CN101086996B

CN101086996B - 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

Info

Publication number: CN101086996B
Application number: CN2006101486421A
Authority: CN
Inventors: 赵承奂; 金泳敏; 宋根圭
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2006-06-09
Filing date: 2006-11-20
Publication date: 2011-07-27
Anticipated expiration: 2026-11-20
Also published as: EP2690663A3; EP1865558A3; KR20070117850A; EP2690663A2; US20070284585A1; US7781774B2; CN101086996A; KR101187205B1; JP2007335862A; EP1865558A2; JP5268290B2

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口形成为十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分交叉。

Description

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

本发明要求于2006年6月9日提交的第10-2006-0052008号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用完全包含于此。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

通常，平板显示器比如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器包括多对场发生电极和置于场发生电极之间的光电有源层。LCD包括作为光电有源层的液晶层，OLED显示器包括作为光电有源层的有机发光层。

形成一对场发生电极的一个场发生电极通常连接到开关元件，以接收电信号，光电有源层将电信号转换成光信号，从而显示图像。

在平板显示器中，为三端子元件的薄膜晶体管(TFT)用作开关元件，栅极线和数据线设置在平板显示器中，其中，栅极线传输用于控制TFT的扫描信号，数据线传输将被施加到像素电极的信号。

已经积极研究了包括代替无机半导体的比如在TFT之中的硅(Si)的有机半导体的有机薄膜晶体管(OTFT)。

由于考虑到有机材料的特性，OTFT可以制作成纤维或薄膜，所以OTFT作为柔性显示装置的核心元件已经备受关注。

此外，由于OTFT可以用低温下的溶液工艺来制造，所以OTFT甚至可以被容易地应用到大型平板显示器，而只受其沉积工艺的限制。

在溶液工艺中的喷墨印刷法是将有机溶液滴在由绝缘存储体限定的预定区域中的方法，该方法并可以容易地形成有机薄膜比如有机半导体或绝缘膜。

然而，由喷墨印刷法形成的有机薄膜具有不均匀的厚度。具体地讲，由于有机半导体和环绕半导体的绝缘存储体的表面特性，有机半导体的与绝缘存储体紧密接触的部分形成得厚，有机半导体的与绝缘存储体分离的部分形成得薄。在这种情况下，其中有机半导体中形成有沟道的部分的非均匀厚度会影响TFT的性能。

此外，OTFT与现有的TFT相比具有不同的结构和制造方法。例如，随着制造OTFT所需的掩模的数量增加，制造OTFT的成本显著增加。

发明内容

本发明致力于提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，该薄膜晶体管阵列面板的优点在于保持了OTFT的特性并减少了所需掩模的数目。

本发明的示例性实施例提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，与源电极相对；有机半导体，与源电极和漏电极部分接触；栅极绝缘构件，位于栅电极和有机半导体之间；绝缘存储体，具有开口，有机半导体和栅极绝缘构件位于该开口中，该开口在平面上具有十字形，在该十字形中水平部分和垂直部分在所述平面上交叉。

源电极和漏电极中的每个可以沿着垂直部分形成。

栅极绝缘构件可以沿着水平部分和垂直部分形成，有机半导体可以沿着垂直部分形成。

源电极和漏电极可包含氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。

绝缘存储体的厚度可以大于栅极绝缘构件的厚度与有机半导体的厚度之和。

有机半导体和栅极绝缘构件可包含可溶的有机材料。

本发明的另一示例性实施例提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基底上形成数据线；在数据线上形成中间层绝缘膜；在中间层绝缘膜上形成包括栅电极的栅极线；在中间层绝缘膜和栅极线上形成有机膜；通过对有机膜进行曝光和显影来形成暴露栅电极的开口，开口为十字形并由水平部分和与所述水平部分交叉的垂直部分组成；在开口中形成栅极绝缘构件；在有机膜和栅极绝缘构件上形成源电极和漏电极；在位于开口中的源电极和漏电极上形成有机半导体。

通过喷墨印刷法来执行形成栅极绝缘构件和形成有机半导体。

形成栅极绝缘构件可包括沿着水平部分滴落栅极绝缘溶液和沿着垂直部分滴落栅极绝缘溶液。

可以通过沿着垂直部分滴落有机半导体溶液来形成有机半导体。

可以沿着垂直部分来形成源电极和漏电极。

该方法还可包括在形成开口之后对有机膜的表面进行处理。

可以通过对有机膜的表面进行疏水处理来处理有机膜的表面。

可以通过向有机膜提供含氟气体用氟来处理有机膜的表面，来执行疏水处理。

形成栅极绝缘构件和形成有机半导体中的至少一个的步骤可包括分别将栅极绝缘溶液或有机半导体溶液只滴入用氟处理的开口中。

附图说明

通过参照附图对本发明示例性实施例进行进一步描述，本发明将变得更清楚，在附图中：

图1是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的平面布局图；

图2是沿着图1中的II-II线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图3、图5、图7、图9、图14和图17是顺序示出根据本发明示例性实施例的制造图1和图2中的薄膜晶体管阵列面板的方法的平面布局图；

图4是沿着图3中的IV-IV线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图6是沿着图5中的VI-VI线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图8是沿着图7中的VIII-VIII线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图10是沿着图9中的X-X线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图11A和图11B是示意性示出将栅极绝缘溶液滴入开口中的状态的示意性平面图，开口是图1中的放大部分A；

图12是示出了栅极绝缘溶液可以滴入的开口的工艺余量范围的示意性平面图；

图13是根据图11A至图12形成的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图15是沿着图14中的线XV-XV截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图；

图16是示出了栅极绝缘溶液可以沉积到的工艺余量区域的示意性平面图；

图18是沿着图17中的XVIII-XVIII截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图来更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被理解为受限于这里提出的示例性实施例。

在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。当任何部分比如层、膜、区域或板被称作位于另一部分上时，这意味着该部分直接在另一部分上或者在另一部分上方且具有至少一个中间部分。相反，当一个元件被称作直接在另一元件上时，则不存在中间元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意或全部组合。

应该理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在这里用来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不受这些术语的限制。这些术语只是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

这里使用的术语只是出于描述特定实施例的目的，而不意在成为本发明的限制。如这里所使用的，除非上下文清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。还应该理解的是，当在说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。

为了方便地描述如附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系，在这里可使用空间关系术语比如“在...以下”、“在...下方”、“下面的”、“在...上方”、“上面的”等。应该理解的是，这些空间相关术语意在包含除附图中所示的方位外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被反转，则被称作在其它元件或特征下面或下方的元件将随后被定位为在其它元件或特征上方。因此，示例性术语“在...下方”可以包括上面和下面两个方位。装置可以被另外定位(旋转90度或位于其它方位)，这里使用的空间关系描述符可以作相应的解释。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语) 的含意与本发明所属领域一个普通技术人员所通常理解的含义相同。应该理解的是，术语比如在通用字典里定义的术语应该被理解为其含义与本公开和相关领域的范围中的它们的含义一致，并且除非在这里特别地定义，否则将不作理想地或过度正式的解释。

在这里参照为本发明理想实施例的示意图的剖视图来描述本发明的实施例。同样，作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化将是预料之中的。因此，本发明的实施例不应该被理解为限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域可以通常具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域本质是示意性的，它们的形状不意在示出区域的精确形状，并不意在限制本发明的范围。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意和全部组合。

现在，将参照图1和图2来更详细地描述根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板。

图1是根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的平面布局图。图2是沿着图1中的线II-II截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。

多条数据线171形成在由透明玻璃、硅树脂、塑料或其它合适材料制成的绝缘基底110上。

数据线171传输数据信号，并通常在垂直方向上延伸，如图1中所示。各条数据线171包括多个突起173和宽的端部179，突起173向着一侧突出，端部179用于连接到其它层或外部驱动电路(未示出)。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在附于基底110的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者可以直接安装在基底110上，或者与基底110集成。当数据驱动电路与基底110集成时，数据线171延伸成直接与数据驱动电路连接。

数据线171可以由电阻率低的导体制成，所述电阻率低的导体由含铝金属比如铝(Al)或铝合金、含银金属比如银(Ag)或银合金、含金金属比如金(Au)或金合金、含铜金属比如铜(Cu)或铜合金、含钼金属比如钼(Mo)或钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)组成。然而，数据线171可以具有包括物理特性不同的两个导电膜(未示出)的多层膜结构。

数据线171的侧面相对于基底110的表面倾斜，倾斜角度理想的是大约30度至大约80度。

中间层绝缘膜160形成在数据线171上。中间层绝缘膜160可以由非有机绝缘体比如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiO₂)制成，中间层绝缘膜160的厚度可以为大约至大约

中间层绝缘膜160具有多个接触孔163和162，用于分别暴露数据线171的突起173和端部179。

多条栅极线121形成在中间层绝缘膜160上。栅极线121具有用于连接到其它层或外部驱动电路的宽的端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在附于基底110的柔性印刷电路膜(未示出)上，或者直接安装在基底110上，或者与基底110集成。当栅极驱动电路与基底110集成时，栅极线121延伸成直接连接到栅极驱动电路。

栅极线121可以由从用于数据线171的导电材料的相同的导电材料中选择的导电材料制成。数据线171的侧面相对于基底110的表面倾斜，倾斜角理想的为大约30度至大约80度。

绝缘存储体361形成在包括栅极线121和中间层绝缘膜160的基底的整个表面上。绝缘存储体361可以由可以执行溶液工艺的感光有机材料制成，其厚度可以是大约

至大约4μm。

绝缘存储体361具有多个开口365和多个接触孔363和369。各开口365具有与栅电极124交叉并暴露栅电极124的十字形，其中，水平部分366沿着水平方向形成，垂直部分367沿着垂直方向形成，如图1中所示。

栅极绝缘构件140形成在开口365中。栅极绝缘构件140填充以十字形形成的整个开口365。栅极绝缘构件140由介电常数相对高的有机材料或无机材料制成。有机材料包括例如可溶聚合物如聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚荧烷(polyfluorane)或聚对二甲苯。无机材料包括例如表面被十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane，OTS)处理的硅氧化物。

接触孔363和369分别暴露数据线171的突起173和栅极线121的端部129。

多个连接电极192、多个像素电极191和多个接触辅助件81和82形成在绝缘存储体361和栅极绝缘构件140上。

连接电极192可以具有岛形的形状。连接电极192包括形成在开口365的水平部分366的部分中并通过接触孔163、363与数据线171连接的连接部分194和沿着开口365的垂直部分367形成的部分(在下文中，称作“源电极”)193。

像素电极191包括沿着开口365的垂直部分367形成的部分(在下文中，被称作“漏电极”)195，并关于栅电极124与源电极193相对。

从TFT接收数据电压的像素电极191和接收共电压的另一阵列面板(未示出)的共电极(未示出)产生电场，因此确定两个电极之间的液晶层(未示出)的液晶分子的方向。由于像素电极191和共电极构成电容器(在下文中称作“液晶电容器”)，所以像素电极191和共电极即使在TFT截止后也保持施加的电压。

由于像素电极191可以与栅极线121和/或数据线171叠置，所以开口率可以增加。

接触辅助件81和82分别通过接触孔369和162与栅极线121的端部129和数据线171的端部179连接。接触辅助件81和82补偿了栅极线121的端部129、数据线171的端部179与外部设备(未示出)的附着，并保护了它们。

源电极193、像素电极191以及接触辅助件81和82由透明导电材料比如氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)制成，其厚度可以是大约

至大约

多个有机半导体154形成在绝缘存储体361的开口365中。有机半导体154沿着开口365的垂直部分367形成，并在图1中用阴影线表示。

有机半导体154与源电极193和漏电极195接触，因为有机半导体154的高度小于绝缘存储体361的高度，所以有机半导体154完全被绝缘存储体361环绕。因为有机半导体154完全被绝缘存储体361环绕使得有机半导体154的侧面没有暴露，所以可以防止化学溶液在后续工艺中穿透有机半导体154的侧面。

有机半导体154可以包含在水溶液或有机溶剂中可溶的高分子量的化合物或低分子量的化合物。

有机半导体154可以包含含有取代基例如并四苯或并五苯的衍生物。有机半导体154还可以包含含有与噻吩环的2位和5位连接的4～8个噻吩的低聚噻吩。

有机半导体154可包含聚亚乙烯基噻吩烯(polythienylenevinylene)、聚3-已基噻吩、聚噻吩、酞菁、金属酞菁或其卤素衍生物。有机半导体154还可包含芘四羧酸酐(perylenetetracarboxylic dianhydirde，PTCDA)、奈四羧酸酐(naphthalenetetracarboxylic dianhydirde，NTCDA)或它们的酰亚胺衍生物。有机半导体154还可包含含有二萘嵌苯、晕苯和它们的取代物的衍生物。

有机半导体154的厚度可以是大约

至大约

由于绝缘存储体361的厚度大于栅极绝缘构件140的厚度和有机半导体154的厚度之和，所以栅极绝缘构件140的侧面和有机半导体154的侧面完全被绝缘存储体361环绕。

一个栅电极124、一个源电极193、一个漏电极195和有机半导体154构成一个TFT。TFT的沟道Q(图1)在源电极193和漏电极195之间形成在有机半导体154中。

保护构件180形成在有机半导体154上。用于保护OTFT的保护构件180可以形成在基底的部分表面或者整个表面上，可选择地，该保护构件180可以被省略。

现在，将参照图3至图18来详细描述制造图1和图2中示出的有机薄膜晶体管阵列面板的方法。

图3、图5、图7、图9、图14和图17是顺序示出根据本发明示例性实施例的制造图1和图2中的薄膜晶体管阵列面板的方法的平面布局图。图4是沿着图3中的线IV-IV截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图6是沿着图5中的VI-VI线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图8是沿着图7中的VIII-VIII线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图10是沿着图9中的X-X线截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图11A和图11B是示意性示出将栅极绝缘溶液滴到开口中的状态的示意性平面图，开口是图1中的放大部分A。图12是示出了栅极绝缘溶液可以滴入的开口的工艺余量范围的示意性平面图。图13是根据图11A至图12的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图15是沿着图14中的线XV-XV截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。图16是示出了栅极绝缘溶液可以滴落到的工艺余量区域的示意性平面图。图18是沿着图17中的线XVIII-XVIII截取的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。

首先，如图3和图4中所示，利用比如溅射的方法，导电层形成在基底110上。例如通过在导电层上进行光刻或蚀刻工艺来形成包括突起173和端部179的数据线171。

接着，如图5和图6中所示，通过用化学气相沉积(CVD)法处理SiNx来形成中间层绝缘膜160，通过将感光膜涂覆在中间层绝缘膜160上并在感光膜上进行光刻和蚀刻来形成接触孔162和163。

接着，如图7和图8中所示，通过用比如溅射的方法形成导电层并进行对导电层的光刻和蚀刻处理，形成包括栅电极124和端部129的栅极线121。

接着，如图9和图10中所示，通过对基底110的整个表面涂覆感光膜并将感光膜曝光和显影，形成具有多个开口365和多个接触孔363、369的绝缘存储体361。开口365形成为十字形，该十字形由沿着水平方向形成的水平部分366和沿着垂直方向形成的垂直部分367形成，如图9中所示。将绝缘存储体361形成为具有大于理想厚度的厚度，例如，其厚度为大约

至大约

接着，处理绝缘存储体361的表面。表面处理是利用等离子体使材料的表面变成具有亲水特性或疏水特性。

在本示例性实施例中，在等离子体气氛中用含氟气体来处理绝缘存储体361。例如，在干蚀刻腔体中，将含氟气体比如CF₄、C₂F₆或SF₆与氧气(O₂)和/或惰性气体一起提供。在这种情况下，由于由有机材料制成的绝缘存储体361的表面中的碳(C)和含氟气体中的氟(F)之间在绝缘存储体361的表面发生键合，所以绝缘存储体361的表面被氟处理，并且因为通过开口365暴露的栅电极124和中间层绝缘膜160由无机材料制成，所以栅电极124和中间层绝缘膜160没有被氟处理。因为绝缘存储体361的表面被氟处理，所以绝缘存储体361的表面被处理成具有疏水特性，通过开口365暴露的部分具有相对的亲水特性。

接着，在开口365中形成栅极绝缘构件140。

可以用喷墨印刷法来形成栅极绝缘构件140，这将参照图11A至图13来描述。

图11A和图11B是连续示出将栅极绝缘溶液滴到开口365中的状态的示意性平面图，开口365是图1中的放大部分A。

如图11A中所示，许多滴栅极绝缘溶液140a沿着开口365的垂直部分367滴落。在附图中，栅极绝缘溶液140a沿着方向J2滴下。然而，如上所述，因为在绝缘存储体361的表面上进行了疏水处理，所以当栅极绝缘溶液140a的液滴沿着垂直部分367的方向如J1和J3表示的方向滴落时，亲水的栅极绝缘溶液140a聚集在具有相对亲水特性的开口365中。

接着，如图11B中所示，许多滴栅极绝缘溶液140b沿着开口365的水平部分366滴落。类似地，在附图中，栅极绝缘溶液140b沿着方向K2滴落。然而，当液滴沿着水平部分366的方向滴落时，如K1或K3表示的方向，亲水的栅极溶液140b聚集在开口365中。

图12是示出栅极绝缘溶液可以滴入的开口的工艺余量范围的示意性平面图。即使栅极绝缘溶液没有精确地喷射在开口365中，当溶液只喷射到J1～J3或K1～K3区时，溶液也可以根据绝缘存储体361的表面处理而聚集到开口365中。因此，由于栅极绝缘溶液可以滴入的面积扩大，所以可以提高工艺余量。

接着，如果通过例如干燥工艺来去除溶剂，则在开口365中形成栅极绝缘构件140，如图13中所示。

接着，如图14和图15中所示，通过在将ITO或IZO溅射到绝缘存储体361和开口365中之后对绝缘存储体361和开口365进行光刻和蚀刻工艺，形成包括源电极193和连接部分194的连接电极192、接触辅助件81和82、包括漏电极195的像素电极191。

接着，如图16中所示，沿着开口365的垂直部分367滴落许多滴有机半导体溶液154a。

在附图中，沿着方向L2滴落有机半导体溶液154a。然而，如上所述，因为绝缘存储体361的表面被处理成具有疏水特性，所以当溶液沿着与垂直部分367的方向相同的方向如方向L1或L3滴落时，亲水的有机半导体溶液140a聚集在具有相对亲水特性的开口365中。因此，有机半导体溶液154a可以滴入的面积扩大，所以可以提高工艺余量。

沿着开口365的水平部分366不滴落有机半导体溶液154a。

如上所述，根据本发明示例性实施例，栅极绝缘构件140和有机半导体154形成在一个开口365中。因此，当栅极绝缘构件140和有机半导体154都通过喷墨印刷法形成时，形成用来环绕栅极绝缘构件140和有机半导体154的每一个的单独的绝缘存储体所需掩模的数目可以减少一个。

当栅极绝缘构件140和有机半导体154形成为被同一绝缘存储体361环绕时，具有亲水特性的有机半导体溶液可以沿着位于开口的下部的连接电极192和像素电极191溢出。

在本发明的示例性实施例中，开口365形成为由水平部分366和垂直部分367构成的十字形，有机半导体溶液154a只沿着形成TFT的沟道(Q)的部分形成的垂直部分367滴入，由此，不管沟道(Q)如何，可以防止有机半导体溶液154a溢到连接部分194和/或像素电极191侧。

在这种情况下，因为有机半导体溶液154a与绝缘存储体361接触的区域也减小，所以在有机半导体中与绝缘存储体接触的部分被形成得厚和形成有沟道的中心部分被形成得薄的厚度的不均匀性发生的机率会降低，形成有TFT的沟道的部分的厚度会是均匀的。因此，可以防止OTFT的差的特性造成的阻碍。

接着，例如，如果通过干燥工艺来去除溶剂，则有机半导体154形成在开口365中，如图17和图18中所示。

接着，如图1和图2中所示，通过在基底110的整个表面上涂覆绝缘膜并对绝缘膜执行光刻工艺，来形成用于覆盖有机半导体154的钝化层180。

通过用一个绝缘存储体环绕栅极绝缘构件和有机半导体，形成单独的绝缘存储体所需掩模的数目可以减少，通过对绝缘存储体进行表面处理，可以增大喷墨的工艺余量。此外，通过调节绝缘存储体的开口的形状，可以防止溶液溢出，并且可以防止TFT的特性劣化。

虽然已经结合当前被认为是实际的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于公开的示例性实施例，而是相反地，本发明意在覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种更改和等效布置。

Claims

1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：

在基底上形成数据线；

在所述数据线上形成中间层绝缘膜；

在所述中间层绝缘膜上形成包括栅电极的栅极线；

在所述中间层绝缘膜和所述栅极线上形成有机膜；

通过对所述有机膜进行曝光和显影来形成暴露所述栅电极的开口，所述开口为十字形并由水平部分和与所述水平部分交叉的垂直部分组成；

在所述开口中形成栅极绝缘构件；

在所述有机膜和所述栅极绝缘构件上形成源电极和漏电极；

在位于所述开口中的所述源电极和所述漏电极上形成有机半导体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过喷墨印刷法来形成所述栅极绝缘构件和所述有机半导体。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述栅极绝缘构件的步骤包括：

沿着所述水平部分滴落栅极绝缘溶液；

沿着所述垂直部分滴落栅极绝缘溶液。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成所述有机半导体的步骤包括沿着所述垂直部分滴落有机半导体溶液。

5.如权利要求4所述的方法，其中，沿着所述垂直部分形成所述源电极和所述漏电极。

6.如权利要求1所述的方法，还包括在形成所述开口之后对所述有机膜的表面进行处理。

7.如权利要求6所述的方法，其中，通过对所述有机膜的表面进行疏水处理，来对所述有机膜的表面进行处理。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述疏水处理的步骤包括通过向所述有机膜提供含氟气体来用氟处理所述有机膜的表面。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成所述栅极绝缘构件和形成所述有机半导体中的至少一个的步骤包括分别将栅极绝缘溶液或有机半导体溶液只滴入用氟处理的所述开口中。