JPH05204161A - ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂からの光画描可能な皮膜 - Google Patents
ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂からの光画描可能な皮膜Info
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- JPH05204161A JPH05204161A JP4099041A JP9904192A JPH05204161A JP H05204161 A JPH05204161 A JP H05204161A JP 4099041 A JP4099041 A JP 4099041A JP 9904192 A JP9904192 A JP 9904192A JP H05204161 A JPH05204161 A JP H05204161A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂から、
優れた解像、熱安定性及びエッチング耐性を有する皮膜
を形成する方法を提供する。 【構成】 ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開
始剤を含むセラミックス前駆体皮膜を基体の上に形成
し、次いでこの皮膜の選択された領域を樹脂が硬化する
に充分な時間放射線照射する。次いで皮膜の未硬化部分
を洗浄除去し、パターン化された皮膜が残るようにす
る。
優れた解像、熱安定性及びエッチング耐性を有する皮膜
を形成する方法を提供する。 【構成】 ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開
始剤を含むセラミックス前駆体皮膜を基体の上に形成
し、次いでこの皮膜の選択された領域を樹脂が硬化する
に充分な時間放射線照射する。次いで皮膜の未硬化部分
を洗浄除去し、パターン化された皮膜が残るようにす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ネガ型レジスト技術に
より、基体特に電子装置上にパターン化された皮膜を形
成する方法に関する。この方法は、ハイドロゲンシルセ
スキオキサン樹脂及び開始剤を含むセラミックス前駆体
皮膜を基体上に形成し、次いでこの皮膜の選択された領
域を樹脂が硬化するに充分な時間放射線照射することを
含む。次いで、この皮膜の未硬化部分はリンスして除
き、パターン化された皮膜を残す。
より、基体特に電子装置上にパターン化された皮膜を形
成する方法に関する。この方法は、ハイドロゲンシルセ
スキオキサン樹脂及び開始剤を含むセラミックス前駆体
皮膜を基体上に形成し、次いでこの皮膜の選択された領
域を樹脂が硬化するに充分な時間放射線照射することを
含む。次いで、この皮膜の未硬化部分はリンスして除
き、パターン化された皮膜を残す。
【０００２】
【従来の技術】電子技術の分野では、多数のフォトリソ
グラフィー技術が知られている。そのような技術の１つ
である「ネガ型レジスト」又は「ネガ型フォトレジス
ト」は、電子部品のサイズが小さくなるに従って、増々
価値あるものとなった。基本的に、この技術は、１）放
射線感応性皮膜を基体上に形成すること、２）この皮膜
を選択的に放射線照射して所定の領域を硬化すること、
及び３）この皮膜の未硬化部分を溶媒で除くこと、を含
む。
グラフィー技術が知られている。そのような技術の１つ
である「ネガ型レジスト」又は「ネガ型フォトレジス
ト」は、電子部品のサイズが小さくなるに従って、増々
価値あるものとなった。基本的に、この技術は、１）放
射線感応性皮膜を基体上に形成すること、２）この皮膜
を選択的に放射線照射して所定の領域を硬化すること、
及び３）この皮膜の未硬化部分を溶媒で除くこと、を含
む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記基体上に残ったレ
ジスト部分は、選択的エッチング、金属被覆（ｍｅｔａ
ｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、又は基体の非被覆領域の他の処
理のような被覆基体の後加工をするための保護皮膜とし
て用いられる。そういうものとして、このレジスト層は
熱的に安定でありどんな反応性エッチングに対しても安
定であるべきである。更にこのレジストは、非常に微細
なパターンが作り出されうるように良好な解像と識別
（ｄｉｓｃｒｉｍｉｎａｔｉｏｎ）ができるようなもの
でなければならない。
ジスト部分は、選択的エッチング、金属被覆（ｍｅｔａ
ｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、又は基体の非被覆領域の他の処
理のような被覆基体の後加工をするための保護皮膜とし
て用いられる。そういうものとして、このレジスト層は
熱的に安定でありどんな反応性エッチングに対しても安
定であるべきである。更にこのレジストは、非常に微細
なパターンが作り出されうるように良好な解像と識別
（ｄｉｓｃｒｉｍｉｎａｔｉｏｎ）ができるようなもの
でなければならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ハイドロ
ゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤を含む組成物が
優れたネガ型レジスト材料であることを見出した。
ゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤を含む組成物が
優れたネガ型レジスト材料であることを見出した。
【０００５】本発明は基体上にパターン化された皮膜を
形成する方法に関する。この方法は、ハイドロゲンシル
セスキオキサン樹脂及び開始剤を含むセラミックス前駆
体皮膜を基体上に形成することを含む。この皮膜はその
皮膜の放射線照射された領域が硬化するに充分な時間選
択的に放射線照射され、次いで皮膜の未硬化部分を溶媒
でリンスし除いてパターンを現像する。
形成する方法に関する。この方法は、ハイドロゲンシル
セスキオキサン樹脂及び開始剤を含むセラミックス前駆
体皮膜を基体上に形成することを含む。この皮膜はその
皮膜の放射線照射された領域が硬化するに充分な時間選
択的に放射線照射され、次いで皮膜の未硬化部分を溶媒
でリンスし除いてパターンを現像する。
【０００６】この発明は、上記方法により製造されたパ
ターン化された皮膜を含む基体及びそれに用いられるネ
ガ型レジスト材料にも関する。
ターン化された皮膜を含む基体及びそれに用いられるネ
ガ型レジスト材料にも関する。
【０００７】本発明はハイドロゲンシルセスキオキサン
樹脂が基体上にパターン化された皮膜を形成するのに用
いうることの発見に基づく。これらの皮膜は優れた解
像、熱安定性及びエッチング耐性を示す。
樹脂が基体上にパターン化された皮膜を形成するのに用
いうることの発見に基づく。これらの皮膜は優れた解
像、熱安定性及びエッチング耐性を示す。
【０００８】ここで用いる「ネガ型レジスト」は、放射
線照射後に溶媒に不溶性となりこれによって凹凸のある
画像を形成する材料を表現するために用いている。「硬
化」及び「架橋」は、ここでは、ポリマーを架橋して溶
媒不溶性にすることを表現するために用いている。
線照射後に溶媒に不溶性となりこれによって凹凸のある
画像を形成する材料を表現するために用いている。「硬
化」及び「架橋」は、ここでは、ポリマーを架橋して溶
媒不溶性にすることを表現するために用いている。
【０００９】本発明方法は本質的に次の（１）〜（３）
を含む： （１）ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤
を含む皮膜を基体上に形成すること； （２）前記皮膜の選択された領域を、それが硬化するに
充分な時間放射線照射すること；並びに （３）未硬化のハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂を
溶解するに効果のある溶媒でリンスすることにより未硬
化皮膜を除くこと。
を含む： （１）ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤
を含む皮膜を基体上に形成すること； （２）前記皮膜の選択された領域を、それが硬化するに
充分な時間放射線照射すること；並びに （３）未硬化のハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂を
溶解するに効果のある溶媒でリンスすることにより未硬
化皮膜を除くこと。
【００１０】本発明の皮膜はどんな望ましい方法ででも
形成しうるが、本発明の好ましい具体的方法は、ハイド
ロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤を溶媒に溶解
し、この溶液で基体を塗布し、次いで溶媒を蒸発させる
ことを含む溶液法で皮膜を形成することである。
形成しうるが、本発明の好ましい具体的方法は、ハイド
ロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤を溶媒に溶解
し、この溶液で基体を塗布し、次いで溶媒を蒸発させる
ことを含む溶液法で皮膜を形成することである。
【００１１】ここで用いているハイドロゲンシルセスキ
シロキサン樹脂即ちＨ−樹脂という用語は、式ＨＳｉ
（ＯＨ）x （ＯＲ）y Ｏz/2 で示される種々のヒドリド
シラン樹脂を表わすために用いられている。但し上記式
において各Ｒは独立に水素原子を介してけい素に結合し
たとき加水分解性置換基となる有機基であり、ｘ＝０〜
２，ｙ＝０〜２，ｚ＝１〜３，ｘ＋ｙ＋ｚ＝３である。
この式では示されていないが、これらの樹脂は、その形
成や取扱いに含まれる種々のファクターによって化学量
論的数より少ないＳｉ−Ｈ結合を含んでいてよい。
シロキサン樹脂即ちＨ−樹脂という用語は、式ＨＳｉ
（ＯＨ）x （ＯＲ）y Ｏz/2 で示される種々のヒドリド
シラン樹脂を表わすために用いられている。但し上記式
において各Ｒは独立に水素原子を介してけい素に結合し
たとき加水分解性置換基となる有機基であり、ｘ＝０〜
２，ｙ＝０〜２，ｚ＝１〜３，ｘ＋ｙ＋ｚ＝３である。
この式では示されていないが、これらの樹脂は、その形
成や取扱いに含まれる種々のファクターによって化学量
論的数より少ないＳｉ−Ｈ結合を含んでいてよい。
【００１２】これら樹脂は、一般に、式ＨＳｉＸ3 （こ
こにＸは加水分解性の基である。）で示されるシランの
加水分解と縮合により製造される。それらは完全に加水
分解され縮合され（ＨＳｉＯ3/2 ）n ていてもよいし、
部分的な加水分解物（Ｓｉ−ＯＲ基を含む）及び／又は
部分的縮合物（ＳｉＯＨ基を含む）が形成されるような
中間点で、それらの加水分解又は縮合が中断されていて
もよい。
こにＸは加水分解性の基である。）で示されるシランの
加水分解と縮合により製造される。それらは完全に加水
分解され縮合され（ＨＳｉＯ3/2 ）n ていてもよいし、
部分的な加水分解物（Ｓｉ−ＯＲ基を含む）及び／又は
部分的縮合物（ＳｉＯＨ基を含む）が形成されるような
中間点で、それらの加水分解又は縮合が中断されていて
もよい。
【００１３】これら樹脂の種々の製造方法が開発されて
いる。例えば、Ｃｏｌｌｉｎｓらの米国特許Ｎｏ．３，
６１５，２７２は、ベンゼンスルホン酸水和物加水分解
媒体中でトリクロロシランを加水分解し、次いで生じた
樹脂を水又は硫酸水溶液で洗浄することを含む、ほぼ完
全に縮合したＨ−樹脂（これは１００〜３００ppm まで
のシラノールを含みうる）を形成する方法を記載してい
る。
いる。例えば、Ｃｏｌｌｉｎｓらの米国特許Ｎｏ．３，
６１５，２７２は、ベンゼンスルホン酸水和物加水分解
媒体中でトリクロロシランを加水分解し、次いで生じた
樹脂を水又は硫酸水溶液で洗浄することを含む、ほぼ完
全に縮合したＨ−樹脂（これは１００〜３００ppm まで
のシラノールを含みうる）を形成する方法を記載してい
る。
【００１４】同様に、Ｂａｎｋらの米国特許Ｎｏ．５，
０１０，１５９は、そのような樹脂を形成する方法を教
えている。その方法は、アリールスルホン酸水和物加水
分解媒体中でヒドリドシランを加水分解して樹脂を形成
し、次いでこれを中和剤と接触させることを含む。この
方法の好ましい具体例では酸対シランの比約６／１を用
いる。
０１０，１５９は、そのような樹脂を形成する方法を教
えている。その方法は、アリールスルホン酸水和物加水
分解媒体中でヒドリドシランを加水分解して樹脂を形成
し、次いでこれを中和剤と接触させることを含む。この
方法の好ましい具体例では酸対シランの比約６／１を用
いる。
【００１５】Ｆｒｙｅらの米国特許Ｎｏ．４，９９９，
３９７に記載されたもの及びＢａｎｅｙらのヨーロッパ
特許公開Ｎｏ．０ ４４３ ７６０（１９９１年８月２
８日）に記載されたもののような他の樹脂もここで用い
うる。
３９７に記載されたもの及びＢａｎｅｙらのヨーロッパ
特許公開Ｎｏ．０ ４４３ ７６０（１９９１年８月２
８日）に記載されたもののような他の樹脂もここで用い
うる。
【００１６】本発明方法では、Ｈ−樹脂を架橋させ、こ
れにより皮膜を硬化させて不溶性の状態にするために、
皮膜中に開始剤の存在することも必要である。当技術分
野では種々の開始剤が知られており、多数が商業的に入
手可能である。そのような薬材の例としては、放射線に
照射したとき活性ラジカルを発生するラジカル前駆体が
ある。所望の放射線に照射したときＨ−樹脂中にＳｉＨ
結合の開裂を生じさせうる薬剤は何でも、ここで用いう
る。
れにより皮膜を硬化させて不溶性の状態にするために、
皮膜中に開始剤の存在することも必要である。当技術分
野では種々の開始剤が知られており、多数が商業的に入
手可能である。そのような薬材の例としては、放射線に
照射したとき活性ラジカルを発生するラジカル前駆体が
ある。所望の放射線に照射したときＨ−樹脂中にＳｉＨ
結合の開裂を生じさせうる薬剤は何でも、ここで用いう
る。
【００１７】そのような薬剤の例としては、過酸化物、
例えばジベンゾイルパーオキサイド、ビス−ｐ−クロロ
ベンゾイルパーオキサイド、ビス−２，４−ジクロロベ
ンゾイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイ
ド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエ
ート、２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２，３
−ジメチルヘキサン及びｔ−ブチルパーアセテート；ベ
ンゾフェノン類；アセトフェノン類；アゾジ（１，１−
ヘキサヒドロベンゾニトリル）（トレードネームＶＡＺ
Ｏ ８８の下に販売されている）；アゾビスイソブチロ
ニトリル（トレードネームＶＡＺＯ ６４の下に販売さ
れている）；α，α−ビスターシャリーパーオキシジイ
ソプロピルベンゼン（トレードネームＶＡＬ ＣＵＰ
Ｒの下に販売されている）等がある。
例えばジベンゾイルパーオキサイド、ビス−ｐ−クロロ
ベンゾイルパーオキサイド、ビス−２，４−ジクロロベ
ンゾイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイ
ド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーベンゾエ
ート、２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２，３
−ジメチルヘキサン及びｔ−ブチルパーアセテート；ベ
ンゾフェノン類；アセトフェノン類；アゾジ（１，１−
ヘキサヒドロベンゾニトリル）（トレードネームＶＡＺ
Ｏ ８８の下に販売されている）；アゾビスイソブチロ
ニトリル（トレードネームＶＡＺＯ ６４の下に販売さ
れている）；α，α−ビスターシャリーパーオキシジイ
ソプロピルベンゼン（トレードネームＶＡＬ ＣＵＰ
Ｒの下に販売されている）等がある。
【００１８】上記開始剤に加えて、放射線照射により活
性化されて揮発性ＳｉＨ化合物を形成するＳｉ−Ｓｉ結
合を含む他の材料もここで用いうる。特に、その材料は
放射線照射により活性化されてＨ−樹脂と反応し、この
水素をケイ素から引抜き、揮発して系から去るようなも
のであるべきである。
性化されて揮発性ＳｉＨ化合物を形成するＳｉ−Ｓｉ結
合を含む他の材料もここで用いうる。特に、その材料は
放射線照射により活性化されてＨ−樹脂と反応し、この
水素をケイ素から引抜き、揮発して系から去るようなも
のであるべきである。
【００１９】これらの材料は当技術分野において知られ
ており、例えばドデカメチルシクロヘキサシラン、メチ
ルトリス（トリメチルシリル）シラン、デカメチルシク
ロペンタシラン及びトリス（トリメチルシリル）フェニ
ルシランがある。本発明の好ましい具体例においては、
この材料はドデカメチルシクロヘキサシラン（（Ｃ
Ｈ 3 ）2 Ｓｉ）6 である。この薬剤は、どんな従来技術
ででも作りうる。例えばWest et al., Symthesis, Comm
unications, pp.684-6 (1985) に記載されているジメチ
ルジクロロシランとリチウムの反応で作りうる。
ており、例えばドデカメチルシクロヘキサシラン、メチ
ルトリス（トリメチルシリル）シラン、デカメチルシク
ロペンタシラン及びトリス（トリメチルシリル）フェニ
ルシランがある。本発明の好ましい具体例においては、
この材料はドデカメチルシクロヘキサシラン（（Ｃ
Ｈ 3 ）2 Ｓｉ）6 である。この薬剤は、どんな従来技術
ででも作りうる。例えばWest et al., Symthesis, Comm
unications, pp.684-6 (1985) に記載されているジメチ
ルジクロロシランとリチウムの反応で作りうる。
【００２０】本発明で用いられる開始剤の量は、放射線
照射したとき、現像の際に除去を防ぐ程にＨ−樹脂中に
充分な架橋を引き起こすもの、即ち、溶媒による除去を
防ぐに充分なものであるべきである。この量は、開始剤
と望みの硬化度によって広範に変わる。一般に、（ＨＳ
ｉＯ3/2 ）単位１モルあたり、開始剤０．０１〜１モル
を用いることができ、（ＨＳｉＯ3/2 ）単位１モルあた
り開始剤０．１〜１モルの範囲が好ましい。
照射したとき、現像の際に除去を防ぐ程にＨ−樹脂中に
充分な架橋を引き起こすもの、即ち、溶媒による除去を
防ぐに充分なものであるべきである。この量は、開始剤
と望みの硬化度によって広範に変わる。一般に、（ＨＳ
ｉＯ3/2 ）単位１モルあたり、開始剤０．０１〜１モル
を用いることができ、（ＨＳｉＯ3/2 ）単位１モルあた
り開始剤０．１〜１モルの範囲が好ましい。
【００２１】上述のように、Ｈ−樹脂及び開始剤は、次
いで基体表面に析出する。これはどんな方法ででも達成
しうるが、好ましい方法は諸成分を溶媒に溶解して溶液
を作り、これを基体の表面に塗布することを含む。溶解
を促進するために種々の促進手段、例えば攪拌及び／又
は加熱を用いうる。
いで基体表面に析出する。これはどんな方法ででも達成
しうるが、好ましい方法は諸成分を溶媒に溶解して溶液
を作り、これを基体の表面に塗布することを含む。溶解
を促進するために種々の促進手段、例えば攪拌及び／又
は加熱を用いうる。
【００２２】用いうる溶媒は、諸成分を溶解して均質な
溶液を形成し、セラミックス皮膜に悪影響を及ぼさない
薬剤又は薬剤の混合物なら何でもよい。これらの溶媒の
例としては、芳香族炭化水素類、例えばベンゼン又はト
ルエン、アルカン類、例えばｎ−ヘプタン又はドデカ
ン、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類又は
環状ジメチルポリシロキサン類があり、その使用量は上
記諸材料を溶解して固形分の少ないものにするに充分な
ものである。一般に上記溶媒は０．１〜５０重量％溶液
を形成するに充分な量用いる。
溶液を形成し、セラミックス皮膜に悪影響を及ぼさない
薬剤又は薬剤の混合物なら何でもよい。これらの溶媒の
例としては、芳香族炭化水素類、例えばベンゼン又はト
ルエン、アルカン類、例えばｎ−ヘプタン又はドデカ
ン、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類又は
環状ジメチルポリシロキサン類があり、その使用量は上
記諸材料を溶解して固形分の少ないものにするに充分な
ものである。一般に上記溶媒は０．１〜５０重量％溶液
を形成するに充分な量用いる。
【００２３】溶液法を用いるなら、溶液は、スピンコー
チング、ディップコーチング、スプレーコーチング又は
フローコーチングのような方法で基体上に塗布し、次い
で溶液を蒸発させる。周囲条件下で単に空気乾燥した
り、真空をかけたり、ゆるやかに加熱したりするなどの
どんな適当な蒸発方法も、ここでは、用いうる。
チング、ディップコーチング、スプレーコーチング又は
フローコーチングのような方法で基体上に塗布し、次い
で溶液を蒸発させる。周囲条件下で単に空気乾燥した
り、真空をかけたり、ゆるやかに加熱したりするなどの
どんな適当な蒸発方法も、ここでは、用いうる。
【００２４】一旦皮膜が形成されると、選択された領域
を放射線照射する。この方法では、皮膜の放射線照射さ
れた領域のみが硬化され、残部は未硬化のまま残る。こ
の皮膜が後に溶媒で洗浄することにより現像されたと
き、未硬化皮膜は除かれ、残った硬化した皮膜は望みの
パターンを形成する。
を放射線照射する。この方法では、皮膜の放射線照射さ
れた領域のみが硬化され、残部は未硬化のまま残る。こ
の皮膜が後に溶媒で洗浄することにより現像されたと
き、未硬化皮膜は除かれ、残った硬化した皮膜は望みの
パターンを形成する。
【００２５】ここで用いうる選択的放射線照射工程は当
技術分野でよく知られている。例えば、皮膜の或る領域
に放射線が到達するのを防ぐためにマスキング技術を用
いうる。同様に微細に集中した（ｆｏｒｃｕｓｅｄ）放
射線、例えばレーザーからのものを皮膜の特定の領域を
照射するのに利用しうる。一般に、この場合の放射線照
射はどんな雰囲気中においても行いうるが、不活性雰囲
気、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等を用いるのが特
に好ましい。
技術分野でよく知られている。例えば、皮膜の或る領域
に放射線が到達するのを防ぐためにマスキング技術を用
いうる。同様に微細に集中した（ｆｏｒｃｕｓｅｄ）放
射線、例えばレーザーからのものを皮膜の特定の領域を
照射するのに利用しうる。一般に、この場合の放射線照
射はどんな雰囲気中においても行いうるが、不活性雰囲
気、例えば窒素、ヘリウム、アルゴン等を用いるのが特
に好ましい。
【００２６】ここで用いうる放射線源は同様に当技術分
野において周知である。開始剤を活性化しうるＵＶ線、
レーザー、エレクトロンビーム及びＸ線のような線源
は、すべてここで用いうる。本発明の好ましい態様にお
いては、放射線源はＵＶ線（紫外線）である。
野において周知である。開始剤を活性化しうるＵＶ線、
レーザー、エレクトロンビーム及びＸ線のような線源
は、すべてここで用いうる。本発明の好ましい態様にお
いては、放射線源はＵＶ線（紫外線）である。
【００２７】次いで選択的に放射線照射した皮膜は、皮
膜の硬化した部分に悪影響を与えることなく皮膜の未硬
化部分を溶解しうる溶媒でリンスすることにより現象す
る。リンスの方法は臨界的でなく、被覆基体を溶媒の流
れ又はスプレーの下に置くような簡単な方法により、又
は被覆した基体を溶媒中に侵漬したりすることによりな
しうる。典型的な溶媒としては、析出のために諸材料の
溶解に用いたものを含む。例えば、芳香族炭化水素類、
アルカン類、ケトン類、エステル類、等は全てここで用
いうる。
膜の硬化した部分に悪影響を与えることなく皮膜の未硬
化部分を溶解しうる溶媒でリンスすることにより現象す
る。リンスの方法は臨界的でなく、被覆基体を溶媒の流
れ又はスプレーの下に置くような簡単な方法により、又
は被覆した基体を溶媒中に侵漬したりすることによりな
しうる。典型的な溶媒としては、析出のために諸材料の
溶解に用いたものを含む。例えば、芳香族炭化水素類、
アルカン類、ケトン類、エステル類、等は全てここで用
いうる。
【００２８】もし望むならば、このパターン化されたプ
レセラミックス皮膜は、これを充分高い温度に充分な時
間置くことによりセラミック化しうる。一般に熱分解
は、その雰囲気に従って約１００℃〜約１０００℃の範
囲の温度で、非常に薄いフィルムについては数分から非
常に厚いフィルムについては数時間の期間、行なわれ
る。
レセラミックス皮膜は、これを充分高い温度に充分な時
間置くことによりセラミック化しうる。一般に熱分解
は、その雰囲気に従って約１００℃〜約１０００℃の範
囲の温度で、非常に薄いフィルムについては数分から非
常に厚いフィルムについては数時間の期間、行なわれ
る。
【００２９】どんな加熱の方法でも、例えば対流炉、急
速熱加工又は輻射エネルギーもしくはマイクロ波エネル
ギーでも、又どんな熱分解雰囲気でも、例えば空気、酸
素プラズマ、アンモニア、不活性ガス雰囲気、又は熱分
解条件、例えば更にＵＶ放射線照射でも一般に、ここで
用いうる。同様に加熱速度は一般に臨界的要因ではない
が、最も実際的で好ましいのは基体をできるだけ速く加
熱することである。
速熱加工又は輻射エネルギーもしくはマイクロ波エネル
ギーでも、又どんな熱分解雰囲気でも、例えば空気、酸
素プラズマ、アンモニア、不活性ガス雰囲気、又は熱分
解条件、例えば更にＵＶ放射線照射でも一般に、ここで
用いうる。同様に加熱速度は一般に臨界的要因ではない
が、最も実際的で好ましいのは基体をできるだけ速く加
熱することである。
【００３０】このようにパターン化された基体は、次い
でその後の加工例えばエッチング又は金属被覆に対して
準備ができている。加えてこの方法で形成されるパター
ンは二重層レジスト系における上部画像層(top imaging
layer) として用いうる。
でその後の加工例えばエッチング又は金属被覆に対して
準備ができている。加えてこの方法で形成されるパター
ンは二重層レジスト系における上部画像層(top imaging
layer) として用いうる。
【００３１】
【実施例】以下に本発明を当業者がより容易に理解しう
るように例を示すが、本発明はこれらによって限定され
るものではない。
るように例を示すが、本発明はこれらによって限定され
るものではない。
【００３２】以下の例において被覆されたシリコンウェ
ーハー（ＩＲに透明）について赤外線分析を行なった。
セラミック材料への変換は、約２２４５cm-1におけるＩ
Ｒピークの消滅によって証明されるＳｉＨ基の除去によ
って示される。加水分解後に残っているＳｉＨパーセン
トは、加水分解前後のＳｉＨのピークの面積を比較する
ことにより計算した。屈折率は表に示す波長で測定し
た。厚さはルドルフエリプソメーター（Rudolph Elipso
meter)により測定した。
ーハー（ＩＲに透明）について赤外線分析を行なった。
セラミック材料への変換は、約２２４５cm-1におけるＩ
Ｒピークの消滅によって証明されるＳｉＨ基の除去によ
って示される。加水分解後に残っているＳｉＨパーセン
トは、加水分解前後のＳｉＨのピークの面積を比較する
ことにより計算した。屈折率は表に示す波長で測定し
た。厚さはルドルフエリプソメーター（Rudolph Elipso
meter)により測定した。
【００３３】例１〜４ 表１に示す量の、Ｂａｎｋらの米国特許Ｎｏ．５，０１
０，１５９の方法で作ったハイドロゲンシルセスキオキ
サン樹脂及び開始剤を、室温下フラスコ中で攪拌してト
ルエンに溶解し、透明な、ゲル化していない溶液を形成
した。
０，１５９の方法で作ったハイドロゲンシルセスキオキ
サン樹脂及び開始剤を、室温下フラスコ中で攪拌してト
ルエンに溶解し、透明な、ゲル化していない溶液を形成
した。
【００３４】１インチ平方のシリコンウェーハーをこれ
ら溶液で塗布し、次いで３０００rpm で３５秒間回転さ
せた。次いでこのウェーハーの中心に３／８インチ平方
のアルミナマスクを置いた。このマスクしたウェーハー
を窒素ガス雰囲気中に置き、４５０ワットのＣａｎｒａ
ｄ−Ｈａｎｏｖｉａ中圧光化学ランプからのＵＶ光に１
５分間さらした。このウェーハーをトルエンで洗い表１
に示した条件下でＵＶ反応器中で加熱した。熱分解の前
後でＦＴＩＲをとり、その結果を比較して反応したＳｉ
Ｈの量を測定した。
ら溶液で塗布し、次いで３０００rpm で３５秒間回転さ
せた。次いでこのウェーハーの中心に３／８インチ平方
のアルミナマスクを置いた。このマスクしたウェーハー
を窒素ガス雰囲気中に置き、４５０ワットのＣａｎｒａ
ｄ−Ｈａｎｏｖｉａ中圧光化学ランプからのＵＶ光に１
５分間さらした。このウェーハーをトルエンで洗い表１
に示した条件下でＵＶ反応器中で加熱した。熱分解の前
後でＦＴＩＲをとり、その結果を比較して反応したＳｉ
Ｈの量を測定した。
【００３５】例１〜３（実施例）は種々の開始剤を用い
た光画描を示している。例４（比較例）は、開始剤なし
では光画描は起こらないことを示している。
た光画描を示している。例４（比較例）は、開始剤なし
では光画描は起こらないことを示している。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【発明の効果】本発明方法によればハイドロゲンシルセ
スキオキサン樹脂から優れた解像、熱安定性及びエッチ
ング耐性を有する皮膜を形成することができる。
スキオキサン樹脂から優れた解像、熱安定性及びエッチ
ング耐性を有する皮膜を形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (3)
- 【請求項１】 次の（１）〜（３）を含む、基体上への
パターン化された皮膜の製造方法： （１）ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂及び開始剤
を含む皮膜を基体上に形成すること； （２）前記皮膜の選択された領域を、それが硬化するに
充分な時間放射線照射すること；並びに （３）未硬化のハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂を
溶解するに効果のある溶媒でリンスすることにより未硬
化皮膜を除くこと。 - 【請求項２】 請求項１の方法で作った基体上のパター
ン化された皮膜をそれがセラミックスとなるに充分な温
度に加熱して熱分解する方法。 - 【請求項３】 溶媒、ハイドロゲンシルセスキオキサン
樹脂及び開始剤を含む組成物。
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| US688418 | 1991-04-22 | ||
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| DE69806824T2 (de) * | 1997-02-07 | 2003-02-27 | Dow Corning | Verfahren zur Herstellung von Überzügen auf Elektronikteilen |
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| EP0881668A3 (en) | 1997-05-28 | 2000-11-15 | Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. | Deposition of an electrically insulating thin film with a low dielectric constant |
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| US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
| DE19815978B4 (de) * | 1998-04-09 | 2004-01-08 | Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Klein- und Mikroteilen aus Keramik |
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| US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
| US6440550B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
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| KR102155966B1 (ko) | 2019-09-04 | 2020-09-14 | 성인식 | 농작물 지지대 |
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1992
- 1992-03-20 TW TW081102102A patent/TW223153B/zh active
- 1992-04-02 CA CA002064971A patent/CA2064971A1/en not_active Abandoned
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- 1992-04-15 EP EP92303413A patent/EP0510872B1/en not_active Expired - Lifetime
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