JP2007066932A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置が、複数の配線により形成された配線パターンを有する下部基板と、下部基板の上方に位置し、かつ配線と電気的に接続された半導体チップと、半導体チップを柱状かつ実質的に封止する中間部材と、中間部材の上面の全てを実質的に覆う樹脂板とを備え、樹脂板の熱膨張率と下部基板の熱膨張率とをほぼ同じにする。
【選択図】 図1
Description
上記の特許文献1では、ガラスエポキシ樹脂で形成された配線基板に搭載した半導体チップを配線基板と熱膨張率がほぼ等しい封止樹脂層で封止しているので、封止工程において封止樹脂層を加熱硬化させても、そのときに反りは生じないが、配線基板の熱膨張率が封止樹脂層の熱膨張率より小さい場合は、封止工程における封止樹脂層の加熱硬化後の冷却時に熱膨張率の差に起因する反り、つまり加熱硬化後の冷却時に、封止樹脂層がより多く収縮して皿型の反りが生じることになる。
上記のことは、結果として半導体装置の製造効率を低下させることになる。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、配線基板の熱膨張率が封止樹脂層と相違する場合における半導体装置の反りを低減する手段を提供することを目的とする。
図1において、1は半導体装置である。
2は下部基板としての配線基板であり、ガラス繊維からなるウィスカを含有した、またはガラス繊維からなる布を埋め込んだガラスエポキシ樹脂により形成された基板であって、そのおもて面には図2に示す複数の配線3からなる配線パターン4が形成され、配線3の所定の部位には基板ボールパッド5が複数形成されている。
6は半導体チップであり、その下面には複数のバンプ7が配置され、その上面には複数のチップボールパッド8が配置されており、配線3に形成された基板ボールパッド5に最下層の半導体チップ6のバンプ7がフリップチップ方式で電気的に接続され、その上方に複数の半導体チップ6が互いのチップボールパッド8とバンプ7とをフリップチップ方式で電気的に接続して積層されている。本実施例では半導体チップ6が8層に積層されている。
本実施例の封止樹脂層9は、射出成形に用いる粒状のエポキシ樹脂を溶融させた封止剤9aを射出成形により充填して形成され、その熱膨張率αbは6〜10×10−6/℃程度であり、上記のガラスエポキシ樹脂からなる配線基板2の熱膨張率αaより小さい熱膨張率αbを有している。
また、樹脂板10の下面、つまり封止樹脂層9側の面には封止樹脂層9との密着性を向上させるためにエッチング等の化学的な方法やショットピーニング等の機械的な方法等により表面を梨子地状にするの表面処理が施されている。
11は外部端子であり、配線基板2の裏面に配置され、配線基板2のおもて面の所定の配線3と電気的に接続された半田合金等の材料で形成された端子であって、半導体装置1と図示しない実装基板の実装端子とを電気的に接続する機能を有している。
図3、図4は実施例1の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
図3、図4において、15は下部金型であり、配線基板2を嵌合して搭載するための配線基板2の大きさと略同等の大きさの開口を有し、配線基板2の厚さと略同じ深さの基板搭載穴15aが設けられた矩形の金型である。
以下に、図3、図4を用い、Pで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
P1(図3)、上面に複数の配線3により形成された配線パターン4の所定の部位に基板ボールパッド5を形成した配線基板2を準備し、配線3上の基板ボールパッド5に最下層の半導体チップ6の下面のバンプ7を合わせて載置する。
P4(図4)、上部金型16に、別に準備した樹脂板10の下面を封止樹脂層9の側に向けて嵌合し、上部板搭載穴16aの底面に保持させて搭載する。
P5(図4)、射出成形機に配線基板2を搭載した下部金型15と、樹脂板10を搭載した上部金型16とを組合せて設置した後に、溶融させた液状の封止剤9aを注入口17から注入して積層された半導体チップ6の間、最下層の半導体チップ6と配線基板2との間および最上層の半導体チップ6と樹脂板10との間、並びに積層された半導体チップ6の周囲に封止剤9aを充填し、その後封止剤9aを160〜200℃程度の温度で熱処理して加熱硬化させ、柱状の封止樹脂層9を形成する。
P6(図4)、封止樹脂層9の硬化後に、上部金型16を開いて下部金型15から樹脂板10との間に積層された半導体チップ6を封止した封止樹脂層9を形成した配線基板2を取出し、冷却後に図示しない作業台等に負圧による吸引等で保持して配線基板2の裏面に半田ボール等により外部端子11を形成する。
上記のようにして製造された半導体装置1は、封止樹脂層9の加熱硬化時に封止樹脂層9の上面を全て樹脂板10で覆った状態で硬化させ、その後に同一の熱膨張率を有し、ほぼ同じ大きさの樹脂板10と配線基板2とに封止樹脂層9を挟んだ状態で冷却するので、配線基板2が比較的大きな熱膨張率により収縮したとしても、封止樹脂層9の上下に配置された配線基板2と樹脂板10が同じ程度に収縮して半導体装置1の反りが防止され、封止工程で反りが生ずることはなく、外部端子11の形成工程における保持に支障が生ずることはない。また実装基板への半導体装置1の実装工程における熱処理においても反りが生ずることはない。これにより半導体装置の製造効率を向上させることができる。
また、樹脂板10の下面に梨子地状のメッキを施して封止樹脂層9と樹脂板10との密着性を向上させているので、比較的大きな熱膨張率の差により封止樹脂層9と樹脂板10との界面に生ずる剪断応力で樹脂板10が封止樹脂層9から剥れることはない。
更に、配線基板2と樹脂板10とを同じ材料で形成して縦弾性係数Eを同じにし、それぞれの厚さをほぼ同じにしてその曲げコワサをほぼ同じにしたので、樹脂板10の曲げコワサが配線基板2に対して過大となることがなく、配線基板2側の封止樹脂層9の局所的な収縮により配線基板2に反りが生じることがない。
以上説明したように、本実施例では、配線基板に搭載された半導体チップを熱膨張率が配線基板より小さい柱状の封止樹脂層で封止し、封止樹脂層の上面を全て覆う樹脂板の熱膨張率を配線基板と同じにしたことによって、配線基板が封止工程における熱処理後の冷却時に封止樹脂層より多く収縮したとしても、封止樹脂層の上下に配置された配線基板と樹脂板が同じ程度に収縮するので、半導体装置の反りを抑制することができる。
更に、上部金型と下部金型を組合せて配線基板上に積層された半導体チップと樹脂板とを同時に封止するようにしたことによって、半導体装置の製造時間を短縮することができる。
なお、上記実施例1と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
図5、図6において、21は上部板としての樹脂板体であり、複数の上記実施例1と同様の樹脂板10を、樹脂板10と同じ材料で形成された細い接続部22で接続して構成され、本実施例の配線基板2とほぼ同じ大きさに射出成形等で形成される。
従って、本実施例の配線基板2は、4つの配線パターン4を樹脂板体21の樹脂板10に対応してマトリックス状に配置した実施例1の配線基板2の略4倍の面積を有する基板である。
図7、図8において、25は下部金型であり、実施例1の下部金型15と同様の金型であって、基板搭体載穴25aの開口が本実施例の配線基板2の大きさと略同等の大きさになっていることが異なる。
26は上部金型であり、実施例1の上部金型16と同様の金型であって、樹脂板体21を嵌合して搭載するための樹脂板体21の大きさと略同等の大きさの開口を有する上部板搭載穴26aが設けられていることが異なる。
以下に、図7、図8を用い、PAで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
PA1(図7)、上面に複数の配線パターン4およびそれぞれの配線パターン4の所定の部位に基板ボールパッド5を形成した配線基板2を準備し、上記実施例1の工程P1と同様にして、配線基板2の一つの配線パターン4の所定の部位に最下層の半導体チップ6を載置し、同様にして他の配線パターン4の所定の部位にそれぞれの最下層の半導体チップ6を載置する。
PA3(図7)、実施例1の工程P3と同様にして、配線基板2を下部金型25の基板搭載穴25aに嵌合して搭載する。
PA5(図8)、実施例1の工程P5と同様にして、組合せた下部金型25と上部金型26の注入口17から封止剤9aを注入して積層された半導体チップ6の間、最下層の半導体チップ6と配線基板2との間および最上層の半導体チップ6と樹脂板体21との間、並びに積層された半導体チップ6の周囲および樹脂板体21の隣合う樹脂板10の間の接続部22を除く部位に封止剤9aを充填した後に、封止剤9aを加熱硬化させて封止樹脂層9を形成する。
PA6(図8)、封止樹脂層9の硬化後に、上部金型16を開いて下部金型15から樹脂板体21との間に複数の積層された半導体チップ6を封止した封止樹脂層9を形成した配線基板2を取出し、その冷却後に図示しないステージ等に粘着性を有するダイシングシート等で配線基板2を貼り付けて保持し、これを樹脂板体21上からダイシングブレードにより樹脂板体21の接続部22の略中央部を切断するように、つまり配線基板2の配線パターン4を一つ含むようにして樹脂板体21と封止樹脂層9と配線基板2を切断して個片化する。
この場合に、上記工程PA6において金型から取出された配線基板2の下面に外部端子11を形成した後に個片に分割するようにしてもよい。
このようにして、配線基板2と樹脂板10との間に柱状の封止樹脂層9で封止された複数の半導体チップ6を積層した本実施例の半導体装置1が製造される。
更に、本実施例の半導体装置1は、切断した接続部22が1部残った状態の樹脂板10で封止樹脂層9の上面を覆っているが、樹脂板10と切断により残った接続部22の長さを合わせた長さが配線基板2の長さとほぼ同じにして封止樹脂層9の上面の全てを実質的に覆って、封止樹脂層9の上面を全て覆っている実施例1の樹脂板10と同様に作用するので、半導体装置1に反りが生ずることはない。
更に、樹脂板体21は4つの樹脂板10を接続部22で接続して構成するとして説明したが、樹脂板体21を構成する樹脂板10の数は複数であれば幾つでもよく、半導体ウェハと同様の大きさの樹脂板体21として多数の樹脂板10を接続部22で接続してマトリックス状に配置したものでもよい。
以上説明したように、本実施例では、上記実施例1と同様の効果に加えて、複数の配線パターンを有する配線基板と、複数の樹脂板を接続部で接続した樹脂板体とを用い、上部金型と下部金型を組合せて一度に封止し、これを個片化して半導体装置を製造するようにしたことによって、半導体装置の製造時間を短縮することができると共に、ダイシングブレードで切断する樹脂板体の部分を接続部に限ることができ、切断部分のバリやダレによる変形を防止することができる。
また、上記各実施例においては、半導体チップの下面のバンプをその下層の半導体チップの上面のチップボールパッドに接合するとして説明したが、半導体チップの上下を反転させて半導体チップの上面のバンプをその上層の半導体チップの下面のチップボールパッドに接合するようにしてもよく、半導体チップの両面にバンプを形成してバンプ同士を接合するようにしてもよい。この場合において半導体チップを反転させたときは、配線パターンの配線上の基板ボールパッドに替えてバンプを形成する。
更に、上記各実施例においては、上部金型にプッシュピンにより保持するとして説明したが、上部金型の天板に吸引口を設けて負圧による吸引により保持するようにしてもよい。
この場合に、金属板の下面に施す表面処理は梨子地状のメッキとしてもよい。要は上部板の下面に微細な凹凸を形成して封止樹脂層との密着性を向上させるものであればどのようなものであってもよい。
上記においては、下部基板と上部板の熱膨張率が封止樹脂層より大きい場合について説明したが、下部基板の熱膨張率が封止樹脂層より小さい場合でも、上部板の熱膨張率を下部基板の熱膨張率とほぼ同じにすれば上記と同様の効果を得ることができる。
2 配線基板
3 配線
4 配線パターン
5 基板ボールパッド
6 半導体チップ
7 バンプ
8 チップボールパッド
9 封止樹脂層
9a 封止剤
10 金属板
11 外部端子
15、25 下部金型
15a、25a 基板搭載穴
16、26 上部金型
16a、26a 上部板搭載穴
17 注入口
21 樹脂板体
22 接続部
28 ダイシングブレード
Claims (16)
- 複数の配線により形成された配線パターンを有する下部基板と、
前記下部基板の上方に位置し、前記配線と電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップを柱状、かつ実質的に封止する中間部材と、
前記中間部材の上面の全てを実質的に覆う上部板とを備え、
前記上部板の熱膨張率は、前記下部基板の熱膨張率とほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記中間部材は、前記下部基板より小さい熱膨張率を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記下部基板と前記上部板の材料は、同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記下部基板と前記上部板の厚さは、ほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、
前記半導体チップは、複数であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、
前記半導体チップは、前記配線にフリップチップ方式で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項において、
前記下部基板はガラスエポキシ樹脂からなり、前記中間部材はエポキシ樹脂からなることを特徴とする半導体装置。 - 複数の配線により形成された配線パターンを有する下部基板の上方に半導体チップを搭載して該半導体チップを前記配線と電気的に接続する工程と、
前記下部基板を、下部金型に搭載する工程と、
上部金型に、上部板を搭載する工程と、
前記下部金型と前記上部金型とを組合せる工程と、
組合せた前記下部金型と前記上部金型との内部に中間部材を注入する工程とを、
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の配線により形成された配線パターンを複数有する下部基板の上方に半導体チップを搭載して該半導体チップを前記配線パターンの配線と電気的に接続する工程と、
前記下部基板を、下部金型に搭載する工程と、
上部金型に、上部板を搭載する工程と、
前記下部金型と前記上部金型とを組合せる工程と、
組合せた前記下部金型と前記上部金型との内部に中間部材を注入する工程と、
前記上部板と、前記中間部材と、前記下部基板とを前記配線パターンを一つ含むように切断することにより個片化する工程とを、
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8または請求項9において、
前記中間部材は、前記下部基板より小さい熱膨張率を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項10のいずれか一項において、
前記上部板の熱膨張率を、前記下部基板の熱膨張率とほぼ同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項11のいずれか一項において、
前記下部基板と前記上部板の材料を、同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項12のいずれか一項において、
前記下部基板と前記上部板の厚さを、ほぼ同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項14のいずれか一項において、
前記半導体チップは、複数であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項14のいずれか一項において、
前記半導体チップは、前記配線にフリップチップ方式で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8ないし請求項15のいずれか一項において、
前記下部基板はガラスエポキシ樹脂を用い、前記中間部材はエポキシ樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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