JPH0340814A - 高温特性に優れた炭化ケイ素系繊維の製造方法 - Google Patents
高温特性に優れた炭化ケイ素系繊維の製造方法Info
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- JPH0340814A JPH0340814A JP1173730A JP17373089A JPH0340814A JP H0340814 A JPH0340814 A JP H0340814A JP 1173730 A JP1173730 A JP 1173730A JP 17373089 A JP17373089 A JP 17373089A JP H0340814 A JPH0340814 A JP H0340814A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、Si −C骨格を有する有機ケイ素ポリマー
を紡糸し、放射線を照射した後、あるいは放射線を照射
しながらポリマー繊維を、空気等の酸化性雰囲気にさら
すことなく、非酸化性雰囲気中、500°〜2000℃
の少なくともセラミックス化が完了する温度以上で焼成
することによって高温で1!械的特性が低下しない、炭
化ケイ素繊維を製造する方法に関する。このような高温
で機械的特性が低下しない繊維は1500℃以上の高温
で製造及び使用が考えられているセラミックス基複合材
料の強化繊維として不可欠である。
を紡糸し、放射線を照射した後、あるいは放射線を照射
しながらポリマー繊維を、空気等の酸化性雰囲気にさら
すことなく、非酸化性雰囲気中、500°〜2000℃
の少なくともセラミックス化が完了する温度以上で焼成
することによって高温で1!械的特性が低下しない、炭
化ケイ素繊維を製造する方法に関する。このような高温
で機械的特性が低下しない繊維は1500℃以上の高温
で製造及び使用が考えられているセラミックス基複合材
料の強化繊維として不可欠である。
(従来の技術〉
従来は、ポリカルボシラン等のSi −C骨格を有する
有機ケイ素ポリマーを紡糸し、それを熱酸化により不敵
化するか、あるいは真空中または不活性ガス(H2,A
r 、He )中で電離放射線を照射して不敵化した。
有機ケイ素ポリマーを紡糸し、それを熱酸化により不敵
化するか、あるいは真空中または不活性ガス(H2,A
r 、He )中で電離放射線を照射して不敵化した。
不敵化後のポリマー繊維は一旦、空気中に取り出された
後、焼成炉に挿入され真空中または不活性ガス(N2
、 Ar 、 He )中、1000°〜1700℃で
焼成されセラミックス化することによって、炭化ケイ素
繊維の合成が行われていた。
後、焼成炉に挿入され真空中または不活性ガス(N2
、 Ar 、 He )中、1000°〜1700℃で
焼成されセラミックス化することによって、炭化ケイ素
繊維の合成が行われていた。
(発明が解決しようとする課題〉
ポリカルボシラン等のSi −C骨格を有する有機ケイ
素ポリマーから炭化ケイ素繊維を製造する方法において
、不融化処理を熱酸化によって行った場合、ポリマー繊
維中に多量の酸素が導入される。この酸素は焼成後まで
残存し、得られた炭化ケイ素m維は多量(約15WtX
)の酸素を含有する。
素ポリマーから炭化ケイ素繊維を製造する方法において
、不融化処理を熱酸化によって行った場合、ポリマー繊
維中に多量の酸素が導入される。この酸素は焼成後まで
残存し、得られた炭化ケイ素m維は多量(約15WtX
)の酸素を含有する。
そのため、炭化ケイ素繊維は1300℃以上の高温にお
いて急激な強度低下を示し、1500℃ではほとんど強
度を維持していない。
いて急激な強度低下を示し、1500℃ではほとんど強
度を維持していない。
そこで酸素を導入しない不融化法として、真空中あるい
は不活性ガス(N2 、 Ar 、 He )中で電離
放射線を照射することによって不敵化する方法が開発さ
れた。この方法は、放射線照射によってポリマー繊維中
にポリマーラジカルを生成し、そのポリマーラジカルが
互いに結合し、ポリマー分子を架橋することによって不
敵化する方法であり、酸素を導入せずに不融化が可能と
なる。しかし、放射線照射によって生成したラジカルの
1部が架橋に寄与せず、真空中あるいは不活性ガス(N
2 、 Ar 、 HEj >中で安定に存在する。こ
のラジカルは酸化されやすく、放射線照射により不敵化
した後、ポリマー繊維を空気中に取り出した際に空気中
の酸素と容易に反応する。この酸化反応は連鎖的に起こ
るため、不融化に寄与せずに残るラジカルがわずかであ
っても、そのラジカルの酸化反応に伴って多量の酸素が
繊維中に導入され、得られた炭化ケイ素繊維の高温にお
ける特性低下を引き起こす。
は不活性ガス(N2 、 Ar 、 He )中で電離
放射線を照射することによって不敵化する方法が開発さ
れた。この方法は、放射線照射によってポリマー繊維中
にポリマーラジカルを生成し、そのポリマーラジカルが
互いに結合し、ポリマー分子を架橋することによって不
敵化する方法であり、酸素を導入せずに不融化が可能と
なる。しかし、放射線照射によって生成したラジカルの
1部が架橋に寄与せず、真空中あるいは不活性ガス(N
2 、 Ar 、 HEj >中で安定に存在する。こ
のラジカルは酸化されやすく、放射線照射により不敵化
した後、ポリマー繊維を空気中に取り出した際に空気中
の酸素と容易に反応する。この酸化反応は連鎖的に起こ
るため、不融化に寄与せずに残るラジカルがわずかであ
っても、そのラジカルの酸化反応に伴って多量の酸素が
繊維中に導入され、得られた炭化ケイ素繊維の高温にお
ける特性低下を引き起こす。
(問題点を解決するための手段)
本発明においては、放射線照射と焼成とを非酸化性雰囲
気中で連続的に行うか、あるいは、放射線照射と焼成と
を非酸化性雰囲気中で同時に行うことによって、炭化ケ
イ素繊維の製造工程を簡略化すると共に、炭化ケイ素繊
維の酸素量を不純物レベル以下(0,5wt%以下)に
まで減少させ、1500℃以上の高温においても特性低
下を示すことのない耐熱性、耐酸化性に優れた炭化ケイ
素繊維を製造する0本発明によって製造される炭化ケイ
素繊維は、1500℃以上で使用されるセラミックス基
複合材料等の超耐環境性材料の強化繊維として、極めて
有望である。
気中で連続的に行うか、あるいは、放射線照射と焼成と
を非酸化性雰囲気中で同時に行うことによって、炭化ケ
イ素繊維の製造工程を簡略化すると共に、炭化ケイ素繊
維の酸素量を不純物レベル以下(0,5wt%以下)に
まで減少させ、1500℃以上の高温においても特性低
下を示すことのない耐熱性、耐酸化性に優れた炭化ケイ
素繊維を製造する0本発明によって製造される炭化ケイ
素繊維は、1500℃以上で使用されるセラミックス基
複合材料等の超耐環境性材料の強化繊維として、極めて
有望である。
(発明の効果〉
本発明によって得られる炭化ケイ素繊維は、主としてケ
イ素と炭素から成る非晶質から構成される、あるいは主
としてケイ素と炭素から成る非晶質と炭化ケイ素の微結
晶から構成される、あるいは主として炭素から戒る非晶
質と炭化ケイ素の微結晶から構成される、あるいは炭素
の微結晶と炭化ケイ素の微結晶か−ら構成される構造を
有するものであるか、あるいは炭化ケイ素の微結晶から
構成される連続無機繊維である。また、本発明において
得られる炭化ケイ素繊維中に酸素が含まれる場合がある
がその酸素は、原料ポリマー中に含まれていた不純物酸
素が、焼成後まで繊維中に残存したものであり、その量
は0.5wt%以下の非常にわずかな量である。従って
、本発明で得られた炭化ケイ素繊維は耐熱性及び耐酸化
性に優れており、1500’C以上の高温においても特
性低下は示されなかった。
イ素と炭素から成る非晶質から構成される、あるいは主
としてケイ素と炭素から成る非晶質と炭化ケイ素の微結
晶から構成される、あるいは主として炭素から戒る非晶
質と炭化ケイ素の微結晶から構成される、あるいは炭素
の微結晶と炭化ケイ素の微結晶か−ら構成される構造を
有するものであるか、あるいは炭化ケイ素の微結晶から
構成される連続無機繊維である。また、本発明において
得られる炭化ケイ素繊維中に酸素が含まれる場合がある
がその酸素は、原料ポリマー中に含まれていた不純物酸
素が、焼成後まで繊維中に残存したものであり、その量
は0.5wt%以下の非常にわずかな量である。従って
、本発明で得られた炭化ケイ素繊維は耐熱性及び耐酸化
性に優れており、1500’C以上の高温においても特
性低下は示されなかった。
また、前記放射線照射において、架橋促進剤としてアン
モニア等の窒素含有ガスを用いた場合、焼成後に得られ
た繊維中に窒素ガスが含まれる場合があるが、その量は
lvt%以下であり、炭化ケイ素1gl維の高温特性に
は影響をおよぼさない。
モニア等の窒素含有ガスを用いた場合、焼成後に得られ
た繊維中に窒素ガスが含まれる場合があるが、その量は
lvt%以下であり、炭化ケイ素1gl維の高温特性に
は影響をおよぼさない。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基いて説明する。
〔実施例−1〕
5pの三ロフラスコに無水キシレン2.51とナトリウ
ム400gとを入れ、N2ガス気流中でキシレンの沸点
まで加熱し、ジメチルジクロロシラン11を1時間で滴
下した0滴下終了後、10時間加熱還流し沈澱物を失敗
させた。この沈澱をを濾過し、まずメタノールで洗浄し
た後、水で洗浄しポリジメチルシラン420gを得た。
ム400gとを入れ、N2ガス気流中でキシレンの沸点
まで加熱し、ジメチルジクロロシラン11を1時間で滴
下した0滴下終了後、10時間加熱還流し沈澱物を失敗
させた。この沈澱をを濾過し、まずメタノールで洗浄し
た後、水で洗浄しポリジメチルシラン420gを得た。
このポリジメチルシラン250gに、ジフェニルジクロ
ロシラン759gとホウ酸1249をN2ガス雰囲気中
、n−ブチルエーテル中、100〜120℃の温度で加
熱し、失敗した白色樹脂状物を、さらに真空中、400
℃で1時間加熱することによって得られたポリボロジフ
ェニルシロキサン8.27gを添加混合し、還流管を備
えた2J)の石英管中で370℃まで加熱し6時間重合
し、シロキサン結合を一部含むポリカルボシランを得た
。室温で放冷後ベンゼンを加えて溶液として取り出しが
通接、ベンゼンを蒸発させ、14G(lの樹脂状ポリカ
ルボシランを得た。このポリカルボシランを紡糸装置を
用いてN2ガス中335℃に加熱溶融して、300μm
の口金より、50011/II i nの紡糸速度で溶
融紡糸して直径13μmのポリカルボシラン繊維を得た
。このポリカルボシラン繊維を高温加熱装置を装備した
、電離放射線照射容器に入れ、真空中、2Me V、4
mAで電子線を10MGy照射した。照射後、装備した
高温加熱装置にて真空中、100℃/して1300℃ま
で加熱し1300℃で1時間保持した後、室温まで徐冷
して酸素含有量0.5wtX以下の炭化ケイ素繊維を得
た。得られたwi維の引張強度は3゜0GPa、ヤング
率は290G P aであり、さらに半導体特性を有し
ていた。得られた炭化ケイ素繊維を1900℃で熱処理
し、徐冷後、引張試験を行った結果、引張強度は3、I
GPa、ヤング率は380G P aとなり、強度は低
下せず、ヤング率は向上した。tた、得られた炭化ケイ
素*siヲ1eoo℃(or 1700℃)で100時
間、空気中およびA「ガス中で熱処理しても特性の低下
は観察されなかった。
ロシラン759gとホウ酸1249をN2ガス雰囲気中
、n−ブチルエーテル中、100〜120℃の温度で加
熱し、失敗した白色樹脂状物を、さらに真空中、400
℃で1時間加熱することによって得られたポリボロジフ
ェニルシロキサン8.27gを添加混合し、還流管を備
えた2J)の石英管中で370℃まで加熱し6時間重合
し、シロキサン結合を一部含むポリカルボシランを得た
。室温で放冷後ベンゼンを加えて溶液として取り出しが
通接、ベンゼンを蒸発させ、14G(lの樹脂状ポリカ
ルボシランを得た。このポリカルボシランを紡糸装置を
用いてN2ガス中335℃に加熱溶融して、300μm
の口金より、50011/II i nの紡糸速度で溶
融紡糸して直径13μmのポリカルボシラン繊維を得た
。このポリカルボシラン繊維を高温加熱装置を装備した
、電離放射線照射容器に入れ、真空中、2Me V、4
mAで電子線を10MGy照射した。照射後、装備した
高温加熱装置にて真空中、100℃/して1300℃ま
で加熱し1300℃で1時間保持した後、室温まで徐冷
して酸素含有量0.5wtX以下の炭化ケイ素繊維を得
た。得られたwi維の引張強度は3゜0GPa、ヤング
率は290G P aであり、さらに半導体特性を有し
ていた。得られた炭化ケイ素繊維を1900℃で熱処理
し、徐冷後、引張試験を行った結果、引張強度は3、I
GPa、ヤング率は380G P aとなり、強度は低
下せず、ヤング率は向上した。tた、得られた炭化ケイ
素*siヲ1eoo℃(or 1700℃)で100時
間、空気中およびA「ガス中で熱処理しても特性の低下
は観察されなかった。
〔実施例−2〕
実施例1のようにして得られたポリジメチルシラン30
0gを還流冷却器を備えた31の反応容器に入れる。N
2ガス気流中で撹拌しながら容器内が450℃になるよ
うに徐々に加熱し、450℃で15時間保持し、反応を
行う、冷却後、反応生成物をキシレン溶液として取り出
し、濾過後140℃に加熱してキシレンを蒸発させ、1
62gの樹脂状のポリカルボシランを得た。このポリカ
ルボシランを紡糸装置を用いて、N2ガス中約300℃
に加熱溶融して、300μmの口金より溶融紡糸して直
径13.5μmのポリカルボン9フ1 ポリカルボシラン繊維を高温加熱装置を装備した電離放
射線照射容器に入れC2 H2ガス中、2MeV、5m
Aで電子線を0. 8M G V照射する。
0gを還流冷却器を備えた31の反応容器に入れる。N
2ガス気流中で撹拌しながら容器内が450℃になるよ
うに徐々に加熱し、450℃で15時間保持し、反応を
行う、冷却後、反応生成物をキシレン溶液として取り出
し、濾過後140℃に加熱してキシレンを蒸発させ、1
62gの樹脂状のポリカルボシランを得た。このポリカ
ルボシランを紡糸装置を用いて、N2ガス中約300℃
に加熱溶融して、300μmの口金より溶融紡糸して直
径13.5μmのポリカルボン9フ1 ポリカルボシラン繊維を高温加熱装置を装備した電離放
射線照射容器に入れC2 H2ガス中、2MeV、5m
Aで電子線を0. 8M G V照射する。
照射後、容器内をA「ガスに置換した後、装備した高温
加熱装置を用いて、Arガス中、100℃/して120
0℃まで昇温し、1200℃で1時間保持した後、室温
まで徐冷して、酸素含有量0. 5wt%以下の炭化ケ
イ素繊維を得た.得られた繊維の引張強度は3.3GP
a、ヤング率は300G P aであった。
加熱装置を用いて、Arガス中、100℃/して120
0℃まで昇温し、1200℃で1時間保持した後、室温
まで徐冷して、酸素含有量0. 5wt%以下の炭化ケ
イ素繊維を得た.得られた繊維の引張強度は3.3GP
a、ヤング率は300G P aであった。
この炭化ケイ素繊維を2000℃で熱処理した後、引張
試験を行った結果、強度は熱処理前とほぼ同じであった
が、ヤング率は410G P aを示し、向上した。
試験を行った結果、強度は熱処理前とほぼ同じであった
が、ヤング率は410G P aを示し、向上した。
〔実施例−3〕
電気炉、冷却器、循環ポンプ、捕集用フラスコを備えた
循環式反応装置に、装置内を窒素ガスで置換した後、テ
トラメチルシラン1009を入れ、加熱し反応筒が77
0℃になった後、テトラメチルシラン蒸気(テトラメチ
ルシランの沸点は27℃であり、室温における蒸気圧は
十分に高い)を循環ポンプにて繰返し反応筒内へ流し、
24時間反応を行った0反応終了後、室温まで冷却し、
捕集用フラスコ内の液状生成物をn−ヘキサン溶液とし
C取り出し、枦遇した後減圧蒸留により、200℃/
1 rm H Qの沸点までの低分子量成分を除去し、
6、8gの赤褐色固体状のポリカルボシランを得た。
循環式反応装置に、装置内を窒素ガスで置換した後、テ
トラメチルシラン1009を入れ、加熱し反応筒が77
0℃になった後、テトラメチルシラン蒸気(テトラメチ
ルシランの沸点は27℃であり、室温における蒸気圧は
十分に高い)を循環ポンプにて繰返し反応筒内へ流し、
24時間反応を行った0反応終了後、室温まで冷却し、
捕集用フラスコ内の液状生成物をn−ヘキサン溶液とし
C取り出し、枦遇した後減圧蒸留により、200℃/
1 rm H Qの沸点までの低分子量成分を除去し、
6、8gの赤褐色固体状のポリカルボシランを得た。
このポリカルボシランを紡糸装置を用いて、N2ガス中
約260℃に加熱溶融して、300μmの口金より溶融
紡糸して、直径22μmのポリカルボシラン繊維を得た
。高温加熱装置を装備した電離放射線照射容器を用いて
、ポリカルボシラン繊維に0.5MPaの張力を作用さ
せながら、Heガス中、2MeV、7.5mA″C″電
子線を15MGV照射する。
約260℃に加熱溶融して、300μmの口金より溶融
紡糸して、直径22μmのポリカルボシラン繊維を得た
。高温加熱装置を装備した電離放射線照射容器を用いて
、ポリカルボシラン繊維に0.5MPaの張力を作用さ
せながら、Heガス中、2MeV、7.5mA″C″電
子線を15MGV照射する。
この時、装備した加熱装置を用いて、照射と同時に加熱
を開始し、1200℃まで昇温する。さらに、1200
℃で1時間保持した後、室温まで徐冷して、酸素含有量
0.5wt%以下の炭化ケイ素繊維を得た。
を開始し、1200℃まで昇温する。さらに、1200
℃で1時間保持した後、室温まで徐冷して、酸素含有量
0.5wt%以下の炭化ケイ素繊維を得た。
ただし、この加熱の際の昇温速度は、電子線照射時は5
0℃/し、照射後は100℃/して行った。得られた炭
化ケイ素1N維の引張速度は3.6GPa、ヤング率は
310G P aであった。また得られた炭化ケイ素繊
維は1900℃で熱処理を行っても中強度低下は観察さ
れず、ヤング率は390G P aに向上した。また、
得られた炭化ケイ素IIl維を空気中、1700℃で熱
処理を行っても強度低下は観察されなかった。
0℃/し、照射後は100℃/して行った。得られた炭
化ケイ素1N維の引張速度は3.6GPa、ヤング率は
310G P aであった。また得られた炭化ケイ素繊
維は1900℃で熱処理を行っても中強度低下は観察さ
れず、ヤング率は390G P aに向上した。また、
得られた炭化ケイ素IIl維を空気中、1700℃で熱
処理を行っても強度低下は観察されなかった。
〔実施例−4〕
実施例2で得られたポリカルボシラン繊維をN H3ガ
ス(ガス)虚度はポリカルボシラン1g当り 2.3x
1O−3n+oJl )と共に耐熱照射容器に入れ、
0060γ線を15KGy/Lの線量率で3.5MGV
照射した。照射後、照射容器を電気炉内に入れ、照射容
器内を真空引きしながら、100℃/Lで、1100″
Cまで昇温し、1100℃で1時間保持した後、室温ま
で徐冷して、窒素含有量0.7wt% 、酸素含有量0
.5wt%以下の炭化ケイ素繊維を得た。この炭化ケイ
素繊維の引張強度は2.90Pa、ヤング率は270G
P aであった。この炭化ケイ素′a維をArガス中
、1700℃で熱処理した場合、強度は3.3 GPa
、ヤング率は2800 P aになり、また、空気中
、1700℃で熱処理した場合、強度は3.20Pa
、ヤング率は380G P aになり、空気中、Arガ
ス中、いずれの場合も強度およびヤング率は向上する傾
向を示した。
ス(ガス)虚度はポリカルボシラン1g当り 2.3x
1O−3n+oJl )と共に耐熱照射容器に入れ、
0060γ線を15KGy/Lの線量率で3.5MGV
照射した。照射後、照射容器を電気炉内に入れ、照射容
器内を真空引きしながら、100℃/Lで、1100″
Cまで昇温し、1100℃で1時間保持した後、室温ま
で徐冷して、窒素含有量0.7wt% 、酸素含有量0
.5wt%以下の炭化ケイ素繊維を得た。この炭化ケイ
素繊維の引張強度は2.90Pa、ヤング率は270G
P aであった。この炭化ケイ素′a維をArガス中
、1700℃で熱処理した場合、強度は3.3 GPa
、ヤング率は2800 P aになり、また、空気中
、1700℃で熱処理した場合、強度は3.20Pa
、ヤング率は380G P aになり、空気中、Arガ
ス中、いずれの場合も強度およびヤング率は向上する傾
向を示した。
〔実施例5〕
実施例1で得られたポリジメチルシラン250qを容量
が11の誘導回転式オートクレーブに入れ、真空ポンプ
で脱気後1気圧のアルゴンガスを封入する。撹拌しなが
ら、容器内の温度が470℃になるように加熱し、47
0°Cで14時間保持する6反応終了後、容器内の圧力
は約105mg/−であった。
が11の誘導回転式オートクレーブに入れ、真空ポンプ
で脱気後1気圧のアルゴンガスを封入する。撹拌しなが
ら、容器内の温度が470℃になるように加熱し、47
0°Cで14時間保持する6反応終了後、容器内の圧力
は約105mg/−であった。
その後、室温まで冷却し反応生成物をn−ヘキサン溶液
として取り出し、と通接、減圧蒸留によって280℃/
IIIIIH(Iまでの沸点を有する低分子量生成物を
除去し、147qの樹脂状のポリカルボシランを得た。
として取り出し、と通接、減圧蒸留によって280℃/
IIIIIH(Iまでの沸点を有する低分子量生成物を
除去し、147qの樹脂状のポリカルボシランを得た。
このポリカルボシランをキシレンを溶媒として、乾式紡
糸装置を用いて、N2ガス雰囲気中で400μmの口金
より紡糸して、直径25μmのポリカルボシラン繊維を
得た。このポリカルボシラン繊維を゛耐熱照射容器に入
れ、真空中、2MeV(OrIMeV)で電子線を15
MGv照射した。この時、電子線の電流を2mAから3
0m Aまで段階的に増加させ、電子線照射による誘導
加熱を利用し、電子線照射と同時に800’Cまで焼成
を行った。照射後、照射容器を電気炉内に入れ、照射容
器内をN2ガス雰囲気にした後、室温から800℃まで
は400℃/し、800℃以上は100℃/して110
0℃まで昇温し、1100℃で1時間保持した後、室温
まで徐冷して、酸素含有量0.5wt%以下の炭化ケイ
素繊維を得た。この炭化ケイ素繊維の引張強度は2,5
GPa 、ヤング率は280G P aであった。この
繊維を1850℃N2ガス中あるいは空気中いずれの雰
囲気で熱処理しても、強度の低下は観測されなかった。
糸装置を用いて、N2ガス雰囲気中で400μmの口金
より紡糸して、直径25μmのポリカルボシラン繊維を
得た。このポリカルボシラン繊維を゛耐熱照射容器に入
れ、真空中、2MeV(OrIMeV)で電子線を15
MGv照射した。この時、電子線の電流を2mAから3
0m Aまで段階的に増加させ、電子線照射による誘導
加熱を利用し、電子線照射と同時に800’Cまで焼成
を行った。照射後、照射容器を電気炉内に入れ、照射容
器内をN2ガス雰囲気にした後、室温から800℃まで
は400℃/し、800℃以上は100℃/して110
0℃まで昇温し、1100℃で1時間保持した後、室温
まで徐冷して、酸素含有量0.5wt%以下の炭化ケイ
素繊維を得た。この炭化ケイ素繊維の引張強度は2,5
GPa 、ヤング率は280G P aであった。この
繊維を1850℃N2ガス中あるいは空気中いずれの雰
囲気で熱処理しても、強度の低下は観測されなかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ポリカルボシラン等のSi−C骨格を有する有機ケイ素
系ポリマーから成る原料ポリマーを不活性ガス(N_2
,Ar,He)中、100°から500℃の温度で融解
し、溶融紡糸するか、あるいはベンゼン、ヘキサン、ト
ルエン、キシレン、テトラヒドロフラン等の良溶媒に原
料ポリマーを溶かし、室温から300℃の温度で乾式ま
たは湿式紡糸して有機ポリマー繊維を合成し、 高温加熱装置を装備した電離放射線照射容器あるいは耐
熱照射容器を使用して、前記有機ポリマー繊維に真空中
および不活性ガス(H_2,Ar,He)中で電子線、
γ線等の電離放射線を照射するか、あるいは前記有機ケ
イ素ポリマー繊維に、エチレン、アセチレン等の鎖式不
飽和炭化水素およびアンモニアなどの非酸化性の活性ガ
スを架橋促進剤として用いて、電子線、γ線等の電離放
射線を照射した後、有機ケイ素ポリマー繊維を、空気等
の酸化性雰囲気にさらすことなく、真空中および不活性
ガス(N_2,Ar,He)中、500°〜2000℃
の少なくともセラミックス化が完了する温度以上で焼成
するか、あるいは前記放射線照射の際に、同時に焼成を
行い、その際に接触する繊維が互いに融着しないように
温度を制御しながら焼成を行うことを特徴とする高温特
性に優れた炭化ケイ素繊維を製造する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173730A JP2817955B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 高温特性に優れた炭化ケイ素系繊維の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1173730A JP2817955B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 高温特性に優れた炭化ケイ素系繊維の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0340814A true JPH0340814A (ja) | 1991-02-21 |
JP2817955B2 JP2817955B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=15966076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1173730A Expired - Lifetime JP2817955B2 (ja) | 1989-07-05 | 1989-07-05 | 高温特性に優れた炭化ケイ素系繊維の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2817955B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007076950A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Japan Atomic Energy Agency | ケイ素系混合高分子材料による炭化ケイ素(SiC)薄膜の合成法 |
JP2008126227A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tokai Carbon Korea Co Ltd | 表面にセラミックがコーティングされた金属及びその製造方法 |
CN106948031A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-07-14 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 超细丝束碳化硅纤维的制备方法 |
-
1989
- 1989-07-05 JP JP1173730A patent/JP2817955B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007076950A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Japan Atomic Energy Agency | ケイ素系混合高分子材料による炭化ケイ素(SiC)薄膜の合成法 |
JP2008126227A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tokai Carbon Korea Co Ltd | 表面にセラミックがコーティングされた金属及びその製造方法 |
CN106948031A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-07-14 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 超细丝束碳化硅纤维的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2817955B2 (ja) | 1998-10-30 |
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