JP2006521013A - ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法 - Google Patents

ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006521013A
JP2006521013A JP2006506699A JP2006506699A JP2006521013A JP 2006521013 A JP2006521013 A JP 2006521013A JP 2006506699 A JP2006506699 A JP 2006506699A JP 2006506699 A JP2006506699 A JP 2006506699A JP 2006521013 A JP2006521013 A JP 2006521013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
collector
exhaust
liquid
substrate
levels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006506699A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4441530B2 (ja
Inventor
ホーエンバルター,カール−ハインツ
Original Assignee
エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト filed Critical エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト
Publication of JP2006521013A publication Critical patent/JP2006521013A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4441530B2 publication Critical patent/JP4441530B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Abstract

開示されているのは平板状基板を処理するための装置で、それを構成しているものとして、スピン・チャック(2)はその基板を保持し、回転するためのもの、少なくとも1個のディスペンサー(3)は前記基板の少なくとも一面(W)の上に液体を供給するためのもの、液体捕集器(4)は回転中にその基板から遠心力で流出する液体を集めるために前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる、この液体捕集器(4)は少なくとも2段の捕集器レベル(L1、L2)を有し、液体を別々の捕集器(41、42)に分離して集めている、持ち上げ手段(H)は回転軸(A)に実質的に沿ってスピン・チャック(2)を液体捕集器(4)に対して相対的に少なくとも2段の排出レベル(E1、E2)に移動するためのもので、液体捕集器(4)の内部(40)からのガスを別個に集める、少なくとも1個の排気制御手段(71)が前記の少なくとも2段の排気レベルの少なくとも一方と関連していて、前記の少なくとも2段の排気レベル(E1、E2)の少なくとも一方でのガスの流動状態を別個に変化させる。

Description

本発明は、半導体ウエーハ(wafer)、フラット・パネル・ディスプレー(flat panel display)又はコンパクト・ディスク(compact disc)のような平板状基板を湿式処理するための装置及び方法に関する。
装置を構成しているものとして、スピン・チャック(spin−chuck)は基板を保持して、回転するためのもので、少なくとも1個のディスペンサー(dispenser)が前記基板の少なくとも一面の上に液体を供給するためにある。液体捕集器は前記スピン・チャックの周囲を囲んでいて、回転中に基板から遠心力で流出する液体を集める。液体捕集器は少なくとも2段の捕集器レベル(level)を有している。各捕集器レベルは異なる捕集器に液体を別個に集める目的を有する。
さらに、装置を構成しているものとして、持ち上げ手段は回転軸に実質的に沿ってスピン・チャックを液体捕集器に対して相対的に移動させる。及び、少なくとも2段の排気レベルはその液体捕集器の内部からガス(gas)を別けて集める。その液体捕集器の内部からガスを集めることは、液体が基板から遠心力で流出するときに生じるミスト(mist)の堆積を避けるのに有用である。
そのような液体捕集器は、必ずしも閉じた底部を有していないけれども、多くの場合「カップ(cup)」と呼ばれている。液体捕集器にしばしば用いられる別の用語は、全ての側面で閉じているのではないけれども、「チャンバー(chamber)」である。
そのような装置は当該分野で知られていて、特許文献1に詳細に示されている。この特許文献は共通排気系に接続された各捕集器レベルの各捕集器を示している。それにより各捕集器レベルがひとつの排気レベルとして同時に機能する。それゆえ、共通排気系が運転している間、各排気レベルにより液体捕集器の内部からガスを吸引する。
処理中に、スピン・チャックの高さより低い位置で、周辺ガス圧より低いガス圧を生じる。結果として、特定の捕集器レベルに流入すべき液体が、その特定の捕集器レベルより低い捕集器レベルに部分的に吸引されることがある。
別の液体Yを集めるべき捕集器レベルに液体Xが間違って送られて場合、液体Xが液体Yを汚染する。最悪の場合、液体X及びYがお互いに反応して、危険な又は可燃性の反応生成物を生じる。
できるだけ多くの基板を処理するために液体Yを再利用する場合、他の好ましくない結果を生じる。液体Xによる液体Yの汚染が、その後に処理する基板の汚損になる。この場合、別の結果として、液体Yの保存期間を有意に低下させることがある。
米国特許第4,903,717号明細書
それゆえ、本発明の目的は、その液体を捕集するために実際には選択されていない捕集器レベルに液体が部分的に吸引されるのを避けることである。
本発明の他の目的は、必要な排気流量を減らすことである。これは、単位時間当たりの排気体積が大きいことは処理費用を増大するだけでなく、多くの液体を排気系に吸引するので、液体の消費が大きくなる欠点となり、かつ、排気空気の浄化を求める可能性が高まる。
本発明は以下から成る平板状基板の湿式処理をするための装置を提供することにより、その目的に適合している:
−基板を保持し、かつ、回転するスピン・チャック、
−前記基板の少なくとも一面の上に液体を供給するための少なくとも1個のディスペンサー、
−回転中に基板から遠心力で流出した液体を、異なる捕集器に別々の液体を少なくとも2段の捕集器レベルで集めるために、前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる液体捕集器、
−回転軸に実質的に沿ってスピン・チャックを液体捕集器に対して相対的に動かすための持ち上げ手段、
−液体捕集器の内部からガスを別けて捕集するための少なくとも2段の排気レベル、
−少なくとも2段の排気レベルの少なくとも一段でガスの流動状態を選択的に変化させるために、前記少なくとも2段の排気レベルの少なくとも一方と関連している少なくとも1個の排気制御手段、
ディスペンサーは種々の方法で構成できる。例えば、液体を基板上にスプレー(spray)するか又は乱流を生じない方法で基板上に連続して流す。ディスペンサーは、処理時に基板の下面を向くように、それゆえ、上昇流になるように、又は、処理時に基板の上面を向くように、それゆえ、下降流になるように構成しうる。両方の場合に、処理中にディスペンサーが水平に移動できるように構成しうる。さらに、両方の構成のディスペンサーを使用して、同時に基板の両面に液体を供給できるようにすることも可能である。
スピン・チャックは例えば真空チャック、ベルヌーイ(Bernoulli)チャック、基板のエッジのみを保持するチャック(edge contact only=ECO)又はそのようなタイプの組合わせにすることができる。
各排気レベルは内部に開いた吸引オリフィス(orifice)を含んでいる。その吸引オリフィスは環状に配置された複数の吸引ノズル(nozzles)としうる。他の可能性は1個の環状スリット(slit)の形をしたノズルを提供することである。どの場合でも、1段の及び同じ排気レベルに環状のガス捕集チャンバー(chamber)を設けて、ガスの流動状態を円周方向に等しくすることには利点がある。
本発明の利点は、排出体積の著しい低減が可能であること、及び、2段の隣り合った捕集器レベルの間での相互汚染が避けられることである。
選択肢として、装置は排気制御手段を有する。この手段はバタフライ・バルブ(butterfly valve)のような流量制御用調節弁である。これにより、排気レベルを閉鎖するだけでなく、全ての排気レベルでガス流量を正確に低下することもできる。
改良された装置では、少なくとも1個の排気制御手段が閉鎖用弁で、少なくとも2段ある排気レベルの一方を閉鎖することができる。そのような構成により制御が容易になる。
他の実施例では、その装置には制御用手段が含まれる。それにより、少なくとも1個の排気制御手段は、液体捕集器に対するスピン・チャックの相対的位置により制御される。このことは排気制御手段を持ち上げ手段に直接接続することにより、機械的方法で容易に行なえるけれども、典型的には、これはコンピュータにより行なわれる。後者の場合、コンピュータは、チャックと液体捕集器の相対位置についての情報を持ち上げ手段から直接又は電子検出器でその位置を検出して受信している。
少なくとも1段の排気レベルの吸引オリフィスを2個の捕集器レベルの一方に接続した場合、この捕集器レベルは同時に排気レベルとして機能する。ガスは液体捕集器の内部から捕集器レベルに吸引されて、その中で液体から分離される。
別の実施例は、捕集器レベルの上方又は下方に配置された少なくとも2段の排気レベルの少なくとも一段を有している。この場合に、捕集器レベルは液体のみを集めて、ガスを吸引しない。これによる利点はガスと液体を捕集後に分離する必要がないことである。
本発明の他の側面は、平板状基板の湿式処理をするために装置内でガス流を制御する方法である。装置には、基板を保持し、回転するためのスピン・チャック、前記の基板の少なくとも一面の上に液体を供給するための少なくとも1個のディスペンサー、回転中に基板から遠心力で流出する液体を集めるために前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる液体捕集器が含まれている。液体捕集器には液体を別けて集めるために少なくとも2段の捕集器レベルが含まれている。さらに装置には、回転軸に実質的に沿ってスピン・チャックを液体捕集器に対して相対的に動かすための持ち上げ装置、及び、液体捕集器の内部からガスを別けて集めるための少なくとも2段の排気レベルが含まれる。その方法は、少なくとも2段の前記排気レベルで異なるガスの流動状態を選択的に生じることを特徴としている。
一実施例では、回転する基板に隣接するガス圧が前記基板の上方と下方で実質的に同じになるように種々のガスの流動状態が選択される。
本発明の一層の詳細と利点は好ましい実施例の詳細説明から理解できる。
図1は基板Wを保持して、回転するためのスピン・チャック2を含む装置1を示している。基板は第一面W1と第二面W2を有している。スピン・チャック2はギア・モーター(gear motor)装置5に接続されていて、その軸Aの回りを回転する。供給アーム3を用いて基板Wの第一面W1の上に液体を供給する。
カップ状液体捕集器4がスピン・チャック2の周囲を囲んでいる。液体捕集器はフレーム(frame)(図示せず)に取付けられている。持ち上げ手段Hを設けて、液体捕集器に対するスピン・チャックの位置を変える。それにより、スピン・チャックを3段の捕集器レベルL1、L2、L3のそれぞれに持ち上げることができる。各捕集器レベルL1、L2、L3には環状ダクト41、42、43が含まれ、遠心力で流出した液体をその中に集める。追加の飛散防止器(図示せず)を各捕集器に使用して、遠心力で流出した液体をその飛散防止器に急角度で当てて、その後、環状ダクトに向けることができる。各環状ダクト41、42、43はパイプ81、82、83に接続していて、集められた液体がそれを通って排出される。排出された液体は、基板に供給するために直ちに再使用され、又は、廃液として集められる。各捕集器レベルL1、L2、L3は別の液体を集めるためにある。L1は洗浄腋(例えば脱イオン水)を集めるためのもので、L2は酸性液用、L3は塩基性液用である。
一点鎖線は、液体を種々の捕集器レベルに遠心力で流出させるために、基板を配置する平面を示している。
各捕集器レベルL1、L2、L3の上方には、排出レベルE1、E2、E3がその捕集器レベルと実質的に並行に配置される。排出レベルは点線により示されている。各排出レベルは点線により示されている。各排出レベルは複数の内部に開いていて環状に配置された吸引オリフィス21、22、23から成っている。その複数の吸引オリフィス21、22又は23の各アレー(array)はそれぞれ別のリング(ring)状ガス捕集チャンバー11、12、13に接続している。
各ガス捕集チャンバーはパイプ61、62、63を経由して吸引される。各パイプ61、62、63内では弁71、72、73により制御されている。示されている実施例では、弁はバタフライ弁である。この利点は、弁を全閉にする必要はないが、ほぼ閉じたときでも非常に少量のガスをその特定の吸引レベルで吸引しうることである。
液体捕集器の内部40から吸引されるガス流(空気)の多くは上方から供給される(第一のガス流F1)。チャックより下の液体捕集器の内部を外部に接続する追加の開口部が設けられている。これが第二のガス流F2になり、好ましくは、周囲のクリーン・ルーム(clean room)から又は別個の供給源から清浄空気を供給する。第二のガス流を選択的に調節するための手段を設けることができる。
以下の表は図1に示した装置1を運転するための可能な条件を示す。
Figure 2006521013
コンピュータは、チャックの位置に基づいて、各排気レベルの状態を自動的に選択できる。
図2は本発明の第二の実施例を示していて、第一の実施例と類似しているが、以下の違いがある。排気オリフィス21、22、23はその捕集器レベルに接続されている。それゆえ、捕集器レベルL1、L2、L3が同時に排気レベルE1、E2、E3として機能する。各排気レベルの周囲を囲む吸引条件を等しくするために、吸引オリフィスの各アレーを環状のガス捕集器のチャンバーに接続する。
以下の表は図2に示す装置1を運転するために可能な条件を示している。
Figure 2006521013
特定の排気レベル(例えばE2)から吸引したガスを他の排気レベル(例えばE3)により吸引されたガスから分離するために、各排気レベルを異なる排気システムに接続することが可能である。そのような排気システムには、ガスの中性化、脱酸化窒素(NOxの除去)、及び(又は)液体残留物(ミスト(mist))の除去のための要素を含めてよい。
チャック2を低くするとき、チャック2より下のガス体積47が減少する。それゆえ、第二のガス流F2を抑える流出ガスを避けるために、下側のガス排気レベルを一時的に開くか又は全体として排気流量Eを高める必要があるだろう。
本発明の第一の実施例の概略的断面を示している。 本発明の第二の実施例の概略的断面を示している。

Claims (8)

  1. 平板状基板(W)を湿式処理するための装置(1)で、基板を保持し、かつ、回転するスピン・チャック(2);前記基板の少なくとも一面(W)の上に液体を供給するための少なくとも1個のディスペンサー(3);回転中に基板から遠心力で流出した液体を、少なくとも2段の捕集器レベル(L1,L2)で別々の液体を異なる捕集器(41、42)に集めるために、前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる液体捕集器(4);回転軸(A)に実質的に沿ってスピン・チャック(2)を液体捕集器(4)に対して相対的に動かすための持ち上げ手段(H);液体捕集器(4)の内部(40)からガスを別けて捕集するための少なくとも2段の排気レベル(E1、E2);前記の少なくとも2段の排気レベル(E1、E2)の少なくとも一段でガスの流動状態を選択的に変化させるために、前記の少なくとも2段の排気レベルの少なくとも一方と関連している少なくとも1個の排気制御手段(71);
    から成る装置(1)。
  2. その少なくとも1個の排気制御手段(71)がバタフライ弁のような流量制御用調節弁であることを特徴とする請求項1に基づく装置。
  3. その少なくとも1個の排気制御手段(71)が閉鎖用の弁であり、それにより少なくとも2段の排気レベルの一方を閉鎖することを特徴とする請求項1に基づく装置。
  4. 液体捕集器に対するスピン・チャックの相対的位置に基づいて、少なくとも1個の排気制御手段を制御する制御手段を含む請求項1に基づく装置。
  5. 少なくとも1段の排気レベル(E1、E2)の吸引オリフィス(21、22)がその2段の捕集器レベル(L1、L2)の一方に接続していることを特徴とする請求項1に基づく装置。
  6. 少なくとも2段の排気レベル(E1、E2)の少なくとも一方が捕集器レベル(L1、L2)の上方又は下方に配置されていることを特徴とする請求項1に基づく装置。
  7. 平板状の基板(W)を湿式処理するための装置(1)内のガス流を制御するための方法であって、その装置が、基板を保持し、かつ、回転するスピン・チャック(2);前記基板の少なくとも一面の上に液体を供給するための少なくとも1個のディスペンサー;回転中に基板から遠心力で流出した液体を、少なくとも2段の捕集器レベルで別々の液体を集めるために、前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる液体捕集器;回転軸に実質的に沿ってスピン・チャックを液体捕集器に対して相対的に動かすための持ち上げ手段及び;液体捕集器の内部からガスを別けて捕集するための少なくとも2段の排気レベル;を具備する方法において、少なくとも2段の前記排気レベルで異なるガスの流動状態を選択的に生じることを特徴とする方法。
  8. その異なるガスの流動状態が、回転する基板に隣接したガス圧が基板の上方及び下方で同じになるように選択されることを特徴とする請求項7に基づく方法。
JP2006506699A 2003-03-20 2004-03-12 ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法 Expired - Fee Related JP4441530B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT4442003 2003-03-20
PCT/IB2004/050238 WO2004084278A1 (en) 2003-03-20 2004-03-12 Device and method for wet treating disc-shaped articles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006521013A true JP2006521013A (ja) 2006-09-14
JP4441530B2 JP4441530B2 (ja) 2010-03-31

Family

ID=32996818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006506699A Expired - Fee Related JP4441530B2 (ja) 2003-03-20 2004-03-12 ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7837803B2 (ja)
EP (1) EP1609172B1 (ja)
JP (1) JP4441530B2 (ja)
KR (1) KR101039765B1 (ja)
CN (1) CN100447943C (ja)
AT (1) ATE421165T1 (ja)
DE (1) DE602004019061D1 (ja)
TW (1) TWI257881B (ja)
WO (1) WO2004084278A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180379A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2011204933A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012524408A (ja) * 2009-04-14 2012-10-11 ラム リサーチ コーポレーション 粘弾性洗浄材料を使用して基板上の粒子を除去するための装置および方法
KR20150098211A (ko) * 2014-02-19 2015-08-27 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6129973A (en) * 1994-07-29 2000-10-10 Battelle Memorial Institute Microchannel laminated mass exchanger and method of making
KR100687011B1 (ko) 2006-01-13 2007-02-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100787996B1 (ko) * 2006-06-16 2007-12-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법
TWI359456B (en) * 2006-12-15 2012-03-01 Lam Res Ag Device and method for wet treating plate-like arti
US7849865B2 (en) * 2007-01-05 2010-12-14 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
KR100839913B1 (ko) * 2007-01-12 2008-06-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR100839912B1 (ko) * 2007-01-12 2008-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US7972969B2 (en) * 2008-03-06 2011-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for thinning a substrate
US9159593B2 (en) * 2008-06-02 2015-10-13 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
JP5084639B2 (ja) * 2008-06-30 2012-11-28 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
CN101673062B (zh) * 2008-09-09 2011-10-26 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种全湿法去胶的装置
TWI419220B (zh) * 2008-12-12 2013-12-11 Grand Plastic Technology Co Ltd 具有移動式洩液槽之清洗蝕刻機台
CN101992165B (zh) * 2009-08-27 2012-10-24 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种用于圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置
US8501025B2 (en) 2010-03-31 2013-08-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR101592058B1 (ko) * 2010-06-03 2016-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 액처리 장치
TWI421928B (zh) * 2010-06-10 2014-01-01 Grand Plastic Technology Co Ltd 清洗蝕刻機台之自動清洗方法
US8926788B2 (en) * 2010-10-27 2015-01-06 Lam Research Ag Closed chamber for wafer wet processing
US20120286481A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Lam Research Ag Device and process for liquid treatment of wafer shaped articles
US8997764B2 (en) 2011-05-27 2015-04-07 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US20130008602A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Lam Research Ag Apparatus for treating a wafer-shaped article
US10269615B2 (en) 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US9355883B2 (en) 2011-09-09 2016-05-31 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US8894877B2 (en) 2011-10-19 2014-11-25 Lam Research Ag Method, apparatus and composition for wet etching
US9484229B2 (en) 2011-11-14 2016-11-01 Lam Research Ag Device and method for processing wafer-shaped articles
CN103357637B (zh) * 2012-03-31 2016-06-22 弘塑科技股份有限公司 清洗蚀刻机台移动式泄液槽的排气装置
US20140053982A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US9316443B2 (en) 2012-08-23 2016-04-19 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9147593B2 (en) 2012-10-10 2015-09-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9748120B2 (en) 2013-07-01 2017-08-29 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus
US9093482B2 (en) 2012-10-12 2015-07-28 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9589818B2 (en) 2012-12-20 2017-03-07 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles and liquid control ring for use in same
US10134611B2 (en) 2013-03-22 2018-11-20 Lam Research Ag Collector for use with an apparatus for treating wafer-shaped articles
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9779979B2 (en) * 2014-02-24 2017-10-03 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9786524B2 (en) * 2014-04-15 2017-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Developing unit with multi-switch exhaust control for defect reduction
KR101681183B1 (ko) * 2014-07-11 2016-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US9500405B2 (en) 2014-10-28 2016-11-22 Lam Research Ag Convective wafer heating by impingement with hot gas
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107093567B (zh) * 2016-02-18 2019-08-06 顶程国际股份有限公司 环状液体收集装置
US9972514B2 (en) 2016-03-07 2018-05-15 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
TWI797121B (zh) * 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
US10618085B2 (en) 2017-05-31 2020-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and methods for exhaust cleaning
CN107968061A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗液回收装置
US11244841B2 (en) 2017-12-01 2022-02-08 Elemental Scientific, Inc. Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
GB201820270D0 (en) 2018-12-12 2019-01-30 Lam Res Ag Method and apparatus for treating semiconductor substrate
TWI718529B (zh) * 2019-05-06 2021-02-11 弘塑科技股份有限公司 單晶圓濕處理設備
TWI711491B (zh) * 2020-01-03 2020-12-01 弘塑科技股份有限公司 基板濕處理設備及回收環

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US140949A (en) * 1873-07-15 Improvement in match-boxes
JPS63295696A (ja) * 1987-05-27 1988-12-02 Mitsubishi Electric Corp 陰極線管用螢光体
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
US5070813A (en) * 1989-02-10 1991-12-10 Tokyo Electron Limited Coating apparatus
US5273589A (en) 1992-07-10 1993-12-28 Griswold Bradley L Method for low pressure rinsing and drying in a process chamber
KR100284559B1 (ko) 1994-04-04 2001-04-02 다카시마 히로시 처리방법 및 처리장치
KR0164007B1 (ko) * 1994-04-06 1999-02-01 이시다 아키라 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치
TW306011B (ja) * 1995-04-19 1997-05-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH09243419A (ja) 1996-03-12 1997-09-19 Rion Co Ltd 液体試料の吸引装置
US6027602A (en) * 1997-08-29 2000-02-22 Techpoint Pacific Singapore Pte. Ltd. Wet processing apparatus
JP3708690B2 (ja) 1997-09-12 2005-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板現像装置
DE19807460A1 (de) * 1998-02-21 1999-04-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Ringförmige Aufnahme für einen rotierenden Träger
JP2001044164A (ja) 1999-07-26 2001-02-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001077082A (ja) 1999-09-06 2001-03-23 Takata Corp 処理液回収用チャンバー構造
JP4426036B2 (ja) 1999-12-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2002305177A (ja) * 2001-02-01 2002-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4531998B2 (ja) 2001-02-21 2010-08-25 Okiセミコンダクタ株式会社 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
JP2002329705A (ja) 2001-04-26 2002-11-15 Shibaura Mechatronics Corp スピン処理装置
US7074726B2 (en) * 2002-01-31 2006-07-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and substrate treating apparatus
US7584760B2 (en) 2002-09-13 2009-09-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007180379A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2012524408A (ja) * 2009-04-14 2012-10-11 ラム リサーチ コーポレーション 粘弾性洗浄材料を使用して基板上の粒子を除去するための装置および方法
JP2011204933A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20150098211A (ko) * 2014-02-19 2015-08-27 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치
JP2015179823A (ja) * 2014-02-19 2015-10-08 ラム・リサーチ・アーゲーLam Research Ag ウエハ状の物品を処理する方法および装置
KR102360260B1 (ko) 2014-02-19 2022-02-07 램 리서치 아게 웨이퍼-형상 물체를 프로세싱하는 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US7837803B2 (en) 2010-11-23
CN100447943C (zh) 2008-12-31
DE602004019061D1 (de) 2009-03-05
WO2004084278A1 (en) 2004-09-30
CN1762041A (zh) 2006-04-19
EP1609172B1 (en) 2009-01-14
TW200422113A (en) 2004-11-01
US20070175500A1 (en) 2007-08-02
KR20050107806A (ko) 2005-11-15
US20100101424A1 (en) 2010-04-29
US8955529B2 (en) 2015-02-17
JP4441530B2 (ja) 2010-03-31
ATE421165T1 (de) 2009-01-15
KR101039765B1 (ko) 2011-06-09
TWI257881B (en) 2006-07-11
EP1609172A1 (en) 2005-12-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4441530B2 (ja) ディスク形状の物体を湿式処理するための装置及び方法
JP6268469B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体
US9346084B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
TW201440133A (zh) 基板處理裝置,基板處理方法及記憶媒體
JPWO2008013118A1 (ja) 液処理装置および液処理方法
TW201424860A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US11823921B2 (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP6087765B2 (ja) 基板処理装置、洗浄用治具、洗浄用治具セット、および洗浄方法
KR20160025454A (ko) 기판 액처리 장치
JP6027465B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006278655A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2012004245A (ja) 処理装置
JP3451163B2 (ja) 基板処理装置
KR102262111B1 (ko) 처리 유체 공급 유닛
CN109570177B (zh) 清洗装置及清洗方法
WO2023189894A1 (ja) 基板処理装置、その検査方法、および基板処理システム
KR101899915B1 (ko) 게이트 도어 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP7034743B2 (ja) 基板処理装置
JP2003133278A (ja) 基板処理装置
JP2004207755A (ja) 基板処理装置
JP4405965B2 (ja) ポリッシング装置
KR20230063008A (ko) 기판 처리 장치
WO2019004390A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2004153085A (ja) 吸着ステージ
JP2018113481A (ja) 基板液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071016

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080110

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080729

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080919

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20081029

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20081106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090602

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090901

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090908

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091002

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091009

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20091102

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20091110

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4441530

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees