JP2006216963A - ウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法 - Google Patents

ウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006216963A
JP2006216963A JP2006028001A JP2006028001A JP2006216963A JP 2006216963 A JP2006216963 A JP 2006216963A JP 2006028001 A JP2006028001 A JP 2006028001A JP 2006028001 A JP2006028001 A JP 2006028001A JP 2006216963 A JP2006216963 A JP 2006216963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cap
buffer
forming
level packaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006028001A
Other languages
English (en)
Inventor
Moon-Chul Lee
文 ▲チョル▼ 李
Woon-Bae Kim
金 雲 培
Kae-Dong Back
白 桂 東
Qian Wang
ワン クィアン
Jun-Sik Hwang
黄 俊 式
Kyu-Dong Jung
丁 奎 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2006216963A publication Critical patent/JP2006216963A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00301Connecting electric signal lines from the MEMS device with external electrical signal lines, e.g. through vias
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47GHOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G25/00Household implements used in connection with wearing apparel; Dress, hat or umbrella holders
    • A47G25/12Cane or umbrella stands or holders
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47BTABLES; DESKS; OFFICE FURNITURE; CABINETS; DRAWERS; GENERAL DETAILS OF FURNITURE
    • A47B61/00Wardrobes
    • A47B61/04Wardrobes for shoes, hats, umbrellas, or the like
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A47FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47GHOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G25/00Household implements used in connection with wearing apparel; Dress, hat or umbrella holders
    • A47G25/02Dress holders; Dress suspending devices; Clothes-hanger assemblies; Clothing lifters
    • A47G25/06Clothes hooks; Clothes racks; Garment-supporting stands with swingable or extending arms
    • A47G25/0607Clothes hooks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/09Packages
    • B81B2207/091Arrangements for connecting external electrical signals to mechanical structures inside the package
    • B81B2207/094Feed-through, via
    • B81B2207/095Feed-through, via through the lid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【課題】本発明は耐温度性能の実験時に接続棒とキャップ基板との連結部分の破損が発生せず、高断面比を有するウエハーの連結穴の加工が容易なウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップは、素子が収容される空間を提供する所定容積の空洞部がその底面に形成され、素子ウエハーと1つに結合されるキャップウエハーと、素子ウエハーに素子に電気的に接続されるよう形成された複数の素子パッドとそれぞれ対応してキャップウエハーの底面に形成された複数のメタルラインと、複数のメタルラインそれぞれが接触され、複数の溝を形成する緩衝ウエハーと複数の溝に充填されたメタルから構成された複数の緩衝部と、複数の緩衝部のそれぞれに電気的に接続され、緩衝部の上側から前記キャップウエハーを貫通して形成された複数の接続棒と、キャップウエハーの上面に形成され、複数の接続棒の上端とそれぞれ電気的に接続された複数のキャップパッドとを含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、半導体チップのウエハーレベルパッケージングに関し、詳細にはウエハーレベルパッケージングに使用されるウエハーレベルパッケージングキャップとそのキャップの製造方法に関する。
一般にチップ単位で製造され、IC、通信用Hybrid chip、RF(Radio Frequency) MEMSなどの微細構造物、およびアクチュエーターなどのように特定機能を行う素子は、水分、パーティクル(particle)、高温に弱いのでパッケージングする必要がある。このようなパッケージングは、特定機能を行う素子が形成された素子ウエハーの上面を、素子の収容できる空間を提供する所定容積の空洞部が形成されたキャップで覆って密封することによりなされる。ウエハーレベルパッケージングは、複数の素子が形成されたウエハーをチップ単位で切断する前に、ウエハー単位で形成されたパッケージングキャップで密封しパッケージングしてから、チップ単位で切断しチップを完成するパッケージング方法である。前記の素子以外に、CCD,センサなどのように高温、水分、ガス性物質、パーティクルなどの最小化の求められる素子生産においてもこのようなウエハーレベルパッケージングが適用される。以下、ウエハーレベルパッケージングに使用されるパッケージングキャップにつき説明の便宜のためチップ単位で説明する。
このような従来技術によるウエハーレベルのパッケージングキャップを使用してパッケージングを行ったチップの一例が図1に図示されている。
同図に示すように、パッケージングされたチップ1は、素子ウエハー10とパッケージングキャップ20とを含んでなる。
素子ウエハー10は、素子基板11、その上面に形成された特定機能を行う素子12、素子12と電気的に接続された複数の素子パッド13から構成され、一般に半導体製造工程によって製造される。
パッケージングキャップ20は、素子12が収容される空間を提供する所定容積の空洞部22がその底面に形成され、素子ウエハー10と1つに結合されているキャップ基板21、素子12に電気的に接続されて複数の素子パッド13と対応してキャップ基板21の底面から空洞部22の内面22aで形成された複数のメタルライン25、メタルライン25のそれぞれに対応してキャップ基板21の空洞部内面22aからキャップ基板21の上面に至って貫通する複数の連結穴28、複数の連結穴28それぞれの内側に形成され、その下部は複数のメタルライン25とそれぞれ電気的に接続される複数の接続棒24、およびキャップ基板21の上面に形成され複数の連結穴28の接続棒24上部と電気的に接続される複数のキャップパッド23から構成される。
従って、チップ1は前述した素子ウエハー10のシーリングライン14と、パッケージングキャップ20に形成されたキャップシーリングライン27と、を融点結合(eutectic bonding)などで溶融ボンディングすることでパッケージングが完了される。
上記の従来技術によるパッケージングキャップ20は、耐温度性を実験する過程で連結穴28部分に大量の破損が生じている。耐温度性能を実験するため熱を加えれば、連結穴28を形成しているキャップ基板21ウエハーの材質と接続棒24を形成している材質との熱変形率の差異によって生じる熱的ストレス(stress)により破損が生じるのである。従って、上記問題を解決するためそれを緩衝する必要が求められる。
このために、キャップ基板21に複数の連結穴28を加工した後、連結穴28の内側壁に緩衝物質層を形成してから電気メッキにより接続棒24を形成する。ところが、電気メッキを行なうためにはまず連結穴28の内側壁の緩衝物質層上にシードメタル(seed metal)を形成しなければならない。通常、穴の内面にシードメタル層を形成する工程は穴の深さが100μm以下である場合のみ可能であり、穴の深さが100μm以上である場合にはシードメタル層を形成することが困難である。即ち、厚さが100μm以下であるウエハーに形成された連結穴にのみシードメタル層を形成することができる。ところが、ウエハーの機械的な特性と加工上の便宜性を考慮する際、加工が完了したキャップ基板20の厚さは普通300μm以上である。もし、ウエハーの厚さがそれより薄ければ加工工程中にウエハーが破壊される恐れがある。従って、上記方法にては300μm以上であるキャップ基板21の連結穴28にシードメタル層を形成できない。シードメタル層の形成ができなければ電気メッキもできないことから接続棒24を形成することが不可能となる。
即ち、今までのパッケージングキャップの製造方法は、その厚さが300μm以上であるウエハーに耐温度性能実験により優れた特性を有するべく連結穴の内側に緩衝物質を形成することが困難である問題を抱えていた。

そこで、本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、本発明の目的は、耐熱性に優れるウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法を提供することにある。
本発明1に係る、素子がその上面に形成された素子ウエハーを覆うウエハーレベルパッケージングキャップにおいて、前記素子が収容される空間を提供する所定容積の空洞部がその底面に形成され、前記素子ウエハーと1つに結合されるキャップウエハーと、前記素子ウエハーに前記素子に電気的に接続されるよう形成された複数の素子パッドとそれぞれ対応して前記キャップウエハーの底面に形成された複数のメタルラインと、前記複数のメタルラインそれぞれが接触され、複数の溝を形成する緩衝ウエハーと前記複数の溝に充填されたメタルから構成された複数の緩衝部と、前記複数の緩衝部のそれぞれに電気的に接続され、前記緩衝部の上側から前記キャップウエハーを貫通して形成された複数の接続棒と、前記キャップウエハーの上面に形成され、前記複数の接続棒の上端とそれぞれ電気的に接続された複数のキャップパッドとを含むウエハーレベルパッケージングキャップを提供することによって達成される。
本発明によると、連結穴の下部に緩衝部が形成され、緩衝部の上部の連結穴を埋めるように接続棒が形成される。また、緩衝部は、溝を有する緩衝ウェハと、その溝を充填するメタルとから形成されている。そして、接続棒が形成される連結穴上部からキャップウェハを観察すると、連結穴の底部に緩衝部のメタルが露出している。この底部に位置するメタルがシードメタルの役割を果たし、電気メッキによる接続棒の形成が可能となる。以上のように、本発明によれば、高断面比を有するウエハーである場合にも連結穴の加工が容易であり、シードメタルを形成することができる。よって、電気メッキ工程を介して接続棒を形成することができる。
また、本発明によると、キャップウェハに用いるウェハの厚みを維持することができるので、ウェハの強度を増して破損を抑制することができる。つまり、上述の緩衝部によりシードメタルを形成することで高アスペクト比に対応するため、基板の厚みを薄くする必要がない。
また、緩衝部の溝はメタルで埋められ、このメタルと接続棒とが電気的に連結されるため、空洞部に形成された素子と接続棒に接続される外部装置とを電気的に接続することができる。
発明2は、発明1において、前記複数の溝とメタルとの間、および前記接続棒とキャップウエハーとの間には緩衝物質層が形成される。
接続棒とウエハとが異なる熱変形率からなるものであっても、接続棒とウエハーとの間の熱的ストレスが緩衝物質の緩衝作用によって緩和される。つまり、接続棒及びウェハの変形の違いが緩衝物質により緩和されるため、接続棒等の周囲での破損を抑制できるなど耐熱性に優れる。よって、例えば耐温度性能を実験する際に接続棒の周囲で破損が生じないウエハーレベルパッケージングキャップを提供することができる。
発明3は、発明2において、前記緩衝物質層は酸化層であることが好ましい。
発明4は、発明1において、前記緩衝部の断面積が前記接続棒の断面積より大きいことが好ましい。
発明5は、発明1において、前記緩衝部は、その断面がメタルと緩衝ウエハーが繰り返される縞模様のパターンで形成されたことがよい。
発明6は、発明1において、前記緩衝部のメタルは前記メタルラインをなす材質と同じものであることが好ましい。
発明7は、発明1において、前記複数の緩衝部は前記空洞部に形成されることが好ましい。
発明8は、発明1において、前記キャップウエハーは前記素子ウエハーのシリングラインに対応されるキャップシーリングラインを更に含むことが好ましい。
本発明9は、素子がその上面に形成された素子ウエハーをパッケージングするウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法において、ウエハーの一面に空洞部を形成するステップと、
前記ウエハーの反対面で前記空洞部側に所定深さの複数の連結穴を形成するステップと、前記空洞部と複数の連結穴との間のウエハーに複数の緩衝部を形成するステップと、前記複数の緩衝部上側で複数の連結穴の内側にメタルをメッキし接続棒を形成するステップと、前記ウエハーの反対面に複数のキャップパッドを形成するステップと、前記ウエハーの一面に前記緩衝部と電気的に接続される複数のメタルラインを形成するステップとを含むウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を提供することによって達成される。
発明10は、発明9において、前記空洞部の形成ステップは、前記ウエハーの全面に酸化層を形成するステップと、前記ウエハーの一面に写真工程を介して前記空洞部に対応されるパターンを形成するステップと、前記空洞部に当たる酸化層部分をエッチングして取除くステップと、前記酸化層が取除かれたウエハー部分をエッチングし所定の深さまで取除くステップとを含む。
発明11は、発明9において、前記連結穴の形成ステップは、前記ウエハーの反対面に写真工程を介して複数の連結穴に対応されるパターンを形成するステップと、前記複数の連結穴に当たる酸化層部分をエッチングし取除くステップと、前記酸化層が取除かれたウエハー部分をエッチングし所定の深さまで取除くステップと、前記複数の連結穴の内側壁に酸化層を形成するステップとを含む。
発明12は、発明9において、前記緩衝部の形成ステップは、前記ウエハーの一面に写真工程を介して複数の緩衝部に対応されるパターンを形成するステップと、前記複数の緩衝部に対応されるウエハー部分をエッチングして前記連結穴と連通する所定パターンの溝を形成するステップと、前記複数の緩衝部のパターンを取除き、酸化層を積層するステップと、前記ウエハーの一面にシードメタル層を蒸着するステップと、前記シードメタル層の上側にメタルをメッキし前記所定パターンの溝を充填するメッキ層を形成するステップとを含む。
発明13は、発明12において、前記緩衝部は、縞模様のパターンを有する溝で形成される。
発明14は、発明9において、前記キャップパッド形成ステップは、前記ウエハーの反対面を平坦化するステップと、前記ウエハーの平坦化された面にトップメタル層を蒸着するステップと、前記トップメタル層の上側に複数のキャップパッドに対応するパターンを形成するステップと、前記トップメタル層をエッチングし複数のキャップパッドを形成するステップとを含む。
発明14は、発明9において、前記ウエハーの一面にキャップシーリングラインを形成するステップを更に含むことを特徴とする。
発明16は、発明15において、前記ウエハーの一面にキャップシーリングラインを形成するステップは、写真工程を介し 前記ウエハーの一面にキャップシーリングラインに対応されるパターンを形成するステップと、前記ウエハーの一面にシーリングメタルを蒸着するステップと、前記キャップシーリングラインのパターンを取除きクリーニングするステップとを含む。
本発明によると、耐熱性に優れるウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法を提供することができる。
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳述する。但し、従来技術と同一または類似の部分は同一参照符号を付与して説明する。
図2に示すように、本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップ100は、キャップウエハー110と、空洞部111と、複数のメタルライン112と、複数の緩衝部120と、複数の接続棒113と、複数のキャップパッド114と、シーリングライン116とを含んでなる。
キャップウエハー110は、パッケージングキャップ100の本体を形成し、キャップシーリングライン116を形成するシーリング材料(solder)によって素子ウエハー10と1つに結合されるものであって、半導体を製造するため一般的に使用される材質のウエハーが使用されている。本実施の形態ではシリコン(Si)ウエハーを使用した。
空洞部(cavity)111は、特定の機能を行う素子12が収容される空間を提供する所定容積の空間であって、キャップウエハー110の底面に形成されている。空洞部111のサイズは素子ウエハー10に備えられた特定機能の素子12によって決められる。空洞部111は写真工程とエッチング工程を介してキャップウエハー110を所定の形状および深さでエッチングすることにより形成される。
メタルライン112は、複数の素子パッド13それぞれに対応してキャップウエハー110の底面に複数形成される。素子パッド13は、素子ウエハー10に備えられ、素子12に電気的に接続されている。このメタルライン112は接続棒113と素子パッド13とを電気的に接続させ、メタルライン112の一端は緩衝部120の下面に接続され、その他端は素子ウエハー10の素子パッド13と接触される位置のキャップウエハー110の底面に形成される。
緩衝部120は、接続棒113とキャップウエハー110間との熱的ストレスによるストレスを緩衝させるためのものである。この熱的ストレスは、接続棒113とキャップウエハー110との変形率の差異に起因するもので、温度変化により接続棒113とキャップウエハー110との変形に差が生じることにより発生する。この緩衝部120は、複数のメタルライン112と複数の接続棒113との間のキャップウエハー110に形成される。緩衝部120により300μm以上のウエハーに形成された穴の内側壁に緩衝物質層を形成しながらもシードメタル層を形成することができる。
緩衝部120は複数の溝123(図3参照)を形成する緩衝ウエハー122と複数の溝123に充填されているメタル121とから構成される。複数の溝123を形成する緩衝ウエハー122は、図2のI−I線で切断したとき多様なパターンで形成され得る。図3には本発明に係るパッケージングキャップ100の一実施の形態に係る緩衝部120を構成する緩衝ウエハー122の一例が図示されている。同図における緩衝部120を構成する緩衝ウエハー122は縞模様のパターンをなし、複数の溝123には電気メッキで形成されたメタル121が充填されている。また、複数の溝123を形成している緩衝ウエハー122と複数の溝123に充填されるメタル121との間にはシリコンとメタル間で生じる熱的ストレスを吸収することができるよう緩衝物質層117が形成される。なお、緩衝物質層117は酸化層で形成されることが好ましい。この緩衝物質層117は複数の溝123の側壁に形成される緩衝物質層の厚さが0.5〜1μmであることが好ましい。そして、緩衝部120の緩衝ウエハー122を、図3に示すよう、縞模様のパターンにすることは一実施の形態に過ぎず、その他、格子パターンなどメタルからなる。接続棒113が、シリコンウエハーにより形作られる連結穴115から抜け出ることを防止できるパターンであればいずれのパターンでも構わない。このように、接続棒113が連結穴115から抜け出てしまっては、接続棒113とメタル121とを電気的に連結することができない。ここで、緩衝部120は、後述のように電気メッキにより溝123にメタル121が充填されるように形成される。よって、メタル121が電気メッキにより溝123に充填可能なパターンであり、かつ接続棒113とメタル121とが電気的に連結されるようなパターンであればどのようなパターンであっても良く、特に限定されない。
また、緩衝部120の複数の溝123を充填するメタル121は、メタルライン112と接続棒113とを電気的に接続するものであって、メタルライン112を形成するメタルと同一材質からなると、両金属間の電気的抵抗を減らすことができ好ましい。そして、緩衝部120は、図3に示すように、その断面積が連結穴115の断面積より大きく形成される。ただし、緩衝部120の断面積が連結孔の断面積より小さい場合もあり得る。しかし、そのサイズは連結穴115の直径の1.3倍以下であることが好ましい。
また、緩衝部120の高さは約100μm以下であることが好ましい。これは、空洞部や緩衝ウェハの溝の表面にシードメタル層を蒸着させる際に、100μm以下であると高低差が小さいため、断線などを防止しつつ連続したシードメタル層を形成することができるからである。
複数の接続棒113は、金属、即ちメタルで形成される。また、接続棒113は、緩衝部120のメタル121を介して、メタルライン112と、キャップウエハー110の上面に形成されたキャップパッド114と、を電気的に接続する。また、キャップウエハー110と接続棒113との間には、シリコンとメタルとの間で発生する熱的ストレスを吸収することができるよう緩衝物質層117が形成される。なお、緩衝物質層117は酸化層で形成することが好ましい。ここで、連結穴115は、キャップウエハー110の上面から緩衝部120まで連通されるように形成される。また、その連結穴115の内側には、酸化層117を形成してからメタルが電気メッキにより形成される。そして、接続棒113は、この所定深さの連結穴115を埋めるように形成される。
キャップパッド114は、パッケージングキャップ100で覆われた素子12と外部装置とを電気的に接続させるものであって、素子12に備えられた素子パッド13の個数に応じて複数形成される。このようなキャップパッド114は、複数の連結穴115の接続棒113の上端と電気的に接続できるように、キャップウエハー110の上面に形成される。
キャップシーリングライン116は、素子ウエハー10のシーリングライン14と結合されることで、空洞部111内に位置する素子12に外部の水分やパーティクルなどが進入されないよう密封するものである。キャップシーリングライン116は、空洞部111の形成されたキャップウエハー110の底面に、空洞部111の周辺に位置するように形成される。このとき、キャップシーリングライン116を形成するシーリング材料(solder)として、一定の熱が加えられれば溶融され、素子ウエハー10のシーリングライン14を形成しているシーリング材料と融合されて密封できる金属材料が使用される。このようなキャップシーリングライン116のはんだ材質は本発明の主要部分ではなく、今までに既知のはんだを使用可能である。
ウエハーレベルパッケージングでは、前述したパッケージングキャップ100のキャップシーリングライン116が、特定機能を行う素子12がをその上面に備える素子ウエハー10のシーリングライン14と一致するようパッケージングキャップ100を覆う。ここで、シーリングライン14,116を構成しているシーリング材料(solder)が溶融できる程度の熱を加えれば、素子ウエハー10及びパッケージングキャップ100のシーリングライン14,116が互いに接着されることによってパッケージングが完成される。
次に、本発明にかかるウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法について詳説する。
まず、前述のような本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップを製造する方法は大きく次のステップから区分される。
即ち、ウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法は、ウエハーの一面に空洞部を形成するステップと、ウエハーの反対面から前記空洞部側に向って所定深さの複数の連結穴を形成するステップと、空洞部と複数の連結穴との間のウエハーに複数の緩衝部を形成するステップと、複数の緩衝部の上側かつ複数の連結穴の内側にメタルをメッキし接続棒を形成するステップと、ウエハーの反対面に複数のキャップパッドを形成するステップと、ウエハーの一面に緩衝部と電気的に接続できる複数のメタルラインを形成するステップと、を含む。
以下、添付の図4Aないし図4Vに基づいて前記のようなウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法の一実施の形態について詳説する。
まず、空洞部、複数の緩衝部、連結穴を加工してキャップウエハー110を形成する、シリコンなどからなるウエハー130を準備する(図4A)。
ウエハー130の全面を、熱酸化して第1酸化層131を形成する(図4B)。
写真工程をにより、空洞部111に対応する感光膜パターン132をウエハー130の一面に形成する(図4C)。ここで、写真工程(photolithography)とは、加工すべきウエハー130の一面にフォトレジスト感光膜を形成した後、感光膜上に必要な形状の感光膜パターンが形成されたマスクをかぶせてから、紫外線などの光を照射し現像することによって必要な形状を形成することのできるパターンに対応された感光膜部分のみを残す工程である。以下の製造方法説明において写真工程はそれと同一ないし類似な意味として使用される。
次に、空洞部111が形成される部分に該当する第1酸化層部分131aをエッチングにより除去する。このとき、エッチングとしては、例えば第1酸化層部分131aを選択的にエッチングするドライエッチングを用いる。続いて、酸化層が除去されたウエハー部分を、湿式シリコンエッチングを介して所定の深さで除去し所定面積の深さを有する空洞部111を形成する(図4D)。
続いて、空洞部のパターンをなしていた感光膜パターン132を除去してから洗浄する(図4E)。
それから写真工程を介して、空洞部が形成された面の反対面に、複数の連結穴115に当たる感光膜パターン142を形成する(図4F)。
次に、複数の連結穴115が形成される部分の第1酸化層131bを、例えばドライエッチングして除去する(図4G)。続いて、例えばウェットエッチングによるエッチングを介してウエハー130に所定の深さを有する複数の連結穴115を形成する(図4H)。なお、複数の連結穴115の加工深さは、連結穴115の下端と空洞部111との間に残存するウエハー130の厚さ(t)が緩衝部120として機能することができる程度まで加工する。従って、緩衝部120が形成される箇所の厚さ(t)は100μm以下であることが好ましい。そして、複数の連結穴115をエッチングする方法として、ICP−RIE(inductively coupled plasm Reactive Ion Etching)装置を用いてシリコンウエハーをエッチングして加工する乾式エッチングが適用できる。
続いて、複数の連結穴115に対応されるパターンを形成した感光膜パターン142を除去する(図4I)。
そして、空洞部111が形成されたウエハー面(以下、ウエハーの下面)に、写真工程を介して複数の緩衝部120に対応する感光膜パターン151を形成する(図4J)。
その後、シリコンエッチングを介して複数の緩衝部120それぞれは所定のパターンを有する複数の溝123(図3参照)が形成される(図4K)。なお、それぞれの緩衝部120を構成している複数の溝123は、ウエハー130の反対面に予め形成された連結穴115と連通できる程度の深さでエッチングし加工する。
続いて、緩衝部120に対応するパターンを形成した感光膜パターン151を除去しクリーニングする。その後、空洞部111、複数の連結穴115、緩衝部120の溝123が形成されたウエハー130を酸化させることで第2酸化層152を形成する(図4L)。この第2酸化層152は緩衝物質層117(図2参照)の役割を果す。このとき、緩衝部120の複数の溝123を形成している緩衝ウエハー122の側壁および連結穴115の内側壁に形成されている第2酸化層152の厚さが0.5〜1μmになるよう第2酸化層152を形成する。すると、第1酸化層131が除去された空洞部111と複数の連結穴115内面、および緩衝部120の溝123にも酸化層が形成されて、シリコンとメタルとの間に生じる熱応力を緩衝することができる。例えば、緩衝部120において、シリコン122とメタル121との熱応力を緩衝することができる。
次に、空洞部111が形成されたウエハー130の下面にシードメタルを蒸着してシードメタル層153を形成する(図4M)。このシードメタル層153は緩衝部120の複数の溝123を電気メッキして充填するためのもので、緩衝部120の複数の溝123の内側面にも形成される。よって、このときのシリコン122には、第2酸化層152及びシードメタル層153が順に積層されている。
次に、ウエハー130の下面のシードメタル層153に電気メッキを施してメタル積層を行い、第1メッキ層155を形成する(第1電気メッキ工程とする)(図4N)。このとき、電気メッキによって積層される第1メッキ層155のメタルが複数の緩衝部120の溝123を完全に充填させることができるよう電気メッキを行なう。
緩衝部120の複数の溝123を充填する第1電気メッキが完了すれば、複数の連結穴115をメタルで充填させて複数の接続棒113を形成する第2電気メッキ工程を行う(図4O)。なお、一般に電気メッキにより形成される複数の接続棒113の高さは一致しない。それはシリコン(Si)ウエハー130をエッチングし連結穴115が形成されれば連結穴115の内面は不規則に加工されるからである。従って、複数の連結穴115にメタルを電気メッキすることによって積層し複数の接続棒113を製造すれば複数の接続棒113上端の高さが互いに相違する。
接続棒113を形成する第2電気メッキ工程が完了すれば複数の連結穴115が形成されたウエハー130面(以下、ウエハーの上面)を複数の接続棒113上端がウエハー130面と一致されるべく加工して平坦化させる(図4P)。通常、平坦化の加工法としてラッピング(Lapping)およびCMP(Chemical Mechenical Polishing)装置などが用いられる。
次に、ウエハー130の上面にはキャップパッド114になるメタルを蒸着してトップメタル層161を形成する(図4Q)。
そして、写真工程を介してトップメタル層161上に複数のキャップパッド114を形成するための感光膜パターンを作る(図示せず)。トップメタル層161をエッチングしキャップパッド114のパターンをなしている感光膜パターンを除去してクリーニングし、複数のキャップパッド114を完成する(図4R)。
次に、ウエハー130下面の第1電気メッキ工程を介して形成された第1メッキ層155に写真工程を通じて複数のメタルライン112に対応される感光膜パターンを製造する(図示せず)。それから第1メッキ層155をエッチングし複数のメタルライン112のパターンをなしていた感光膜パターンを除去すれば複数のメタルライン112が完成される(図4S)。
また、ウエハー130の下面に写真工程を介してキャップシーリングライン116に対応される感光膜パターン171を製造する(図4T)。続いて、ウエハー130の下面を、キャップシーリングライン116を形成するのに使用されるシーリング材料(はんだ)で蒸着してシーリング層172を製造する(図4U)。それから不要な部分のシーリング層172のシーリング材料と、キャップシーリングライン116に対応されるパターンをなしていた感光膜171とを除去することによってパッケージングキャップを完成する(図4V)。なお、感光膜171とシーリング材料172を同時に除去することのできるリフトーオフ(lift−Off)工法を適用することが好ましい。
本発明のウエハーレベルパッケージングキャップ及びその製造方法によると、接続棒とウエハとが異なる熱変形率からなるものであっても、接続棒とウエハーとの間の熱的ストレスが緩衝物質の緩衝作用によって緩和される。つまり、接続棒及びウェハの変形の違いが緩衝物質により緩和されるため、接続棒等の周囲での破損を抑制できるなど耐熱性に優れる。よって、例えば耐温度性能を実験する際に接続棒の周囲で破損が生じないウエハーレベルパッケージングキャップを提供することができる。
また、本発明によると、連結穴の下部に緩衝部が形成され、緩衝部の上部の連結穴を埋めるように電気メッキにより接続棒が形成される。また、緩衝部は、溝を有する緩衝ウェハと、その溝を充填するメタルとから形成されている。そして、接続棒が形成される連結穴上部からキャップウェハを観察すると、連結穴の底部に緩衝部のメタルが露出している。この底部に位置する緩衝部のメタルがシードメタルの役割を果たし、電気メッキによる接続棒の形成が可能となる。ここで、メタルは連結孔の底部にのみ露出している場合であっても接続棒は形成可能であり、また連結孔の側面は、接続棒を形成するための鋳型の役割を果たします。
以上のように、本発明によれば、高断面比を有するウエハーである場合にも連結穴の加工が容易であり、シードメタルを形成することができる。よって、電気メッキ工程を用いて精度良く接続棒を形成することができる。
また、本発明によると、キャップウェハに用いるウェハの厚みを維持することができるので、ウェハの強度を増して破損を抑制することができる。つまり、上述の緩衝部によりシードメタルを形成することで高アスペクト比に対応するため、基板の厚みを薄くする必要がない。
また、緩衝部の溝はメタルで埋められ、このメタルと接続棒とが電気的に連結されるため、空洞部に形成された素子と接続棒に接続される外部装置とを電気的に接続することができる。
なお、めっき工程は、電気めっきに限定されず、例えば無電解メッキめっき、化学メッキめっき及び溶融メッキめっきなどの他のメッキめっき法を採用しても良い。
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
本発明によるウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法は半導体製造分野において使用される。
従来技術にかかるウエハーレベルパッケージングキャップでパッケージングされたチップを示す断面図。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップでパッケージングされたチップを示す断面図。 図2のウエハーレベルパッケージングキャップの緩衝部のI−I断面図。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(1)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(2)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(3)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(4)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(5)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(6)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(7)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(8)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(9)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(10)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(11)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(12)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(13)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(14)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(15)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(16)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(17)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(18)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(19)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(20)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(21)。 本発明に係るウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法を示す図面(22)。
符号の説明
10 素子ウエハー
12 素子
13 素子パッド
14 素子シーリングライン
100 パッケージングキャップ
110 キャップウエハー
111 空洞部
112 メタルライン
113 接続棒
114 キャップパッド
115 連結穴
116 キャップシーリングライン
120 緩衝部
121 メタル
122 緩衝ウエハー
123 溝

Claims (16)

  1. 素子がその上面に形成された素子ウエハーを覆うウエハーレベルパッケージングキャップにおいて、
    前記素子が収容される空間を提供する所定容積の空洞部がその底面に形成され、前記素子ウエハーと一体に結合されるキャップウエハーと、
    前記素子ウエハーに、前記素子に電気的に接続されるよう形成された複数の素子パッドとそれぞれ対応して前記キャップウエハーの底面に形成された複数のメタルラインと、
    前記複数のメタルラインそれぞれと接触し、複数の溝を形成する緩衝ウエハーと前記複数の溝に充填されたメタルとから構成された複数の緩衝部と、
    前記複数の緩衝部のそれぞれに電気的に接続され、前記緩衝部の上側から前記キャップウエハーを貫通して形成された複数の接続棒と、
    前記キャップウエハーの上面に形成され、前記複数の接続棒の上端とそれぞれ電気的に接続された複数のキャップパッドと、
    を含むことを特徴とするウエハーレベルパッケージングキャップ。
  2. 前記複数の溝とメタルとの間、および前記接続棒とキャップウエハーとの間には緩衝物質層が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  3. 前記緩衝物質層は酸化層であることを特徴とする請求項2に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  4. 前記緩衝部の断面積が前記接続棒の断面積より大きいことを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  5. 前記緩衝部は、その断面がメタルと緩衝ウエハーが繰り返される縞模様のパターンで形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  6. 前記緩衝部のメタルは前記メタルラインをなす材質と同じものであることを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  7. 前記複数の緩衝部は前記空洞部に形成されたことを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  8. 前記キャップウエハーは前記素子ウエハーのシリングラインに対応されるキャップシーリングラインを更に含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハーレベルパッケージングキャップ。
  9. 素子がその上面に形成された素子ウエハーをパッケージングするウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法において、
    ウエハーの一面に空洞部を形成するステップと、
    前記ウエハーの反対面で前記空洞部側に所定深さの複数の連結穴を形成するステップと、
    前記空洞部と複数の連結穴との間のウエハーに複数の緩衝部を形成するステップと、
    前記複数の緩衝部上側で複数の連結穴の内側にメタルをメッキし接続棒を形成するステップと、
    前記ウエハーの反対面に複数のキャップパッドを形成するステップと、
    前記ウエハーの一面に前記緩衝部と電気的に接続される複数のメタルラインを形成するステップと
    を含むことを特徴とするウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  10. 前記空洞部の形成ステップは、
    前記ウエハーの全面に酸化層を形成するステップと、
    前記ウエハーの一面に写真工程を介して前記空洞部に対応されるパターンを形成するステップと、
    前記空洞部に当たる酸化層部分をエッチングして取除くステップと、
    前記酸化層が取除かれたウエハー部分をエッチングし所定の深さまで取除くステップと
    を含むことを特徴とする請求項9に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  11. 前記連結穴の形成ステップは、
    前記ウエハーの反対面に写真工程を介して複数の連結穴に対応されるパターンを形成するステップと、
    前記複数の連結穴に当たる酸化層部分をエッチングし取除くステップと、
    前記酸化層が取除かれたウエハー部分をエッチングし所定の深さまで取除くステップと、
    前記複数の連結穴の内側壁に酸化層を形成するステップと
    を含むことを特徴とする請求項9に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  12. 前記緩衝部の形成ステップは、
    前記ウエハーの一面に写真工程を介して複数の緩衝部に対応されるパターンを形成するステップと、
    前記複数の緩衝部に対応されるウエハー部分をエッチングして前記連結穴と連通する所定パターンの溝を形成するステップと、
    前記複数の緩衝部のパターンを取除き、酸化層を積層するステップと、
    前記ウエハーの一面にシードメタル層を蒸着するステップと、
    前記シードメタル層の上側にメタルをメッキし前記所定パターンの溝を充填するメッキ層を形成するステップと
    を含むことを特徴とする請求項9に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  13. 前記緩衝部は、縞模様のパターンの溝で形成されることを特徴とする請求項12に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  14. 前記キャップパッド形成ステップは、
    前記ウエハーの反対面を平坦化するステップと、
    前記ウエハーの平坦化された面にトップメタル層を蒸着するステップと、
    前記トップメタル層の上側に複数のキャップパッドに対応するパターンを形成するステップと、
    前記トップメタル層をエッチングし複数のキャップパッドを形成するステップと
    を含むことを特徴とする請求項9に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  15. 前記ウエハーの一面にキャップシーリングラインを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項9に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
  16. 前記キャップシーリングラインの形成ステップは、
    写真工程を介して前記ウエハーの一面にキャップシーリングラインに対応されるパターンを形成するステップと、
    前記ウエハーの一面にシーリングメタルを蒸着するステップと、
    前記キャップシーリングラインのパターンを取除きクリーニングするステップと
    を含むことを特徴とする請求項15に記載のウエハーレベルパッケージングキャップの製造方法。
JP2006028001A 2005-02-04 2006-02-06 ウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法 Pending JP2006216963A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050010647A KR100594952B1 (ko) 2005-02-04 2005-02-04 웨이퍼 레벨 패키징 캡 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006216963A true JP2006216963A (ja) 2006-08-17

Family

ID=36143359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006028001A Pending JP2006216963A (ja) 2005-02-04 2006-02-06 ウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7579685B2 (ja)
EP (1) EP1688994B1 (ja)
JP (1) JP2006216963A (ja)
KR (1) KR100594952B1 (ja)
DE (1) DE602006002137D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018195687A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 セイコーエプソン株式会社 封止構造、電子デバイス、電子機器、および移動体

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101177885B1 (ko) 2006-01-16 2012-08-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 패키징 캡 및 그 제조방법
KR100831405B1 (ko) * 2006-10-02 2008-05-21 (주) 파이오닉스 웨이퍼 본딩 패키징 방법
EP1932804B1 (fr) * 2006-12-11 2017-03-22 Mimotec S.A. Pièces mixtes silicium/métal et méthodes de fabrication s'y référant
SE533579C2 (sv) * 2007-01-25 2010-10-26 Silex Microsystems Ab Metod för mikrokapsling och mikrokapslar
KR100872404B1 (ko) 2007-04-26 2008-12-05 (주) 파이오닉스 웨이퍼 본딩 패키징 방법
US20090194861A1 (en) * 2008-02-04 2009-08-06 Mathias Bonse Hermetically-packaged devices, and methods for hermetically packaging at least one device at the wafer level
TWI388038B (zh) * 2009-07-23 2013-03-01 Ind Tech Res Inst 感測元件結構與製造方法
US9570398B2 (en) * 2012-05-18 2017-02-14 Xintec Inc. Chip package and method for forming the same
TWI503937B (zh) * 2012-05-22 2015-10-11 Xintex Inc 晶片封裝體及其形成方法
US20150262902A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Invensas Corporation Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture
US9355997B2 (en) 2014-03-12 2016-05-31 Invensas Corporation Integrated circuit assemblies with reinforcement frames, and methods of manufacture
US9165793B1 (en) 2014-05-02 2015-10-20 Invensas Corporation Making electrical components in handle wafers of integrated circuit packages
US9741649B2 (en) 2014-06-04 2017-08-22 Invensas Corporation Integrated interposer solutions for 2D and 3D IC packaging
US9412806B2 (en) 2014-06-13 2016-08-09 Invensas Corporation Making multilayer 3D capacitors using arrays of upstanding rods or ridges
US9252127B1 (en) 2014-07-10 2016-02-02 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with integrated circuits and interposers with cavities, and methods of manufacture
US9478504B1 (en) 2015-06-19 2016-10-25 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with cavities, and methods of fabrication
CN105174195A (zh) * 2015-10-12 2015-12-23 美新半导体(无锡)有限公司 一种腔体mems器件的晶圆级封装结构及封装方法
US11174157B2 (en) * 2018-06-27 2021-11-16 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same
CN110642220A (zh) * 2018-06-27 2020-01-03 日月光半导体制造股份有限公司 半导体装置封装和其制造方法
CN111887695B (zh) * 2018-10-10 2021-10-15 章玉春 一种服装机械用的便于取衣服的衣架设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228675B1 (en) * 1999-07-23 2001-05-08 Agilent Technologies, Inc. Microcap wafer-level package with vias
EP1199744B1 (en) * 2000-10-19 2005-12-28 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Microcap wafer-level package
SG111972A1 (en) * 2002-10-17 2005-06-29 Agency Science Tech & Res Wafer-level package for micro-electro-mechanical systems
US20040259325A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Qing Gan Wafer level chip scale hermetic package
KR100541087B1 (ko) * 2003-10-01 2006-01-10 삼성전기주식회사 마이크로 디바이스를 위한 웨이퍼 레벨 패키지 및 제조방법
US20070004079A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Geefay Frank S Method for making contact through via contact to an offset contactor inside a cap for the wafer level packaging of FBAR chips

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018195687A (ja) * 2017-05-17 2018-12-06 セイコーエプソン株式会社 封止構造、電子デバイス、電子機器、および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
KR100594952B1 (ko) 2006-06-30
DE602006002137D1 (de) 2008-09-25
US20060175707A1 (en) 2006-08-10
EP1688994B1 (en) 2008-08-13
US7579685B2 (en) 2009-08-25
EP1688994A1 (en) 2006-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006216963A (ja) ウエハーレベルパッケージングキャップおよびその製造方法
US7262081B2 (en) Fan out type wafer level package structure and method of the same
US7875481B2 (en) Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
JP4789836B2 (ja) キャップウエハの製造方法及びこれを含む半導体チップの製造方法
TWI383485B (zh) 半導體結構與組件,電子系統,以及形成半導體結構與組件之方法
JP4586009B2 (ja) ウェハレベルパッケージングキャップ及びその製造方法
JP4732824B2 (ja) 空洞部を備えたキャップウェハー、それを用いた半導体パッケージ、およびキャップウェハー製造方法
US20050224949A1 (en) Semiconductor device and method of fabricating the same
US7452809B2 (en) Fabrication method of packaging substrate and packaging method using the packaging substrate
KR100620810B1 (ko) Mems 소자 패키지 및 그 제조방법
US20070085195A1 (en) Wafer level packaging cap and fabrication method thereof
CN209401627U (zh) 图像传感器封装
TWI421955B (zh) 具壓力感測器之微機電結構及其製法
JP2009004507A (ja) 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置
US20120146199A1 (en) Substrate for integrated circuit package with selective exposure of bonding compound and method of making thereof
KR100599088B1 (ko) 반도체 소자 패키지용 캡 및 그 제조방법
JP2004158705A (ja) 微細孔への金属充填方法及びその方法により形成された金属が充填した微細孔を備えたワーク
TWI408797B (zh) 微電子總成及其形成方法
JP2021528845A (ja) 埋め込みパッケージにおける応力緩衝層
KR100872265B1 (ko) 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 패키징 방법
JP2009064954A (ja) 半導体装置およびその製造方法
TW201727779A (zh) 製造半導體封裝的方法
TWI557817B (zh) 中介板製造方法、中介板及晶片封裝結構
KR100345167B1 (ko) 반도체 패키지의 기판 제조 방법
KR20100078948A (ko) 반도체 패키지 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090721