JP2009218421A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 メモリセルトランジスタの制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いても選択トランジスタメモリの特性劣化を抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 選択トランジスタは、半導体基板11上に設けられたゲート絶縁膜12bと、ゲート絶縁膜13b上に設けられたポリシリコンゲート電極13b,19bと、ポリシリコンゲート電極13b上に設けられ、金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層30と、導電性バリア層30上に設けられたシリサイドゲート電極25bとを備えている。
【選択図】 図2
【解決手段】 選択トランジスタは、半導体基板11上に設けられたゲート絶縁膜12bと、ゲート絶縁膜13b上に設けられたポリシリコンゲート電極13b,19bと、ポリシリコンゲート電極13b上に設けられ、金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層30と、導電性バリア層30上に設けられたシリサイドゲート電極25bとを備えている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いた半導体装置に関する。
近年LSIの高密度化に伴い、キャパシタ絶縁膜、ゲート絶縁膜は薄膜化の一途をたどっている。薄膜化に伴いリーク電流が上昇するのを避けるため、三次元化など構造を変更することにより対策を図る一方、高誘電率膜などを用いることで物理膜厚を増やし、リーク電流の上昇を抑えることが試みられている。
特に、フラッシュメモリのメモリセルトランジスタにおいては、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極との間の電極間絶縁膜として、例えば、ONO膜(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜の3層積層膜)を用い、高誘電率化を図るとともに、三次元的な構造を適用することが試みられている。
一方、制御ゲート電極として、一般には、ポリシリコン電極が用いられているが(特許文献1)、メモリセル間の距離が縮小するにつれ、ポリシリコン電極の空乏化の問題が顕著となり、三次元構造を用いた構造をとることが困難になるという問題があった。
この問題はメモリセル間が20nmより小さくなると著しくなる。この空乏化の問題を回避するために、35nm世代以降のNAND型フラッシュメモリでは、制御ゲート電極として、金属シリサイド電極を用いることが検討されている。
しかし、制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いたフラッシュメモリのプロセスは確立されておらず、また、プロセス的に有利なメモリ構造も提案されていない。
特開2005−26589号公報
本発明の目的は、メモリセルトランジスタの制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いても選択トランジスタメモリの特性劣化を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様による半導体装置は、複数のメモリセルトランジスタと、前記複数のメモリセルトランジスタを選択するための選択トランジスタとを含む半導体装置であって、前記メモリセルトランジスタは、半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、シリコンと金属との金属シリサイドで形成された制御ゲート電極とを備え、前記選択トランジスタは、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、ポリシリコンで形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に設けられ、前記金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層と、前記導電性バリア層上に設けられ、前記金属シリサイドで形成された第2のゲート電極とを備えていることを特徴とする。
本発明の一態様による半導体装置の製造方法は、第1の領域に形成される複数のメモリセルトランジスタと、前記複数のメモリセルトランジスタを選択するために第2の領域に形成される選択トランジスタとを含む半導体装置の製造方法であって、前記第2の領域の前記半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、第1のポリシリコン膜で形成された第1のゲート電極を形成する工程と、前記第1のゲート電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜上に、金属シリサイドで形成された第2のゲート電極を形成する工程と、少なくとも前記第2のゲート電極および前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第2のゲート電極および前記第2の絶縁膜を貫通する溝を形成する工程と、前記溝内に導電性バリア層を形成する工程と、前記導電性バリア層上に金属シリサイドを形成する工程とを含むことを特徴する。
本発明によれば、メモリセルトランジスタの制御ゲート電極として金属シリサイド電極を用いても選択トランジスタメモリの特性劣化を抑制できる半導体装置およびその製造方法を実現できるようになる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図1は、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリを示す平面図である。図2は、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリを示す断面図である。図2(a)は図1のA−A’断面図、図2(b)は図1のB−B’断面図、図2(c)は図1のC−C’断面図である。
図1において、WL1k,WL2k,・・・・・,WL32k,WL1k−1,・・・・・は行方向に配列される複数のワード線、BL2j−1,BL2j,BL2j+1,・・・・・はワード線WL1k,WL2k,・・・・・,WL32k,WL1k−1,・・・・・と直交する列方向に配列された複数のビット線を示している。図1には、列方向に32個のメモリセルトランジスタを配列してメモリセルカラムを構成した例が示されている。上記メモリセルカラムの配列の両端には、列方向に隣接して配置され、メモリセルカラムに配列された一群のメモリセルトランジスタを選択する一対の選択トランジスタが配置されている。この一対の選択トランジスタのそれぞれのゲートには、一対の選択ゲート配線SGDk,SGSkが接続されている。また、BCはビット線コンタクト、SCはソースコンタクトを示している。
上記一群のメモリセルトランジスタはシリコン基板上の第1の領域に形成され、上記一つの選択トランジスタはシリコン基板上の第2の領域に形成されている。具体的には以下の通りである。
すなわち、メモリセルトランジスタは、図2に示すように、シリコン基板11上に設けられたトンネル絶縁膜12aと、トンネル絶縁膜12a上に設けられ、ポリシリコンで形成された第1および第2の浮遊ゲート電極13a,19aと、第2の浮遊ゲート電極19a上に設けられた電極間絶縁膜としての絶縁膜20−24と、絶縁膜24上に設けられ、シリコンと金属との金属シリサイドで形成された制御ゲート電極(シリサイド制御ゲート電極)25aとを備えている。
選択トランジスタは、図2に示すように、シリコン基板11上に設けられたゲート絶縁膜12bと、ゲート絶縁膜12b上に設けられ、ポリシリコンで形成されたゲート電極(第1のポリシリコンゲート電極)13bと、第1のポリシリコンゲート電極13b上に設けられ、ポリシリコンで形成されたゲート電極(第2のポリシリコンゲート電極)19b、第2のポリシリコンゲート電極19b上に設けられ、上記金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層30と、導電性バリア層30上に設けられ、上記金属シリサイドで形成されたゲート電極(シリサイドゲート電極)25bとを備えている。
選択トランジスタは、さらに、第2のポリシリコンゲート電極19bとシリサイドゲート電極25bとの間に設けられ、貫通口を有する絶縁膜20−24を備えている。導電性バリア層30は上記貫通口を埋め込み、ポリシリコンゲート電極13b,19bは、導電性バリア層30を介して、シリサイドゲート電極25bと電気的に接続されている。
以下、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリの製造方法を説明しながら、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリについてさらに説明する。
図3−図19は、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリの製造工程を示す断面図である。図4−図19において、各図の(a)は図1のA−A’断面図、各図の(b)は図1のB−B’断面図、各図の(c)は図1のC−C’断面図に対応する。なお、図3も図1のA−A’断面図、B−B’断面図およびC−C’断面図を表しているが、いずれの断面図も同じ構造を示すものとなるので、図3では、分図(a)−(c)とはせずに、一つの図となっている。
[図3]
p型シリコン基板11(もしくはn型シリコン基板中にp型ウエルを形成したもの)上に、メモリセルトランジスタにおいてはトンネル絶縁膜、選択トランジスタにおいてはゲート絶縁膜となる絶縁膜12を1−15nm程度の厚さに形成する。絶縁膜12上にCVD法により、メモリセルトランジスタにおいては浮遊ゲート電極の一部、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜13を10−200nm程度の厚さに形成する。
p型シリコン基板11(もしくはn型シリコン基板中にp型ウエルを形成したもの)上に、メモリセルトランジスタにおいてはトンネル絶縁膜、選択トランジスタにおいてはゲート絶縁膜となる絶縁膜12を1−15nm程度の厚さに形成する。絶縁膜12上にCVD法により、メモリセルトランジスタにおいては浮遊ゲート電極の一部、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜13を10−200nm程度の厚さに形成する。
ポリシリコン膜13上にCVD法によってシリコン窒化膜14を50−200nm程度の厚さに形成し、さらにCVD法によってシリコン窒化膜14上にシリコン酸化膜15を50−400nm程度の厚さに形成する。
[図4]
シリコン酸化膜15上にフォトレジストを塗布し、パターニングしてレジストマスク16を形成し、このレジストマスク16を用いて、シリコン酸化膜15を選択的にエッチングする。その結果、レジストマスク16のパターンがシリコン酸化膜15に転写される。その後、レジストマスク16を除去する。
シリコン酸化膜15上にフォトレジストを塗布し、パターニングしてレジストマスク16を形成し、このレジストマスク16を用いて、シリコン酸化膜15を選択的にエッチングする。その結果、レジストマスク16のパターンがシリコン酸化膜15に転写される。その後、レジストマスク16を除去する。
[図5]
シリコン酸化膜15をマスクに用いてRIE(Reactive Ion Etching)法によりシリコン窒化膜14をエッチングし、続いて、RIE法によりポリシリコン膜13、絶縁膜12およびシリコン基板11をエッチングして、素子分離溝17を形成する。その後、素子分離溝17を形成するためのエッチングによりシリコン基板11の断面に生じたダメージを除去するために、高温の酸化処理を行う。
シリコン酸化膜15をマスクに用いてRIE(Reactive Ion Etching)法によりシリコン窒化膜14をエッチングし、続いて、RIE法によりポリシリコン膜13、絶縁膜12およびシリコン基板11をエッチングして、素子分離溝17を形成する。その後、素子分離溝17を形成するためのエッチングによりシリコン基板11の断面に生じたダメージを除去するために、高温の酸化処理を行う。
[図6]
素子分離溝17が埋め込まれるように、素子分離絶縁膜18となるシリコン酸化膜を全面に200−1500nmの厚さに形成し、続いて、窒素雰囲気または酸素雰囲気で高温の熱処理により、上記シリコン酸化膜を高密度化し、その後、シリコン窒化膜14をストッパーに用いてCMP法(Chemical Mechanical Polishing)により表面を平坦化することにより、素子分離絶縁膜18を形成する。続いて、シリコン酸化膜と選択比をもってエッチングすることが可能な熱燐酸を用いて、シリコン窒化膜14を除去する。
素子分離溝17が埋め込まれるように、素子分離絶縁膜18となるシリコン酸化膜を全面に200−1500nmの厚さに形成し、続いて、窒素雰囲気または酸素雰囲気で高温の熱処理により、上記シリコン酸化膜を高密度化し、その後、シリコン窒化膜14をストッパーに用いてCMP法(Chemical Mechanical Polishing)により表面を平坦化することにより、素子分離絶縁膜18を形成する。続いて、シリコン酸化膜と選択比をもってエッチングすることが可能な熱燐酸を用いて、シリコン窒化膜14を除去する。
本実施形態では、素子分離溝17を形成するのに際して、シリコン窒化膜14およびシリコン酸化膜15の積層膜をマスクとして用いているが、これらの膜厚およびRIE条件を適切に設定すれば、単層のシリコン窒化膜、単層のシリコン酸化膜、他の単層膜、他の多層膜のいずれであっても、シリコンとの選択比が取れる材料であればマスクとして使用可能である。
[図7]
シリコン窒化膜14を除去して生じた溝および素子分離絶縁膜18の上に、段差被覆性に優れた方法、例えば、LPCVD法を用いて、メモリセルトランジスタにおいては浮遊ゲート電極の一部、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜19を形成する。
シリコン窒化膜14を除去して生じた溝および素子分離絶縁膜18の上に、段差被覆性に優れた方法、例えば、LPCVD法を用いて、メモリセルトランジスタにおいては浮遊ゲート電極の一部、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜19を形成する。
[図8]
素子分離絶縁膜18をストッパーに用いて、CMP法によりポリシリコン膜19の平坦化を行い、その後、DHFなどの薬液を用いて素子分離絶縁膜18の上部を除去して、ポリシリコン膜19の下部を除いた部分を露出させる。
素子分離絶縁膜18をストッパーに用いて、CMP法によりポリシリコン膜19の平坦化を行い、その後、DHFなどの薬液を用いて素子分離絶縁膜18の上部を除去して、ポリシリコン膜19の下部を除いた部分を露出させる。
[図9]
素子分離絶縁膜18およびポリシリコン膜19の上に電極間絶縁膜として絶縁膜20−24を順次形成する。
素子分離絶縁膜18およびポリシリコン膜19の上に電極間絶縁膜として絶縁膜20−24を順次形成する。
ここでは、絶縁膜20,24にはシリコン窒化膜、絶縁膜21,23はシリコン酸化膜、絶縁膜22には高誘電率膜を用いる。絶縁膜22に用いる高誘電率膜としては、その比誘電率がシリコン酸化膜(SiO2 膜)の比誘電率3.8−4よりも大きく、特に従来のONO膜で得られていた比誘電率5−5.5程度よりも大きい膜が望ましい。本実施形態では、絶縁膜22としてHfAlO膜を用いる。
以下、これらの電極間絶縁膜の成膜方法について述べる。
まず、絶縁膜20であるシリコン窒化膜は、N2 を用いたプラズマによりポリシリコン膜19の表面を窒化することにより形成する。ここでは、形成温度:300℃、プラズマパワー:800Wの条件で、厚さ2nmのシリコン窒化膜20を形成した。
絶縁膜21であるシリコン酸化膜は、CVD法により形成する。ここでは、原料はSiH4 とN2 Oであり、堆積温度:450C、圧力:5torr、プラズマパワー:1Kw、SiH4 流量:300sccm、N2 O流量:2SLMの条件で、厚さ3nmのシリコン酸化膜21を形成した。
絶縁膜22であるHfAlO膜は、ALD(Atomic Layer Deposition)法によりHfO層とAlO層とを積層して形成した。具体的には、以下の通りである。
まず、圧力が0.5torrに保持された真空チャンバ中で、基板温度が300℃に加熱されたウエハ上に、Hfの原料であるTEMAH(tetrakis-ethyl-methyl-amino-hafnium)を流してHfの吸着層を形成し、その後、酸化剤(例えばO3 )を流すことでHfO層を形成する。上記プロセスを繰り返して、必要とされる層数のHfO層を形成する。
次に、Alの原料ガスであるTMA(trimethyl aluminum)を流してAlの吸着層を形成し、その後、酸化剤(例えばO3 )を流すことでAlO層を形成する。上記プロセスを繰り返して、必要とされる層数のAlO層を形成する。
この後、必要に応じて再度HfO層を形成する。HfO層およびAlO層の積層数、ならびに、HfO層およびAlO層の積層の順番を適宜変化させることで、HfAlO膜の膜厚と組成を制御することが可能となる。
本実施形態では、HfO層の積層数を9、AlO層の積層数を1とし、この組み合わせを10回繰り返すことで、Hf:Al=8:1で、厚さ10nmのHfAlO層を形成した。ここで、原料ガスの流量は、TMAが20sccm、TEMAHが100sccmとし、O3 の流量が5SLMとし、O3 の濃度が250g/m3 である。また、原料ガスの供給時間は、TMAおよびTEMAHが1秒、O3 が3秒である。さらに、TMAおよびO3 の供給と、TEMAHおよびO3 の供給との間に、パージのためにN2 を流量5slmで2秒流した。なお、絶縁膜22の膜厚は、1−30nmの範囲で適宜選択する。
絶縁膜22の堆積後、500−1200℃の温度で、アニール(ポストデポジションアニール:PDA)を、酸素、オゾン、水のような酸化剤を含む雰囲気で行う。例えば、炉でのアニールにおいて10分以上2時間以内、ランプアニールにおいて1秒−30分以内行う。このPDAにより、絶縁膜22の密度が高まり、絶縁膜22の膜質が改善される。
絶縁膜23であるシリコン酸化膜は、絶縁膜21であるシリコン酸化膜と同条件で形成する。ここでは、絶縁膜23であるシリコン酸化膜を3nm堆積した。
絶縁膜24であるシリコン窒化膜は、CVD法により形成する。ここでは、原料はBTBAS(bis-tertialy-buthyl-amino-silan)とNH3 であり、圧力:1torr、堆積温度:400C、BTBAS流量:500sccm、NH3 流量:1.5slmの条件で、厚さ2nmのシリコン窒化膜を形成した。
ここでは、HfAlO膜の形成方法として、HfO層とAlO層とを積層する方法について説明したが、HfAlの混合層を形成した後、この混合層を酸化する方法もある。
本実施形態では多層構造の電極間絶縁膜として5層の電極間絶縁膜を用いたが、必ずしも5層である必要なく、例えば、3層でも構わない。さらに、単層の電極間絶縁膜も使用可能である。
多層構造の電極間絶縁膜を用いる場合、本実施形態のようにシリコン窒化膜を最上層の絶縁膜として用いると、製造途中で行われる酸化処理において、メモリセルトランジスタの浮遊ゲート電極や選択トランジスタのゲート電極として使用される多結晶シリコン膜の酸化を防ぐことができる。
[図10]
絶縁膜24上に、メモリセルトランジスタにおいては制御ゲート電極、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜25を10−200nmの厚さに形成する。
絶縁膜24上に、メモリセルトランジスタにおいては制御ゲート電極、選択トランジスタにおいてはゲート電極の一部となるポリシリコン膜25を10−200nmの厚さに形成する。
ポリシリコン膜25上にレジストパターン(不図示)を形成し、これをマスクに用いて通常の方法により絶縁膜12までエッチングし、このエッチングでメモリセルトランジスタのゲート構造12a,13a,19−25と自己整合的に露出したシリコン基板11の表面にn型不純物を導入し、さらに熱処理を行ってソース/ドレイン領域26を形成する。ソース/ドレイン領域26上部の溝を埋めるために、層間絶縁膜27としてのシリコン酸化膜を堆積し、その後、ポリシリコン膜25をストッパーに用いて、CMP法により表面を平坦化する。
上記エッチングにより、絶縁膜12はトンネル絶縁膜12aとゲート絶縁膜12bとに分かれ、ポリシリコン膜13は第1の浮遊ゲート電極13aと第1のポリシリコンゲート電極13bとに分かれ、ポリシリコン膜19は第2の浮遊ゲート電極19aと第2のポリシリコンゲート電極19bとに分かれる。
[図11]
ポリシリコン膜25上にマスク28を形成する。マスク28は、導電性バリア層30が形成される領域に対応する部分に開口部を有する。マスク28の材料はシリコン酸化物である。このようなマスク28は、全面にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてシリコン酸化膜をRIE法によりエッチングすることにより形成することができる。
ポリシリコン膜25上にマスク28を形成する。マスク28は、導電性バリア層30が形成される領域に対応する部分に開口部を有する。マスク28の材料はシリコン酸化物である。このようなマスク28は、全面にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてシリコン酸化膜をRIE法によりエッチングすることにより形成することができる。
[図12]
エッチングガスを適宜選択して、選択トランジスタのポリシリコン膜25、絶縁膜24、絶縁膜23、絶縁膜22、絶縁膜21、絶縁膜20、ポリシリコン膜19を順次エッチングすることにより、ポリシリコン膜25、絶縁膜24−20を貫通して、ポリシリコン膜19の途中に底がある溝29を形成する。
エッチングガスを適宜選択して、選択トランジスタのポリシリコン膜25、絶縁膜24、絶縁膜23、絶縁膜22、絶縁膜21、絶縁膜20、ポリシリコン膜19を順次エッチングすることにより、ポリシリコン膜25、絶縁膜24−20を貫通して、ポリシリコン膜19の途中に底がある溝29を形成する。
ここでは、ポリシリコン膜25、絶縁膜24−20を貫通して、ポリシリコン膜19の途中に底がある溝29を形成したが、絶縁膜20の下面、つまり、電極間絶縁膜の最下面と同一面である底を有する溝を形成しても構わない。
導電性バリア層と浮遊ゲート電極との接触抵抗を小さくするためには、図12に示したように、ポリシリコン膜19の途中に底がある溝29を形成した方が、導電性バリア層と浮遊ゲート電極との接触面積を大きくできるので有利である。
[図13]
溝29が埋め込まれるように、金属の拡散に対してバリアとなり、選択トランジスタのポリシリコンゲート電極13b,19bのシリサイデーションを防止するための導電層(導電性バリア層)30を全面に形成する。ここでは、導電性バリア層30としてチタンナイトライド(TiN)膜を用いる。TiN膜は、例えば、TiCl4 とNH3 を原料ガスに用いたCVD法により形成する。
溝29が埋め込まれるように、金属の拡散に対してバリアとなり、選択トランジスタのポリシリコンゲート電極13b,19bのシリサイデーションを防止するための導電層(導電性バリア層)30を全面に形成する。ここでは、導電性バリア層30としてチタンナイトライド(TiN)膜を用いる。TiN膜は、例えば、TiCl4 とNH3 を原料ガスに用いたCVD法により形成する。
TiN膜の代わりに、タングステンシリサイド(WSi)膜、タンタルシリコンナイトライド(TaSiN)膜、シリコンゲルマニウム(SiGe)膜、シリコンカーバイド(SiC)膜、タンタルカーバイド(TaC)、チタンアルミニウムナイトライド(TiAlN)膜、タンタルナイトライド(TaN)、チタンシリサイド(TiSi)膜を用いても構わない。これらの導電性を有する膜も、金属の拡散に対してバリアとなり、シリサイドのストップ膜としての効果がある。
SiGe膜の場合、Ge濃度は、例えば、30%以下に設定する。その理由は、SiGe膜のシリサイド化の速度を、ポリシリコン膜のシリサイド化の速度よりも十分に遅くできるからである。これにより、メモリセルトランジスタの制御ゲート電極を十分にシリサイド化しても、選択トランジスタの制御ゲート電極は上部のみのシリサイド化にとどめておくことが可能となる。同様の効果はSiCを用いた場合にも得られる。
[図14]
RIE法などを用いて導電性バリア層30をエッチングバックして、マスク28上の導電性バリア層30を除去するとともに、溝29内の導電性バリア層30(選択トランジスタの導電性バリア層30)の上部を除去する。この時、エッチング時間を適宜調整し、溝29内に残る導電性バリア層30の上面が、ポリシリコン膜25の上面よりも低くなり、かつ、絶縁膜24の上面より高くになるようにする。このようにして選択トランジスタにおいては、溝29内に形成された導電性バリア層(導電性バリアプラグ)30を介して、ポリシリコン膜19とポリシリコン膜25とが電気的に接続されたゲート電極が形成される。
RIE法などを用いて導電性バリア層30をエッチングバックして、マスク28上の導電性バリア層30を除去するとともに、溝29内の導電性バリア層30(選択トランジスタの導電性バリア層30)の上部を除去する。この時、エッチング時間を適宜調整し、溝29内に残る導電性バリア層30の上面が、ポリシリコン膜25の上面よりも低くなり、かつ、絶縁膜24の上面より高くになるようにする。このようにして選択トランジスタにおいては、溝29内に形成された導電性バリア層(導電性バリアプラグ)30を介して、ポリシリコン膜19とポリシリコン膜25とが電気的に接続されたゲート電極が形成される。
ここでは、溝29内に残る導電性バリア層30の上面を、絶縁膜24の上面、つまり、電極間絶縁膜の最上面よりも高くしたが、電極間絶縁膜の最上面よりも低くしても構わない。
導電性バリア層30と制御ゲート電極25との接触抵抗を小さくするためには、図14に示したように、導電性バリア層30の上面が絶縁膜24の上面よりも上にある方が、導電性バリア層30と制御ゲート電極25との接触面積を大きくできるので有利である。
導電性バリア層30のプロセスに起因する歩留まりの低下を避けるためには、図14に示したように、導電性バリア層30の上面が絶縁膜24の上面よりも上にある方が、導電性バリア層30の高さを下げるためのエッチバックを精密に行う必要がないので有利である。
[図15]
溝29が埋め込まれるように、選択トランジスタのゲート電極の一部となるポリシリコン膜(第3のポリシリコン膜)31を全面に形成する。ポリシリコン膜31は例えばCVD法により形成する。
溝29が埋め込まれるように、選択トランジスタのゲート電極の一部となるポリシリコン膜(第3のポリシリコン膜)31を全面に形成する。ポリシリコン膜31は例えばCVD法により形成する。
[図16]
RIE法などを用いてポリシリコン膜31をエッチングバックして、マスク28上のポリシリコン膜31を除去する。その結果、溝29がポリシリコン膜31で埋め込まれた構造が形成される。
RIE法などを用いてポリシリコン膜31をエッチングバックして、マスク28上のポリシリコン膜31を除去する。その結果、溝29がポリシリコン膜31で埋め込まれた構造が形成される。
[図17]
マスク28をRIEなどを用いて除去する。この時、ポリシリコン膜31はエッチングされて薄くなる。ここでは、図17(c)に示すように、表面が平坦になるようにマスク28の除去は行われる。
マスク28をRIEなどを用いて除去する。この時、ポリシリコン膜31はエッチングされて薄くなる。ここでは、図17(c)に示すように、表面が平坦になるようにマスク28の除去は行われる。
[図18]
全面に金属膜32を形成する。ここでは、金属膜32としてCo膜を形成し、その膜厚は40nmである。Co膜の以外に、Ni膜もしくはNiPt膜などのNi合金膜、または、Ti膜などの高融点金属膜を用いても構わない。
全面に金属膜32を形成する。ここでは、金属膜32としてCo膜を形成し、その膜厚は40nmである。Co膜の以外に、Ni膜もしくはNiPt膜などのNi合金膜、または、Ti膜などの高融点金属膜を用いても構わない。
[図19]
780℃、90秒の熱処理をN2 雰囲気中で行う(シリサイデーション)。その結果、メモリセルトランジスタにおいては、ポリシリコン膜は完全にシリサイド化し(FUSI)、シリサイド制御ゲート電極25aが形成される。
780℃、90秒の熱処理をN2 雰囲気中で行う(シリサイデーション)。その結果、メモリセルトランジスタにおいては、ポリシリコン膜は完全にシリサイド化し(FUSI)、シリサイド制御ゲート電極25aが形成される。
このようにしてポリシリコンゲート電極13b,19b(第1のゲート電極)が、絶縁膜20−24の貫通口を埋め込む導電性バリアプラグ30を介して、シリサイド制御ゲート電極25a(第2のゲート電極)と電気的に接続された構造が得られる。
この時、選択トランジスタのポリシリコン膜の全体もシリサイド化され、シリサイドゲート電極25bが形成されるが、その下のポリシリコンゲート電極13b,19bのシリサイド化は、上面が絶縁膜24の上面よりも高い導電性バリアプラグ30によって防止される。これにより、メモリセルトランジスタの制御ゲート電極に金属シリサイド電極を用いても、選択トランジスタのゲート絶縁膜の耐圧の低下や、しきい値電圧の変動などの特性劣化を抑制できるようになる。以下、この点についてさらに説明する。
NAND型不揮発性記憶装置はデータの記憶をつかさどる一連のメモリセルトランジスタの一端にこの一連のメモリセルトランジスタを選択するための選択トランジスタが配置されている。
メモリセルトランジスタは、半導体基板上にトンネル絶縁膜、浮遊ゲート電極、電極間絶縁膜、制御ゲート電極の積層により構成されている。選択トランジスタはセルトランジスタと同一の工程により形成されるが、選択トランジスタは浮遊ゲート電極を持つと選択トランジスタが不揮発動作をしてしまう。そのため、選択トランジスタにおいては、電極間絶縁膜の一部を開口して、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とが短絡する構造をとっている。
セルトランジスタの動作を高速化するために、電極間絶縁膜は浮遊ゲート電極上に三次元化して堆積を行っている。側面の電極間絶縁膜をキャパシタとして使用するためには、メモリセル間を制御ゲート電極で埋め込む必要がある。しかし、制御ゲート電極がポリシリコン膜の場合には、微細化につれて、電極間絶縁膜とポリシリコン膜の間に発生する空乏層がメモリセル間に広がり、メモリセル間のポリシリコン膜はもはや制御ゲート電極として機能しなくなる。
この現象への対策として、制御ゲート電極をシリサイド化する方法がとられている。しかし、メモリセル間の制御ゲート電極と選択トランジスタの制御ゲート電極は同一の工程により形成されている上、選択トランジスタにおいては上述の理由により制御ゲート電極と浮遊ゲート電極とを短絡しているので、メモリセルトランジスタの制御ゲート電極のシリサイド化の際には、選択トランジスタの制御ゲート電極もシリサイド化され、さらには浮遊ゲート電極(ポリシリコン膜)もシリサイド化されることになる。なお、シリサイド反応を制御し、選択トランジスタの浮遊ゲート電極(ポリシリコン膜)のシリサイド化を防止することは困難である。
選択トランジスタの浮遊ゲート電極(ポリシリコン膜)がシリサイド化されると、ゲート絶縁膜はポリシリコンではなく金属シリサイドに接し、ポリシリコンと金属シリサイドの仕事関数の違いにより、選択トランジスタのしきい値電圧は変動する。
また、選択トランジスタの浮遊ゲート電極(ポリシリコン膜)がシリサイド化される時には、シリサイドプロセスに使用される金属(ここではCo)がゲート絶縁膜中に拡散するために、ゲート絶縁膜は劣化する。ゲート絶縁膜が劣化すると、ゲート絶縁膜の耐圧は低くなる。選択トランジスタには、メモリセルトランジスタに比べて、大きな電界がかかるため、ゲート絶縁膜の耐圧の低下は大きな問題となる。
しかしながら、本実施形態の場合、選択トランジスタのポリシリコンゲート電極13b,19bのシリサイド化は導電性バリアプラグ30によって防止されるので、上述したようなゲート絶縁膜の耐圧の低下やしきい値電圧の変動といった特性劣化は抑制される。
図19の工程後は、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いたエッチングにより、未反応の金属膜32を除去し、さらに、配線工程等の周知の工程を経てNAND型フラッシュメモリが完成する。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、高誘電率の絶縁膜22としてHfAlO膜を用いた場合について述べたが、高誘電率の絶縁膜22としては、アルミニウム酸化膜(Al2 O3 )、比誘電率が10程度のマグネシウム酸化物(MgO)膜、比誘電率が16程度のイットリウム酸化物(Y2 O3 )膜、比誘電率が22程度のハフニウム酸化物(HfO2 )膜およびジルコニウム酸化物(ZrO2 )膜、比誘電率が25程度のタンタル酸化物(Ta2 O5 )膜、ビスマス酸化物(Bi2 O3 )膜、ストロンチウム酸化物(SrO)膜、ランタン酸化物(LaO)のいずれか1つの元素を含む単純酸化物もしくは複合酸化物の単層膜あるいは複数を積層した積層膜が使用可能である。
また、上記実施形態の不揮発性メモリは、浮遊ゲート電極を電荷蓄積層とするものであるが、本発明は、MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor)型不揮発性メモリなどの他の不揮発性メモリにも適用できる。
また、実施形態では、不揮発性メモリがNAND型フラッシュメモリである場合を例にあげて説明したが、本発明はNOR型フラッシュメモリにも適用できる。さらに、本発明は不揮発性メモリ自体だけではなく、不揮発性メモリを備えた音楽再生装置等の電子デバイスにも適用できる。
また、実施形態では、半導体基板がシリコン基板である場合を例にあげて説明したが、本発明はSOI基板や活性領域にSiGeが含まれる基板などを用いた場合にも適用できる。
また、本実施形態では、プラグ状の導電性バリア層を用いたが、層状の導電性バリア層を用いても構わない。この場合、選択トランジスタのゲート部は、ゲート絶縁膜、ゲート電極(ポリシリコン膜)、層状の導電性バリア層、ゲート電極(金属シリサイド膜)が順次積層された構造を有することになる。このような構造は、選択トランジスタの形成領域には、絶縁膜(電極間絶縁膜)20−24を形成せずに、ゲート電極(ポリシリコン膜)上に層状の導電性バリア層を直接形成し、この層状の導電性バリア層上にゲート電極(金属シリサイド膜)を形成する。選択トランジスタの形成領域に絶縁膜(電極間絶縁膜)20−24を形成しない方法としては、例えば、選択トランジスタの形成領域をレジスト等でマスクした状態で、絶縁膜(電極間絶縁膜)20−24を形成する方法がある。
また、電極間絶縁膜は上述したものには限定されず、種々の積層絶縁膜が使用可能である。例えば、ONON膜(シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜/シリコン窒化膜)やOAON(シリコン酸化膜/アルミニウム酸化膜/シリコン酸化膜/シリコン窒化膜)が使用可能である。A(アルミニウム酸化膜)の製造方法としてはCVD法やALD法があり、酸化剤としてはH2 Oやオゾンが使用可能である。さらに、高誘電体絶縁膜をシリコン酸化膜で挟んだ挟まれた積層絶縁膜が使用可能である。この積層絶縁膜が電極間絶縁膜として機能するのであれば、高誘電体絶縁膜は特に限定されないが、代表的には、アルミナ膜、ハフニウムシリケート膜、ハフニウムアルミネート膜、ハフニア膜、ランタンアルミネート膜などがあげられる。さらに、最下層がシリコン窒化膜の積層絶縁膜や、最下層および最上層がシリコン窒化膜の積層絶縁膜も使用可能である。
さらにまた、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
11…シリコン基板、12…絶縁膜、12a…トンネル絶縁膜、12b…ゲート絶縁膜(第1の絶縁膜)、13…ポリシリコン膜(第1のポリシリコン膜)、13a…第1の浮遊ゲート電極、13b…第1のポリシリコンゲート電極(第1のゲート電極)、14…シリコン窒化膜、15…シリコン酸化膜、16…レジストマスク、17…素子分離溝、18…素子分離絶縁膜、19…ポリシリコン膜(第1のポリシリコン膜)、19a…第2の浮遊ゲート電極、19b…第2のポリシリコンゲート電極(第1のゲート電極)、20−24…絶縁膜(電極間絶縁膜、第2の絶縁膜)、25…ポリシリコン膜(第2のポリシリコン膜)、25a…シリサイド制御ゲート電極、25b…シリサイドゲート電極(第2のゲート電極)、26…ソース/ドレイン領域、27…層間絶縁膜、28…マスク、29…溝、30…導電性バリア層、31…ポリシリコン膜(第3のポリシリコン膜)、32…金属膜。
Claims (5)
- 複数のメモリセルトランジスタと、前記複数のメモリセルトランジスタを選択するための選択トランジスタとを含む半導体装置であって、
前記メモリセルトランジスタは、半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、シリコンと金属との金属シリサイドで形成された制御ゲート電極とを備え、
前記選択トランジスタは、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、ポリシリコンで形成された第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上に設けられ、前記金属の拡散に対してバリアとなる導電性バリア層と、前記導電性バリア層上に設けられ、前記金属シリサイドで形成された第2のゲート電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電性バリア層は、チタンナイトライド膜、チタンアルミニウムナイトライド膜、チタンシリサイド膜、シリコンカーバイド膜、タンタルカーバイド膜、タンタルナイトライド膜、タンタルシリコンナイトライド膜、タングステンシリサイド膜またはシリコンゲルマニウム膜、前記金属は、コバルト、ニッケルまたは白金であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記選択トランジスタは、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間に設けられ、貫通口を有する絶縁膜をさらに備え、前記導電性バリア層は貫通口を埋め込み、前記第1のゲート電極は前記導電性バリア層を介して前記第2のゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記電荷蓄積層上に設けられた前記絶縁膜は、複数の絶縁膜を積層してなる多層絶縁膜であり、かつ、最上層の絶縁膜がシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1の領域に形成される複数のメモリセルトランジスタと、前記複数のメモリセルトランジスタを選択するために第2の領域に形成される選択トランジスタとを含む半導体装置の製造方法であって、
前記第2の領域の前記半導体基板上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、第1のポリシリコン膜で形成された第1のゲート電極を形成する工程と、
前記第1のゲート電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上に、金属シリサイドで形成された第2のゲート電極を形成する工程と、
少なくとも前記第2のゲート電極および前記第2の絶縁膜をエッチングし、前記第2のゲート電極および前記第2の絶縁膜を貫通する溝を形成する工程と、
前記溝内に導電性バリア層を形成する工程と、
前記導電性バリア層上に金属シリサイドを形成する工程と
を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。
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2008
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