JP2007004935A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 2つの電極に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、この可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有し、このメモリセルに情報を記憶させる記憶装置において、記録すべき情報に対応する一方の極性の電圧が可変抵抗素子に印加される前に、他方の極性の電圧が可変抵抗素子に印加されることにより、メモリセルに情報の記録が行われる構成とする。
【選択図】 図2
Description
特に、携帯電話装置を含む、携帯用の端末装置には、メモリとしてフラッシュメモリが多く用いられている。
また、抵抗変化によるデータ書き込み速度を例えば5n秒程度と速くすることができ、また低電圧(例えば1V程度)かつ低電流(例えば20μA程度)で動作させることができるという利点を有する。
例えば、同じ極性が連続する回数が増えていくに従って、低抵抗状態の抵抗値が高くなり、高抵抗状態の抵抗値が低くなる。
このように記録を行うために大きい電圧が必要になるときには、記録の際に印加する電圧パルスについて、パルスの振幅(電圧の大きさ)だけでなくパルスの幅も長くとる必要が生じるため、記録の動作が遅くなってしまうことになる。
これにより、同一のメモリセルの可変抵抗素子へ、同じ極性の電圧が連続して印加される回数を、最高2回までに抑えることができる。
従って、同じ極性の電圧が多数回連続して印加されることによる、抵抗値の変化を抑制することができ、データの記録に必要となる電圧が大きくなり過ぎないように抑制することができる。
即ち、データの記録を良好に行うことができる。
また、可変抵抗素子の抵抗値の変動を抑制することができるため、可変抵抗素子の寿命を長くすることができる。
この可変抵抗素子5は、2つの電極1,2の間に導体膜3と絶縁体膜4を持つ膜構成になっている。
また、絶縁体膜4の材料としては、例えば、アモルファスGd2O3や、SiO2等の絶縁体が挙げられる。
従って、電極1,2間に、絶縁体膜4側の電極2が低電位になるように電圧を加えると、金属元素のイオンが電極2に引き寄せられて、絶縁体膜4内に入っていく。そして、イオンが電極2まで到達すると、上下の電極1,2間が導通して抵抗値が下がることになる。このとき、下部の電極1から上部の電極2へ電流Iが流れる。このようにして、可変抵抗素子5へのデータ(情報)の書き込みが行われる。
一方、電極1,2間に、導体膜3側の電極1が低電位になるように電圧を加えると、金属元素がイオン化して電極1に引き寄せられて、絶縁体膜4から抜けていくため、上下の電極1,2間の絶縁性が増して、抵抗値が上がることになる。このようにして、可変抵抗素子5に対してデータ(情報)の消去が行われる。
実際には、絶縁体膜4中の金属元素のイオンの量によって、絶縁体膜4の抵抗値が変化しているので、絶縁体膜4を情報が記憶・保持される記憶層とみなすことができる。
例えば、前述した「データの書き込み」により「1」の情報を記録し、前述した「データの消去」により「0」の情報を記録することができる。
そして、データの記録を行った後に、可変抵抗素子5に印加されていた電圧を除去しても、可変抵抗素子5の抵抗値の状態が保持されるため、記録されたデータがそのまま保持されることになる。即ち、この可変抵抗素子5は、不揮発性を有する。
また、各図面に示す電圧パルスの波形は、図1に示した電流Iが流れる電圧極性(データの書き込みに相当)を正極性、その逆の電圧極性を負極性としており、正極性の電圧パルスが図中上向きになり、負極性の電圧パルスが図中下向きになるようにしている。
図7Aより、書き込みの電圧パルスPWが連続している。このように書き込みの電圧パルスPWが多数回連続すると、書き込み後の抵抗値(低抵抗状態の抵抗値)が高抵抗側にシフトしていくことがある。
図7Bより、消去の電圧パルスPEが連続している。このように消去の電圧パルスPEが多数回連続すると、消去後の抵抗値(高抵抗状態の抵抗値)が低抵抗側にシフトしていくことがある。
しかしながら、前述したように、可変抵抗素子5の抵抗値がシフトしていくことによって、場合に、通常と同じ電圧では正しく記録が行えなかったり、正しく記録を行うために絶対値の大きい電圧が必要になったりすることが考えられる。
即ち、1回のデータの記録毎に、逆極性の電圧を印加してから、記録すべきデータに対応する極性の電圧を印加するというように、2つの電圧の組を可変抵抗素子に印加する。
図2Aに示す波形は、「1」の情報の記録を行う場合の波形である。まず、逆極性の電圧パルスとして、従来の消去と同様の電圧パルスPEを印加して、引き続き、記録すべき情報に対応する極性の電圧パルスとして、従来の書き込みと同様の電圧パルスPWを印加している。即ち、2つの電圧パルスPE,PWの組により、「1」の情報の記録を行う電圧パルスP1を構成している。
図2Bに示す波形は、「0」の情報の記録を行う場合の波形である。まず、逆極性の電圧パルスとして、従来の書き込みと同様の電圧パルスPWを印加して、引き続き、記録すべき情報に対応する極性の電圧パルスとして、従来の消去と同様の電圧パルスPEを印加している。即ち、2つの電圧パルスPW,PEの組により、「0」の情報の記録を行う電圧パルスP0を構成している。
「1」の情報の記録を行う場合には、ソース線SL(電位φSL)からパルスを与えた後に、ビット線BL(電位φBL)からパルスを与える。
「0」の情報の記録を行う場合には、ビット線BL(電位φBL)からパルスを与えた後に、ソース線SL(電位φSL)からパルスを与える。
このようにして、可変抵抗素子に対して、図2A及び図2Bに示した波形の電圧パルスを印加することができる。
なお、この形態を、図1に膜構成を示した可変抵抗素子5に適用する場合には、ビット線BLを下部の電極1に接続し、ソース線SLを上部の電極2に接続する。
この場合には、一方の電極(電位Vc)を一定として、ビット線BL(電位φBL)から他方の電極に逆極性の2つのパルスの組を連続して与える。
一方の電極に供給する一定の電位Vcは、例えば、電源電圧の半分とすることが可能である。
このようにして、可変抵抗素子に対して、図2A及び図2Bに示した波形の電圧パルスを印加することができる。
なお、この形態を、図1に膜構成を示した可変抵抗素子5に適用する場合には、ビット線BLを下部の電極1に接続し、一定の電位Vcを上部の電極2に供給する。
このように、一方の電極に一定の電位Vcを供給する形態は、例えば、この一方の電極を複数のメモリセルの可変抵抗素子で共通して形成した構成に適用することができる。
図4Aに示すように、「1」の情報が4回連続した場合には、電圧パルスP1が4回続くため、同じ極性の電圧パルスPW或いはPEが2回連続することはなく、両極性の電圧パルスが交互に現れている。
図4Bに示すように、「0」の情報が4回連続した場合には、電圧パルスP0が4回続くため、同じ極性の電圧パルスPW或いはPEが2回連続することはなく、図4Aと同様に、両極性の電圧パルスが交互に現れている。
図5Aに示すように、「1」の情報の次に「0」の情報が続く場合には、電圧パルスP1(PE,PW)の次に電圧パルスP0(PW,PE)が続くため、電圧パルスPWが2回連続するが、その直後に逆極性の電圧パルスPEが印加される。
図5Bに示すように、「0」の情報の次に「1」の情報が続く場合には、電圧パルスP0(PW,PE)の次に電圧パルスP1(PE,PW)が続くため、電圧パルスPEが2回連続するが、その直後に逆極性の電圧パルスPWが印加される。
即ち、同じ極性の電圧パルスPW或いはPEが連続する回数は、2回までとなる。
即ち、書き込みや消去の閾値電圧よりも絶対値の小さい、読み出し電圧を印加して、可変抵抗素子の抵抗値を検知することによって、読み出しを行うことができる。
これにより、同じ極性の電圧パルスPW或いはPEが連続する回数を、2回以下に抑制することができる。
これにより、各極性の電圧をそれぞれ一定にしても、正しく安定してデータの記録を行うことができ、データの記録を良好に行うことができる。
また、可変抵抗素子の抵抗値の変動を抑制することができるため、可変抵抗素子の寿命を長くすることができる。
その他の構成の可変抵抗素子であっても、連続して同じ極性の電圧パルスを印加した場合に、抵抗値等が変化していく可変抵抗素子であれば、本発明を適用して、抵抗値の変化を抑制することが可能である。
Claims (1)
- 2つの電極に異なる極性の電圧を印加することにより、抵抗状態が高抵抗状態と低抵抗状態との間を可逆的に変化する可変抵抗素子を備え、
前記可変抵抗素子から成るメモリセルを複数有し、前記メモリセルに情報を記憶させる記憶装置であって、
記録すべき情報に対応する一方の極性の電圧が前記可変抵抗素子に印加される前に、他方の極性の電圧が前記可変抵抗素子に印加されることにより、前記メモリセルに情報の記録が行われる
ことを特徴とする記憶装置。
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040090A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 記憶装置及びデータ保持方法 |
WO2012132341A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性素子の書き込み方法および記憶装置 |
US8305795B2 (en) | 2009-04-27 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Nonvolatile variable resistance memory element writing method, and nonvolatile variable resistance memory device |
JP2012243334A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Nec Corp | 抵抗変化素子の制御方法、および、半導体装置 |
WO2013021649A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法 |
JP2013200922A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
US8593853B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
US8867259B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Method of programming variable resistance nonvolatile memory element |
US9001557B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device |
US9064573B2 (en) | 2013-04-03 | 2015-06-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Writing method of variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device |
US9202565B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-12-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Write method for writing to variable resistance nonvolatile memory element and variable resistance nonvolatile memory device |
US9208865B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance-change memory |
JP2017027648A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 抵抗性メモリ装置およびその書き込み方法 |
WO2019082860A1 (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置 |
JP2020529094A (ja) * | 2017-07-26 | 2020-10-01 | マイクロン テクノロジー,インク. | メモリにおけるプログラム動作 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017110699A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | Ntn株式会社 | クラッチユニット |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188355A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
JP2004185754A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルアレイの消去方法 |
JP2004273615A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化型メモリ |
WO2005104134A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Qimonda Ag | Verfahren und vorrichtung zur programmierung von cbram-speicherzellen |
JP2006221737A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
-
2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188355A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
JP2004185754A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置及びメモリセルアレイの消去方法 |
JP2004273615A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化型メモリ |
WO2005104134A1 (de) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Qimonda Ag | Verfahren und vorrichtung zur programmierung von cbram-speicherzellen |
JP2007525785A (ja) * | 2004-04-23 | 2007-09-06 | キモンダ アクチエンゲゼルシャフト | 導電性架橋構造ランダムアクセスメモリの各メモリセルのための書込装置および上記各メモリセルのための書込方法 |
JP2006221737A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置 |
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040090A (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-18 | Fujitsu Ltd | 記憶装置及びデータ保持方法 |
US8305795B2 (en) | 2009-04-27 | 2012-11-06 | Panasonic Corporation | Nonvolatile variable resistance memory element writing method, and nonvolatile variable resistance memory device |
US8665633B2 (en) | 2009-04-27 | 2014-03-04 | Panasonic Corporaion | Nonvolatile variable resistance memory element writing method, and nonvolatile variable resistance memory device |
US8787071B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-07-22 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
US8593853B2 (en) | 2010-03-30 | 2013-11-26 | Panasonic Corporation | Nonvolatile storage device and method for writing into the same |
JP5133471B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2013-01-30 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性素子の書き込み方法および記憶装置 |
JP2013058779A (ja) * | 2011-03-25 | 2013-03-28 | Panasonic Corp | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法および抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
US9378817B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-06-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device |
WO2012132341A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性素子の書き込み方法および記憶装置 |
CN102822901A (zh) * | 2011-03-25 | 2012-12-12 | 松下电器产业株式会社 | 电阻变化型非易失性元件的写入方法及存储装置 |
JP2012243334A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Nec Corp | 抵抗変化素子の制御方法、および、半導体装置 |
US8942025B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-01-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory element writing method |
WO2013021649A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法 |
JP5184721B1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-04-17 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み方法 |
US8867259B2 (en) | 2011-08-11 | 2014-10-21 | Panasonic Corporation | Method of programming variable resistance nonvolatile memory element |
US9001557B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-04-07 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device |
US9202565B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-12-01 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Write method for writing to variable resistance nonvolatile memory element and variable resistance nonvolatile memory device |
JP2013200922A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
US9208865B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistance-change memory |
US9064573B2 (en) | 2013-04-03 | 2015-06-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Writing method of variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device |
JP2017027648A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | 華邦電子股▲ふん▼有限公司 | 抵抗性メモリ装置およびその書き込み方法 |
JP2020529094A (ja) * | 2017-07-26 | 2020-10-01 | マイクロン テクノロジー,インク. | メモリにおけるプログラム動作 |
WO2019082860A1 (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子の書換え方法、および抵抗変化素子を用いた不揮発性記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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