DE602006014466D1 - Verfahren zur Herstellung von Halbleitern, Verfahren um sie zu schneiden und Drahtsäge dafür - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitern, Verfahren um sie zu schneiden und Drahtsäge dafür

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Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4411062B2 (ja) * 2003-12-25 2010-02-10 株式会社アライドマテリアル 超砥粒ワイヤソー巻き付け構造、超砥粒ワイヤソー切断装置および超砥粒ワイヤソーの巻き付け方法
JP4860192B2 (ja) * 2004-09-03 2012-01-25 株式会社ディスコ ウェハの製造方法
JP4853042B2 (ja) 2006-02-17 2012-01-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハおよびその製造方法
PL2121242T3 (pl) 2006-12-28 2012-07-31 Saint Gobain Ceramics Podłoża szafirowe i metoda ich wytwarzania
KR20110124355A (ko) 2006-12-28 2011-11-16 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 사파이어 기판 및 그 제조 방법
US8740670B2 (en) 2006-12-28 2014-06-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Sapphire substrates and methods of making same
DE102007035266B4 (de) 2007-07-27 2010-03-25 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
JP2009184023A (ja) * 2008-02-01 2009-08-20 Noritake Super Abrasive Co Ltd ワイヤソーによるワーク切断方法及びワイヤソー切断装置
JP2009302409A (ja) * 2008-06-16 2009-12-24 Sumco Corp 半導体ウェーハの製造方法
DE102008053610B4 (de) 2008-10-29 2011-03-31 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
US8490658B2 (en) 2009-02-26 2013-07-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Automatic winding of wire field in wire slicing machine
DE102009025242B4 (de) 2009-06-17 2013-05-23 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen chemischen Schleifen einer Halbleiterscheibe
DE102009030297B3 (de) * 2009-06-24 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102009030292B4 (de) * 2009-06-24 2011-12-01 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102009030295B4 (de) 2009-06-24 2014-05-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
JP2011029355A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Sumco Corp レーザマーク付き半導体ウェーハの製造方法
MX2012001809A (es) 2009-08-14 2012-06-08 Saint Gobain Abrasives Inc Articulos abrasivos que incluyen particulas abrasivas unidas a un cuerpo alargado, y metodos para formar los mismos.
US8425640B2 (en) 2009-08-14 2013-04-23 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive articles including abrasive particles bonded to an elongated body
DE102009038941B4 (de) * 2009-08-26 2013-03-21 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102009051007B4 (de) 2009-10-28 2011-12-22 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
DE102009052744B4 (de) * 2009-11-11 2013-08-29 Siltronic Ag Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe
JP5533884B2 (ja) * 2009-12-01 2014-06-25 株式会社Ｓｕｍｃｏ ウェーハの研磨方法
DE102009057593A1 (de) * 2009-12-09 2011-06-16 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102010005904B4 (de) * 2010-01-27 2012-11-22 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
JP5501785B2 (ja) * 2010-02-05 2014-05-28 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
US8991381B2 (en) 2010-02-08 2015-03-31 Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. Method of cutting workpiece with wire saw, and wire saw
US8881716B2 (en) * 2010-02-08 2014-11-11 Toyo Advanced Technologies Co., Ltd. Wire saw with tension detecting means and guide roller speed control
JP5443192B2 (ja) * 2010-02-10 2014-03-19 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
TWI488725B (zh) * 2010-02-11 2015-06-21 Toyo Advanced Tech Co Cutting method and wire sawing by wire saw
DE102010014874A1 (de) * 2010-04-14 2011-10-20 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE102010026352A1 (de) * 2010-05-05 2011-11-10 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
DE112011103905B4 (de) 2010-11-24 2022-09-15 Mitsubishi Electric Corporation Drahtschneideelektroerodierverfahren und Halbleiterwaferherstellungsverfahren
JP5766943B2 (ja) * 2010-12-10 2015-08-19 学校法人立命館 研磨パッド
TWI466990B (zh) 2010-12-30 2015-01-01 Saint Gobain Abrasives Inc 磨料物品及形成方法
JP2013045909A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Sumco Corp 半導体ウェーハの製造方法
US9375826B2 (en) 2011-09-16 2016-06-28 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive article and method of forming
WO2013041140A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 APPLIED MATERIALS SWITZERLAND SàRL Method and apparatus for cutting semiconductor workpieces
WO2013049204A2 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Abrasive articles including abrasive particles bonded to an elongated substrate body having a barrier layer, and methods of forming thereof
KR101267982B1 (ko) * 2011-12-13 2013-05-27 삼성코닝정밀소재 주식회사 반도체 기판의 연마방법 및 반도체 기판의 연마장치
JP2013129046A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワークの切断方法
DE102012201516A1 (de) * 2012-02-02 2013-08-08 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe
CN103286870B (zh) * 2012-02-24 2015-07-22 广东海粤集团有限公司 光学芯片切割夹具、芯片切割装置以及光学芯片切割方法
CN103386522A (zh) * 2012-05-08 2013-11-13 无锡奥特维科技有限公司 太阳能硅棒双线切割方法及装置
TWI572439B (zh) * 2012-05-31 2017-03-01 Read Co Ltd A fixed abrasive wire saw and its manufacturing method, and a method for cutting the workpiece using the same
TW201404527A (zh) 2012-06-29 2014-02-01 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
TWI477343B (zh) 2012-06-29 2015-03-21 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
TW201402274A (zh) 2012-06-29 2014-01-16 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
TWI474889B (zh) 2012-06-29 2015-03-01 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨物品及形成方法
DE102012221904B4 (de) 2012-11-29 2018-05-30 Siltronic Ag Verfahren zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung
CN104769704B (zh) * 2013-02-19 2017-10-13 胜高股份有限公司 半导体晶片的加工方法
CN103182751B (zh) * 2013-03-28 2015-09-02 高本龙 一种多线切割机绕线机头及切割机
TW201441355A (zh) 2013-04-19 2014-11-01 Saint Gobain Abrasives Inc 研磨製品及其形成方法
JP2015147293A (ja) * 2014-01-09 2015-08-20 株式会社コベルコ科研 被加工物の切断方法
JP6318637B2 (ja) * 2014-01-17 2018-05-09 日立金属株式会社 高硬度材料のマルチワイヤソーによる切断方法
CN104044218B (zh) * 2014-06-27 2017-01-25 泰州乐叶光伏科技有限公司 一种多线切割装置
JP6377459B2 (ja) * 2014-08-29 2018-08-22 株式会社ディスコ ウエーハ検査方法、研削研磨装置
TWI621505B (zh) 2015-06-29 2018-04-21 聖高拜磨料有限公司 研磨物品及形成方法
CN105313234B (zh) * 2015-11-17 2017-07-11 哈尔滨秋冠光电科技有限公司 一种双面抛光蓝宝石晶片的加工方法
CN105729252A (zh) * 2016-04-29 2016-07-06 成都贝施美生物科技有限公司 一种义齿的抛光方法
DE102016211883B4 (de) 2016-06-30 2018-02-08 Siltronic Ag Verfahren und Vorrichtung zur Wiederaufnahme des Drahtsägeprozesses eines Werkstückes nach einer unplanmäßigen Unterbrechung
CN106239382A (zh) * 2016-09-05 2016-12-21 眉山市奔朗新材料科技有限公司 一种自动排屑式抛坯轮及其制备方法
CN107030908A (zh) * 2017-05-15 2017-08-11 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种八英寸半导体硅片细线细砂化切割工艺
CN108818692A (zh) * 2018-06-08 2018-11-16 浙江昱辉阳光能源有限公司 金刚线切割断线过渡滑轮
TWI786740B (zh) * 2020-07-27 2022-12-11 環球晶圓股份有限公司 晶碇切割裝置及晶碇切割方法
CN113611593B (zh) * 2021-08-02 2024-06-14 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法
CN113815138B (zh) * 2021-09-29 2023-08-22 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 改善氮掺杂晶圆翘曲度的加工方法和系统
CN114030093B (zh) * 2021-12-01 2023-02-28 长飞光纤光缆股份有限公司 一种晶体冷加工方法
JP7072180B1 (ja) 2021-12-20 2022-05-20 有限会社サクセス 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置
JP7041932B1 (ja) * 2021-12-20 2022-03-25 有限会社サクセス 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2904871A (en) * 1956-07-17 1959-09-22 Jonathan F Cassel Carpet and method of producing same
JP2673544B2 (ja) * 1988-06-14 1997-11-05 株式会社日平トヤマ 脆性材料の切断方法
JP2891187B2 (ja) * 1995-06-22 1999-05-17 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置及び切断方法
JP3169120B2 (ja) * 1995-07-21 2001-05-21 信越半導体株式会社 半導体鏡面ウェーハの製造方法
JPH1052816A (ja) * 1996-08-13 1998-02-24 M Ii M C Kk ワイヤ式切断方法
JP3873490B2 (ja) * 1998-11-10 2007-01-24 日立電線株式会社 マルチワイヤソー装置
US6112738A (en) * 1999-04-02 2000-09-05 Memc Electronics Materials, Inc. Method of slicing silicon wafers for laser marking
JP2001001270A (ja) * 1999-06-17 2001-01-09 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 研摩用パッド
JP2001001335A (ja) * 1999-06-22 2001-01-09 Toshiba Ceramics Co Ltd ワイヤーソーを用いた単結晶シリコンインゴットのスライス方法
US6200908B1 (en) * 1999-08-04 2001-03-13 Memc Electronic Materials, Inc. Process for reducing waviness in semiconductor wafers
JP2003318138A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの製造方法
JP2004063883A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法
JP2004071833A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの両面研磨方法
JP2004235201A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd 基板の乾式化学機械研磨方法および乾式化学機械研磨装置
US7066801B2 (en) * 2003-02-21 2006-06-27 Dow Global Technologies, Inc. Method of manufacturing a fixed abrasive material

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060111869A (ko) 2006-10-30
US20060258268A1 (en) 2006-11-16
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