JPH02308A

JPH02308A - Ｘ線マスク用支持体

Info

Publication number: JPH02308A
Application number: JP63246625A
Authority: JP
Inventors: Nobuo Kushibiki; 信男櫛引; Yoshiaki Fukuda; 福田　恵明; Hideo Kato; 日出男加藤; Akira Miyake; 明三宅
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-09-30
Filing date: 1988-09-30
Publication date: 1990-01-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】【産業上の利用分野］本発明は、集積回路を製造するためのＸ線リソグラフィ
ープロセスに使用されるマスクの支持体に関する。［従来の技術］最近の半導体集積回路は、小型化、高集積化が求められ
ており、その製造過程において、より微細なパターン形
成方法が必要とされている。そのため、Ｘ線リソグラフ
ィー技術が利用されることが多くなった。Ｘ線リソグラフィープロセスにおいて使用されるマスク
は、一般に、リング状等をした支持枠と、その開口に張
られたＸ線透過部およびＸ線非透過部を有する膜状体と
から成る。Ｘ線非透過部は、当該膜状体の基部を構成す
るマスク用支持膜の上に設けられた幾何学形状の遮光体
から成り、Ｘ線透過部は、遮光体が設置されてない部分
のマスク用支持膜自身から成るのが通常である。［発明が解決しようとする課題］Ｘ線リソグラフィーをサブミクロン単位で良好に行なう
為には、上記遮光体は、サブミクロン寸法で、精度良く
、且つ再現性良く、マスク用支持膜上に形成され、且つ
その精度が保持されなければならない。本発明の目的は、遮光体が精度良く、且つ再現性良く支
持膜上に形成でき、その遮光体パターンの精度が良好に
保持されるＸ線マスク用支持体を提供することにある。［課題を解決するための手段］本発明は、下記Ｘ線マスク用支持体（１）〜（３）であ
る。（１）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体で
あって、該支持枠および支持膜の熱膨張係数が共にＩ　
Ｘ　１０−５Ｋ−１以下であることを特徴とするＸ線マ
スク用支持体。（２）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体で
あって、該支持膜の熱膨張係数が該支持枠の熱膨張係数
を越えないことを特徴とするＸ線マスク用支持体。（３）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体で
あって、該支持枠および支持膜の熱膨張係数が共にＩ　
Ｘ　１０−５Ｋ−１以下であり、且つ該支持膜の少なく
ともマスク面の面粗さが二乗平均粗さ値で１０ｎｍ以下
であることを特徴とするＸ線マスク用支持体。本発明のＸ線マスク用支持体（１）においては、支持枠
および支持膜の熱膨張係数が共にＩＸ１０−５Ｋ−１以
下なので、例えば、支持膜上のマスクパターンが１ｃｍ
である場合は温度が１℃変化したことによる伸びは１０
−’ｍ以下である。更に詳しく説明するとＸ線リソグラ
フィではサブミクロンサイズのパターン転写が主である
。アライメントに許される誤差が線幅の１０％以下とす
ると、０．５μｍの線幅に対してはその許容値が±０．
０５μｍである。一方、−回に露光する領域が２５×２
５ｍばであるとすると２５ｍｍ離れたパターンに対して
も位置精度を±０．０５μｍ以下に抑えるためには、熱
膨張等によるパターンの位置変動がそれ以下であること
が必要である。即ち最大の場合でも２Ｘ１０−”の変動
率であることが必要であり、マスクの温度管理が充分に
行なわれて０．２℃以下の変動に抑えられているとＩ　
Ｘ　１０−５Ｋ−１以下の熱膨張係数であればこの要求
は満たされる。このように、本発明の支持体（１）は、
支持膜上に形成された遮光体によるサブミクロンパター
ンを良好に保持できる。また、本発明のＸ線マスク用支持体（２）においては、
支持膜の熱膨張係数が支持枠の熱膨張係数を越えないの
で、熱にさらされた時に枠の方が膜・よりも熱膨張して
、膜の緊張状態を保持し、遮光体によるサブミクロンパ
ターンを良好に保持できる。また、本発明のＸ線マスク用支持体（３）においては、
支持枠および支持膜の熱膨張係数が共にＩＸ　１０−５
Ｋ−１以下であり、且つ該支持膜の少なくともマスク面
の面粗さが二乗平均粗さ値で１０ｎｍ以下なので、（ａ
）アライメント用可視光もしくは近赤外光の散乱が小さ
く透過光が高く、アライメント光のＳ／Ｎ比が向上し、
（ｂ）透過Ｘ線強度むらが非常に少なくなり、（ｃ）微
小パターンの形成時の精度、遮光体パターンの密着性が
向上し、遮光体厚さむらもほとんどなくなる。なお、Ｘ
線マスク用支持体（３）における面粗さは、測定時に歪
を与えることなく粗さを測定できる、非接触の光学式粗
さ計による測定法が好ましく、例えばデジタル　オプテ
ィカル　リニア　プロファイラ−（Ｄｉｇｉｔａｌ　０
ｐｔｉｃａｌ　Ｌｉｎｅａｒ　Ｐｒｏｆｉｌｅｒ　）　
Ｔ。ＰＯテ關−２Ｄ（Ｗｙｋｏコーポレーション）によって
測定される。また、Ｘ線マスク用支持体（１）〜（３）の支持膜は、
平坦さを維持するために一定の応力下（通常ｌＯ〜ｌｏ
ＯＭＰａ）にさらされているが、それに抗して伸びを与
えないことが、寸法精度を保持する点で好ましい、特に
サブミクロン加工を行なう場合には、その寸法精度の保
持は重要である。したがって、支持膜のヤング率は、１０ＧＰａ以上であ
ることが望ましい、一方、支持膜の熱伝導率は４Ｗ／ｍ
−に以上であることが望ましい、なぜならば、支持膜は
、Ｘ線照射による温度上昇によって、局所的歪みが生じ
ることがあるが、その熱伝導率が上記のように高いと、
膜の熱が拡散し易く、それ故に局所的歪みが抑制される
からである。本発明の支持体（１）〜（３）における支持膜（および
支持枠）を構成する材料としては、セラミックスを代表
的に挙げることができ、その他には、炭素、グラファイ
ト等も挙げろことができる。セラミックスとしては、例
えば、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素におけるケ
イ素の一部がアルミニウムにまたは窒素の一部が酸素に
置き変ったサイアロンを挙げることができる。また、こ
れら例示材料のうちでは、特に、窒化ケイ素、炭化ケイ
素が好ましい。本発明の支持体（１）〜（３）における支持膜（および
支持枠）の熱膨張係数は、下記のようにして得ることが
できる。例えば、炭化ケイ素または窒化ケイ素を用いた場合につ
いて述べると、炭化ケイ素には、立方晶系（β）、六方
晶系（α）、および非晶質の３種が有る。また、窒化ケ
イ素には、六方晶系に属するａ、三方晶系のβ、および
非晶質の３種が有る。このように構造が異なると、その
熱膨張係数など物性も異なる。したがって、適当な構造
を選定することにより、所望の熱膨張係数が得られる０
例えば、その支持膜と支持枠とを異なる方法により製造
し、その構造を異ならしめれば、本発明の支持体（２）
におけろような、支持膜の熱膨張係数が支持枠の熱膨張
係数を越えないように設定することが容易にできる。また例えば、ピッチを焼成する方法によって得られる炭
素、グラファイトを用いた場合には、そのグラファイト
化度および層構造を調製することにより所望の熱膨張係
数が得られる６上記材料により本発明の支持体（１）〜（３）を製造す
る方法について以下に述べる。炭化ケイ素の従来から知られている製法としては、シリ
カの炭素による還元炭化、金属ケイ素、−酸化ケイ素ま
たは二酸化ケイ素を炭素反応させる等の方法、窒化ケイ
素では金属ケイ素の直接窒化、シリカの還元、窒化イミ
ド熱分解法等が知られている。ケイ素をポリマー骨格とし、通常の熱可塑性樹脂の成形
方法が適用しつるセラミックスプリカーサ−ポリマー（
有機ケイ素重合体）と称される炭化ケイ素用、窒化ケイ
素用ポリマーの前記ポリマーの存在が近年明らかにされ
、セラミックス製造に用いられている。また、炭素にお
いて、石油ピッチから合成されたカーボン素材が世に出
回るようになった。そのような有機ケイ素重合体や石油ピッチを焼成して、
セラミックス、炭素、グラファイト等から成る支持膜を
形成することが好ましい、以下、その点について述べる
。従来のセラミックス材から成る支持膜は、蒸着、ＣＶＤ
、ＭＢ等の気相法によって、基板上に成膜後、その基板
を除去することによって製造されていた０機械的強度や
熱変形の少ない点で好ましいセラミックス、ＳｉＣから
なるマスク用支持膜の製造は、炭素数１または２の炭化
水素雰囲気中で、Ｓｉ基板に対して、反応性イオン・ブ
レーティングを実施して、ＳｉＣ膜を生成する特公昭５
３−２４７８５号公報記載の方法に代表される気相成膜
法により、実施されている。しかし、このような気相成膜による製造法は、気相成膜
装置のコストが高いこと、−度に成膜できる数が限られ
ること、成膜速度が速くないことから、大量生産が困難
で、高価格になっていた。それのみならず、次の点からも大量生産に不向きであっ
た。（ａ）基板温度、ガス濃度、ガス純度等の種々のパラメ
ーターがからみあって、できる膜の特性を決定付けるの
で、成膜条件の設定が複雑であり、またその維持が困難
であること。（ｂ）成膜後、スパッタリング等によって、基板を除去
する操作は必須であり、その操作が面倒であること。更に、気相成膜法によるマスク用支持膜は、基板上の幾
つもの点から成長する結晶がぶつかり合って形成される
ものなので、凹凸が多いという性質がある。膜は薄く、
且つ硬度なので、平坦化も困難である。結局、精度良く
遮光体を形成するには適さず、気相法によるマスク用支
持膜の性能は、必ずしも満足のいくものではなかった。それに対して、有機ケイ素重合体等を焼成することによ
り支持膜を形成する方法は、上述の気相成膜法に起因す
る、条件設定や作業の困難さ、表面の平滑性、等の問題
を解決できる。すなわち、基体上に膜を成膜し、該膜を
焼成する工程を有する支持膜の製造方法が好ましいので
ある。上記有機ケイ素重合体としては、例えば、下記一般式（
Ｉ） −（Ｉ　）（式中、Ｒ１はメチルを示し、Ｒ３はメチル、エチル、
シクロヘキシル、フェニル、フェネチルまたはトリルを
示し、ｎは１００以上、好ましくは２００以上である。）で表されるポリシランと総称される重合体などを用いる
ことができる。このようなポリシランとして、具体的に
はポリ（ジメチルシラン−メチルフェニルシラン）、ポ
リ（ジメチルシラン−メチルシクロへキシルシラン）、
ポリ（メチルフェネチルシラン−メチルフェニルシラン
）等が挙げられる。なお、ポリ（ジメチルシラン−メチ
ルフェニルシラン）が入手容易である。また、上記有機ケイ素重合体の別の例としては、例えば
、下記一般式（ｎ）【式中、Ｒ８は水素またはＣ３〜Ｃ８のアルキル；アリ
ール（フェニル、ベンジルまたはフェネチル）を示す、
ｎは１００以上、好ましくは２００以上である。Ｊで表されるポリシラザンと総称される重合体などを用い
ることができる。このようなポリシラザンとして、具体
的にはポリ（メチルシラザン）、ポリ（エチルシラザン
）、ポリ（フェニルシラザン）等を・挙げることができ
る。７膜やフィルムを焼結して支持膜を形成する場合には、特
に、上記ポリシラン、ポリシラザンを用いることが好ま
しい。炭素繊維を形成しうるのに用いる石油ピッチは有機ポリ
マーと同様の融体特性を示すため、あらかじめ用意され
た型にプレス成形、射出成形等の方法によって、°流し
込み成形し、焼成して炭素またはグラファイトから成る
支持膜を形成できる。本発明の支持体（１）〜（３）の製造方法としては、下
記製造方法■〜Ｏを例示することができる。 ■、支持枠と支持膜とが、同一の化合物で一体成形され
る工程と、該成形体を焼成する工程とを有する支持体の
製造方法。 ■、薄膜を形成する工程と、該薄膜に支持枠を密着して
、これらを焼成する工程を有する支持体の製造方法。 ■、薄膜を形成し、これを焼成することで支持膜を形成
する工程と、該支持膜に支持枠を密着して、これらを焼
成する工程を有する支持体の製造方法。以下に、上記製造方法■〜Ｏの各々について、代表例を
挙げて説明する。支持体の製造方法■：第１図に示すように、例えばポリシラン、ポリシラザン
、石油ピッチ等を、その融点以上で支持枠と支持膜とを
一体成形可能な型を利用した通常の熱可塑性樹脂成形法
（コンプレッション、インジェクション等）によって成
形する。なお、この成形においては、第２図に示すよう
に、成形体の工・ツジをなくすることが、容易な型抜き
が可能となるので好ましい。次に、成形体を、不活性ガス雰囲気中で焼成して、本発
明のＸ線マスク用支持体とする０代表的な焼成条件は次
の通りである。材料がポリシランの場合には、１４００
℃まで一段で昇温するか、あるいは４００〜６００℃で
一定時間焼成し、その後”、塩度を上昇し、１１００−
１４００℃で一定時間焼成する二段階焼成が好適に用い
られる。また、ポリシラザンの場合には、５００℃まで昇温し、
数〜ｌＯ数時間保持し、１０００℃（〜１２００℃）へ
昇温する二段焼成が好適に用いられる。このような焼成によって、ポリシランは、５ｉＣ−３ｉ
Ｈ＊−から最終的にＳｉＣの焼結体となる。また、石油
ピッチはグラファイトとなる。なお、完全なＳｉＣ化、ＳｉＮ化、カーボン化がなされ
なくても、即ち、５ｉＣ−ＳｉＨ＊−等が残存していて
も、本発明の支持体としての先に述べた特性を十分に示
すことができる。支持体の製造方法■：あらかじめ、支持枠のみを、成形、焼成により製造して
おく、その製造には、５ｉＣ１ＳｉＮ、カーボンの公知
の焼結体形成法が利用できる。つまり、炭化ケイ素の従
来から知られている製法としては、シリカの炭素による
還元炭化、金属ケイ素、−酸化ケイ素または二酸化ケイ
素を炭素反応させる等の方法、窒化ケイ素では金属ケイ
素の直接窒化、シリカの還元、窒化イミド熱分解法等が
知られている。また、カーボンの形成法としては、石油
ピッチの焼成グラファイト化がある。次に、上記支持枠の製造とは別に、以下のようにして有
機ケイ素重合体または石油ピッチ等の薄膜を形成する。有機ケイ素重合体等を、適当な基体の上に成膜する。そ
の成膜は、例えば、有機ケイ素重合体を溶媒に溶解し、
ディッピング法、キャスト、スピンコード等の塗布方法
を用いて、基体上に塗布し、必要に応じ乾燥すればよい
。有機ケイ素重合体を溶解する溶媒としては、ベンゼン、
トルエン等の芳香族炭化水素、ヘキサン、オクタン等の
飽和炭化水素、ハロゲン誘導体、テトラヒドロフラン等
の環状エーテルが代表的なものとして挙げられる。その塗布のために使用する有機ケイ素重合体等の溶液濃
度は、成膜条件によって適切な値は異なってくるが、３
重量％〜６０重量％の範囲内から選択するとよい。なお、基体上への薄膜の形成は、上述のように溶液を用
いる代わりに、有機ケイ素重合体等の溶融体を用いても
よい、すなわち、有機ケイ素重合体は、数千〜１００万
程度迄の分子量を有するように通常合成できるが、その
平均分子量に応じて融点は７０〜２００℃の範囲となる
。したがって、上記の成膜は、有機ケイ素重合体を溶融
して（例えば、融点より数十度以上高い温度で）、プレ
ス、ラミネート、Ｔダイ等の通常の高分子膜成形方法を
実施することにより可能であ・る。また、石油ピッチについては、適当な基体上にピッチの
粘度がｌＯ〜１００００ｃＰの範囲になるように適当な
希釈剤（例えばキノリン等）に溶解またはピッチを加温
してポリマー同様の成形方法を採ればよい。なお、上記いずれの成膜法においても、成形された薄膜
は、その厚さが全体に渡り均一となるように成膜される
ことが必要である。次いで、上述のようにして成膜された、有機ケイ素重合
体または石油ピッチ等による薄膜に、あらかじめ用意さ
れた前記支持枠を乗せて、後述する条件で焼成すること
により、Ｘ線マスクとじての先に述べた特性を十分に満
足したＸ線マスク用支持体が得られる。なお、支持膜の
膜厚は、強度およびＸ線の透過性の点で好ましくは１〜
５鱗、特に好ましくは２〜４Ｑとされる。また、上記の有機ケイ素重合体または石油ピッチ等より
成る薄膜には、従来より公知の焼結助剤を微量（２〜３
％以下）添加してもよい、その焼結助剤には、例えばＡ
ＩＪｓ、ＢＮ、　　ＢｅＯなどがある。また、この製造方法■における支持膜の形成については
、特に好ましい方法として、下記支持膜製造方法■−１
および■−２を挙げることができる。 ■−１，腹中に詰腹の焼成物と同一の構成単位を有する
化合物より成る繊維および／または粒子を含有する膜を
基体上に成膜し、詰腹を焼成する工程を有する支持膜の
製造方法。 ■−２，膜を、詰腹の焼成物と同一の構成単位を有する
化合物より成る基体上に成膜し、詰腹を焼成する工程を
有する支持膜の製造方法。以下、上記方法■−１および■−２について、説明する
。製造方法■−１においては、上記の有機ケイ素重合体ま
たは石油ピッチ等より成る膜中に、セラミックスまたは
カーボンの繊維および／または微粒子を含有せしめると
、焼成の際に繊維や微粒子が結晶核となり結晶制御が容
易となるので、より一層引っ張り強度や衝撃強度などが
優れた膜を得ることができ、その焼成時間も短縮できる
。製造方法■−１における繊維および／または微粒子を構
成するのはセラミックスが好ましい、薄膜材料としてポ
リシラン等を用いる場合には、セラミックスとしては主
たる構成単位が炭化ケイ素であるものを用いれば良く、
また薄膜材料としてポリシラザン等を用いる場合には、
主たる構成単位が窒化ケイ素であるものを用いれば良い
、また、窒化ケイ素におけるケイ素の一部がアルミニウ
ムに置換されたサイアロンであっても良い、また、それ
らのセラミックスには、添加剤が添加されていても良い
、その添加剤としては、例えば焼結助剤、窒化ホウ素、
アルミナ、酸化イツトリウムなどを挙げることができる
。製造方法■−１における繊維および微粒子の大きさにつ
いては、Ｘ線マスク用支持膜の好ましい厚さが３μ以下
であるので、その繊維の太さおよびその微粒子の粒径も
３−以下であることが好ましい、更に、繊維の太さの、
より好ましい範囲は０．０５〜１．５μである。微粒子
の粒径は、３．以下であれば特に好ましい範囲の下限は
無い、また、その粒径分布が広くてもかまわない。製造方法■−１における有機ケイ素重合体または石油ピ
ッチ等と、繊維および／または微粒子セラミックスとの
比率は、有機ケイ素重合体または石油ピッチ等の種類お
よび分子量、重合体に溶媒を混合させた場合はその溶媒
の種類、繊維および／または微粒子の種類などに応じて
適切な値を選定すればよい。製造方法■−１における成膜方法としては、焼成後の膜
が、Ｘ線マスク用支持膜として良好な物性を示すように
、所望の構造に成膜できる方法であれば限定されるもの
ではないが、例えば、繊維および／または微粒子を基体
に堆積し、その堆積物にケイ素重合体等を含浸させて、
その堆積物を所望の組成にすることにより上記膜とする
方法などを用いることができる。製造方法■−１における堆積方法としては、例えば繊維
および／または微粒子を、空気中で落下させて堆積させ
る方法、液体中で沈降させて堆積させる方法、液体中で
浮遊させ紙すき法で堆積膜を得る方法、上記堆積物とし
て単に不織物または織物を用いる方法などを挙げること
ができる。なお、繊維および／または微粒子を低融点有
機溶媒で湿潤させて堆積させると、帯電を防止し、良好
な堆積物が得られるので好ましい、このような方法によ
って得た堆積物に有機ケイ素重合体の溶解物あるいは溶
融体を含浸させる方法としては、有機ケイ素重合体等を
単に含浸させる方法、有機ケイ素重合体等の固体粉末を
堆積物の表面にまぶし、次いでその表面を加圧、加熱す
ることによって含浸させる方法などを挙げることができ
る。製造方法■−２においては、膜の焼成物と同一の構成単
位を有する化合物より成る基体を用い、その基体上に有
機ケイ素重合体または石油ピッチ等を成膜するので、表
面の面粗さが二乗平均粗さ値でｌｏｎｍ以下である支持
膜を容易に得られる。なお、この製造方法■−２においては、炭化ケイ素また
は窒化ケイ素より成る基体を用い、その基体上に有機ケ
イ素重合体を成膜することが特に好ましい。製造方法■−２に用いる基体としては、シリコンウェハ
ーの上に炭化ケイ素を成膜したものを代表例として挙げ
ることができる。その炭化ケイ素の成膜のためには、例
えば、ＣＶＤ法が利用できる。この場合、原料ガスには
、ＳｉＨ，およびＣ１，を用い、基体温度は、６００〜
８ｏｏ℃程度まで加熱する。こうした条件でのＣＶＤ法
により、多結晶の炭化ケイ素°となり、高弾性率の膜が
得られる。膜の厚さはＸ線が十分透過できるように１〜
３、程度に選ぶとよい、また、こうして形成された炭化
ケイ素の表面粗さは、０．５．程度である。なお、上記のＳｉＣ膜を有する基体の製法は、ＣＶＤ法
に限らず、他の気相堆積法や微粉末の焼結等、他の方法
によってもよいことはもちろんである。上記の方法■−２によれば、基体上に成膜された炭化ケ
イ素膜の上に有機ケイ素重合体により成る薄膜を先述し
た方法に従って成膜することにより、あらかじめその一
部が炭化ケイ素体で形成された有機ケイ素重合体膜を基
体上に形成することができる。次に、以上詳述した製造方法■における成膜工程（上記
方法■−１、■−２も含む）に用いる基体について説明
する。基体は、後述する焼成工程の前に除去するものであって
も、焼成工程の前に除去するものであってもよい、焼成
工程の前に除去する際の除去方法として、後述する基体
を剥離する方法を採用する場合には、基体と薄膜とが良
好に剥離できる程度の易剥離性を示すこと、塗布時の有
機ケイ素重合体に溶剤が混合されている場合にはその溶
剤に対する耐溶剤性が十分であること、等を満足させる
ものであれば、基体材料は特に限定されるものでなく、
種々の材質のものを用いることができる。基体上に成膜された膜を基体から剥離させる方法として
、機械的に剥離させる方法、粘着剤、接着剤などを張り
合わせて機械的に剥離させる方法、有機ケイ素重合体等
に対し非または貧溶媒（例えば水、アルコール等）に浸
漬して剥離させる方法、基体が有機ケイ素化合物等に対
し作用を及ぼさない溶媒に可溶な場合は基体を溶解除去
する方法などが可能である。なお、基体を溶解除去する
方法の具体例としては、ＰＶＡ膜やＮａＣ１板などを基
体として用い、基体を水により溶解除去する方法、ポリ
メチルメタアクリレート板を基体として用い、同様にし
てアセトン等により溶解除去する方法などがある。先に述べたポリシラン、ポリシラザン等の有機ケイ素重
合体は３５０ｎｍより短い波長の光な照射することによ
り架橋することが知られている（Ｌａｃｔｕａｌｉｔｅ
　Ｃｈｉｍｉｑｕｅ　、　６４頁、１９８６年、Ｒ，Ｗ
ｅｓｔ）　＠　Ｌ／たがって、有機ケイ素重合体の成膜
の際に光照射を行なう場合には、その波長域を有する光
、少なくとも３００〜３５０止の波長域を有する光を照
射すればよい、具体的には、高圧水銀灯、超高圧水銀灯
、キセノンランプなどを用いることができる。なお、上
記光照射時に発生する輻射熱は、特に除去する必要は無
い。基体を用いずに、自己形態保持させた薄膜に対して、後
述する焼成を施す時、あるいは剥離に際し薄膜の強度が
不足して剥離が十分に行なえない場合などは、光照射を
施して膜強度を向上させた後、剥離を施すことは好まし
い方法である。以下に、その代表的光照射の方法の態様
について、図面を用いて説明する。第３図は、光照射方法の一態様を示す断面図である。こ
の態様は、基体２の上に塗布または積層された有機ケイ
素重合体１の上方から、その重合体全面に渡って均一に
光照射する方法である。この態様を用いることにより、
先に述べたように易剥離性および耐溶剤性が十分であり
さえすれば、基体２として、光反射性基体、光透過性基
体、光吸収性基体など様々な基体を用いることができる
。第４図は、光照射方法の他の態様を示す断面図である。この態様における基体には、３５０止より短い波長域の
光を吸収しない透過性基体２ａを用いており、有機ケイ
素重合体１の表裏両面に同時に光照射することによって
、重合体ｌの全体をより均一に架橋させるができる。こ
の態様に用いる透過性基体２ａとしては、具体的には、
少なくとも２９０ｎｍ以上の波長領域に吸収帯を有さな
いガラスなどを挙げることができる。第５図は、光照射方法の他の態様を示す断面図である。この態様は、前記透過性基体２ａを二枚用いて有機ケイ
素重合体１を挟みつつその表裏両面から光照射する方法
である。この態様を用いることにより、重合体１中の溶
媒が蒸発することに起因する表面の凹凸の発生を防止し
、より平滑なフィルムを形成することができる。また、基体と膜とを一緒に焼成する場合に用いつる基体
は、有機ケイ素重合体が焼成により硬化し、その平面性
が実質的に失われなくなる段階まで焼成に耐える耐熱性
基体であればよい、したがって、耐熱性基体として、焼
成段階の途中で消失するものも使用できる。しかし、焼成の終了によっても、耐熱性基体が消滅・変
形しないことは、その上にできるＸ線マスク用支持膜の
平面性等の点からは好ましい、このような耐熱性基体と
しては、少なくとも１４００℃、好ましくは１５００℃
以上の高温に対し安定な材質のものであればよい、具体
的には、例えばアルミナ、酸化マグネシウム等のセラミ
ックス、グラファイト等を挙げることができる。金属ケイ素のようなものを基体として利用する場合には
、焼成後、気相でのイオンエツチング、酸・アルカリで
の溶解除去等により、支持膜から取り除くことができる
。一方、焼成段階の途中で消失する耐熱性基体としては、
３００〜４００℃程度までの耐熱性を有する樹脂または
金属の基板が挙げられる。かかる耐熱性基体の消失は、
５００〜６００℃で分解、溶融等が生じることによる。上記樹脂として、いわゆるエンジニアプラスチック、例
えばポリオキシメチレン、ポリエーテルスルフォン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリブチレンテレフタレー
ト等が好適に使用でき、金属としてはすす、鉛、亜鉛ア
ルミニウムが好適に使用できる。更に基体の二乗平均粗さが１０ｎｍ以下の精度を有する
ことは、得られる支持膜表面の平滑性との点で特に好ま
しく、上記基体を使用して支持膜を作製すると、表面の
面粗さが二乗平均粗さ値で１０ｎｍ以下であるＸ線マス
ク支持膜が容易に得られる。以上、製造方法■の薄膜形成工程について詳述したが、
次に、製造方法■の焼成工程について説明する。溶液を
用いた成膜法に従って作製した薄膜については、有機ケ
イ素重合体として、ポリシランを採用した場合は、まず
膜を一定時間加熱し、温度を５００〜６００℃に上げ、
この温度を一定時間保持し、その後、更に温度を上昇し
、１１００〜１４００℃とし、この温度を一定時間維持
するか、あるいは１１００℃から徐々に１４００℃程度
に昇温してＳＩＣ結晶を有する焼結状態の膜とする。有
機ケイ素重合体として、ポリシラザンを採用した場合は
、まず温度を５００℃に上げ、その後１０００〜１２０
０℃にする二段階焼成を行なうのが好適である。焼成における、加熱速度、加熱保持時間の代表例が後の
実施例で挙げられるが、熱膨張係数や面粗さを本発明に
おける値に設定するため、またヤング率等を好適な値に
設定するために、焼成条件は適宜選択すればよい。焼成雰囲気は、不活性ガスとするのであるが、それ以外
のガスを使用して焼成しても、Ｘ線マスク用支持膜とし
てのＳｉＣ形成を実質的に妨げない段階であるならば、
その段階でのそうした焼成はかまわない。支持体の製造方法◎：まず、支持枠、支持膜とそれぞれ同−形の構造体を作製
する。その構造体は、ＳｉＣ，ＳｉＮ、カーボンの焼結
体、または有機シランポリマー等の数百℃程度での焼成
体でも良いし、可塑性をもつ成形体でもよい、この焼成
体等の作製は、方法■、■で挙げた方法と同じ方法が採
用できる。次に、支持枠または支持膜の同−形の構造体上に、■で
用いるポリシラン等の溶液をコートしまたは融点以上に
加熱されたポリシラン等の溶融体を塗布し、しかる後、
第６図に示すように、ポリシラン等の接着層３の接着力
を利用して同構造体（支持枠構造体４、支持膜構造体５
）を固定する。接着力を高めるため、被接着面は粗い方
が好ましい、その後、方法■と同様にして焼成し、Ｘ線
マスク用支持体とする。上記同構造体の仮接着用の溶液、溶融体は、焼成により
支持枠および支持膜のどちらか一方と実質的に同じ組成
の焼成体となるものを用いる必要がある。以上説明したような方法■〜＠により製造された本発明
の支持体（１）〜（３）においては、焼成時の収縮によ
り支持膜に自動的に応力が加わるので、特に支持膜に応
力を加えて均一に固定するという極めて面倒な操作が除
かれる。これに起因して、均質な支持膜もできやすい。［発明の効果］以上説明したように、本発明のＸ線用マスク支持体は、
遮光体が精度良く、且つ再現性良く支持膜上に形成でき
、その遮光体パターンの精度が良好に保持されるＸ線マ
スク用支持体である。また更には、（ａ）アライメント用可視光もしくは近赤外光の散乱が
小さく透過光が高く、アライメント光のＳＺＮ比が向上
し、（ｂ）透過Ｘ線強度むらが非常に少なくなり、（ｃ）微
小パターンの形成時の精度、遮光体パターンの密着性が
向上し、遮光体厚さむらもほとんどなくなる。［実施例］以下、本発明を、実施例により更に詳細に説明する。実施例１ポリシラスチレン商品名Ｓ−４００（日本曹達（株）製
）をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ％溶液を作製した
０表面を研磨した表面粗さ９ｎｍ（Ｒｒｍｓ値）のＡｊ
！、０３基板をスピナー（ミカサスビナーＬ　Ｈ−２）
に設置し、４００　ｒｐｍで回転させて、上記の溶液を
滴下して３１ＪＪｊａのフィルムを作製した０次に、こ
れを基板ごと焼成炉にいれて、乾燥窒素下で、２００℃
で１時間、更に１０℃／分の速度で１２００℃迄昇温し
た。この温度で１時間保ち、その後、冷却し、厚さ２．
９鱗、表面粗さ８ｎｍの炭化ケイ素膜を得た。その炭化ケイ素膜を、１０１０Ｘ５０のたんざく型に切
断し、引張試験機でそのヤング率を求めたところ、２０
０ＧＰａであった。熱膨張係数は５Ｘ１０”’に一’で
あった。反応焼結法による炭化ケイ素製支持枠（内径７５　ｍｍ
、外径９０ｍｍ、厚さ５ｍｍのリング状、熱膨張係数５
Ｘ　１０−”Ｋ−’）に前述のポリシラスチレン溶液を
はけで塗り、そこに上述のケイ素膜を固定して上述と同
じ条件で焼成し、Ｘ線マスク用支持体を得た。実施例２実施例１で用いたのと同様な炭化ケイ素支持枠を炭素基
板上に載置し、これに１０ｗｔ／Ｖ％濃度のポリシラス
チレン溶液を流し、乾燥させて、ポリシラスチレン膜を
形成した。これを、実施例１と同様な方法で焼成したところ、支持
枠と、支持枠に固定された炭化ケイ素膜から成るＸ線マ
スク用支持体が得られた。実施例３１リツトルのガラス製オートクレーブの内部を乾燥窒素
で置換しＫＨｏ、４ｇ　（１００ミリモル、Ｃ）Ｉｓ　
５ｉ）ＩＮ）ｌを基準にして３６９モル％）をしこんだ
、）テトラヒドロフラン（３００ｍｊりを三方コックを有す
るフラスコ内に注射器で滴下し、混合物を攪拌してＫＨ
を分散させた０次に窒素を満たしたシリンジを用いて、
攪拌したＫＨスラリーに１５分かけて、１５．２７１ｇ
　（０，２５８モル）の（ＣＨｓ　５ｉＨＮＨ）　ｓを
ゆっくり加えた。室温で９０分攪拌した後、気体の発生
が止まり、透明で均質な溶液が残った。ヨウ化メチル２
．２８ｇ、（１６，１ミリモル）を加えると、ただちに
ＫＩの白色沈殿が生じた。この反応混合物を、さらに３
０分間攪拌した０次に大部分のＴＨＦ溶液を減圧で除去
し、残留する白色スラリーに８０ｎｊ！のヘキサンを加
えた。この混合物を遠心分離し、うわずみ液を白色固体
から分離した。この溶液をトラップ−ツウ−トラップ（
ｔｒａｐ−ｔｏ−ｔｒａｐ）蒸留すると、１５．１ｇ　
（９９重量％）の白色沈殿が残った。トルエンに溶解し、表面粗さｌｏｎｍの炭素基板上にス
ピンコードじた。これに実施例１で用いたと同じ形状の窒化シリコン製リ
ングをこの上に載せ、焼成炉で１３００℃迄昇温し、そ
の後４時間保持した後冷却し、厚さ２．２μ、表面粗さ
９．５ｎｍの支持膜を有するＸ線マスク用支持体を得た
。実施例４ヒーター上に第７図に示した如き、型６を置き、２００
℃に加熱しておき、型に設けた１つの穴をメルトフロー
インデクサ−を接続し、ノズル温度を２５０℃にしてお
き、ポリシラスチレンな入れ、上から２２．１２５ｇの
重りを載せ、他の口から流出するまで流し込んだ、その
後、これを３００℃にて、１５０　Ｋｇ／　ｃｍ２の圧
力でプレス成形し、冷却後５℃／分の速度で６００℃で
１時間保持、その後型からはずしたのち、再び１３５０
℃に上げ、同温度で１時間保持して冷却し、炭化ケイ素
から成る一体型のマスク支持体を得た。実施例５〔Ｘ線マスク支持膜（Ａ）　）ポリシラスチレン（商品名Ｓ−４００，日本曹達（株）
製）をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／ｖ％溶液を作成し
た。前記表面粗さ計ＴＯＰＯ”−２Ｄで測定した表面粗
さが７．５止である、表面な研磨した炭素基板（厚さ１
０ｍｍ）をスピナー（ミカサスビナーＩＨ−２）に設置
し、５００ｒ、ｐ、ｍ、で回転させて、上記の溶液を滴
下し、厚さ２８μｓの膜を得た。上記と同じく研磨した炭素基板を重ね、プレス圧ｌＯに
ｇｆ／ｃｍ”温度１８０℃で張り合わせた。乾燥窒素で置換した焼成炉中で、２００℃で１時間、１
０℃／分の速さで１３５０℃迄昇温し、その状態で２時
間保持し、その後冷却した。炭素基板を取りはずしで面荒さを測定したところ９．０
ｎｍで、膜厚が２．６μ、熱膨張係数が５Ｘ１０−”Ｋ
−’であった。〔Ｘ線マスク支持膜（Ｂ）】支持膜（Ａ）と同様に用意した炭素基板にポリシラスチ
レンのトルエン溶液１０ｗｔ／ｖ％をスピナーにて回転
塗布した０回転数は４００ｒ、ｐ、ｍ、、スピン時間は
３０秒とし、′厚さ３．２μｓの膜を得た。基板と同じく仕上げた炭素基板を重ね実施例１と同様に
プレス圧１０　Ｋｇｆ　／ａｍ２・、温度１８０℃で張
り合わせた。乾燥アルゴンで置換した焼成炉中で５００
℃、１時間加熱し、さらに１０℃／分の速さで１４００
℃まで昇温し、そのまま２時間保持した後、放置冷却し
た。炭素基板をとりはずした後、面粗さを測定したところ二
乗平均粗さで８ｎｍ、膜厚が２．９．であった。上記の膜（Ａ）および（Ｂ）の熱膨張係数は５×１０−
”Ｋ−’であったが、それらよりも熱膨張係数の大きな
ＳＵＳ　（ステンレススチール）製（熱膨張係数２Ｘ１
０−’に一’）の環状フレームに対し、張力をかけなが
ら膜（Ａ）および（Ｂ）を接着し、Ｘ線マスク支持体を
作成した。このときの膜張力は７０ＭＰａであった。こ
れに通常のマスク作成プロセスにより幅０．２５ｕ、高
さ０．７５μの金の吸収体を形成したところ、通常よく
行なわれるＣＶＤ法で形成したＳｉＣ膜で二乗平均面粗
さ５０ｎｍのものに同様な方法で金吸収体を形成した場
合に比べて、倒れ、剥離、もしくは線幅精度不良等の欠
陥による歩留低下が著しく抑制された。また、上記支持
体のかわりに、熱膨張係数の小さな石英ガラス性の支持
枠（熱膨張係数０．４ＸＩＯ−”Ｋ″′）を用いた支持
体では、Ｘ線照射により支持膜にたるみが生じた。性能評価のために上述の膜のヤング率を静圧バルン法に
より測定したところ、２００ＧＰａの値を得た。実施例６ポリシラスチレン商品名Ｓ−４００（日本曹達（株）製
）をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ％溶液を作成した
０表面を研磨した表面粗さ９ｎｍのわｈ０３をスピナー
（ミカサスビナーＩＨ−２）に設置し、１１０００ＲＰ
で回転させて、上記の溶液を滴下し、厚さ３１μｓの膜
を得た。この上に反応焼結法による炭化ケイ素支持枠（内径７５
　ｍｓ＋ｂ外径９０ｍｍ、厚さ５ｍｍのリング状熱膨張
係数５Ｘ１０−”Ｋ″１）を載せ、窒素雰囲気中２００
℃で１時間、１０℃／分の速さで５００℃迄昇温し、こ
の状態で１時間保持し、更に５℃／分の速さで１３００
℃迄昇温し、２時間保持し、その後冷却して、厚さ２．
９μ、表面粗さ８ｎｍの炭化ケイ素膜を有するＸ線マス
ク用支持体を得た。実施例７基板として、ポリエチルエチルケトン板を用いた以外は
、実施例６と同様に、炭化ケイ素膜を有するＸ線マスク
用支持体を得た。実施例６と同様の物性を示し、基板ポリマー分解による
影響と覚しき差異は認められなかった。実施例８〔Ｘ線マスク支持膜（Ｃ）〕厚さ０．５ｍｍ、表面粗さ２．０ｎｍのシリコンウェハ
ー基板上に高周波プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＣ
膜を２．０μの厚さに成膜した。原料ガスハＳｉ■４と
ＣＨ４トを用い、成分比は１：１０゜圧力は１０〜５０
　Ｔｏｒｒ、基板温度は８００℃に保った。こうして、
表面粗さ０．５μの膜が得られた。次に、この基板をスピナー（ミカサスビナーＩＨ−１）
に設置し、ポリシラスチレン（商品名Ｓ−４００、日本
曹達（株）製）をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ％と
した液を滴下し、１０００ｒ、　ｐ、　ｍ、で回転させ
て厚さ７，２ｕの膜を得た。次に、これをＡｒガスを流した焼成炉に入れ、室温から
１０℃／時間の割合で６５０℃まで昇温し、４０時間保
った後、放冷して室温に戻し、続いて１００℃／時間の
割合で１０００℃まで昇温しで３０時間保った。その後
、放冷した。最後にＳｉウェハーを裏面からＫＯＨ水溶液でエツチン
グして除去した。こうして厚さ３．２μの自立したＳｉＣ膜のＸ線マスク
用支持膜が得られた。面粗さはＳｉウェハーに接してい
た面が２．０ｎｍ、反対面が８．０ｎｍであった。〔Ｘ線マスク支持膜（Ｏ）】厚さ０．５　ｍｍｂ直径７６ｍｍ、粗さ２．Ｏｎｍのシ
リコンウェハー基板上に支持膜（Ｃ）と同様にＳｉＣ膜
、ポリシラスチレン膜を成膜した。膜厚は各々１．８ｕ
、５．ＩＪＪＩｍある。また、ＳｉＣ膜の表面粗さはｌ
ｌｎｍであった。これを乾燥窒素で置換した焼成炉中、
７００℃で３０時間、１０５０℃で２０時間焼成した後
、室温まで徐冷した。次に、Ｓｉウェハーを裏面からＫＯ）Ｉ水溶液でエツチ
ングして除去した。こうしてＸ線マスク用支持膜が得ら
れた。これら膜（Ｃ）および（Ｄ）に実施例１と同様の
炭化ケイ素枠を、実施例１と同様の方法で設け、Ｘ線マ
スク用支持体を得た。これらＸ線マスク用支持体に通常のマスク作成プロセス
により幅０．２５ｇ１ｌ、高さ０．７５ＪＬＪｌの金の
Ｘ線吸収体を形成したところ、いずれも通常のＣＶＤ法
のみで形成した、表面粗さ０．４μｓのＳｉＣ膜に同様
な方法で金の吸収体を形成したものに比べ、倒れ、剥離
、もしくは線幅精度不良等の欠陥が大幅に減少した。そ
のため、多数個のＸ線マスクを作製しても歩留り低下が
著しく抑制された。また、アライメント用可視光の透過
率も１０％以上向上した。実施例９ポリシラスチレン（商品名Ｓ−４ＱＱ、日本曹達■製）
をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ％溶液を作製した０
表面を研磨した表面粗さ９ｎｍのＡｌ２ａｓ基板をスピ
ナー（ミカサスビナーＩ　Ｈ−２）に設置し、４００　
ｒｐｍで回転させて、上記の溶液を滴下して、３１μの
フィルムを作製した。次いで、超高圧水銀灯（ＵＳ）Ｉ−２５０）を用いて、
そのフィルムに２０分の光照射を行ない、水：メタノー
ル＝１＝１の混合溶液に１時間浸漬して、ポリシラスチ
レン膜を基板から剥離した。次いで、そのポリシラスチレン膜を単独にて焼成炉に入
れ、室温から１０℃／分の昇温速度で６００℃に昇温し
、そのままの状態で１時間保持し、更にその後５℃／分
の昇温速度で１３００℃に昇温し、そのままの状態で１
時間保持し、その後冷却して、厚さ２．９μ鳳、表面粗
さ８ｎｍの炭化ケイ素膜を得た。その炭化ケイ素膜を１０ｘ　５０ｍｍ”の短冊型に切断
し、引っ張り試験機でヤング率を求めたところ、２００
ＧＰａであった。実施例ＩＯ太さ０．０５〜１．５μ、長さ５〜２００μｍの炭化ケ
イ素ウィスカー（タテ水化学側製）をエタノールで湿ら
し、表面粗さｌｌｎ　ｍの黒鉛板上に堆積させプレスで
加圧（１０ｋｇ／ａｍ”　）　Ｌ／て、厚さが２μｓの
堆積物を調製した０次いで、その堆積物中のエタノール
を蒸発させ、その堆積物を、ポリシラスチレン（商品名
Ｓ−４００、日本曹達■製）をトルエンに４０重量％溶
解した粘調な溶液をスプレーコートし、トルエンを蒸発
させた。次に、その膜の上に、炭化ケイ素支持枠（内径７５ｍｍ
、外径９０ｍｍ、厚さ５ｍｍのリング形状、熱膨張係数
５Ｘ１０−”Ｋ−’）を乗せ、５　ｋｇ／ｃｍ”の圧力
で押しつけ、乾燥窒素を満たした焼成炉の中に入れた０
次いで、炉内の温度を２００℃で１時間保ち、次にｌＯ
℃／分の昇温速度で１４００℃に昇温し、その温度で１
時間保持し、その後冷却して、厚さが２．１μで表面粗
さ９ｎｍの炭化ケイ素支持膜を有するＸ線マスク支持体
を得た。以上のようにして本発明の方法により製造したＸ線マス
ク支持体における支持膜をｌ１０Ｘ５Ｑがの短冊状に切
断し、引張試験機でヤング率を測定した。そのヤング率
は２５００Ｐａであり、Ｘ線マスク用支持膜として用い
るに十分な値であった。実施例１１１リツトルのガラス製オートクレーブの内部を乾燥窒素
で置換しＫＨ，０，４０ｇ　（１００ミリモル、ＣＨｓ
　５ｉＨＮＨを基準にして３．９モル％）を仕込んだ。テトラヒドロフラン（３００ｍＡ）を上記オートクレー
ブ内にシリンジを用いて滴下し、その混合物を攪拌して
Ｋ）Ｉを分散させた０次に、窒素を満たしたシリンジを
用いて、攪拌したＫＨスラリーニ１５分カケテ、１５．
２７１ｇ　（０，２５８−Ｔ−ル）　（７）　（ＣＨｓ
ＳｉＨＮＨ）ｓをゆっくり加えた。室温で９０分攪拌し
た後、気体の発生が止まり、透明で均質な溶液が残った
。ヨウ化メチル２．２８ｇ、　　（１６，１ミリモル）
を加えると、ただちにＫＩの白色沈殿が生じた。この反応混合物を、さらに３０分間攪拌した０次に、大
部分のＴＨＦ溶液を減圧で除去し、残留する白色スラリ
ーに８０ｍＡのヘキサンを加えた。この混合物を遠心分離し、やわずみ液を白色固体から分
離した。この溶液をトラップ−トウートラップ（ｔｒａ
ｐ−ｔｏ−ｔｒａｐ）蒸留除去して１５．１ｇ（９９重
量％）の白色粉末状ポリメチルシラザンを得た。太さ０．１〜１．５９ｍ、長さ５〜２００Ｊｍの窒化ケ
イ素ウィスカー（商品名ＳＮＷ　、タテ水化学側製）を
実施例１と同様にして堆積させた０次いで、上記のよう
にして合成したポリメチルシラザンをトルエンに４０重
量％溶解した溶液を、その堆積物に実施例１と同様にし
てスプレーコートして膜を得た。次に、その膜の上に、実施例１１の枠と同一形状の窒化
ケイ素支持枠を乗せ、５　ｋｇ／ｃｍ”の圧力で押しつ
け、乾燥窒素を満たした焼成炉の中に入れた０次いで、
炉内の温度を５℃／分の昇温速度で１３００℃に昇温し
、その温度で４時間保持し、その後冷却して、厚さ２，
９μ、表面粗さ８ｎｍの窒化ケイ素支持膜を有するＸ線
マスク支持体を得た。以上のようにして本発明の方法により製造したＸ線マス
ク支持体における支持膜のヤング率を、実施例１と同様
にして測定した。そのヤング率は２２０ＧＰａであり、
Ｘ線マスク用支持膜として用いるに十分な値であった。実施例１２炭化ケイ素ウィスカーを用いる替わりに、平均粒径が０
．４５ＪＬ１ｍの炭化ケイ素微粒子（グレードＤＵＡ−
１、昭和電工側製）を用いた以外は実施例１０と同様に
してＸ線マスク支持体を得た。その支持体における支持膜の特性は、実施例１０で得た
支持膜と同様に良好なものであった。実施例１３窒化ケイ素ウィスカーを用いる替わりに、平均粒径が０
．２ｕの窒化ケイ素微粒子（グレード５Ｎ−Ｅ−１０、
宇部興産■製）を用いた以外は実施例１１と同様にして
Ｘ線マスク支持体を得た。その支持体における支持膜の特性は、実施例１１で得た
支持膜と同様に良好なものであった。参考例１ポリシラスチレン（商品名Ｓ−４００，日本曹達■製）
をトルエンに溶解し、１０ｗｔ／Ｖ％濃度の溶液を作製
した０表面を研磨した炭素基板をスピナー（ミカサスビ
ナーＩ　Ｈ−２）に設置し、４００ｒｐｍで回転させて
、上記の溶液を滴下して３１μのフィルムを作製した。次いで、そのフィルムを実施例１Ｏと同様にして焼成し
、Ｘ線マスク用支持膜を得た。その膜のヤング率を、実施例１と同様にして測定した。そのヤング率は２００ＧＰａであり、本発明の実施例に
より得た膜よりも低い値であった。なお、以上の実施例１−１３において作製したＸ線マス
ク用支持体の支持膜のヤング率は、２００ＧＰａ　〜２
５０ＧＰａ　（ＳｉＣの場合）、２００ＧＰａ〜２２０
ＧＰａ　（ＳｉＮの場合）、支持膜および支持枠の熱膨
張係数は、４　Ｘ　１０−’に一’〜１×１０１に一’
（ＳｉＣの場合）、３ｘ　１０−’に一’〜Ｉ　Ｘ　１
０−”Ｋ−’　（ＳｉＮの場合）であった、また、熱伝
導率は、８０Ｗ／ｍ−Ｋ（ＳｉＣの場合）、２０Ｗ／ｍ
−Ｋ　（ＳｉＮの場合）であった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、それぞれ支持枠と支持膜の一体成形
体を示す図、第３図〜第５図は本発明の支持体の製造の
際の光照射の方法の種々の態様を例示する断面図、第６
図は接着層によって固着された支持枠と支持膜それぞれ
同−形の構造体を示す図、第７図は実施例４の工程を示
す図である。ｌ・・・有機ケイ素重合体　　２・・・基体２ａ・・・
透明性基体　　　　３・・・接着層４・・・支持枠構造
体　　　　５・・・支持膜構造体６・・・型　　　　　
　　　　７・・・樹脂特許出願人　　キャノン株式会社

Claims

【特許請求の範囲】１）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体であ
って、該支持枠および支持膜の熱膨張係数が共に１×１
０＾−＾５Ｋ＾−＾１以下であることを特徴とするＸ線
マスク用支持体。２）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体であ
って、該支持膜の熱膨張係数が該支持枠の熱膨張係数を
越えないことを特徴とするＸ線マスク用支持体。３）支持枠と支持膜とから成るＸ線マスク用支持体であ
って、該支持枠および支持膜の熱膨張係数が共に１×１
０＾−＾５Ｋ＾−＾１以下であり、且つ該支持膜の少な
くともマスク面の面粗さが二乗平均粗さ値で１０ｎｍ以
下であることを特徴とするＸ線マスク用支持体。