|
JP4411062B2
(ja)
*
|
2003-12-25 |
2010-02-10 |
株式会社アライドマテリアル |
超砥粒ワイヤソー巻き付け構造、超砥粒ワイヤソー切断装置および超砥粒ワイヤソーの巻き付け方法
|
|
JP4860192B2
(ja)
*
|
2004-09-03 |
2012-01-25 |
株式会社ディスコ |
ウェハの製造方法
|
|
JP4853042B2
(ja)
|
2006-02-17 |
2012-01-11 |
株式会社Ｓｕｍｃｏ |
ウェーハおよびその製造方法
|
|
CN103382575B
(zh)
|
2006-12-28 |
2016-12-07 |
圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
蓝宝石基材
|
|
EP2094439A2
(en)
|
2006-12-28 |
2009-09-02 |
Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. |
Sapphire substrates and methods of making same
|
|
US8740670B2
(en)
|
2006-12-28 |
2014-06-03 |
Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. |
Sapphire substrates and methods of making same
|
|
DE102007035266B4
(de)
|
2007-07-27 |
2010-03-25 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
|
|
JP2009184023A
(ja)
*
|
2008-02-01 |
2009-08-20 |
Noritake Super Abrasive Co Ltd |
ワイヤソーによるワーク切断方法及びワイヤソー切断装置
|
|
JP2009302409A
(ja)
*
|
2008-06-16 |
2009-12-24 |
Sumco Corp |
半導体ウェーハの製造方法
|
|
DE102008053610B4
(de)
|
2008-10-29 |
2011-03-31 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
|
|
US8490658B2
(en)
|
2009-02-26 |
2013-07-23 |
Saint-Gobain Abrasives, Inc. |
Automatic winding of wire field in wire slicing machine
|
|
DE102009025242B4
(de)
|
2009-06-17 |
2013-05-23 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102009030292B4
(de)
*
|
2009-06-24 |
2011-12-01 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102009030297B3
(de)
*
|
2009-06-24 |
2011-01-20 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102009030295B4
(de)
|
2009-06-24 |
2014-05-08 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
|
|
JP2011029355A
(ja)
*
|
2009-07-24 |
2011-02-10 |
Sumco Corp |
レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法
|
|
KR20120038550A
(ko)
|
2009-08-14 |
2012-04-23 |
생-고벵 아브라시프 |
연신체에 연마입자가 결합된 연마제품
|
|
MX2012001809A
(es)
|
2009-08-14 |
2012-06-08 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
Articulos abrasivos que incluyen particulas abrasivas unidas a un cuerpo alargado, y metodos para formar los mismos.
|
|
DE102009038941B4
(de)
|
2009-08-26 |
2013-03-21 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102009051007B4
(de)
|
2009-10-28 |
2011-12-22 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102009052744B4
(de)
*
|
2009-11-11 |
2013-08-29 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
|
|
KR101409738B1
(ko)
*
|
2009-12-01 |
2014-07-02 |
가부시키가이샤 사무코 |
웨이퍼의 연마 방법
|
|
DE102009057593A1
(de)
*
|
2009-12-09 |
2011-06-16 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102010005904B4
(de)
*
|
2010-01-27 |
2012-11-22 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
|
|
JP5501785B2
(ja)
*
|
2010-02-05 |
2014-05-28 |
株式会社ディスコ |
サファイア基板の加工方法
|
|
MY159039A
(en)
*
|
2010-02-08 |
2016-12-15 |
Toyo Advanced Tech Co Ltd |
Wire saw
|
|
US8991381B2
(en)
*
|
2010-02-08 |
2015-03-31 |
Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. |
Method of cutting workpiece with wire saw, and wire saw
|
|
JP5443192B2
(ja)
*
|
2010-02-10 |
2014-03-19 |
株式会社ディスコ |
サファイア基板の加工方法
|
|
TWI488725B
(zh)
*
|
2010-02-11 |
2015-06-21 |
Toyo Advanced Tech Co |
Cutting method and wire sawing by wire saw
|
|
DE102010014874A1
(de)
*
|
2010-04-14 |
2011-10-20 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
|
|
DE102010026352A1
(de)
*
|
2010-05-05 |
2011-11-10 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
|
|
JP5490255B2
(ja)
|
2010-11-24 |
2014-05-14 |
三菱電機株式会社 |
ワイヤ放電加工装置および半導体ウエハ製造方法
|
|
JP5766943B2
(ja)
*
|
2010-12-10 |
2015-08-19 |
学校法人立命館 |
研磨パッド
|
|
TW201507812A
(zh)
|
2010-12-30 |
2015-03-01 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
磨料物品及形成方法
|
|
JP2013045909A
(ja)
*
|
2011-08-25 |
2013-03-04 |
Sumco Corp |
半導体ウェーハの製造方法
|
|
JP2014530770A
(ja)
|
2011-09-16 |
2014-11-20 |
サンーゴバンアブレイシブズ，インコーポレイティド |
研磨物品および形成方法
|
|
WO2013041140A1
(en)
*
|
2011-09-22 |
2013-03-28 |
APPLIED MATERIALS SWITZERLAND SàRL |
Method and apparatus for cutting semiconductor workpieces
|
|
US9211634B2
(en)
|
2011-09-29 |
2015-12-15 |
Saint-Gobain Abrasives, Inc. |
Abrasive articles including abrasive particles bonded to an elongated substrate body having a barrier layer, and methods of forming thereof
|
|
KR101267982B1
(ko)
*
|
2011-12-13 |
2013-05-27 |
삼성코닝정밀소재 주식회사 |
반도체 기판의 연마방법 및 반도체 기판의 연마장치
|
|
JP2013129046A
(ja)
*
|
2011-12-22 |
2013-07-04 |
Shin Etsu Handotai Co Ltd |
ワークの切断方法
|
|
DE102012201516A1
(de)
*
|
2012-02-02 |
2013-08-08 |
Siltronic Ag |
Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
|
|
CN103286870B
(zh)
*
|
2012-02-24 |
2015-07-22 |
广东海粤集团有限公司 |
光学芯片切割夹具、芯片切割装置以及光学芯片切割方法
|
|
CN103386522A
(zh)
*
|
2012-05-08 |
2013-11-13 |
无锡奥特维科技有限公司 |
太阳能硅棒双线切割方法及装置
|
|
TWI572439B
(zh)
*
|
2012-05-31 |
2017-03-01 |
Read Co Ltd |
A fixed abrasive wire saw and its manufacturing method, and a method for cutting the workpiece using the same
|
|
TWI477343B
(zh)
|
2012-06-29 |
2015-03-21 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
研磨物品及形成方法
|
|
TW201404527A
(zh)
|
2012-06-29 |
2014-02-01 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
研磨物品及形成方法
|
|
TW201402274A
(zh)
|
2012-06-29 |
2014-01-16 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
研磨物品及形成方法
|
|
TWI474889B
(zh)
|
2012-06-29 |
2015-03-01 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
研磨物品及形成方法
|
|
DE102012221904B4
(de)
|
2012-11-29 |
2018-05-30 |
Siltronic Ag |
Verfahren zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung
|
|
DE112014000276B4
(de)
*
|
2013-02-19 |
2022-03-31 |
Sumco Corporation |
Verfahren zum Prozessieren von Halbleiterwafern
|
|
CN103182751B
(zh)
*
|
2013-03-28 |
2015-09-02 |
高本龙 |
一种多线切割机绕线机头及切割机
|
|
TW201441355A
(zh)
|
2013-04-19 |
2014-11-01 |
Saint Gobain Abrasives Inc |
研磨製品及其形成方法
|
|
JP2015147293A
(ja)
*
|
2014-01-09 |
2015-08-20 |
株式会社コベルコ科研 |
被加工物の切断方法
|
|
JP6318637B2
(ja)
*
|
2014-01-17 |
2018-05-09 |
日立金属株式会社 |
高硬度材料のマルチワイヤソーによる切断方法
|
|
CN104044218B
(zh)
*
|
2014-06-27 |
2017-01-25 |
泰州乐叶光伏科技有限公司 |
一种多线切割装置
|
|
JP6377459B2
(ja)
*
|
2014-08-29 |
2018-08-22 |
株式会社ディスコ |
ウエーハ検査方法、研削研磨装置
|
|
TWI621505B
(zh)
|
2015-06-29 |
2018-04-21 |
聖高拜磨料有限公司 |
研磨物品及形成方法
|
|
CN105313234B
(zh)
*
|
2015-11-17 |
2017-07-11 |
哈尔滨秋冠光电科技有限公司 |
一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法
|
|
CN105729252A
(zh)
*
|
2016-04-29 |
2016-07-06 |
成都贝施美生物科技有限公司 |
一种义齿的抛光方法
|
|
DE102016211883B4
(de)
|
2016-06-30 |
2018-02-08 |
Siltronic Ag |
Verfahren und Vorrichtung zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung
|
|
CN106239382A
(zh)
*
|
2016-09-05 |
2016-12-21 |
眉山市奔朗新材料科技有限公司 |
一种自动排屑式抛坯轮及其制备方法
|
|
CN107030908A
(zh)
*
|
2017-05-15 |
2017-08-11 |
天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺
|
|
CN108818692A
(zh)
*
|
2018-06-08 |
2018-11-16 |
浙江昱辉阳光能源有限公司 |
金刚线切割断线过渡滑轮
|
|
TWI786740B
(zh)
*
|
2020-07-27 |
2022-12-11 |
環球晶圓股份有限公司 |
晶碇切割裝置及晶碇切割方法
|
|
CN113611593B
(zh)
*
|
2021-08-02 |
2024-06-14 |
中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法
|
|
CN113815138B
(zh)
*
|
2021-09-29 |
2023-08-22 |
西安奕斯伟材料科技股份有限公司 |
改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统
|
|
CN114030093B
(zh)
*
|
2021-12-01 |
2023-02-28 |
长飞光纤光缆股份有限公司 |
一种晶体冷加工方法
|
|
JP7072180B1
(ja)
|
2021-12-20 |
2022-05-20 |
有限会社サクセス |
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置
|
|
JP7041932B1
(ja)
*
|
2021-12-20 |
2022-03-25 |
有限会社サクセス |
半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置
|
