JP2006253621A - フラッシュメモリ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上にスクリーン酸化膜とパッド窒化膜を形成する段階と、前記パッド窒化膜とスクリーン酸化膜と半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチが形成された半導体基板の表面上に側壁酸化膜を形成し、前記スクリーン酸化膜を一定の厚さに再成長させる段階と、前記側壁酸化膜の厚さを減らす段階と、前記トレンチを含んだ全表面にライナー窒化膜を形成する段階と、前記トレンチ内に素子分離膜を形成する段階と、前記ライナー窒化膜とパッド窒化膜を除去し、半導体基板上に突出している素子分離膜を露出させる段階と、前記スクリーン酸化膜が除去されるように全面をエッチングして、前記パッド窒化膜の除去により露出した素子分離膜の幅を減らす段階と、隣り合う素子分離膜の間にトンネル誘電膜を介在してフローティングゲートを形成する段階とを含む。
【選択図】図5
Description
1)側壁酸化膜の形成の際、スクリーン酸化膜の再成長厚さを制御してスクリーン酸化膜の除去の際に共にリセスされる素子分離膜の幅を調節することができるので、安定的なフローティングゲートスペースを確保することができる。
102 スクリーン酸化膜
103 パッド窒化膜
104 トレンチ
105 側壁酸化膜
106 ライナー窒化膜
107 素子分離膜
108 トンネル酸化膜
109 フローティングゲート
Claims (22)
- 半導体基板上にスクリーン酸化膜とパッド窒化膜を形成する段階と、
前記パッド窒化膜とスクリーン酸化膜と半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチが形成された半導体基板の表面上に側壁酸化膜を形成し、前記スクリーン酸化膜を一定の厚さに再成長させる段階と、
前記側壁酸化膜の厚さを減らす段階と、
前記トレンチを含んだ全表面にライナー窒化膜を形成する段階と、
前記トレンチ内に素子分離膜を形成する段階と、
前記ライナー窒化膜とパッド窒化膜を除去し、半導体基板上に突出している素子分離膜を露出させる段階と、
前記スクリーン酸化膜が除去されるように全面をエッチングし、前記パッド窒化膜の除去により露出した素子分離膜の幅を減らす段階と、
隣り合う素子分離膜の間にトンネル誘電膜を介在してフローティングゲートを形成する段階とを含むことを特徴とするフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記スクリーン酸化膜は20〜50Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記スクリーン酸化膜を形成した後、ウェルイオンおよびしきい値電圧イオンを注入する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記再成長されたスクリーン酸化膜の厚さは100〜150Åであることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記側壁酸化膜を50〜300Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記ライナー窒化膜を50〜100Åの厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記素子分離膜は、前記トレンチを含んだ全面に、トレンチが埋め立てられるように絶縁膜を形成する段階と、
前記絶縁膜に形成されるシームおよびボイドを除去するためのアニーリング工程を行う段階と、
前記トレンチの内部にのみ残るように、前記絶縁膜を化学的機械的研磨工程で除去する段階とを含んで形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記絶縁膜は、O3TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)を用いて形成することを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記O3TEOS膜は、500〜550℃の温度、350〜650torrの圧力でO3とTEOSソースを用いて形成することを特徴とする請求項8に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記アニーリング工程は、ウェット酸化方式のアニーリング工程であることを特徴とする請求項7に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記ウェット酸化方式のアニーリング工程は、スチームアニール(steam anneal)工程またはウェット酸化工程であることを特徴とする請求項10に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記ウェット酸化方式のアニーリング工程は、
H2とO2の混合ガス雰囲気中で1次アニーリングを行う段階と、
N2ガスのみを含む雰囲気中で2次アニーリングを行う段階とからなることを特徴とする請求項10に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記1次アニーリング段階で、H2:O2の流量比は1:1または3:2であることを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記1次アニーリング段階の温度は700〜1000℃であることを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記2次アニーリング段階の温度は900〜1000℃であることを特徴とする請求項12に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記素子分離膜を形成した以後、前記パッド窒化膜上に残存する酸化膜を除去するためのポストクリーニング工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記ポストクリーニング工程の際にクリーニング溶液としてBOEまたはHFを使用することを特徴とする請求項16に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記ライナー窒化膜とパッド窒化膜とのエッチングの際にリン酸(H3PO4)溶液を使用することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記スクリーン酸化膜のエッチングの際にエッチング溶液としてDHF(Diluted HF)またはBOEを使用することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートを形成した以後、フローティングゲートの間に存在する素子分離膜を一定の厚さに除去してフローティングゲートの側面を露出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記素子分離膜を前記フローティングゲートの下部のトンネル誘電膜の真上にまで除去することを特徴とする請求項20に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートを形成した以後、全面に層間誘電膜とコントロールゲートと反射防止コーティング膜を順次形成する段階と、
前記ゲートパターニング工程で前記反射防止コーティング膜とコントロールゲートと層間誘電膜をパターニングし、パターニングされた反射防止コーティング膜を用いた自己整合エッチング工程で前記フローティングゲートをパターニングする段階とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
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