JP2007095260A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】外部から印加されるコード制御信号に応じて複数のコード信号を出力するコードチャネルと、チップ選択信号とオンダイターミネーション制御信号と前記複数のコード信号をデコードしてターミネーション抵抗値を選択するための複数の選択信号を出力するターミネーション抵抗デコーダと、前記複数の選択信号に応じてデータの出力端に互いに異なるターミネーション抵抗値を出力するODT部とを備える。
【選択図】図3
Description
また、前記オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの書き込み動作が開始する時点の前に、前記ターミネーション抵抗値を変更することができる。また、前記オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの読み出し/書き込み動作中に前記ターミネーション抵抗値を変更することができる。また、前記オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの読み出し動作と書き込み動作時に、前記ターミネーション抵抗値が出力されることができる。
また、前記複数のランクは、チップ選択信号、オンダイターミネーション制御信号及びターミネーション抵抗値を選択するためのコード制御信号の組み合わせに応じて、前記複数のメモリモジュールの読み出し/書き込み動作中に、ターミネーション抵抗値を割り当てるためのターミネーション抵抗制御手段をもつ。
また、前記複数のランクが、1つのデータチャネルを共有する場合に、前記チップ選択信号に応じていずれか1つが選択される。
Claims (26)
- 外部から印加されるコード制御信号に応じて、複数のコード信号を出力するコードチャネルと、
チップ選択信号とオンダイターミネーション制御信号と前記複数のコード信号とをデコードして、ターミネーション抵抗値を選択するための複数の選択信号を出力するターミネーション抵抗デコーダと、
前記複数の選択信号に応じて、ターミネーション抵抗値を、データの出力端に形成するオンダイターミネーション部と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記複数の選択信号を格納するレジスタをさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記オンダイターミネーション部が、前記オンダイターミネーション制御信号の活性化区間の間に、前記コード制御信号の変更状態に応じて前記ターミネーション抵抗値を変更することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記オンダイターミネーション部が、前記オンダイターミネーション制御信号の位相が変更される場合に、前記コード制御信号の状態に応じて前記ターミネーション抵抗値を変更することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記コードチャネルは、入力されるコード制御信号に対して半クロック以上の遅延時間をもってコード信号を出力するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記コードチャネルが、
前記コード制御信号と基準電圧とを比較して増幅する増幅手段と、
該増幅手段の出力をラッチするラッチ手段と、
該ラッチ手段の出力を反転及び非反転遅延して、前記複数のコード信号を出力する遅延手段と
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ラッチ手段が、
内部クロックの状態に応じて、前記増幅手段の出力信号を選択的に出力する複数のスイッチ部と、
該複数のスイッチ部の出力を一定時間ラッチする複数のラッチと
を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記チップ選択信号をバッファリングして出力するコマンド入力バッファと、
前記オンダイターミネーション制御信号をバッファリングして出力するオンダイターミネーション受信部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記コマンド入力バッファが、
前記チップ選択信号と基準電圧とを比較及び増幅する第1増幅器と、
該第1増幅器の出力を一定時間遅延する第1遅延部と、
該第1遅延部の出力を一定時間ラッチする第1ラッチ部と
を備えたことを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記オンダイターミネーション受信部が、
前記オンダイターミネーション制御信号と基準電圧とを比較及び増幅する第2増幅器と、
該第2増幅器の出力を一定時間遅延する第2遅延部と、
該第2遅延部の出力を一定時間ラッチする第2ラッチ部と
を備えたことを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ターミネーション抵抗デコーダが、
前記コマンド入力バッファと前記オンダイターミネーション受信部との出力を論理組み合わせする論理組合せ手段と、
該論理組合せ手段の出力と前記複数のコード信号とをNAND演算する複数のNANDゲートと、
該複数のNANDゲートの出力を反転して、前記複数の選択信号を出力する反転手段と
を備えたことを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記論理組合せ手段が、
前記コマンド入力バッファの出力を反転する第1インバータと、
該第1インバータの出力と前記オンダイターミネーション受信部の出力とをNAND演算する第1NANDゲートと、
該第1NANDゲートの出力を反転する第2インバータと
を備えたことを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置。 - 前記オンダイターミネーション部が、
電源電圧端に並列接続されて、それぞれのゲート端子を介して前記複数の選択信号の反転信号が印加される複数のPMOSトランジスタと、
接地電圧端に並列接続されて、それぞれのゲート端子を介して前記複数の選択信号が印加される複数のNMOSトランジスタと、
前記複数のPMOSトランジスタと前記複数のNMOSトランジスタとの間に接続されている複数の抵抗と
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - スイッチング信号に応じて活性化状態を制御されて、前記データの出力端から印加された信号と入力された基準電圧とを比較して、メモリセルに出力する差動増幅器構造の第1受信部と、
メモリセルから印加された信号をバッファリングして、データの出力端に出力する第2受信部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - メモリセルのデータを読み出し/書き込み制御する複数のメモリバンクと、
外部から印加されるコード制御信号に応じて、複数のコード信号を出力するコードチャネルと、
チップ選択信号をバッファリングして出力するコマンド入力バッファと、
オンダイターミネーション制御信号をバッファリングして出力するオンダイターミネーション受信部と、
前記コマンド入力バッファの出力と前記オンダイターミネーション受信部の出力及び前記複数のコード信号をデコードして、ターミネーション抵抗値を選択するための複数の選択信号を出力するターミネーション抵抗デコーダと、
前記複数の選択信号の活性化状態に応じて、データの出力端にターミネーション抵抗値を形成するオンダイターミネーション部と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記複数の選択信号を格納するレジスタをさらに備えたことを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの書き込み動作が開始する時点の前に、前記ターミネーション抵抗値を変更することを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの読み出し/書き込み動作中に前記ターミネーション抵抗値を変更することを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 前記オンダイターミネーション部が、前記複数のメモリバンクの読み出し動作と書き込み動作時に、前記ターミネーション抵抗値がように形成することを特徴とする請求項15に記載の半導体メモリ装置。
- 1つのデータチャネルに接続されている複数のメモリモジュールと、
前記複数のモジュールにそれぞれ接続されて、論理的または物理的なメモリ動作単位を有する複数のランクと
を備え、
前記複数のランクは、チップ選択信号、オンダイターミネーション制御信号及びターミネーション抵抗値を選択するためのコード制御信号の組み合わせに応じて、前記複数のメモリモジュールの読み出し/書き込み動作中に、ターミネーション抵抗値を割り当てるためのターミネーション抵抗制御手段と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記複数のランクが、それぞれ独立して駆動される前記オンダイターミネーション制御信号と、前記チップ選択信号に応じて、前記ターミネーション抵抗値を制御することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のランクが、排他的にデータチャネルを共有することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のランクが、1つのデータチャネルを共有する場合に、前記チップ選択信号に応じていずれか1つが選択されることを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 一のランクが読み出し/書き込み動作時には、その他のランクは、各ランクに対する入力インピーダンスに応じたターミネーション抵抗値を形成することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のランクのうち、任意のランクのターミネーション抵抗値の変更時点は、他のランクの読み出し動作の開始前であることを特徴とする請求項20に記載の半導体メリ装置。
- 前記複数のランクが、読み出し動作または書き込み動作の切り替え時に、前記ターミネーション抵抗値を変更することを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。
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