JP2007076950A - ケイ素系混合高分子材料による炭化ケイ素(SiC)薄膜の合成法 - Google Patents
ケイ素系混合高分子材料による炭化ケイ素(SiC)薄膜の合成法 Download PDFInfo
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Abstract
本発明の目的は、PCSに他のケイ素系高分子材料を最適な質量比で混合した混合高分子材料を出発物質として用いることにより、塗布性やセラミックスへの転換収率を改善して収縮率を低下させ、多孔質基材のような粗い表面でもクラック形成の無いSiC薄膜を製造することにある。
【解決手段】
ケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に塗布し電離放射線により架橋した後、不活性ガス中で焼成して、炭化ケイ素(SiC)薄膜を製造する方法において、ケイ素系混合高分子材料が、ポリカルボシラン(PCS)とポリビニルシラン(PVS)のブレンドである。
【選択図】 図3
Description
・PVS混合量=PVSの質量/(PCSの質量+PVSの質量) ×100 (%)
PVSの混合量が20mass%以下の範囲でPCSのみの場合よりセラミク収率が増大しており、10mass%でセラミック収率は最大となる。
[発明の効果]
Claims (5)
- ケイ素系混合高分子材料をセラミック基材上に塗布し電離放射線により架橋した後、不活性ガス中で焼成して、炭化ケイ素(SiC)薄膜を製造する方法。
- ケイ素系混合高分子材料が、ポリカルボシラン(PCS)とポリビニルシラン(PVS)のブレンドである請求項1記載のSiC薄膜の製造方法。
- PCSおよびPVSからなるケイ素系混合高分子材料の使用により、基材表面上への塗布性が改善され、クラックやピンホール等の欠陥の形成が抑制された請求項1記載のSiC薄膜の製造方法。
- 塗布されたPCSおよびPVSからなるケイ素系混合高分子材料を、電子線照射により架橋し、高収率でセラミックスに転換する請求項1記載のSiC薄膜の製造方法。
- ケイ素系混合高分子材料のPCSに混合するPVSの質量比( PVS/(PCS+PVS) )を、0.1〜20%にすることにより、高収率でセラミックスに転換する請求項1記載のSiC薄膜の製造方法。
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