JP4678720B2 - 回路基板およびその製造方法、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本形態では、図1および図2を参照して、回路基板および半導体装置の構造を説明する。
本形態では、図3および図4を参照して、半導体基板11の一方の主面のみからエッチングを行うことで、上記した接続孔32および貫通孔23を同時に形成する回路基板の製造方法を説明する。
本形態では、図5を参照して、他の形態の回路基板の製造方法を説明する。具体的には、半導体基板11の上面から内部に延在する接続電極16および下面から内部に延在する接続電極17を有する回路基板の製造方法を説明する。即ち、図1(A)に示す構造の回路装置10の製造方法を説明する。ここで、基本的な製造方法は、上述した第2の実施の形態と同様であるので、相違点を中心に説明する。
本形態では、図6を参照して、部分的に幅が広く形成された貫通電極13を有する回路基板の製造方法を説明する。
図7を参照して、第5の実施の形態を説明する。本形態では、半導体基板11の両主面からエッチングを行うことで、貫通孔および接続孔を形成する回路基板の製造方法を説明する。
11 半導体基板
12 絶縁膜
13 貫通電極
14 第1の導電パターン
15 第2の導電パターン
16 接続電極
17 接続電極
18 回路素子
18A チップ素子
18B 半導体素子
19 バンプ電極
20A、20B 回路装置
21 外部電極
22 被覆層
23 貫通孔
24 凹部
25 金属細線
26 接合剤
27 接続孔
28 露出部
29 金属膜
30 実装基板
31 導電路
32 接続孔
33 開口部
34 エッチングマスク
35 バリヤ膜
36 アンダーフィル
37 封止樹脂
40 エッチングマスク
41 第1の開口部
42 第2の開口部
43 接着剤
44 支持基板
45 第1のエッチングマスク
46 第2のエッチングマスク
47、48 第1の開口部
49、50 第2の開口部
Claims (26)
- 半導体基板と、
前記半導体基板を厚み方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の内部に設けられた貫通電極と、
前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔と、
少なくとも前記接続孔の側壁を被覆する絶縁膜と、
前記接続孔の内部に形成されて前記半導体基板と電気的に接続された接続電極とを具備し、
前記接続電極の内側の端部は、前記接続孔の底部に露出する前記半導体基板の半導体材料と接触することを特徴とする回路基板。 - 前記接続電極は、前記貫通電極よりも細く形成されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記半導体基板は、不純物が導入された半導体から成ることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記半導体基板は、前記接続電極を介して接地電位と接続されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記貫通電極は、前記貫通孔の内壁に設けた絶縁膜により前記半導体基板と絶縁されていることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記半導体基板の少なくとも一方の主面には、絶縁層を介して導電パターンが形成され、
前記接続電極を介して、前記導電パターンと前記半導体基板とを同電位にすることを特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 前記接続電極と前記半導体基板とは、バリヤ膜を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記回路基板の一方の主面には、高周波で動作する半導体素子が固着され、
前記回路基板の他方の主面は実装基板に固着されることを特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 半導体基板を貫通する貫通孔に埋設された貫通電極と、前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔に埋設されて前記半導体基板と電気的に接続された接続電極とを具備する回路基板の製造方法に於いて、
前記貫通孔よび前記接続孔を、前記半導体基板の一方の主面から行うエッチングにより形成する工程と、
前記貫通孔および前記接続孔の内壁を絶縁膜により被覆する工程と、
前記貫通孔の内部に導電材料を形成することにより前記貫通電極を形成し、前記接続孔の底部に位置する前記絶縁膜を除去した後に、前記接続孔の内部に導電材料を形成することにより、前記半導体基板と電気的に接続された前記接続電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 半導体基板を用意する工程と、
第1の開口部および前記第1の開口部よりも小さい第2の開口部を有するエッチングマスクにより、前記半導体基板の一方の主面を被覆する工程と、
前記エッチングマスクを介して前記半導体基板を一方の主面からエッチングすることにより、前記半導体基板を貫通する貫通孔を第1の開口部から形成し、更に、前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔を第2の開口部から形成する工程と、
前記貫通孔および前記接続孔の内壁を絶縁膜により被覆する工程と、
前記貫通孔の内部に導電材料を形成することにより貫通電極を形成し、前記接続孔の底部に位置する前記絶縁膜を除去した後に、前記接続孔の内部に導電材料を形成することにより、前記半導体基板と電気的に接続された接続電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記第2の開口部から進行するエッチングのエッチングレートは、前記第1の開口部から進行するエッチングのエッチングレートよりも小さいことを特徴とする請求項10記載の回路基板の製造方法。
- 半導体基板を貫通する貫通孔に埋設された貫通電極と、前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔に埋設されて前記半導体基板と電気的に接続された接続電極とを具備する回路基板の製造方法に於いて、
前記半導体基板の両主面から行うエッチングにより、前記貫通孔および前記接続孔を形成する工程と、
前記貫通孔および前記接続孔の内壁を絶縁膜により被覆する工程と、
前記貫通孔の内部に導電材料を形成することにより前記貫通電極を形成すると共に、前記接続孔の底部に位置する前記絶縁膜を除去した後に、前記接続孔の内部に導電材料を形成することにより、前記半導体基板と電気的に接続された前記接続電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の一方の主面を、第1の開口部を設けた第1のエッチングマスクにより被覆し、前記半導体基板の他方の主面を、第2の開口部を設けた第2のエッチングマスクにより被覆する工程と、
前記半導体を両主面からエッチングすることにより、前記第1の開口部および前記第2の開口部の両方からエッチングを進行させて前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記第1の開口部または前記第2の開口部から進行するエッチングにより、前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔を形成する工程と、
前記貫通孔および前記接続孔の内壁を絶縁膜により被覆する工程と、
前記貫通孔の内部に導電材料を形成することにより貫通電極を形成すると共に、前記接続孔の底部に位置する前記絶縁膜を除去した後に、前記接続孔の内部に導電材料を形成することにより、前記半導体基板と電気的に接続された接続電極を形成する工程と、
を具備することを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記半導体基板の両主面を同時にエッチングすることで、前記接続孔および前記貫通孔を同時に形成することを特徴とする請求項12または請求項13記載の回路基板の製造方法。
- 前記半導体基板の一方の主面から行うエッチングと、他方の主面から行うエッチングとを個別に行うことを特徴とする請求項12または請求項13記載の回路基板の製造方法。
- 前記第1の開口部と前記第2の開口部との平面的な位置を重畳させることで、前記半導体基板の両主面から行うエッチングにより前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項13記載の回路基板の製造方法。
- 前記第1の開口部と前記第2の開口部との平面的な大きさを異ならせることを特徴とする請求項13記載の回路基板の製造方法。
- 半導体基板を用意する工程と、
複数のサイズの異なるエッチング領域を介してエッチングし、エッチング領域のサイズに起因するエッチングスピードの差により、前記半導体基板を貫通する第1の孔と、前記半導体基板を貫通しない第2の孔を形成する工程と、
前記第1の孔および前記第2の孔を、絶縁膜により被覆する工程と、
前記第1の孔の内部に導電材料を形成することにより貫通電極を形成すると共に、前記第2の孔の底部に位置する前記絶縁膜を除去した後に、前記第2の孔の内部に導電材料を形成することにより、前記半導体基板と電気的に接続された接続電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の孔、前記第2の孔の少なくとも側壁は絶縁処理され、
前記第1の孔には、半導体基板の表および裏に形成予定のデバイス電極を電気的に接続する導電被膜が形成され、
前記第2の孔には、半導体基板の表または裏のGNDまたはVcc電極を半導体基板に接続する導電被膜が形成されることを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の少なくとも一方の面には、配線が複数層に渡り形成され、この半導体基板を実装基板として用いて回路素子を実装することを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板は、電極を有するフレキシブルシートに実装されることを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体実装基板に半導体素子が実装された半導体装置であり、
前記半導体実装基板は、
前記半導体素子と実質的に同一材料から成る半導体基板と、
前記半導体基板を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極と、
前記貫通電極を介して接続されると共に、前記半導体基板の表面および裏面に設けられた表面電極および裏面電極と、
前記半導体基板を厚み方向に途中まで延在する接続孔と、
少なくとも前記接続孔の側壁を被覆する絶縁膜と、
前記接続孔の内部に形成されて前記半導体基板と電気的に接続された接続電極とを具備し、
前記接続電極の内側の端部は、前記接続孔の底部に露出する前記半導体基板の半導体材料と接触することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体実装基板には、少なくとも前記半導体素子を覆う封止材料が設けられることを特徴とする請求項22記載の半導体装置。
- 前記半導体実装基板の裏面には、更に電極を有するフレキシブル基板が設けられることを特徴とする請求項22記載の半導体装置。
- 前記半導体実装基板を露出し、GNDまたはVccに固定する電極が設けられることを特徴とする請求項22記載の半導体装置。
- 前記GNDまたはVccに固定する電極は、前記半導体実装基板の凹み部から成る露出部と接続されることを特徴とする請求項25に記載の半導体装置。
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