JP2006114713A - 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 - Google Patents
研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006114713A JP2006114713A JP2004300873A JP2004300873A JP2006114713A JP 2006114713 A JP2006114713 A JP 2006114713A JP 2004300873 A JP2004300873 A JP 2004300873A JP 2004300873 A JP2004300873 A JP 2004300873A JP 2006114713 A JP2006114713 A JP 2006114713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- polished
- imidazole
- edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 221
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 19
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 11
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 23
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 15
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 5
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- AURFNYPOUVLIAV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]-2-hydroxyacetic acid Chemical compound OC(=O)C(O)N(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O AURFNYPOUVLIAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;n'-[2-(2-aminoethylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCCNCCN RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229940090960 diethylenetriamine pentamethylene phosphonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- -1 monoethanolamine Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【課題】 半導体基板等のエッジを研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、研磨材と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくとも一方と、水とを含有する。この研磨用組成物は、半導体基板のエッジを研磨する用途において特に有用である。
【選択図】 なし
【解決手段】 本発明の研磨用組成物は、研磨材と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくとも一方と、水とを含有する。この研磨用組成物は、半導体基板のエッジを研磨する用途において特に有用である。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体基板等の研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物、及びそうした研磨用組成物を用いて半導体基板等の研磨対象物のエッジを研磨する方法に関する。
半導体基板のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物、即ちエッジポリシング用の研磨用組成物が特許文献１及び２に開示されている。半導体基板のエッジの研磨の場合にも、半導体基板の表面の研磨の場合と同様、研磨に要する時間が短いことや傷等の表面欠陥の少ない高品質の半導体基板を得られることが要求されている。特許文献１及び２に開示されている研磨用組成物はこうした要求に応えるべく改良されたものであるが、その要求を十分に満足するものではなく、依然として改良の余地を残している。
特開平１１−３４９９２５号公報
特開２００４−１２８０６９号公報
本発明の目的は、半導体基板等のエッジを研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物を提供すること、及びそうした研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨する方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、研磨材と、イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくとも一方と、水とを含有する研磨用組成物を提供する。
請求項２に記載の発明は、アルカリ化合物をさらに含有する請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、水溶性高分子をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、水溶性高分子をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項４に記載の発明は、キレート剤をさらに含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨する研磨方法を提供する。
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨する研磨方法を提供する。
本発明によれば、半導体基板等のエッジを研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物が提供される。また本発明によれば、そうした研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨する方法も提供される。
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材、イミダゾール又はイミダゾール誘導体、及び水からなる。
本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨材、イミダゾール又はイミダゾール誘導体、及び水からなる。
前記研磨材は、研磨対象物を機械的に研磨する役割を担う。研磨材は、好ましくは二酸化ケイ素を含み、より好ましくは二酸化ケイ素からなる。二酸化ケイ素は、研磨対象物をより平滑に研磨する能力に優れている。二酸化ケイ素は、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、及び沈殿法シリカのいずれであってもよく、好ましくはコロイダルシリカである。コロイダルシリカを含有する研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物は、コロイダルシリカ以外の二酸化ケイ素を含有する研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物に比べて、傷などの表面欠陥が少ない。
平均粒子径が小さすぎる研磨材は、研磨対象物を研磨する能力があまり高くない。従って、研磨材による研磨対象物の研磨を迅速化するという観点から見た場合、ＢＥＴ法により測定される研磨材の比表面積から求められる研磨用組成物中の研磨材の平均粒子径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上、最も好ましくは５０ｎｍ以上である。一方、研磨材の平均粒子径が大きすぎる場合には、研磨中の研磨対象物にスクラッチが発生する虞がある。従って、スクラッチの発生を抑制するという観点から見た場合、ＢＥＴ法により測定される研磨材の比表面積から求められる研磨用組成物中の研磨材の平均粒子径は、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１２０ｎｍ以下、最も好ましくは８０ｎｍ以下である。
研磨材を少量しか含有しない研磨用組成物は研磨能力があまり高くない。従って、研磨用組成物の研磨能力をより確実に向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中の研磨材の含有量は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１．０質量％以上、最も好ましくは１０．０質量％以上である。一方、研磨用組成物が研磨材を大量に含有する場合には、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、研磨用組成物中の研磨材の含有量は、好ましくは５０．０質量％以下である。
前記イミダゾール及び前記イミダゾール誘導体は、研磨用組成物に添加されることによって研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。イミダゾール及びイミダゾール誘導体が研磨能力の向上に寄与する理由は、イミダゾール環の１位の窒素原子の非共有電子対が研磨対象物に直接作用するためと考えられる。しかもイミダゾール及びイミダゾール誘導体は、モノエタノールアミンなどの他のアミンや１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン−７（略称ＤＢＵ）及び１,５−ジアザビシクロ（４，３，０）−ノネン−５（略称ＤＢＮ）と違って研磨対象物を腐食する虞が小さい。
イミダゾール誘導体は、例えば、イミダゾール環の１位の窒素原子、２位の炭素原子、４位の炭素原子、及び５位の炭素原子に結合している水素原子のうちの少なくとも一つがメチル基及びエチル基などのアルキル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、又はアミノ基によって置き換えられたものであってもよい。
イミダゾール又はイミダゾール誘導体を少量しか含有しない研磨用組成物は研磨能力があまり高くない。従って、研磨用組成物の研磨能力をより確実に向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中のイミダゾール又はイミダゾール誘導体の含有量は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、最も好ましくは１．０質量％以上である。一方、研磨用組成物がイミダゾール又はイミダゾール誘導体を大量に含有する場合には、研磨用組成物の化学的腐食作用が強くなりすぎるため、研磨後の研磨対象物の表面に荒れが生じる虞がある。従って、面荒れの発生を抑制するという観点から見た場合、研磨用組成物中のイミダゾール又はイミダゾール誘導体の含有量は、好ましくは２０．０質量％以下、より好ましくは１５．０質量％以下、最も好ましくは１０．０質量％以下である。
前記水は、研磨用組成物中の水以外の成分を分散又は溶解する媒質としての役割を担う。水は、工業用水、水道水、蒸留水、又はそれらをフィルター濾過したものであってもよく、不純物をできるだけ含有しないことが好ましい。
本実施形態に係る研磨用組成物は、例えば、シリコンウエハ等の半導体基板のエッジを研磨する用途に用いられる。換言すれば、研磨用組成物は、例えば、研磨製品としての半導体基板を得るべく半導体基板の半製品のエッジを研磨する用途に用いられる。研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨するときには、例えば、研磨対象物のエッジに研磨パッド等の研磨部材を接触させて、その接触部分に研磨用組成物を供給しながら研磨対象物及び研磨部材のいずれか一方を他方に対して摺動させる。
本実施形態は、以下の利点を有する。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するイミダゾール又はイミダゾール誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物のエッジ、特に半導体基板のエッジを迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板のエッジを研磨する用途において特に有用である。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物は、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与するイミダゾール又はイミダゾール誘導体を含有している。そのため、本実施形態に係る研磨用組成物は、従来の研磨用組成物に比べて高い研磨能力を有しており、研磨対象物のエッジ、特に半導体基板のエッジを迅速に研磨することができる。従って、本実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板のエッジを研磨する用途において特に有用である。
・ イミダゾール及びイミダゾール誘導体は、モノエタノールアミンなどの他のアミンやＤＢＵ及びＤＢＮと違って研磨対象物を腐食する虞が小さい。従って、本実施形態に係る研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物は、モノエタノールアミンなどの他のアミンやＤＢＵ及びＤＢＮを含有する研磨用組成物を用いて研磨された後の研磨対象物に比べて腐食が少ない。腐食した部分を多く有する半導体基板から半導体装置を作製した場合には、半導体装置の電気的特性が低下する。しかし、本実施形態に係る研磨用組成物を用いて研磨された後の半導体基板は全く又は殆ど腐食されていないので、その半導体基板からは電気的特性の低下が抑制された半導体装置を作製することができる。
・ 本実施形態に係る研磨用組成物に酸化剤を添加した場合、添加される酸化剤の量によっては、研磨中の研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成される虞がある。研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成されると、研磨用組成物の化学的研磨作用による研磨対象物の研磨が進みにくくなるため、研磨用組成物の研磨能力が低下する虞がある。しかし、本実施形態に係る研磨用組成物は酸化剤を含有していないので、こうした酸化剤に起因する弊害を回避することができる。
前記実施形態は以下のように変更されてもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物はアルカリ化合物をさらに含有してもよい。アルカリ化合物は、研磨対象物を化学的に研磨する役割を担い、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。アルカリ化合物は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、炭酸水素アンモニウム、及び炭酸アンモニウムのいずれを含んでもよいが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましく、水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことがより好ましい。水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムは、研磨対象物を研磨する能力が高く、水酸化テトラメチルアンモニウムは、研磨対象物を研磨する能力が特に高い。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物はアルカリ化合物をさらに含有してもよい。アルカリ化合物は、研磨対象物を化学的に研磨する役割を担い、研磨用組成物の研磨能力の向上に寄与する。アルカリ化合物は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、炭酸水素アンモニウム、及び炭酸アンモニウムのいずれを含んでもよいが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムから選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましく、水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことがより好ましい。水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウムは、研磨対象物を研磨する能力が高く、水酸化テトラメチルアンモニウムは、研磨対象物を研磨する能力が特に高い。
研磨用組成物がアルカリ化合物を少量しか含有しない場合、研磨用組成物の研磨能力は大して向上しない。従って、研磨用組成物の研磨能力を大きく向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中のアルカリ化合物の含有量は、好ましくは０．０５質量％以上、より好ましくは０．２５質量％以上、最も好ましくは０．５質量％以上である。一方、研磨用組成物がアルカリ化合物を大量に含有する場合には、研磨用組成物の化学的腐食作用が強くなりすぎるため、研磨後の研磨対象物の表面に荒れが生じる虞がある。従って、面荒れの発生を抑制するという観点から見た場合、研磨用組成物中のアルカリ化合物の含有量は、好ましくは６．０質量％以下、より好ましくは５．０質量％以下、最も好ましくは２．０質量％以下である。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は水溶性高分子をさらに含有してもよい。水溶性高分子は、研磨対象物の表面濡れ性を向上するように作用する。高い表面濡れ性を有する研磨対象物の場合、たとえ研磨材が研磨対象物に付着したとしても、簡単な洗浄によって付着した研磨材は容易に除去される。
水溶性高分子は、ヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド、及びポリエチレングリコールのいずれを含んでもよいが、ヒドロキシエチルセルロースを含むことが好ましい。ヒドロキシエチルセルロースは、研磨対象物の表面濡れ性を向上する能力が特に高い。
水溶性高分子の分子量が低すぎる場合、研磨後の研磨対象物の表面濡れ性があまり向上せず、その結果、研磨用組成物中の研磨材が研磨対象物に強く付着する虞がある。従って、研磨後の研磨対象物の表面濡れ性をより確実に向上させるという観点から見た場合、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、好ましくは３０万以上、より好ましくは６０万以上、最も好ましくは９０万以上である。同様に、ポリビニルアルコールの分子量は、好ましくは１千以上、より好ましくは５千以上、最も好ましくは１万以上であり、ポリエチレンオキサイドの分子量は好ましくは２万以上であり、ポリエチレングリコールの分子量は、好ましくは１百以上、より好ましくは３百以上、最も好ましくは１千以上である。一方、水溶性高分子の分子量が高すぎる場合、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、ヒドロキシエチルセルロースの分子量は、好ましくは３００万以下、より好ましくは２００万以下、最も好ましくは１５０万以下である。同様に、ポリビニルアルコールの分子量は、好ましくは１００万以下、より好ましくは５０万以下、最も好ましくは３０万以下であり、ポリエチレンオキサイドの分子量は、好ましくは５０００万以下、より好ましくは３０００万以下、最も好ましくは１０００万以下であり、ポリエチレングリコールの分子量は好ましくは２万以下である。
研磨用組成物が水溶性高分子を少量しか含有しない場合、研磨対象物の表面濡れ性は大して向上しない。従って、研磨対象物の表面濡れ性を大きく向上させるという観点から見た場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、好ましくは０．０００１質量％以上、より好ましくは０．００１質量％以上、最も好ましくは０．００５質量％以上である。一方、研磨用組成物が水溶性高分子を大量に含有する場合には、研磨用組成物の粘度が過剰に増大する虞がある。従って、研磨用組成物の粘度を適正化するという観点から見た場合、研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は、好ましくは０．５質量％以下、より好ましくは０．３質量％以下、最も好ましくは０．１５質量％以下である。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物はキレート剤をさらに含有してもよい。キレート剤は、研磨用組成物中の金属不純物と錯イオンを形成してこれを捕捉することにより、金属不純物による研磨対象物の汚染を抑制する。ここでいう金属不純物とは特に、鉄、ニッケル、銅、カルシウム、マグネシウムの他、これらの水酸化物又は酸化物のことである。
キレート剤は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチレンジアミン四酢酸、プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、エチレンジアミン四エチレンホスホン酸、エチレンジアミン四メチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五エチレンホスホン酸、ジエチレントリアミン五メチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六エチレンホスホン酸、トリエチレンテトラミン六メチレンホスホン酸、及びプロパンジアミン四エチレンホスホン酸プロパンジアミン四メチレンホスホン酸、並びにこれらの酸のアンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩、及びリチウム塩のいずれであってもよい。
キレート剤を大量に含有する研磨用組成物はゲル化しやすい。従って、ゲル化の防止という観点から見た場合、研磨用組成物中のキレート剤の含有量は、好ましくは６質量％以下、より好ましくは３質量％以下、最も好ましくは１質量％以下である。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は少量の酸化剤を含有してもよい。研磨用組成物が酸化剤を大量に含有する場合（例えば研磨用組成物中の酸化剤の含有量が１質量％以上である場合）には、上述したように研磨対象物の表面に酸化不動態層が形成されて研磨用組成物の研磨能力に低下が生じる虞がある。しかし、酸化剤の含有量が少量である場合には、酸化不動態層が形成されないか、あるいは研磨材の機械的研磨作用によって容易に除去されるようなごく薄い酸化不動態層しか形成されない。従って、研磨用組成物の研磨能力の低下を防ぐという観点から見た場合、研磨用組成物中の酸化剤の含有量は、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下である。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、イミダゾール及びイミダゾール誘導体の両方を含有してもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
・ 前記実施形態に係る研磨用組成物は、半導体基板以外の研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられてもよい。
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１〜１７においては、研磨材、イミダゾール、及び水を混合し、必要に応じてアルカリ化合物、水溶性高分子又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を用意した。比較例１〜１０においては、研磨材及び水を混合し、必要に応じてイミダゾール若しくはそれに代わる化合物、アルカリ化合物、水溶性高分子、キレート剤、又は酸化剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を用意した。実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る各原液中の研磨材、イミダゾール又はそれに代わる化合物、アルカリ化合物、水溶性高分子、キレート剤、及び酸化剤の種類及び含有量は表１及び表２に示すとおりである。各研磨用組成物の原液を体積比で１０倍にまで水で希釈して実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る研磨用組成物を調製した。
実施例１〜１７においては、研磨材、イミダゾール、及び水を混合し、必要に応じてアルカリ化合物、水溶性高分子又はキレート剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を用意した。比較例１〜１０においては、研磨材及び水を混合し、必要に応じてイミダゾール若しくはそれに代わる化合物、アルカリ化合物、水溶性高分子、キレート剤、又は酸化剤をさらに加えて研磨用組成物の原液を用意した。実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る各原液中の研磨材、イミダゾール又はそれに代わる化合物、アルカリ化合物、水溶性高分子、キレート剤、及び酸化剤の種類及び含有量は表１及び表２に示すとおりである。各研磨用組成物の原液を体積比で１０倍にまで水で希釈して実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る研磨用組成物を調製した。
実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る各研磨用組成物を用いて表３に示す第１研磨条件に従ってシリコンウエハのエッジを研磨した。このときの研磨前後のシリコンウエハの重量の差、すなわち研磨によるシリコンウエハの重量減少量を測定した。測定されたシリコンウエハの重量減少量を単位研磨時間で除することによって得られる研磨速度を表１及び表２の“研磨速度”欄に示す。
実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る各研磨用組成物を用いて表３に示す第２研磨条件に従ってシリコンウエハのエッジを研磨した。研磨後のウエハのエッジを顕微鏡で観察し、研磨前のウエハのエッジに存在していた筋状の欠陥が研磨によってどの程度除去されたかに基づいて、各研磨用組成物を優（◎）、良（○）、可（●）、やや不良（△）、不良（×）の五段階で評価した。すなわち、筋状の欠陥が全て除去された場合には◎、筋状の欠陥がほぼ除去された場合には○、筋状の欠陥が概ね除去された場合には●、筋状の欠陥があまり除去されなかった場合には△、筋上の欠陥がほとんど除去されなかった場合には×と評価した。この評価の結果を表１及び表２の“筋状欠陥”欄に示す。
鏡面仕上げされた表面を有する縦３２ｍｍ×横３２ｍｍのチップ状のベアシリコンウエハを希フッ酸の２．５質量％水溶液に１分間浸漬し、ウエハの表面に形成されている自然酸化膜を除去した。次いで、そのウエハを実施例１〜１７及び比較例１〜１０に係る各研磨用組成物に浸漬した。１時間後にウエハを研磨用組成物中から取り出して水洗及び乾燥した後、ウエハ表面を目視にて観察した。そして、研磨用組成物の化学的腐食作用によりウエハ表面の鏡面状態がどのように変化したかに基づいて、各研磨用組成物を優（◎）、良（○）、可（●）、やや不良（△）、不良（×）の五段階で評価した。すなわち、ウエハ表面の全体が鏡面状態のまま維持された場合には◎、ウエハ表面の大部分が鏡面状態のまま維持された場合には○、ウエハ表面が概ね鏡面状態のままで維持された場合には●、ウエハ表面の大部分が鏡面状態のまま維持されなかった場合には△、ウエハ表面の全体が鏡面状態のまま維持されなかった場合には×と評価した。この評価の結果を表１及び表２の“腐食性”欄に示す。
表１及び表２に示すように、実施例１〜１７に係る各研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、比較例１〜１０に係る各研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べ概して大きい。また、実施例１〜１７に係る各研磨用組成物を使用したときの筋状欠陥に関する評価はいずれも◎又は○であって良好である。この結果は、実施例１〜１７に係る各研磨用組成物が高い研磨能力を有することを示唆するものである。アルカリ化合物を含有する実施例１〜３に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度は、アルカリ化合物を含有しない実施例５〜７に係る研磨用組成物の使用時に測定される研磨速度に比べて大きい。この結果は、研磨用組成物の研磨能力がアルカリ化合物の添加によって向上することを示唆するものである。アルカリ化合物を含有しない実施例５に係る研磨用組成物の腐食性に関する評価は、アルカリ化合物として水酸化テトラメチルアンモニウムを含有する実施例１に係る研磨用組成物の腐食性に関する評価に比べて良い。また、実施例１に係る研磨用組成物の腐食性に関する評価は、アルカリ化合物として水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムを含有する実施例８及び９に係る研磨用組成物の腐食性に関する評価に比べて良い。この結果は、アルカリ化合物の添加によって面荒れが生じること、及び水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムに比べて水酸化テトラメチルアンモニウムが面荒れを発生させる虞は少ないことを示唆するものである。
前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・ 酸化剤をさらに含有し、研磨用組成物中の酸化剤の含有量が１質量％未満である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 酸化剤をさらに含有し、研磨用組成物中の酸化剤の含有量が１質量％未満である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 酸化剤を含有しない請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 前記研磨対象物は半導体基板である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 前記研磨対象物は半導体基板である請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
・ 前記研磨対象物は半導体基板である請求項５に記載の研磨方法。
・ 請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半製品のエッジを研磨する工程を経て得られる研磨製品。
・ 請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半製品のエッジを研磨する工程を経て得られる研磨製品。
・ 請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて半導体基板の半製品のエッジを研磨する工程を経て得られる半導体基板。
・ 研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
研磨材と、
イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくともいずれか一方と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
・ 研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
研磨材と、
イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくともいずれか一方と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
・ 研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
研磨材と、
イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくともいずれか一方と、
アルカリ化合物、水溶性高分子、及びキレート剤の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
研磨材と、
イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくともいずれか一方と、
アルカリ化合物、水溶性高分子、及びキレート剤の少なくともいずれか一種と、
水と
のみから実質的になる研磨用組成物。
Claims (5)
- 研磨対象物のエッジを研磨する用途に用いられる研磨用組成物であって、
研磨材と、
イミダゾール及びイミダゾール誘導体の少なくともいずれか一方と、
水と
を含有する研磨用組成物。 - アルカリ化合物をさらに含有する請求項１に記載の研磨用組成物。
- 水溶性高分子をさらに含有する請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
- キレート剤をさらに含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
- 請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて研磨対象物のエッジを研磨する研磨方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004300873A JP5026665B2 (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| GB0520729A GB2420122B (en) | 2004-10-15 | 2005-10-12 | Polishing composition and polishing method using the same |
| US11/250,103 US20060080896A1 (en) | 2004-10-15 | 2005-10-13 | Polishing composition and polishing method using the same |
| TW094135700A TW200621960A (en) | 2004-10-15 | 2005-10-13 | Polishing composition and polishing method using the same |
| DE102005049202A DE102005049202A1 (de) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben |
| CN2005101134555A CN1760307B (zh) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 抛光组合物以及使用该抛光组合物的抛光方法 |
| KR1020050096823A KR101362837B1 (ko) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 연마용 조성물 및 이것을 이용한 연마방법 |
| US11/823,606 US7597729B2 (en) | 2004-10-15 | 2007-06-28 | Polishing composition and polishing method using the same |
| KR1020130154509A KR20130142982A (ko) | 2004-10-15 | 2013-12-12 | 연마용 조성물 및 이것을 이용한 연마방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004300873A JP5026665B2 (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006114713A true JP2006114713A (ja) | 2006-04-27 |
| JP5026665B2 JP5026665B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=35451598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004300873A Active JP5026665B2 (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060080896A1 (ja) |
| JP (1) | JP5026665B2 (ja) |
| KR (2) | KR101362837B1 (ja) |
| CN (1) | CN1760307B (ja) |
| DE (1) | DE102005049202A1 (ja) |
| GB (1) | GB2420122B (ja) |
| TW (1) | TW200621960A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147651A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-26 | Cheil Industries Inc | シリコンウエハの最終研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの最終研磨方法 |
| KR20100004874A (ko) * | 2008-07-03 | 2010-01-13 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 반도체용 습윤제, 연마용 조성물 및 이를 사용한 연마 방법, 연마용 조성물 농축물, 반도체용 습윤제 농축물 |
| JP2012089862A (ja) * | 2008-07-03 | 2012-05-10 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| JPWO2012141145A1 (ja) * | 2011-04-13 | 2014-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 基板のエッジ研磨用組成物及びそれを用いた基板のエッジ研磨方法 |
| JP2020050861A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-04-02 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 低ディッシングおよび低浸食トポグラフィを伴うタングステン化学機械平坦化（ｃｍｐ） |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008041781A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP5335183B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2013-11-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| KR101125934B1 (ko) | 2008-11-19 | 2012-03-21 | 한남대학교 산학협력단 | 열감응성 조직 유착 방지 조성물 및 이의 제조 방법 |
| US9039914B2 (en) | 2012-05-23 | 2015-05-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition for nickel-phosphorous-coated memory disks |
| KR102226441B1 (ko) * | 2013-02-13 | 2021-03-12 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물, 연마용 조성물 제조 방법 및 연마물 제조 방법 |
| US8757265B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-06-24 | EirCan Downhole Technologies, LLC | Frac valve |
| JP6389629B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-09-12 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| CN106077659A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 北京工业大学 | 一种3d打印金属件表面抛光方法 |
| CN112454017A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-03-09 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 硅片抛光方法和硅片抛光设备 |
| CN115260912B (zh) * | 2022-07-29 | 2024-03-26 | 江苏山水半导体科技有限公司 | 用于降低硅片表面腐蚀的抛光液及其制备和使用方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1012584A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Mitsubishi Chem Corp | 基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液 |
| JP2002114970A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-16 | Asahi Denka Kogyo Kk | 水系ラップ液及び水系ラップ剤 |
| JP2002249762A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨材用添加剤 |
| JP2003303792A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | 化学機械研磨用水系分散体と研磨方法 |
| JP2004031446A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
| WO2004069947A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4113282B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2008-07-09 | スピードファム株式会社 | 研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法 |
| JPH11349925A (ja) | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Fujimi Inc | エッジポリッシング用組成物 |
| JP2002231666A (ja) | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US7232514B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
| JP4707864B2 (ja) | 2001-04-18 | 2011-06-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
| JP3899456B2 (ja) | 2001-10-19 | 2007-03-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| CN100336179C (zh) * | 2002-04-30 | 2007-09-05 | 日立化成工业株式会社 | 研磨液及研磨方法 |
| JP2004128069A (ja) | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US7300601B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
| US7736405B2 (en) * | 2003-05-12 | 2010-06-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same |
| US7253111B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-08-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holding, Inc. | Barrier polishing solution |
| US7247567B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-07-24 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a tungsten-containing substrate |
| JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4865703B2 (ja) | 2005-04-08 | 2012-02-01 | イーグル工業株式会社 | 容量制御弁 |
-
2004
- 2004-10-15 JP JP2004300873A patent/JP5026665B2/ja active Active
-
2005
- 2005-10-12 GB GB0520729A patent/GB2420122B/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-13 US US11/250,103 patent/US20060080896A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-13 TW TW094135700A patent/TW200621960A/zh unknown
- 2005-10-14 DE DE102005049202A patent/DE102005049202A1/de not_active Ceased
- 2005-10-14 KR KR1020050096823A patent/KR101362837B1/ko active IP Right Grant
- 2005-10-14 CN CN2005101134555A patent/CN1760307B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-06-28 US US11/823,606 patent/US7597729B2/en active Active
-
2013
- 2013-12-12 KR KR1020130154509A patent/KR20130142982A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1012584A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Mitsubishi Chem Corp | 基体の表面処理方法及びそれに用いる有機錯化剤含有アンモニア水溶液 |
| JP2002114970A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-16 | Asahi Denka Kogyo Kk | 水系ラップ液及び水系ラップ剤 |
| JP2002249762A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Sanyo Chem Ind Ltd | 研磨材用添加剤 |
| JP2003303792A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Nippon Shokubai Co Ltd | 化学機械研磨用水系分散体と研磨方法 |
| JP2004031446A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及び研磨方法 |
| WO2004069947A1 (en) * | 2003-02-03 | 2004-08-19 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147651A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-26 | Cheil Industries Inc | シリコンウエハの最終研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの最終研磨方法 |
| KR20100004874A (ko) * | 2008-07-03 | 2010-01-13 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 반도체용 습윤제, 연마용 조성물 및 이를 사용한 연마 방법, 연마용 조성물 농축물, 반도체용 습윤제 농축물 |
| JP2010034509A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-02-12 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| JP2012089862A (ja) * | 2008-07-03 | 2012-05-10 | Fujimi Inc | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 |
| KR101594619B1 (ko) * | 2008-07-03 | 2016-02-16 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 반도체용 습윤제, 연마용 조성물 및 이를 사용한 연마 방법, 연마용 조성물 농축물, 반도체용 습윤제 농축물 |
| JPWO2012141145A1 (ja) * | 2011-04-13 | 2014-07-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 基板のエッジ研磨用組成物及びそれを用いた基板のエッジ研磨方法 |
| JP2020050861A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-04-02 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 低ディッシングおよび低浸食トポグラフィを伴うタングステン化学機械平坦化（ｃｍｐ） |
| JP7388842B2 (ja) | 2018-07-31 | 2023-11-29 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | 低ディッシングおよび低浸食トポグラフィを伴うタングステン化学機械平坦化（ｃｍｐ） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130142982A (ko) | 2013-12-30 |
| US20070256368A1 (en) | 2007-11-08 |
| GB0520729D0 (en) | 2005-11-23 |
| GB2420122A (en) | 2006-05-17 |
| KR20060053279A (ko) | 2006-05-19 |
| KR101362837B1 (ko) | 2014-02-14 |
| US20060080896A1 (en) | 2006-04-20 |
| TW200621960A (en) | 2006-07-01 |
| CN1760307A (zh) | 2006-04-19 |
| US7597729B2 (en) | 2009-10-06 |
| GB2420122B (en) | 2010-02-10 |
| JP5026665B2 (ja) | 2012-09-12 |
| DE102005049202A1 (de) | 2006-05-04 |
| CN1760307B (zh) | 2012-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7597729B2 (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
| JP5204960B2 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP5813738B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| KR100825216B1 (ko) | 바로 사용 가능한 안정한 화학 기계적 연마 슬러리 | |
| JP4593064B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP4814502B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP4668528B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| TWI417371B (zh) | Abrasive composition and a grinding method | |
| JP2005268665A (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP2007103515A (ja) | 研磨方法 | |
| JP2002075927A (ja) | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 | |
| JP2008053414A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP2008041781A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| WO2005031836A1 (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP2004128069A (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 | |
| JP2007103514A (ja) | 研磨用組成物及び研磨方法 | |
| JP2007073548A (ja) | 研磨方法 | |
| JP4808394B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP5026710B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| JP5220428B2 (ja) | 研磨用組成物を用いた研磨方法 | |
| JP2005123482A (ja) | 研磨方法 | |
| JP5656960B2 (ja) | Ｌｐｄ低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法 | |
| JPWO2017061109A1 (ja) | 磁気ディスク用研磨材及び磁気ディスクの製造方法 | |
| JP5460827B2 (ja) | シリコンウエハの製造方法 | |
| JP2005109257A (ja) | 研磨用組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071005 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110322 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120522 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120621 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5026665 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |