JP2007067215A - 回路基板、回路基板の製造方法および回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の回路基板10Aは、半導体基板11の下面を部分的に窪ませて設けられて回路素子28を収納可能な凹部27が設けられている。更に、半導体基板11の上面からは、凹部27の内部まで延在する接続電極16B、16Cが形成されている。従って、回路素子28を半導体基板11の厚み部分に収納可能なので、多数個の回路素子が回路基板10Aに実装されても、装置全体の大型化を抑止することができる。
【選択図】図1
Description
本形態では、図1および図2を参照して、回路基板の構造を説明する。図1(A)は回路基板10Aの断面図であり、図1(B)は回路基板10Aの凹部27の部分を拡大した断面図である。また、図1(C)は他の形態の凹部27を示す断面図である。
図3から図5を参照して、他の形態の回路基板10Bの構成を説明する。図3(A)は回路基板10Bの断面図であり、図3(B)および図3(C)は回路基板10Bの凹部27の部分を拡大した断面図である。
、接合材26を介して接続電極16B、16Cの先端部と接続されている。
本形態では、図6および図7を参照して、図1(A)に示した構成の回路基板10Aの製造方法を説明する。
開口部41B、41Cからは後の工程にて凹部27まで延在する接続孔17B、17Cが形成される。接続孔17B、17Cは半導体基板11を貫通しても良いし、貫通しなくても良い。従って、開口部41B、41Cの幅W3、W2は、例えば10μm〜40μmの範囲でよい。
本実施の形態では、図8および図9を参照して、図3に構造を示した回路基板10Bの製造方法を説明する。本形態の製造方法は、基本的には上述した第3の実施の形態と同様であり、相違点は半導体基板が積層された積層基板32を用いる点にある。この相違点を中心に、本形態の回路基板の製造方法を以下に説明する。
11 半導体基板
12 絶縁膜
13 貫通電極
14 第1導電パターン
15 第2導電パターン
16A〜16D 接続電極
17A〜17D 接続孔
18 回路素子
19 バンプ電極
20A、20B、20C 回路装置
21 外部電極
22 被覆層
23 貫通孔
25 金属細線
26 接合材
27 凹部
28 回路素子
29 金属膜
30 実装基板
31 導電路
32 積層基板
32A 第1半導体基板
32B 第2半導体基板
32C 絶縁層
36 アンダーフィル
37 封止樹脂
40A、40B エッチングマスク
41A〜41D 開口部
42 開口部
43 接着剤
44 支持基板
45 開口部
Claims (21)
- 半導体から成る半導体基板と、
前記半導体基板の一主面を部分的に窪ませた凹部と、
前記半導体基板の他主面から前記凹部まで延在する第1接続電極とを具備することを特徴とする回路基板。 - 前記半導体基板の他主面には導電パターンが形成され、
前記第1接続電極を介して、前記凹部に収納された回路素子と前記導電パターンとを接続することを特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 前記半導体基板の一主面または他主面には導電パターンが形成され、
前記半導体基板に接続された第2接続電極により、前記導電パターンが前記半導体基板と電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 前記第2接続電極を介して、前記半導体基板を接地電位または電源電位に接続することを特徴とする請求項3記載の回路基板。
- 前記半導体基板の一主面および他主面には、第1導電パターンおよび第2導電パターンが形成され、
前記半導体基板を貫通する貫通電極により前記第1導電パターンと前記第2導電パターンが接続されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 前記凹部には、チップ型の回路素子が収納されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 絶縁層を介して積層された第1半導体基板および第2半導体基板から成る積層基板と、
前記積層基板の一主面を部分的に窪ませた凹部と、
前記積層基板の他主面から前記凹部まで延在する第1接続電極とを具備することを特徴とする回路基板。 - 前記積層基板の他主面には導電パターンが形成され、
前記第1接続電極を介して、前記凹部に収納された回路素子と前記導電パターンとを接続することを特徴とする請求項7記載の回路基板。 - 前記凹部は、前記第1半導体基板または前記第2半導体基板を部分的に除去して設けられ、前記凹部の下面には、前記絶縁層が露出することを特徴とする請求項7記載の回路基板。
- 前記積層基板の一主面または他主面には導電パターンが形成され、
前記積層基板に形成された第2接続電極を介して、前記導電パターンは前記第1半導体基板または前記第2半導体基板と接続されることを特徴とする請求項7記載の回路基板。 - 前記積層基板の一主面および他主面には、第1導電パターンおよび第2導電パターンが形成され、
前記積層基板を貫通する貫通電極により前記第1導電パターンと前記第2導電パターンが接続されることを特徴とする請求項7記載の回路基板。 - 前記凹部には、チップ型の回路素子が収納されることを特徴とする請求項7記載の回路基板。
- 半導体から成る半導体基板を一主面からエッチングして、前記半導体基板を厚み方向に延在する第1接続孔を形成する工程と、
前記第1接続孔が形成された領域の前記半導体基板を、他主面からエッチングすることにより、底部に前記第1接続孔が露出して且つ回路素子が収納可能な凹部を形成する工程と、
前記接続孔に導電材料を形成して第1接続電極を設ける工程を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電材料を形成して貫通電極を設ける工程を具備し、
前記貫通孔は、前記凹部または前記第1接続電極を形成するエッチングの工程にて同時に形成されることを特徴とする請求項13記載の回路基板の製造方法。 - 前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する第2接続孔を形成し、前記第2接続孔に導電材料を形成して第2接続電極を形成する工程を具備し、
前記第2接続孔は、前記凹部を形成する工程または前記第1接続電極を形成する工程にて同時に形成されることを特徴とする請求項13記載の回路基板の製造方法。 - 第1半導体基板および第2半導体基板が絶縁層を介して積層された積層基板を用意する工程と、
前記積層基板の一主面からエッチングを行い、前記積層基板を厚み方向に延在する第1接続孔を形成する工程と、
前記第1接続孔が形成された領域の前記積層基板を、他主面からエッチングすることにより、底部に前記第1接続孔が露出して且つ回路素子が収納可能な凹部を形成する工程と、
前記第1接続孔に導電材料を形成して第1接続電極を設けることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記凹部を形成する工程では、
前記絶縁層が露出されるまでエッチングを行うことを特徴とする請求項16記載の回路基板の製造方法。 - 前記積層基板を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電材料を形成して貫通電極を設ける工程を具備し、
前記貫通孔は、前記凹部または前記第1接続電極を形成するエッチングの工程にて同時に形成されることを特徴とする請求項16記載の回路基板の製造方法。 - 前記第1半導体基板または前記第2半導体基板の途中まで延在する第2接続孔を形成し、前記第2接続孔に導電材料を形成して第2接続電極を形成する工程を具備し、
前記第2接続孔は、前記凹部を形成する工程または前記第1接続電極を形成する工程にて同時に形成されることを特徴とする請求項16記載の回路基板の製造方法。 - 半導体から成る半導体基板と、
前記半導体基板の一主面を部分的に窪ませた凹部と、
前記半導体基板の他主面から前記凹部まで延在する第1接続電極と、
前記凹部に収納されて前記第1接続電極に接続された回路素子とを具備することを特徴とする回路装置。 - 絶縁層を介して積層された第1半導体基板および第2半導体基板から成る積層基板と、
前記積層基板の一主面を部分的に窪ませた凹部と、
前記積層基板の他主面から前記凹部まで延在する第1接続電極と、
前記凹部に収納されて前記第1接続電極に接続された回路素子とを具備することを特徴とする回路装置。
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