CN1760307A - 抛光组合物以及使用该抛光组合物的抛光方法 - Google Patents
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Abstract
一种抛光组合物，其包含：研磨剂如胶态二氧化硅、选自咪唑和咪唑衍生物中的至少一种化合物、以及水。该抛光组合物优选进一步包含碱性化合物、水溶性聚合物、或螯合剂。该抛光组合物适用于抛光如半导体基板等物体的边缘。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于抛光如半导体基板等物体边缘的抛光组合物，以及使用该抛光组合物抛光如半导体基板等物体边缘的方法。
背景技术
在日本早期公开专利申请第11-349925号和第2004-128069号中公开了用于抛光半导体基板边缘的抛光组合物，即用于抛光边缘部分的抛光组合物。在对半导体基板边缘进行抛光时，所需的抛光时间必须很短，并且在抛光半导体基板表面时仅产生少量的表面缺陷例如划痕，以获得高质量的半导体基板。在上述申请第11-349925号和第2004-128069号中公开的抛光组合物已经根据上述需求作了改进。然而，上述申请中的抛光组合物不能充分满足这些需求，因此抛光组合物仍有改进的空间。
发明内容
因此，本发明目的在于提供一种更适用于抛光如半导体基板等物体边缘的抛光组合物，并且提供一种使用该抛光组合物抛光如半导体基板等物体边缘的方法。
为了达到前述目的以及其他目的，并且根据本发明的目标，提供了一种用于抛光物体边缘的抛光组合物。该抛光组合物包含研磨剂、选自咪唑和咪唑衍生物中的至少一种化合物、以及水。
本发明还提供了一种包括使用上述抛光组合物抛光物体边缘的方法。
本发明还提供了一种制造抛光产品的方法。该方法包括：制备上述抛光组合物；使用制备的抛光组合物抛光抛光产品的半成品的边缘。
本发明的其他方面和优点将通过下列用实施例的方式来说明本发明的原理而成为显而易见。
具体实施方式
现在将对本发明的一个实施方式进行描述。
根据本实施方式的抛光组合物包含研磨剂、咪唑或咪唑衍生物、以及水。
研磨剂的作用在于机械抛光物体。研磨剂优选包含二氧化硅，并且进一步优选二氧化硅。二氧化硅具有出色的性能以光滑地抛光物体。二氧化硅可以是胶态二氧化硅、热解法二氧化硅和沉淀二氧化硅中的任意一种，优选胶态二氧化硅。与使用包含除了胶态二氧化硅以外的其他二氧化硅的抛光组合物抛光的物体相比，使用包含胶态二氧化硅的抛光组合物抛光的物体具有更少的表面缺陷例如划痕。
平均颗粒尺寸过小的研磨剂其抛光物体的能力不够高。从加快用研磨剂抛光物体的速度考虑，由通过BET方法测得研磨剂的比表面积所获得的抛光组合物中包含的研磨剂的平均颗粒尺寸优选为10nm或更大，并且进一步优选为30nm或更大，并且更进一步优选为50nm或更大。同时，当研磨剂的平均颗粒尺寸过大时，会有在物体上产生划痕的危险。从抑制产生划痕考虑，由通过BET方法测得研磨剂的比表面积所获得的抛光组合物中包含的研磨剂的平均颗粒尺寸优选为200nm或更小，并且进一步优选为120nm或更小，并且更进一步优选为80nm或更小。
包含的研磨剂的量过小的抛光组合物的抛光性能不够高。从确保提高抛光组合物的抛光性能考虑，抛光组合物中研磨剂的含量优选为0.1mass％或更多，并且进一步优选为1.0mass％或更多，并且更进一步优选为10.0mass％或更多。同时，当抛光组合物中含有大量研磨剂时，会有过度增大抛光组合物粘度的危险。从优化抛光组合物的粘度考虑，抛光组合物中研磨剂的含量优选为50.0mass％或更少。
抛光组合物中的咪唑和咪唑衍生物的作用在于提高抛光组合物的抛光性能。咪唑和咪唑衍生物的提高抛光性能的原因被认为是由于在咪唑环1号位的氮原子的未共享电子对直接作用于物体。此外，与其他的胺类例如单乙醇胺、或1，8-二氮二环(5，4，0)-十一烯-7(缩写为DBU)、以及1，5-二氮二环(4，3，0)-壬烯-5(缩写为DBN)相比，咪唑和咪唑衍生物具有较小的腐蚀物体的危险。
咪唑衍生物可以是例如在咪唑环的1号位与氮原子相连、在2号位与碳原子相连、在4号位与碳原子相连、以及在5号位与碳原子相连的至少一个氢原子被烷基例如甲基和乙基、羟基、羰基或氨基所取代。
包含的咪唑或咪唑衍生物的量过小的抛光组合物的抛光性能不够高。从确保提高抛光组合物的抛光性能考虑，抛光组合物中咪唑或咪唑衍生物的含量优选为0.1mass％或更多，并且进一步优选为0.5mass％或更多，并且更进一步优选为1.0mass％或更多。同时，当抛光组合物中含有大量咪唑或咪唑衍生物时，由于抛光组合物的化学腐蚀性变得过强，会有使被抛光物体的表面变粗糙的危险。从防止表面变粗糙考虑，抛光组合物中咪唑或咪唑衍生物的含量优选为20.0mass％或更少，并且进一步优选为15.0mass％或更少，并且更进一步优选为10.0mass％或更少。
抛光组合物中的水除了作为水以外，是作为分散和溶解组分的介质。水可以是工业用水、自来水、蒸馏水、或将以上任何一种经过滤所得的水，并且优选其中所含的杂质越少越好。
根据本实施方式的抛光组合物是用于例如抛光半导体基板例如硅片的边缘。也就是说，抛光组合物是用于例如抛光半成品的边缘以获得半导体基板作为抛光产品。例如通过将抛光部件例如抛光垫与物体的边缘接触放置，并且在向接触部分提供抛光组合物的同时使物体或者抛光部件滑动，使用抛光组合物抛光物体的边缘。
本优选的实施方式包含以下优点。
根据本实施方式的抛光组合物含有咪唑或咪唑衍生物，其作用在于提高抛光组合物的抛光性能。这样，与传统抛光组合物相比，本实施方式的抛光组合物具有更好的抛光性能，并且能够迅速地抛光物体的边缘，或更具体地是迅速地抛光半导体基板的边缘。因此本实施方式的抛光组合物在抛光半导体基板边缘时非常有用。
与其他的胺类例如单乙醇胺、DBU、以及DBN相比，咪唑和咪唑衍生物具有较小的腐蚀物体的危险。因此，与使用包含其他的胺类例如单乙醇胺、DBU、以及DBN的抛光组合物抛光的物体相比，使用本实施方式的抛光组合物抛光的物体的腐蚀程度较小。当由具有大量腐蚀部位的半导体基板制造半导体器件时，半导体器件的电子特性会下降。然而，使用本实施方式的抛光组合物抛光的半导体基板没有或几乎没有腐蚀。因此，能够抑制由半导体基板制造的半导体器件的电子特性的下降。
当向本实施方式的抛光组合物中加入氧化剂的时候，根据加入的氧化剂的量，会有在需要抛光的物体表面形成钝化层的危险。当在物体表面形成钝化层时，由于抛光组合物通过化学抛光作用抛光物体受阻，会有降低抛光组合物的抛光性能的危险。然而，本实施方式的抛光组合物由于不含氧化剂从而避免了由氧化剂造成的不利影响。
本优选的实施方式可以作如下修改。
本实施方式的抛光组合物可以进一步包含碱性化合物。碱性化合物的作用是化学抛光物体，并且有助于提高抛光组合物的抛光性能。碱性化合物可以任意包含氢氧化四甲基铵、氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸氢钾、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸钠、氨、碳酸氢铵、以及碳酸铵，并且优选包含选自氢氧化四甲基铵、氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种，并且进一步优选包含氢氧化四甲基铵。氢氧化四甲基铵、氢氧化钾和氢氧化钠具有较强的抛光物体的能力，并且氢氧化四甲基铵具有特别强的抛光物体的能力。
当抛光组合物含有过少的碱性化合物时，抛光组合物的抛光性能提高不多。从充分提高抛光组合物的抛光性能考虑，抛光组合物中碱性化合物的含量优选为0.05mass％或更多，并且进一步优选为0.25mass％或更多，并且更进一步优选为0.5mass％或更多。同时，当抛光组合物含有大量碱性化合物时，由于抛光组合物的化学腐蚀性变得过强，会有使被抛光物体的表面变粗糙的危险。从防止表面变粗糙考虑，抛光组合物中碱性化合物的含量优选为6.0mass％或更少，并且进一步优选为5.0mass％或更少，并且更进一步优选为2.0mass％或更少。
本实施方式的抛光组合物可以进一步包含水溶性聚合物。水溶性聚合物的作用是提高物体的可湿润性。当物体具有较强的可湿润性时，即使研磨剂粘附在物体上，也能够通过简单地冲洗轻易地除去被粘附上的研磨剂。
水溶性聚合物可以任意包括羟乙基纤维素、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、以及聚乙二醇，并且优选包含羟乙基纤维素。羟乙基纤维素具有很强的提高物体可湿润性的能力。
当水溶性聚合物具有过小的分子量时，需要抛光的物体的可湿润性提高不多。结果是会有抛光组合物中研磨剂强烈黏附在物体上的危险。从确保提高需要抛光的物体的可湿润性考虑，羟乙基纤维素的分子量优选为300,000或更多，并且进一步优选为600,000或更多，并且更进一步优选为900,000或更多。同样，聚乙烯醇的分子量优选为1,000或更多，并且进一步优选为5,000或更多，并且更进一步优选为10,000或更多，聚环氧乙烷的分子量优选为20,000或更多，以及聚乙二醇的分子量优选为100或更多，并且进一步优选为300或更多，并且更进一步优选为1,000或更多。同时，当水溶性聚合物的分子量过大时，会有过度增大抛光组合物粘度的危险。从优化抛光组合物的粘度考虑，羟乙基纤维素的分子量优选为3,000,000或更少，并且进一步优选为2,000,000或更少，并且更进一步优选为1,500,000或更少。同样，聚乙烯醇的分子量优选为1,000,000或更少，并且进一步优选为500,000或更少，并且更进一步优选为300,000或更少，聚环氧乙烷的分子量优选为50,000,000或更少，并且进一步优选为30,000,000或更少，并且更进一步优选为10,000,000或更少，以及聚乙二醇的分子量优选为20,000或更少。
当抛光组合物含有过少的水溶性聚合物时，物体的可湿润性提高不多。从提高物体的可湿润性考虑，抛光组合物中水溶性聚合物的含量优选为0.0001mass％或更多，并且进一步优选为0.001mass％或更多，并且更进一步优选为0.005mass％或更多。同时，当抛光组合物含有大量水溶性聚合物时，会有过度增大抛光组合物粘度的危险。从优化抛光组合物的粘度考虑，抛光组合物中水溶性聚合物的含量优选为0.5mass％或更少，并且进一步优选为0.3mass％或更少，并且更进一步优选为0.15mass％或更少。
根据本实施方式的抛光组合物可以进一步包含螯合剂。螯合剂能够通过与抛光组合物中的金属杂质形成络离子从而捕获金属杂质以抑制物体受污染。本说明书中的金属杂质指的是铁、镍、铜、钙、镁、以及其氢氧化物或氧化物。
螯合剂可以任意是氨三乙酸、乙二胺四乙酸、羟基乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、乙二胺四亚乙基磷酸、乙二胺四亚甲基磷酸、乙二胺四亚甲基磷酸、二亚乙基三胺五亚乙基磷酸、二亚乙基三胺五亚甲基磷酸、三亚乙基四胺六亚甲基磷酸、三亚乙基四胺六亚甲基磷酸、以及丙二胺四亚乙基磷酸、丙二胺四亚甲基磷酸、以及其盐，所述盐是铵盐、钾盐、钠盐和锂盐。
包含大量螯合剂的抛光组合物容易发生凝胶化。从防止凝胶化考虑，抛光组合物中螯合剂的含量优选为6mass％或更少，并且进一步优选为3mass％或更少，并且更进一步优选为1mass％或更少。
本实施方式的抛光组合物可以包含少量氧化剂。当抛光组合物包含大量氧化剂时(例如，当抛光组合物中氧化剂的含量为1mass％或更多时)，由于如上所述在物体表面形成钝化层，会有降低抛光组合物的抛光性能的危险。然而，当氧化剂的含量较小时，不会形成钝化层，或只形成薄的钝化层并且它能够通过研磨剂的机械抛光作用轻易地除去。从防止抛光组合物的抛光性能下降考虑，抛光组合物中氧化剂的含量优选为0.1mass％或更少，并且进一步优选为0.01mass％或更少。
根据本实施方式的抛光组合物可以同时包含咪唑和咪唑衍生物。
根据本实施方式的抛光组合物可以通过用水稀释浓缩液制得。
根据本实施方式的抛光组合物可以用于抛光除了半导体基板以外的物体的边缘。
本发明将通过参照实施例与对照例加以详细描述。
在实施例1～17中，将研磨剂、咪唑和水混合，并且必要时向混合物中加入碱性化合物、水溶性聚合物或螯合剂，以制备抛光组合物的浓缩液。在对照例1～10中，将研磨剂和水混合，并且必要时向混合物中加入咪唑或其替代化合物、碱性化合物、水溶性聚合物、螯合剂或氧化剂，以制备抛光组合物的浓缩液。在实施例1～17和对照例1～10的各个浓缩液中使用的研磨剂、咪唑或其替代化合物、碱性化合物、水溶性聚合物、螯合剂和氧化剂的种类和含量如表1和表2所示。将各个浓缩液用水稀释至其体积的十倍以制备在实施例1～17和对照例1～10中使用的抛光组合物。
使用实施例1～17和对照例1～10的各个抛光组合物在如表3所示的第一种抛光条件下抛光硅片的边缘。测定每个硅片在抛光前后的重量差异，即每个硅片减少的重量。通过将测定的每个硅片的重量减少量除以抛光时间，可以得到抛光率，并且显示在表1和表2中标题为“抛光率”的一栏中。
使用实施例1～17和对照例1～10的各个抛光组合物在如表3所示的第二种抛光条件下抛光硅片的边缘。使用显微镜观察抛光的硅片边缘。根据消失了多少抛光前位于硅片边缘的划痕，将抛光组合物按照五个级别进行评估：优秀(1)、良好(2)、合格(3)、较差(4)和差(5)。即，当所有划痕都消失时，抛光组合物被定为优秀；当几乎所有划痕都消失时，抛光组合物被定为良好；当大多数划痕都消失时，抛光组合物被定为合格；当没多少划痕消失时，抛光组合物被定为较差；以及当几乎所有划痕都没有消失时，抛光组合物被定为差。评估结果显示在表1和表2中标题为“划痕”的一栏中。
将具有镜面抛光面的32mm×32mm的裸硅片浸没在2.5mass％的氢氟酸稀溶液中1分钟，以除去每个晶片表面形成的天然氧化层膜。然后将硅片浸入实施例1～17和对照例1～10的抛光组合物中。一小时后，将硅片从抛光组合物中取出，并且用水清洗和干燥。随后，可以视觉观测硅片的表面。根据硅片的镜面抛光面通过抛光组合物的化学腐蚀发生怎样的变化，将抛光组合物按照五个级别进行评估：优秀(1)、良好(2)、合格(3)、较差(4)和差(5)。即，当硅片的整个表面保持镜面抛光的状态时，抛光组合物被定为优秀；当硅片的大部分表面保持镜面抛光的状态时，抛光组合物被定为良好；当硅片的多数表面保持镜面抛光的状态时，抛光组合物被定为合格；当硅片的大部分表面不能保持镜面抛光的状态时，抛光组合物被定为较差；当硅片的整个表面都不能保持镜面抛光的状态时，抛光组合物被定为差。评估结果显示在表1和表2中标题为“腐蚀性”的一栏中。
表1
| 研磨剂[质量百分比] | 咪唑[质量百分比] | 碱性化合物[质量百分比] | 水溶性聚合物[质量百分比] | 螯合剂[质量百分比] | 抛光率[mg/min] | 划痕 | 腐蚀性 | |||
| 实施例1 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.45 | 1 | 2 | ||
| 实施例2 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑1.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.33 | 1 | 2 | ||
| 实施例3 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑10.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.62 | 1 | 2 | ||
| 实施例4 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | - | - | - | 1.40 | 2 | 1 | ||
| 实施例5 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.38 | 1 | 1 | ||
| 实施例6 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑1.0％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.24 | 2 | 1 | ||
| 实施例7 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑10.0％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.58 | 1 | 1 | ||
| 实施例8 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | KOH0.5％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.60 | 1 | 3 | ||
| 实施例9 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | NaOH0.5％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.58 | 1 | 3 | ||
| 实施例10 | 胶态二氧化硅*235.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.42 | 1 | 2 | ||
| 实施例11 | 胶态二氧化硅*110.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.15 | 2 | 2 | ||
| 实施例12 | 胶态二氧化硅*120.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | 1.21 | 2 | 2 | ||
| 实施例13 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | - | TTHA0.08％ | 1.48 | 1 | 2 | ||
| 实施例14 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*20.008％ | TTHA0.08％ | 1.38 | 1 | 2 | ||
| 实施例15 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*30.008％ | TTHA0.08％ | 1.46 | 1 | 2 | ||
| 实施例16 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | - | 1.44 | 1 | 2 | ||
| 实施例17 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑4.0％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | DTPA0.08％ | 1.44 | 1 | 2 | ||
表2
| 研磨剂[质量百分比] | 咪唑[质量百分比] | 碱性化合物[质量百分比] | 水溶性聚合物[质量百分比] | 螯合剂[质量百分比] | 氧化剂[质量百分比] | 抛光率[mg/min] | 划痕 | 腐蚀性 | |
| 对照例1 | 胶态二氧化硅*135.0％ | - | - | - | - | - | 0.48 | 5 | 1 |
| 对照例2 | 胶态二氧化硅*135.0％ | - | TMAH2.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 1.25 | 4 | 2 |
| 对照例3 | 胶态二氧化硅*135.0％ | - | KOH0.5％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 0.97 | 5 | 5 |
| 对照例4 | 胶态二氧化硅*135.0％ | - | NaOH0.5％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 1.03 | 5 | 5 |
| 对照例5 | 胶态二氧化硅*135.0％ | - | 哌嗪5.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 1.20 | 5 | 4 |
| 对照例6 | 胶态二氧化硅*135.0％ | 咪唑2.5％ | TMAH1.0％ | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | H2O210.0％ | 0.89 | 5 | 2 |
| 对照例7 | 胶态二氧化硅*135.0％ | DBU2.5％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 1.50 | 1 | 4 |
| 对照例8 | 胶态二氧化硅*135.0％ | DBU2.5％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | H2O210.0％ | 0.90 | 5 | 4 |
| 对照例9 | 胶态二氧化硅*135.0％ | DBN2.5％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | - | 1.46 | 2 | 4 |
| 对照例10 | 胶态二氧化硅*135.0％ | DBN2.5％ | - | HEC*10.008％ | TTHA0.08％ | H2O210.0％ | 0.85 | 5 | 4 |
表3
| 第一种抛光条件 | 第二种抛光条件 |
| 待抛光物体：直径为8英寸(大约200mm)的裸硅片抛光机：“EP-150/200/300-IV NF”，SPEEDFAM有限公司制造圆盘转速：1000rpm抛光负载：2.0kgf(＝大约20N)抛光垫：“DRP-II”，SPEEDFAM有限公司制造单元倾斜角：45度圆盘垂直速度：72mm/minute下卡盘转速：60秒抛光次数：4次(向前/向后×前/后)抛光总时间：240秒倒角：22度抛光组合物进料速率：200mL/minute抛光组合物温度：20～25℃ | 待抛光物体：经过带抛光的直径为8英寸(大约200mm)的裸硅片抛光机：“EP-150/200/300-IV NF”，SPEEDFAM有限公司制造圆盘转速：1000rpm抛光负载：0.5kfg(＝大约5N)抛光垫：“DRP-II”，SPEEDFAM有限公司制造单元倾斜角：45度圆盘垂直速度：72mm/minute下卡盘转速：60秒抛光次数：4次(向前/向后×前/后)抛光总时间：240秒倒角：22度抛光组合物进料速率：200mL/minute抛光组合物温度：20～25℃ |
在表1和表2中的标题为“研磨剂”的一栏中，“胶态二氧化硅*1”指的是由通过BET方法测得比表面积所获得的平均颗粒尺寸为55nm的胶态二氧化硅，并且“胶态二氧化硅*2”指的是由通过BET方法测得比表面积所获得的平均颗粒尺寸为35nm的胶态二氧化硅。在表1和表2中标题为“碱性化合物”的一栏中，“TMAH”指的是氢氧化四甲基铵，“KOH”指的是氢氧化钾，以及“NaOH”指的是氢氧化钠。在表1和表2中标题为“水溶性聚合物”的一栏中，“HEC*1”指的是具有平均分子量为1,200,000的羟乙基纤维素，“HEC*2”指的是具有平均分子量为300,000的羟乙基纤维素，以及“HEC*3”指的是具有平均分子量为1,600,000的羟乙基纤维素。在表1和表2中标题为“螯合剂”的一栏中，“TTHA”指的是三亚乙基四胺六乙酸，“DTPA”指的是二亚乙基三胺五乙酸。在表2中标题为“氧化剂”的一栏中，“H2O2”指的是过氧化氢。
如表1和表2所示，使用实施例1～17的任何一个抛光组合物所测得的抛光率普遍比使用对照例1～10的任何一个抛光组合物所测得的抛光率更高。使用实施例1～17的任何一个抛光组合物对其进行划痕数评估都是优秀或良好。结果表明实施例1～17的任何一个抛光组合物都具有较高的抛光性能。使用实施例1～3的含有碱性化合物的任何一个抛光组合物所测得的抛光率比使用实施例5～7的不含碱性化合物的任何一个抛光组合物所测得的抛光率更高。结果表明通过加入碱性化合物提高了抛光组合物的抛光性能。
不包含碱性化合物的实施例5的抛光组合物的腐蚀性评估结果优于包含氢氧化四甲基铵作为碱性化合物的实施例1的抛光组合物的腐蚀性评估结果。此外，实施例1的抛光组合物的腐蚀性评估结果优于包含氢氧化钾或氢氧化钠作为碱性化合物的实施例8和9的抛光组合物的腐蚀性评估结果。结果表明表面的粗糙是由加入碱性化合物造成的，并且氢氧化四甲基铵与氢氧化钾和氢氧化钠相比，具有的造成表面粗糙的危险更小。
Claims (16)
1.一种用于抛光物体边缘的抛光组合物，其特征在于，含有：
研磨剂；
选自咪唑和咪唑衍生物中的至少一种化合物；以及
水。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨剂包含胶态二氧化硅。
3.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述研磨剂的平均颗粒尺寸为10～200nm。
4.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中的选自咪唑和咪唑衍生物中的至少一种化合物的含量为0.1～20.0mass％。
5.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物进一步包含碱性化合物。
6.如权利要求5所述的抛光组合物，其特征在于，所述碱性化合物包含选自氢氧化四甲基铵、氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种化合物。
7.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物进一步包含水溶性聚合物。
8.如权利要求7所述的抛光组合物，其特征在于，所述水溶性聚合物包含选自羟乙基纤维素、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、以及聚乙二醇中的至少一种化合物。
9.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物进一步包含螯合剂。
10.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物进一步包含氧化剂，其中所述抛光组合物中的氧化剂的含量为小于1mass％。
11.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物不包含氧化剂。
12.如权利要求1～11中任何一项所述的抛光组合物，其特征在于，所述物体是半导体基板。
13.一种方法，其特征在于，使用如权利要求1～11中任何一项所述的抛光组合物抛光物体边缘的方法。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述物体为半导体基板。
15.一种制造抛光产品的方法，其特征在于：
制备如权利要求1～11中任何一项所述的抛光组合物；以及
使用制备的抛光组合物抛光抛光产品的半成品的边缘。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述抛光产品为半导体基板。
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