JP2007080945A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007080945A JP2007080945A JP2005263798A JP2005263798A JP2007080945A JP 2007080945 A JP2007080945 A JP 2007080945A JP 2005263798 A JP2005263798 A JP 2005263798A JP 2005263798 A JP2005263798 A JP 2005263798A JP 2007080945 A JP2007080945 A JP 2007080945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- sram cell
- well
- cell
- deep trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
Abstract
【課題】 ソフトエラー耐性を向上させることが可能なSRAMセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板に形成されたSRAMセルと、前記SRAMセルのn−ウエル2aとp−ウエル2bの境界を分離する第1のディープトレンチ3と、前記SRAMセルを単位ビットセル13毎に分離する第2のディープトレンチ14と、前記第1及び第2のディープトレンチにより分離された領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクト12を備える。
【選択図】 図3
【解決手段】 半導体基板に形成されたSRAMセルと、前記SRAMセルのn−ウエル2aとp−ウエル2bの境界を分離する第1のディープトレンチ3と、前記SRAMセルを単位ビットセル13毎に分離する第2のディープトレンチ14と、前記第1及び第2のディープトレンチにより分離された領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクト12を備える。
【選択図】 図3
Description
本発明は、SRAM(Static Random Access Memory)を搭載した半導体装置に関する。
近年、半導体素子の微細化に伴い、α線、中性子線といった宇宙線の半導体装置への影響がクローズアップされている。これは、素子の形成された半導体基板に宇宙線が入射すると、半導体基板中の電子・ホールのペアを生成し、電流となって電極に流れることにより、デバイスの誤作動となるソフトエラー現象を引き起こすというものである。
例えば、図4に示すような半導体素子において、半導体基板101中に高エネルギのα線120が入射すると、入射軌跡に沿って半導体基板101中に電子・ホールのペア121を発生させる。そして、発生した電荷は、半導体基板の電位分布に応じて電流として流れ出す。ここでは、素子分離絶縁膜108により分離された拡散層n+は電源電圧Vdd、基板部のP−well領域102はGNDにバイアスされているため、発生した電子は拡散層n+105へ、ホールはP−well領域102に流れ込む。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)においては、MOSFET1つと、データを電荷として貯めるキャパシタ1つから、一つのメモリセルが構成されているが、上述のように宇宙線により発生した電荷により、キャパシタの電荷量が容易に変わってしまうという問題があった。このため、ソフトエラー耐性を向上させるとともに、キャパシタの容量を維持するため、平面的なキャパシタから、基板中に形成した深いトレンチ内壁に電極を形成するディープトレンチキャパシタ構造とするといった手法が用いられている。
一方、SRAMにおいては、P型MOSFET、N型MOSFETを交互に組合せてビットセルが構成されている。例えば、図5に断面図を、図6に上面図を示すように、p−半導体基板101に形成されたN−ウエル102a、P−ウエル102bには、夫々ゲート電極104a、104bと、これらの直下を挟むように形成される高濃度の拡散層105及び低濃度の拡散層106’から構成されるP型MOSFET107a、N型MOSFET107bが形成されている。これらは夫々素子分離絶縁膜108により分離され、コンタクト109によりワード線、ビット線、Vddといったメタル配線110と接続されている。
このように構成されるSRAMセルの回路図を図7に示すように、データ保持時にもバイアスがかかり、MOSFET回路にかけられた電圧のバランスによりデータ保持されるため、宇宙線による影響は大きな問題となっていなかった。しかしながら、半導体素子の微細化に伴い、SRAM等の内部容量も1fF程度まで小さくなり、ソフトエラーによる保持データの破壊が無視できなくなってきた。
これまでソフトエラー耐性の向上のために、種々の手法が提案されている(例えば特許文献1参照)。しかしながら、基板中に入射した宇宙線により発生した複数の電荷が、複数のビットセルのデータ保持電流を乱すため、回路的にデータ補正を行ったとしても、正確なデータ保持は困難であるという問題があった。
特開平7−183400号公報
本発明は、ソフトエラー耐性を向上させることが可能なSRAMセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様によれば、半導体基板に形成されたSRAMセルと、前記SRAMセルのn−ウエルとp−ウエルの境界を分離する第1のディープトレンチと、前記SRAMセルを単位ビットセル毎に分離する第2のディープトレンチと、前記第1及び第2のディープトレンチにより分離された領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクトを備えることを特徴とする半導体装置が提供される。
また、本発明の一態様によれば、半導体基板に、SRAMセルのn−ウエルとp−ウエルの境界を分離する第1のディープトレンチを形成する工程と、前記SRAMセルを単位ビットセル毎に分離する第2のディープトレンチを形成する工程と、前記第1及び第2のディープトレンチにより分離される領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクトを形成する工程と、前記第1及び/又は第2のディープトレンチを形成する工程と同時に、DRAMセルのトレンチキャパシタを形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一実施態様によれば、SRAMセルを備えた半導体装置のソフトエラー耐性を向上させることが可能となる。
以下本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
本実施形態の半導体装置におけるSRAMセルの断面図を図1に示す。図に示すように、p−半導体基板1に形成されたN−ウエル2aとP−ウエル2bはディープトレンチ3により分離されている。ディープトレンチ3内には、壁面及び底面にSiO2膜3aが形成され、その内部にポリシリコン膜3bが形成されている。
N−ウエル2a、P−ウエル2b上には、例えばSiO2からなるゲート絶縁膜41a、41bを介して、例えばポリシリコン層42a、42bとシリサイド層(例えばNiSi層)43a、43bより構成されるゲート電極4a、4bが形成され、その表面及び側壁には絶縁膜44a、44bが形成されている。そして、ゲート電極4a、4b直下を挟むように形成される深い拡散層5a、5a’ 、5b、5b’(例えば深さは約0.1〜0.2μm)及び浅い拡散層6a、6a’ 、6b、6b’ (例えば深さは約0.1μm以下)とともにP型MOSFET7a、N型MOSFET7bが構成されている。これらは夫々素子分離絶縁膜8により分離され、拡散層5a、5a’ 、5b、5b’表面のシリサイド層(例えばNiSi層)51を介してコンタクト9によりメタル配線10と接続されている。
このようなSRAMセルの単位ビットセルの上面図を図2に示す。図に示すように、従来と同様に、N−ウエル2a、P−ウエル2bに形成された拡散層5が、コンタクトを介してワード線、ビット線、Vddといったメタル配線10と接続されている。
そして、図3にSRAMセルの上面図を示すように、P型MOSFET、N型MOSFETを交互に組合せて構成されるビットセル11の間に、基板電位をとる基板コンタクト(N−コンタクト12a、Pコンタクト12b)が配置されている。さらに、3つのビットセル11を単位ビットセル13として、単位ビットセル毎にディープトレンチ14により分離されている。
このように、SRAMセルのウエル分離境界と単位ビットセル境界を、ディープトレンチ3、14により分離することにより、単位ビットセル毎に発生したソフトエラーを、ディープトレンチ3、14により分離された領域内に閉じ込めて、他のビットセルへの影響を抑えることが可能となる。さらに、回路的に単位ビットセル毎の補正機能を設けることにより、半導体装置としてソフトエラーによる機能劣化を抑制することが可能となる。
また、基板コンタクト12a、12bを設けることにより、基板電位の変動によるラッチアップなどの誤作動を抑制することが可能となる。このとき、ラッチアップ耐性及び素子の微細化を図る上で、各ビットセル(MOSFET)と基板コンタクトの距離をできるだけ短く、例えば0.1μm世代で10μm以下とすることが好ましい。また、単位ビットセル毎に1箇所以上形成することが必要であるが、複数個形成されていてもよい。
本実施形態において、ディープトレンチ3、14により分離される単位ビットセルを、基板コンタクト12a、12bを挟んだ1対のビットセル11としているが、1対に限定されるものではなく、ビットセルを複数個含むものを単位ビットセルとすることができる。しかしながら、単位ビットセルは小さい(例えば1対のビットセルとする)方が、ソフトエラーによる機能劣化を抑制する上では好ましい。また、ディープトレンチの間隔も素子サイズにもよるが、例えば0.1μm世代で10〜20μm以下に抑えることが好ましい。
尚、ディープトレンチ3、14は、通常のエッチング加工により形成されるが、DRAMのトレンチキャパシタを形成する方法を用いることが可能である。従って、DRAM混載の半導体装置の場合、DRAMのトレンチキャパシタを形成すると同時に、同様にディープトレンチ3、14を形成することにより、工程数を増加させることなく、ディープトレンチを形成することが可能である。また、本実施形態においては、ディープトレンチ内にSiO2膜及びポリシリコン膜を形成しているが、絶縁膜が形成されていれば良く、必ずしもポリシリコン膜を形成する必要はない。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。その他要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
1、101 半導体基板
2、102 ウエル
3、14 ディープトレンチ
4、104 ゲート電極
5、6、105、106 拡散層
7、107 MOSFET
8、108 素子分離絶縁膜
9、109 コンタクト
10、110 メタル配線
11 ビットセル
12 基板コンタクト
13 単位ビットセル
2、102 ウエル
3、14 ディープトレンチ
4、104 ゲート電極
5、6、105、106 拡散層
7、107 MOSFET
8、108 素子分離絶縁膜
9、109 コンタクト
10、110 メタル配線
11 ビットセル
12 基板コンタクト
13 単位ビットセル
Claims (5)
- 半導体基板に形成されたSRAMセルと、
前記SRAMセルのn−ウエルとp−ウエルの境界を分離する第1のディープトレンチと、
前記SRAMセルを単位ビットセル毎に分離する第2のディープトレンチと、
前記第1及び第2のディープトレンチにより分離された領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクトを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記コンタクトは、ビットセルからの距離が10μm以下となるように設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2のディープトレンチは、10〜20μm間隔で設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記単位ビットセル毎に補正機能を有する回路を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板に、SRAMセルのn−ウエルとp−ウエルの境界を分離する第1のディープトレンチを形成する工程と、
前記SRAMセルを単位ビットセル毎に分離する第2のディープトレンチを形成する工程と、
前記第1及び第2のディープトレンチにより分離される領域に、少なくとも1箇所以上の基板電位を取るコンタクトを形成する工程と、
前記第1及び/又は第2のディープトレンチを形成する工程と同時に、DRAMセルのトレンチキャパシタを形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005263798A JP2007080945A (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11/519,050 US7564093B2 (en) | 2005-09-12 | 2006-09-12 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005263798A JP2007080945A (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007080945A true JP2007080945A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37892796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005263798A Pending JP2007080945A (ja) | 2005-09-12 | 2005-09-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7564093B2 (ja) |
JP (1) | JP2007080945A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8513999B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-08-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4398829B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2010-01-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9141451B2 (en) * | 2013-01-08 | 2015-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory having improved reliability for certain data types |
US9081719B2 (en) | 2012-08-17 | 2015-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Selective memory scrubbing based on data type |
US9141552B2 (en) * | 2012-08-17 | 2015-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Memory using voltage to improve reliability for certain data types |
US9081693B2 (en) | 2012-08-17 | 2015-07-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Data type dependent memory scrubbing |
US9823962B2 (en) | 2015-04-22 | 2017-11-21 | Nxp Usa, Inc. | Soft error detection in a memory system |
US10128253B2 (en) | 2016-01-29 | 2018-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Two-port SRAM structure |
US10013192B2 (en) | 2016-08-17 | 2018-07-03 | Nxp Usa, Inc. | Soft error detection in a memory system |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07326659A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH08241967A (ja) * | 1996-03-21 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JPH09213786A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Sony Corp | 半導体デバイスの素子分離方法及びcmos装置 |
JP2000294624A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002050709A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2601176B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5937288A (en) * | 1997-06-30 | 1999-08-10 | Siemens Aktiengesellschaft | CMOS integrated circuits with reduced substrate defects |
US7315075B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-01-01 | International Business Machines Corporation | Capacitor below the buried oxide of SOI CMOS technologies for protection against soft errors |
-
2005
- 2005-09-12 JP JP2005263798A patent/JP2007080945A/ja active Pending
-
2006
- 2006-09-12 US US11/519,050 patent/US7564093B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07326659A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH09213786A (ja) * | 1996-02-07 | 1997-08-15 | Sony Corp | 半導体デバイスの素子分離方法及びcmos装置 |
JPH08241967A (ja) * | 1996-03-21 | 1996-09-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2000294624A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002050709A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8513999B2 (en) | 2011-01-27 | 2013-08-20 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7564093B2 (en) | 2009-07-21 |
US20070069267A1 (en) | 2007-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007080945A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4570811B2 (ja) | 半導体装置 | |
US7485911B2 (en) | Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same | |
JP5503971B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012099793A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9245893B1 (en) | Semiconductor constructions having grooves dividing active regions | |
JP2012084738A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びにデータ処理システム | |
JP4546371B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006278674A (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法、及び半導体装置 | |
JPH0786430A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008021727A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2012221965A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP5507287B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2012077178A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008016490A (ja) | 半導体装置 | |
KR100536612B1 (ko) | 소프트 에러율 내성 및 래치업 내성을 증진시키기 위한 웰구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP5861196B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8755219B2 (en) | Hierarchical wordline loadless 4GST-SRAM with a small cell area | |
JP2005236135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006310625A (ja) | 半導体記憶装置 | |
WO2014185305A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011054772A (ja) | 半導体装置 | |
JP2933818B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS61199657A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2005159131A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100909 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110111 |