JP2012015301A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板10上に第1絶縁膜13を介在して形成された電荷蓄積層14と、電荷蓄積層14上に第2絶縁膜15を介在して形成された制御ゲート16とを具備し、制御ゲート16は、その少なくとも一部領域16−2において、その側面が外側に向かって膨らんだ形状を有し、制御ゲート16において側面が膨らみ始める部分から該制御ゲート16の頂上までの高さH1は、膨らみ始める部分より上の領域における制御ゲート16の最大幅W2_max2よりも大きい。
【選択図】図3
Description
この発明の一実施形態に係る半導体記憶装置について、NAND型フラッシュメモリを例に挙げて、以下、説明する。
まず、NAND型フラッシュメモリの構成について説明する。
図1を用いて、本実施形態に係るNAND型フラッシュメモリの備えるメモリセルアレイの回路構成について説明する。図1は、メモリセルアレイの一部領域の回路図である。
次に、上記構成のNANDセル2の断面構成について、図2を用いて説明する。図2は、本実施形態に係るNANDセル2の、ビット線BLに沿った方向における断面図である。
次に、本実施形態に係るメモリセルトランジスタMTのゲート電極の構成の詳細について、図3を用いて説明する。図3は、メモリセルトランジスタMTのゲート電極の、ビット線BLに沿った方向における断面図である。
・W1_max>W2_max2≧W2_max1>W2_min (1)
・H1>W2_max2 (2)
但し、W1_max:電荷蓄積層14の最大幅
W2_max1:制御ゲート16の第1領域16−1の最大幅
W2_max2:制御ゲート16の第2領域16−2の最大幅
W2_min:制御ゲート16の最小幅であり、第1領域16−1と第2領域16−2との境界部分における幅、
H1:制御ゲート16の第2領域16−2の高さ、である。
次に、上記構成のNANDセル2の製造方法について、図4乃至図9を用いて説明する。図4乃至図9は、本実施形態に係るNANDセル2の製造工程を順次示す断面図であり。また図4乃至図9は、特にメモリセルトランジスタMT29〜MT31及び選択トランジスタST1の形成領域を示しており、この領域におけるビット線BL方向に沿った断面図である。
上記のように、本実施形態に係る半導体記憶装置であると、動作信頼性を向上出来る。本効果につき、以下説明する。
NAND型フラッシュメモリでは、データの書き込み、読み出し、及び消去のために、制御ゲートに電圧を転送する。そのため、制御ゲートの抵抗を十分に低くする必要がある。よって制御ゲートは、金属層と半導体層との積層膜、または金属と半導体との合金層で形成されるのが通常である。しかしながら、このような構造であると、下記(a)及び(b)のような問題がある。
(b1)電荷蓄積層間の容量結合による干渉が大きくなる。これにより、誤読み出しや誤書き込みが発生し易くなる。
本実施形態に係る構成であると、制御ゲート16を、外側に膨らんだ形状にしている。このような構成は、制御ゲート16の材料にNiSiを用いつつ、ワード線WLのハーフピッチを30nm以下とすることにより、実現可能である。これにより、上記3.1で説明した問題を解決出来る。
(b1)電荷蓄積層14間の容量結合による干渉が小さくなる。これにより、誤読み出しや誤書き込みが発生し難くなる。
以上のように、一実施形態に係るNAND型フラッシュメモリであると、半導体基板上に第1絶縁膜13を介在して形成された電荷蓄積層14(FG)と、電荷蓄積層14上に第2絶縁膜15を介在して形成された制御ゲート16(CG)とを具備する。そして制御ゲート16は、その少なくとも一部領域(第2領域16−2)において、その側面が外側に向かって膨らんだ形状を有する。更に、制御ゲート16において側面が膨らみ始める部分から制御ゲートの頂上までの高さH1は、膨らみ始める部分より上の領域(第2領域16−2)における制御ゲート16の最大幅W2_max2よりも大きい。
上記実施形態では、制御ゲートとなる多結晶シリコン層16が全てシリサイド化される場合を例に説明した。しかし、多結晶シリコン層16の一部のみがシリサイド化されても良い。つまり、この場合には、制御ゲートは多結晶シリコン層とNiSi層との積層構造となる。このような例を図10に示す。図10は、メモリセルトランジスタMTの積層ゲートの断面図である。なお、前述の通り、制御ゲート16においてどれだけの量をシリサイド化させるかは、図7の工程において側壁絶縁膜18をどれだけエッチングさせるかに応じて制御出来る。
また、メモリセルトランジスタMTの積層ゲートは、種々の形状を有していても良い。この例を図12に示す。図10は、メモリセルトランジスタMTの積層ゲートの断面図である。
以上のように、実施形態は種々に変形可能である。また、上記実施形態で説明した制御ゲート16の形状は、選択トランジスタのシリサイド層16に適用しても良い。また、上記実施形態ではNAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明したが、NOR型フラッシュメモリ等、その他のEEPROMであっても良い。この際、電荷蓄積層14は、導電膜では無く絶縁膜で形成されても良い(MONOS構造)。また実施形態は、EEPROMだけでなく半導体メモリ全般に適用可能である。また、半導体メモリに限らず、MOSトランジスタ全般に適用出来る。更に、デバイスを形成するための材料は、上記実施形態で説明したものにかぎらず、適宜選択できる。更に、製造プロセスの順番は、上記実施形態で説明した順番に限らず、可能な限り入れ替えることが出来る。
Claims (10)
- 半導体基板上に第1絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に第2絶縁膜を介在して形成された制御ゲートと
を具備し、前記制御ゲートは、その少なくとも一部領域において、その側面が外側に向かって膨らんだ形状を有し、
前記制御ゲートにおいて前記側面が膨らみ始める部分から該制御ゲートの頂上までの高さは、前記膨らみ始める部分より上の領域における該制御ゲートの最大幅よりも大きい
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートの少なくとも一部領域はシリサイド化されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートは、全領域においてシリサイド化されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記シリサイド化された領域は、NiSi層によって形成されている
ことを特徴とする請求項2または3記載の半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートは、その側面の途中から上部領域において、前記膨らんだ形状を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートにおいて、前記最大幅となる位置は、前記高さの半分となる位置よりも低い
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートは、その側面において、前記膨らみ始める部分に窪みを有する
ことを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。 - 隣接する前記メモリセルの前記積層ゲート間を埋め込む絶縁膜を更に備え、
前記絶縁膜内には空洞が含まれ、
前記空洞の上端の位置は、前記制御ゲートにおいて前記側面が膨らみ始める位置よりも低い
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 半導体基板上に第1絶縁膜を介在して形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に第2絶縁膜を介在して形成された制御ゲートと
を具備し、前記制御ゲートは、前記第2絶縁膜上の第1領域と、前記第1領域上の第2領域とを含み、
前記第1領域は、高さと共に幅が小さくされ、前記第2領域と接する部分での該第1領域の幅は、前記第2領域の最大幅よりも小さく、
前記第2領域の高さは、該第2領域の最大幅よりも大きい
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記制御ゲートは、少なくとも前記第2領域がNiSiを材料に用いて形成される
ことを特徴とする請求項9記載の半導体記憶装置。
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