端部129。栅驱动电路(未示出)可以安装在被安装在基板110上的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者备选地可以与基板110集成，这种情况下，栅线121可延长从而直接与栅驱动电路连接。 
各个栅电极124交叠有机半导体岛154，栅绝缘体146插在这两者之间，且各个栅电极124形成合适的大小，从而在终止层126上侧完全覆盖终止层126。终止层126加强了栅电极124和栅绝缘体146之间的附着力，由此防止栅电极124被从基板剥离。 
栅线121可由与数据线171及存储电极线172相同的材料制成。栅线121的侧部也朝基板110表面倾斜，倾斜角优选范围为约30°至约80°。 
一个栅电极124、一个源电极133以及一个漏电极135，与有机半导体岛154一起形成薄膜晶体管，该TFT的沟道形成于源电极133和漏电极135之间的有机半导体岛154内。 
多个像素电极191和多个接触辅助81形成于栅线121和绝缘层140上。 像素电极191和接触辅助81由诸如IZO或ITO的透明导电材料制成，且厚度可为约300至800
Figure 10003_8
。各个像素电极191经接触孔145与漏电极135连接，通过将该像素排列成交叠关联的栅线121与/或数据线171，可以增大该像素的开口率。 
像素电极191分别从TFT接收数据电压，像素电极191与接收公共电压的另一个显示面板(未示出)的公共电极一起形成确定置于这些电极之间的液晶材料层(未示出)的分子取向的电场。各个像素电极191和该公共电极共同形成电容器(称为液晶电容器)，该电容器用于即使在TFT截止之后仍维持所施加的电压。 
接触辅助81形成于各个栅线121的端部129上，用于补充端部129和外部器件之间的附着力并保护该端部。 
可选的保护部件180形成于像素电极191上。保护部件180保护这些OTFT，并可根据具体情况，保护部件180可以仅形成于基板的一部分上或者基板的整个表面上，或者可以完全省略。 
下文中参考图3-15详细地描述图1和2的OTFT阵列面板的制造方法的示范性实施方案。图3、5、7、9、12和14为分别说明该方法各个顺序的中间步骤的部分俯视图，图4、6、8和10分别为沿图3中线IV-IV、图5中线VI-VI、图7中线VII-VII以及图9中线X-X截取的该面板的部分剖面视图。图11为图10的OTFT面板的部分剖面视图，示出了后续工艺的结果，图13和15分别为沿图12中线XIII-XIII以及图14中线XV-XV截取的该面板的部分剖面视图。 
参考图3和4，首先通过诸如溅射的方法在基板110上形成导电层，且随后该导电层经过光刻和蚀刻而形成包括凸起173和端部179的数据线171、包括存储电极177的存储电极线172、以及光线阻挡部件174。 
接着，如图5和6所示，通过化学气相沉积(CVD)沉积氮化硅以形成层间绝缘层160，光敏膜被涂敷在层间绝缘层160上并经过光刻和蚀刻以形成接触孔162和163。 
接着，如图7和8所示，ITO或IZO被溅射到基板上，并经过光刻和蚀刻以形成源电极133、漏电极135和接触辅助82。 
如图9和10所示，光敏有机膜随后被涂敷在基板的整个表面上，并被显影以形成其中具有多个开口147和接触孔145的绝缘层140。在所示的具 体示范性实施方案中，绝缘层140制成比该层的最终预期厚度厚例如20,000至30,000
Figure 10003_10
。 
下文中描述可以形成有机半导体岛154和栅绝缘体146的三种方法。 
在第一示范性实施方案中，采用喷墨印刷方法将有机半导体溶液注入到各个开口147内，该溶液随后被干燥以形成有机半导体岛154。接着，栅绝缘溶液被印刷到有机半导体岛154上以形成具有选定厚度的绝缘体146。在第二示范性实施方案中，采用表面改性方法对绝缘层140表面的选定部分进行改性。所采用的表面改性技术是通过使用等离子体改变材料的表面以具有亲水性或疏水性。在所示的示范性实施方案中，绝缘层140的表面在等离子体气氛中被氟化。例如，在干法蚀刻腔中，供给含氟气体，例如CF4、C2F6或SF6，同时供给氧气(O2)与/或惰性气体。该含氟气体中的氟(F)随后键合到绝缘层140的碳(C)，使得绝缘层140氟化，且由于通过开口147暴露的源电极133、漏电极135和层间绝缘层160是由无机材料制成而不被氟化。该氟化的结果为，除了开口147和接触孔145之外的绝缘层140表面被改性而变为疏水性，而通过开口147和接触孔145暴露的部分保持相对亲水性。 
接着如图11所示，有机半导体材料被溶解到溶剂中并通过旋转涂敷或狭缝涂敷工艺被涂敷到基板的整个表面上，或者备选地通过喷墨印刷方法被注入到开口147内。在本实施方案中，由于绝缘层140的表面是疏水性而开口147及接触孔145是相对亲水性，轻水的有机半导体溶液仅聚集在开口147和接触孔145内。 
接着，通过干燥工艺除去该溶剂之后，有机半导体岛154形成于开口147内，该有机半导体的残余154a残留在接触孔145内。 
上述工艺被重复执行以形成栅绝缘体146。也就是说，如前所述，当栅绝缘溶液(未示出)被涂敷到基板的整个表面上时，该溶液聚集在开口147内的有机半导体岛154上以形成栅绝缘体146，栅绝缘溶液的残余146a也残留在接触孔145内的有机半导体残余154a上。 
因此，与印刷方法或者使用阴影掩模的方法相比，利用表面改性工艺在基板上定义亲水和疏水区域，可以采用更为简单的方式形成有机半导体岛154和栅绝缘体146，且阵列工艺时间和成本相应地减小。 
接着，如图12和13所示，IZO被溅射到基板上，并经过光刻和蚀刻而 形成覆盖栅绝缘体146的终止层126。随后，基板的整个表面被干法蚀刻，从而除去接触孔145内的有机半导体残余154a和栅绝缘残余146a。在本示例中，由于有机半导体154和栅绝缘体146被终止层126覆盖，因此不被蚀刻除去。此外，该干法蚀刻也蚀刻绝缘层140。 
在例如无法使用前述的表面改性方法形成栅绝缘体146的第三示范性实施方案中，以终止层126为掩模执行图形化。绝缘层140被表面改性，有机半导体岛154形成于开口147内，有机半导体残余154a形成于接触孔145内。 
接着，通过旋转涂敷或狭缝涂敷方法将栅绝缘溶液涂敷到基板的整个表面上。随后，如前所述，终止层126形成适当的尺寸以覆盖有机半导体岛154，随后以终止层126为掩模图形化栅绝缘体146。此时，残留在接触孔145内的有机半导体残余154也被除去。 
因此，可以使用前述三种方法任意一种形成有机半导体岛154和栅绝缘体146。 
形成了有机半导体岛154和栅绝缘体146之后，通过溅射等工艺形成导电层，且该导电层经过光刻和蚀刻以形成包括栅电极124和端部129的栅线121，如图14和15所示。 
在所示具体实施方案中，栅电极124的大小完全覆盖终止层126。由于栅电极124完全覆盖终止层126，因此防止光刻和蚀刻工艺时使用的化学溶液流入终止层126，该终止层126由具有相对低耐化学性的材料例如ITO或IZO制成，因此栅绝缘体146和有机半导体岛154受到保护免受任何后续工艺的不利影响。 
接着，如图1和2所示，IZO或ITO被溅射之后，经过光刻和蚀刻以形成像素电极191以及接触辅助81。终止层126和像素电极191可由相同材料制成，例如IZO或ITO，但重要的是，必须形成于不同层内。具体地，必须在形成栅线121之前形成终止层126，必须在形成栅线121之后形成像素电极191。这是因为，ITO或IZO对蚀刻具有低的耐化学性，因此容易受随后工艺中使用的金属蚀刻溶液损伤。如前所述，终止层126完全被栅电极124覆盖，因此终止层126受保护免受蚀刻溶液作用，但像素电极191被暴露，容易受金属蚀刻溶液损伤。因此，在形成栅线121之后形成像素电极191，从而防止像素电极191受损伤。 
在最终步骤中，可选的保护部件180形成于OTFT上，如图2所示。 
如前所述，通过在绝缘层内形成有机半导体岛并用终止层覆盖这些有机半导体岛，由此可以最小化后续制造工艺中对有机半导体的负面影响，且通过包含与有机半导体具有良好接触特性的源电极和漏电极改善了OTFT的特性。另外，通过使用前述表面改性方法，形成有机半导体的工艺被大幅简化。 
至此，本领域技术人员将理解到，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明的OTFT阵列面板及其制造方法进行许多调整、置换和变更。据此，本发明的范围不应受限于本公开内容所示出和描述的具体实施方案的范围，因为这些具体实施方案本质上是示范性的，本发明的范围应由权利要求及其功能等同物界定。 
本申请主张于2005年9月30日提交的韩国专利申请第10-2005-0091862号的优先权，该专利申请的全部内容在此引用作为参考。 

Claims (26)

1.一种有机薄膜晶体管阵列面板，包含：
基板；
形成于所述基板上的数据线；
与所述数据线连接的源电极；
漏电极，其包含面向所述源电极的一部分；
形成于所述源电极和漏电极上并具有开口和接触孔的绝缘层；
置于所述开口内并至少部分接触所述源电极和漏电极的有机半导体；
形成于所述有机半导体上的栅绝缘体；
形成于所述栅绝缘体上的终止层；
形成于所述终止层上且与所述数据线交叉并包含栅电极的栅线；以及
经所述接触孔与所述漏电极连接的像素电极。
2.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极包含相同的材料。
3.权利要求2的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极包含氧化铟锌或氧化铟锡。
4.权利要求3的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述终止层和像素电极形成于不同层内。
5.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述源电极和漏电极包含氧化铟锌或氧化铟锡。
6.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述栅电极完全覆盖所述终止层。
7.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含形成于与所述数据线相同的层内的存储电极。
8.权利要求7的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述漏电极包含至少部分交叠所述存储电极的一部分。
9.权利要求8的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含形成于所述漏电极和所述存储电极之间的层间绝缘层。
10.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含置于所述有机半导体下部并形成于与数据线相同的层内的光线阻挡部件。
11.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层形成于除所述开口和接触孔之外的所述基板的整个表面上。
12.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层包含有机材料。
13.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中所述绝缘层包含无机材料。
14.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，进一步包含覆盖所述栅电极的保护部件。
15.权利要求1的有机薄膜晶体管阵列面板，其中除了所述开口和所述接触孔之外的绝缘层表面是疏水的，而通过所述开口和接触孔暴露的部分是相对亲水的。
16.一种有机薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：
在基板上形成数据线；
在所述数据线上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极；
形成绝缘层，所述绝缘层在所述源电极和漏电极上具有开口，且所述绝缘层具有接触孔；
在所述开口内形成有机半导体；
在所述有机半导体上形成栅绝缘体；
在所述栅绝缘体上形成终止层；
在所述终止层和绝缘层上形成栅线；以及
在所述栅线上形成经所述接触孔与所述漏电极连接的像素电极。
17.权利要求16的方法，其中形成所述有机半导体包含：
对除了所述开口及所述接触孔之外的所述绝缘层表面进行改性；
在所述绝缘层上、所述开口内和所述接触孔内形成有机半导体层；以及
从所述绝缘层表面的改性部分除去有机半导体层，使得所述有机半导体层仅残留在所述开口与所述接触孔内。
18.权利要求17的方法，其中所述绝缘层表面的改性部分具有不同于所述开口及所述接触孔的亲水性。
19.权利要求18的方法，其中所述改性部分的亲水性弱于所述开口与所述接触孔。
20.权利要求17的方法，其中改性所述绝缘层表面包括，向所述绝缘层供给含氟气体以氟化所述绝缘层表面。
21.权利要求17的方法，其中形成所述栅绝缘体包含：
在所述绝缘层上、所述开口内和所述接触孔内形成栅绝缘层；以及
从所述绝缘层表面的改性部分除去所述栅绝缘层，使得所述栅绝缘层仅残留在残留于所述开口与所述接触孔内的所述有机半导体层上。
22.权利要求21的方法，进一步包含在形成所述终止层之后执行干法蚀刻以除去残留于所述接触孔内的所述有机半导体层和所述栅绝缘层。
23.权利要求22的方法，其中
形成所述绝缘层包含在所述基板上形成并图形化具有第一厚度的有机膜；以及
干法蚀刻包含将所述有机膜蚀刻成小于所述第一厚度的第二厚度。
24.权利要求16的方法，其中形成所述栅绝缘体和终止层包含：
形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成终止层；以及
以所述终止层为掩模图形化所述栅绝缘层。
25.权利要求16的方法，其中使用喷墨印刷方法实现形成所述有机半导体和形成所述栅绝缘体中的至少一个。
26.权利要求16的方法，进一步包含在形成所述像素电极之后在所述基板上形成保护部件。
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