JP2007012922A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主表面中に設けられた第1絶縁膜21と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第1絶縁膜よりも比誘電率が高い第1高誘電体膜22−1とを少なくとも備えたゲート絶縁膜12と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、CuまたはCuを主成分とするゲート電極13と、前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレイン15とを具備する。
【選択図】図1
Description
まず、この発明の第1の実施形態に係る半導体装置について、図1および図2を用いて説明する。この実施形態は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)のゲート電極として、Cu(銅)を主成分(即ち、50%以上)としたCuMn合金を適用したダマシンメタルゲート構造に関するものである。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図2は、図1中の破線25近傍(チャネル領域近傍)の断面TEM像の顕微鏡写真を示す図である。
次に、この実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図1および図2に示した半導体装置を例に挙げて、図3乃至図12を用いて説明する。
を用いて、余分なMnO層33を除去すると共に、CuMn合金層32を層間絶縁膜17表面上まで平坦化して、ゲート電極13を形成する。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置について、図13を用いて説明する。図13は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この実施形態に係る半導体装置は、上記ゲート電極13を形成する際に、エッチング工程を用いた場合に関する。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
次に、この実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図13に示したものを例に挙げて、図14乃至図20を用いて説明する。
次に、この発明の変形例1に係る半導体装置について、図21を用いて説明する。図21は、この変形例1に係る半導体装置のチャネル領域25近傍を示す断面図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
次に、この発明の変形例2に係る半導体装置について、図22を用いて説明する。図22は、この変形例2に係る半導体装置のチャネル領域25近傍を示す断面図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
次に、この発明の変形例3に係る半導体装置について、図23を用いて説明する。図23は、この変形例3に係る半導体装置のチャネル領域25近傍を示す断面図である。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体装置について、図24を用いて説明する。図24は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この実施形態は、上記高誘電体膜22−1、22−2を不揮発性半導体メモリセルトランジスタMT1のいわゆるゲート間絶縁膜に適用した場合に関する。この説明において、上記第1の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置について、図28を用いて説明する。図28は、この実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。この実施形態は、上記高誘電体膜22−1、22−2を不揮発性半導体メモリセルトランジスタMT2のいわゆるゲート間絶縁膜に適用したエッチングゲート構造に関する。この説明において、上記第3の実施形態と重複する部分の説明を省略する。
Claims (5)
- 半導体基板の主表面中に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に設けられ前記第1絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第1絶縁膜よりも比誘電率が高い第1高誘電体膜とを少なくとも備えたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、CuまたはCuを主成分とするゲート電極と、
前記ゲート電極を挟むように前記半導体基板中に隔離して設けられたソースまたはドレインとを具備すること
を特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、前記半導体基板と第1絶縁膜との間に第2絶縁膜を更に備えること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極上に設けられた第3絶縁膜と、前記第3絶縁膜上に設けられ前記第3絶縁膜の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分とし前記第3絶縁膜よりも比誘電率が高い第2高誘電体膜とを少なくとも備えたゲート間絶縁膜と、
前記ゲート間絶縁膜上に設けられ、CuまたはCuを主成分とする制御電極とを更に具備すること
を特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記所定の金属元素は、Mn、Nb、Zr、Cr、V、Y、Tc、およびReからなる群から選択された少なくとも1つの元素を含み、
前記第1絶縁膜および前記第3絶縁膜は、Si、C、及びFからなる群から選択された少なくとも1つの元素とOとを含み、
前記第1高誘電体膜および第2高誘電体膜は、αxOy、αxSiyOz、αxCyOz、およびαxFyOzからなる群から選択された材料を主成分とし、ここで、αは前記所定の金属元素を表すこと
を特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体基板の主表面中に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にダミーゲートを形成する工程と、
前記ダミーゲートをマスクとして、前記半導体基板と異なる導電型の不純物を前記半導体基板中に導入させ、ソースまたはドレインを形成する工程と、
前記ダミーゲートの側壁に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ダミーゲートを除去し、前記絶縁膜の表面上が露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部内に、所定の金属元素を含みCuを主成分としてゲート電極の材料となる合金膜を埋め込む工程と、
熱処理を行うことにより、前記所定の金属元素と前記絶縁膜の構成元素との化合物を主成分とし前記絶縁膜よりも比誘電率が高い高誘電体膜を前記絶縁膜と前記合金膜との界面に自己整合的に形成する工程とを具備すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009033118A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009170719A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2010192766A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8134200B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory including a gate insulating film and an inter-gate insulating film |
JP2012514346A (ja) * | 2008-12-31 | 2012-06-21 | インテル コーポレイション | 集積されたhigh−k誘電体と金属ベースの制御ゲートを有するフラッシュセル |
US8419970B2 (en) | 2008-07-11 | 2013-04-16 | Fujifilm Corporation | Silicon nitride polishing liquid and polishing method |
JP2013131772A (ja) * | 2006-12-15 | 2013-07-04 | Nec Corp | 不揮発性記憶装置 |
KR101435588B1 (ko) | 2008-06-23 | 2014-09-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8911643B2 (en) | 2008-05-30 | 2014-12-16 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid and polishing method |
US8932479B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-01-13 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid and polishing method |
JP2015007280A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | 日立金属株式会社 | Cu−Mn合金膜およびCu−Mn合金スパッタリングターゲット材ならびにCu−Mn合金膜の成膜方法 |
US9048195B2 (en) | 2010-07-29 | 2015-06-02 | Fujifilm Corporation | Polishing fluid and polishing method |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4282646B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
WO2007100125A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Advanced Interconnect Materials, Llc | 半導体装置、その製造方法およびその製造方法に用いるスパッタリング用ターゲット材 |
US20080054466A1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-03-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
JP4740083B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-08-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置、およびその製造方法 |
US8178436B2 (en) * | 2006-12-21 | 2012-05-15 | Intel Corporation | Adhesion and electromigration performance at an interface between a dielectric and metal |
US8168532B2 (en) * | 2007-11-14 | 2012-05-01 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing a multilayer interconnection structure in a semiconductor device |
US8461683B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-06-11 | Intel Corporation | Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same |
CN102881573A (zh) * | 2011-07-11 | 2013-01-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管和半导体器件及其制作方法 |
KR20130051239A (ko) * | 2011-11-09 | 2013-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
KR20150091895A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 동작방법 |
US9337045B2 (en) * | 2014-08-13 | 2016-05-10 | Globalfoundries Inc. | Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element |
CN105702737B (zh) | 2016-02-05 | 2019-01-18 | 中国科学院微电子研究所 | 连接有负电容的多栅FinFET及其制造方法及电子设备 |
WO2017184701A1 (en) | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Applied Materials, Inc. | Doped and undoped vanadium oxides for low-k spacer applications |
US10937783B2 (en) * | 2016-11-29 | 2021-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20190103474A1 (en) * | 2017-10-03 | 2019-04-04 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Sidewall engineering for enhanced device performance in advanced devices |
US10374052B2 (en) * | 2017-10-12 | 2019-08-06 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Reduced capacitance coupling effects in devices |
US10741678B2 (en) * | 2017-10-30 | 2020-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10522614B2 (en) * | 2018-02-23 | 2019-12-31 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Method to fabricate capacitance-matching FET and related device |
US11349008B2 (en) * | 2018-09-27 | 2022-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Negative capacitance transistor having a multilayer ferroelectric structure or a ferroelectric layer with a gradient doping profile |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Matsushita Electron Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JPH11260938A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-09-24 | Lucent Technol Inc | Mosシリコンデバイスの製造方法 |
JP2000077658A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000269162A (ja) * | 1999-03-13 | 2000-09-29 | Tamon Miyakai | 集積回路用部材及びその製造方法 |
JP2001102583A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Sharp Corp | Mosfetの製造を目的とした置き換えゲートとしてシリコンゲルマニウムおよびその他の合金の使用 |
JP2001257344A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001274380A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174009A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP2004296876A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び半導体製造装置 |
JP2005079310A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005150543A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05503609A (ja) * | 1990-02-26 | 1993-06-10 | シンメトリックス・コーポレーション | 電子デバイス、それらの製造法および利用法 |
KR100238210B1 (ko) * | 1996-10-28 | 2000-01-15 | 윤종용 | 산화티탄마그네슘 박막을 이용한 fram 및 ffram 소자 |
KR100238170B1 (ko) * | 1997-07-28 | 2000-01-15 | 윤종용 | 커패시터 제조방법 |
US6674109B1 (en) * | 1999-09-30 | 2004-01-06 | Rohm Co., Ltd. | Nonvolatile memory |
FR2810161B1 (fr) * | 2000-06-09 | 2005-03-11 | Commissariat Energie Atomique | Memoire electronique a architecture damascene et procede de realisation d'une telle memoire |
US6713846B1 (en) * | 2001-01-26 | 2004-03-30 | Aviza Technology, Inc. | Multilayer high κ dielectric films |
US6864163B1 (en) * | 2002-10-30 | 2005-03-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Fabrication of dual work-function metal gate structure for complementary field effect transistors |
JP4478038B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-06-09 | 株式会社半導体理工学研究センター | 半導体装置及びその製造方法 |
US7564108B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nitrogen treatment to improve high-k gate dielectrics |
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192652A patent/JP4851740B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-29 US US11/476,596 patent/US20070004049A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-30 CN CNB2006100998352A patent/CN100466288C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03119765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Matsushita Electron Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JPH11260938A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-09-24 | Lucent Technol Inc | Mosシリコンデバイスの製造方法 |
JP2000077658A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000269162A (ja) * | 1999-03-13 | 2000-09-29 | Tamon Miyakai | 集積回路用部材及びその製造方法 |
JP2001102583A (ja) * | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Sharp Corp | Mosfetの製造を目的とした置き換えゲートとしてシリコンゲルマニウムおよびその他の合金の使用 |
JP2001257344A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001274380A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003174009A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | エッチング方法およびエッチング装置 |
JP2004296876A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び半導体製造装置 |
JP2005079310A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005150543A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8796129B2 (en) | 2006-12-15 | 2014-08-05 | Nec Corporation | Nonvolatile storage device and method for manufacturing the same in which insulating film is located between first and second impurity diffusion regions but absent on first impurity diffusion region |
JP2013131772A (ja) * | 2006-12-15 | 2013-07-04 | Nec Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP2009033118A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8134200B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-03-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory including a gate insulating film and an inter-gate insulating film |
JP2009170719A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-07-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8911643B2 (en) | 2008-05-30 | 2014-12-16 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid and polishing method |
KR101435588B1 (ko) | 2008-06-23 | 2014-09-25 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8419970B2 (en) | 2008-07-11 | 2013-04-16 | Fujifilm Corporation | Silicon nitride polishing liquid and polishing method |
JP2012514346A (ja) * | 2008-12-31 | 2012-06-21 | インテル コーポレイション | 集積されたhigh−k誘電体と金属ベースの制御ゲートを有するフラッシュセル |
JP2010192766A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US8932479B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-01-13 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid and polishing method |
US9048195B2 (en) | 2010-07-29 | 2015-06-02 | Fujifilm Corporation | Polishing fluid and polishing method |
JP2015007280A (ja) * | 2013-05-31 | 2015-01-15 | 日立金属株式会社 | Cu−Mn合金膜およびCu−Mn合金スパッタリングターゲット材ならびにCu−Mn合金膜の成膜方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP4851740B2 (ja) | 2012-01-11 |
US20070004049A1 (en) | 2007-01-04 |
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