JP2006108705A - 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 - Google Patents
軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006108705A JP2006108705A JP2005339301A JP2005339301A JP2006108705A JP 2006108705 A JP2006108705 A JP 2006108705A JP 2005339301 A JP2005339301 A JP 2005339301A JP 2005339301 A JP2005339301 A JP 2005339301A JP 2006108705 A JP2006108705 A JP 2006108705A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- electronic component
- electrical contact
- insulating layer
- electronic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 55
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 32
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 8
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 16
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0231—Manufacturing methods of the redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Abstract
【解決手段】電子回路をボンディングのために、電子部品の少なくとも第1表面2に電子回路、並びに電気接点1を有する電子部品は、第1表面2に絶縁材料からなる少なくとも一つの軟質バンプ3が配置されている。軟質バンプ3上に、少なくとも一つの電気接点1が配置されており、軟性バンプ3の表面上、または内部で、少なくとも1つの電気接点1と電子回路との間に回路パターン8が配置されている。
【選択図】図6
Description
米国特許公報5,874,782 が各種材料からなるバンプを示している。しかしそこで問題とされているのは準幾何学的検討だけ、つまり互いに接触した2つの平面の間の距離を橋絡することだけである。この距離がそこでは絶縁性プラスチックで充填され、それ自体軟質の材料をバンプ用に使用する場合でも、熱応力または機械的応力の結果としての応力の補償は行うことができない。
Claims (19)
- 電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有する電子部品であって、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されているものにおいて、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の表面上で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターン(8)が配置され、
絶縁層(7、11)が、少なくとも部分的に第1表面(2)を覆ってバンプ(3)に隣接しており、
導体パターン(4)が、絶縁層上に配置されてバンプ(3)と電子回路との間に導電接合を形成し、
上記絶縁層(7、11)が、少なくとも部分的にバンプ(3)を覆うことを特徴とする電子部品。 - 電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有する電子部品であって、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されているものにおいて、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の内部で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターンが配置されており、
絶縁層(7、11)が、少なくとも部分的に第1表面(2)を覆ってバンプ(3)に隣接しており、
導体パターン(4)が、絶縁層上に配置されてバンプ(3)と電子回路との間に導電接合を形成し、
上記絶縁層(7、11)が、少なくとも部分的にバンプ(3)を覆うことを特徴とする電子部品。 - 上記絶縁層(7、11)が、弾性を有していることを特徴とする、請求項1または2記載の電子部品。
- 上記電子部品が半導体部品であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の電子部品。
- 上記電気接点(1)が、導電層または導電球(5)によって形成されることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項記載の電子部品。
- 電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有し、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されており、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の表面上で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターン(8)が配置されているものであり、
上記バンプ(3)の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする方法。 - 電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有し、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されており、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の内部で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターンが配置されているものであり、
上記バンプ(3)の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする方法。 - 電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有し、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されており、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の表面上で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターン(8)が配置されているものであり、
上記バンプ(3)を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする方法。 - 電子部品を製造するための方法において、
上記電子部品は、
電子回路をボンディングするために、電子部品の少なくとも第1表面(2)に電子回路と電気接点(1)とを有し、
第1表面(2)上に、少なくとも1つのバンプ(3)が配置されており、
この少なくとも1つのバンプ(3)上に、少なくとも1つの電気接点(1)が配置されており、
バンプ(3)が、熱応力または機械的応力の結果として現れる応力が接点域内で捕捉されるような軟性を有する絶縁材料からなり、
バンプ(3)の内部で、少なくとも1つの電気接点(1)と電子回路との間に回路パターンが配置されているものであり、
上記バンプ(3)を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする方法。 - 上記バンプ(3)が、熱可塑性プラスチックまたは熱硬化性プラスチックからなることを特徴とする、請求項8または9記載の方法。
- 上記バンプ(3)の被着後に、バンプ(3)の表面粗面化を、少なくとも後の回路パターン(8)となる領域で、特にレーザを利用して行うことを特徴とする、請求項6〜10のいずれか1項記載の方法。
- 上記バンプ(3)の表面を粗面化した後、かつ、バンプ(3)の表面に回路パターン(8)を形成するための導電材料を被着する前に、バンプ(3)の表面に核の析出が行われることを特徴とする、請求項11記載の方法。
- 上記の核がパラジウムからなることを特徴とする、請求項12記載の方法。
- 上記バンプ(3)表面上での回線パターン(8)の形成を、粗面化表面上に導電材料を析出することによって行うことを特徴とする、請求項11〜13のいずれか1項記載の方法。
- 上記電子部品には、少なくとも部分的に第1表面(2)を覆うように、絶縁層(7)が形成されており、
上記絶縁層(7)の被着を、圧着プロセスによって行うことを特徴とする、請求項6〜14のいずれか1項記載の方法。 - 上記電子部品には、少なくとも部分的に第1表面(2)を覆うように、絶縁層(7、11)が形成されており、
上記絶縁層(7、11)を、射出成形またはスタンピングによって成形することを特徴とする、請求項6〜14のいずれか1項記載の方法。 - 上記電子部品の絶縁層上には、バンプ(3)と電子回路との間に導電接合を形成する導体パターン(4)が形成されており、
上記絶縁層(7、11)の表面粗面化を、少なくとも、導体パターン(4)の形成領域で、特にレーザを利用して行うことを特徴とする、請求項15または16記載の方法。 - 絶縁層(7、11)の表面を粗面化した後、かつ、絶縁層(7、11)の表面に回路パターン(8)を形成するための導電材料を被着する前に、絶縁層(7、11)の表面に核の析出が行われることを特徴とする、請求項17記載の方法。
- 上記の核がパラジウムからなることを特徴とする、請求項18記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19927750 | 1999-06-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001505058A Division JP2003502866A (ja) | 1999-06-17 | 2000-04-11 | 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006108705A true JP2006108705A (ja) | 2006-04-20 |
JP4226589B2 JP4226589B2 (ja) | 2009-02-18 |
Family
ID=7911618
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001505058A Pending JP2003502866A (ja) | 1999-06-17 | 2000-04-11 | 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 |
JP2005339301A Expired - Fee Related JP4226589B2 (ja) | 1999-06-17 | 2005-11-24 | 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001505058A Pending JP2003502866A (ja) | 1999-06-17 | 2000-04-11 | 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6956287B2 (ja) |
EP (1) | EP1186035A1 (ja) |
JP (2) | JP2003502866A (ja) |
KR (1) | KR20020011440A (ja) |
WO (1) | WO2000079589A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6870272B2 (en) * | 1994-09-20 | 2005-03-22 | Tessera, Inc. | Methods of making microelectronic assemblies including compliant interfaces |
US6284563B1 (en) * | 1995-10-31 | 2001-09-04 | Tessera, Inc. | Method of making compliant microelectronic assemblies |
US6211572B1 (en) * | 1995-10-31 | 2001-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip package with fan-in leads |
WO2000079589A1 (de) | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements |
DE10014300A1 (de) * | 2000-03-23 | 2001-10-04 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10016132A1 (de) | 2000-03-31 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10063914A1 (de) * | 2000-12-20 | 2002-07-25 | Pac Tech Gmbh | Kontakthöckeraufbau zur Herstellung eines Verbindungsaufbaus zwischen Substratanschlussflächen |
US20020170897A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-21 | Hall Frank L. | Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser |
DE10126296B4 (de) * | 2001-05-30 | 2008-04-17 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
DE10143790B4 (de) * | 2001-09-06 | 2007-08-02 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip |
JP2003124393A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003163312A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Shinkawa Ltd | 半導体装置の製造方法 |
DE10233641B4 (de) * | 2002-07-24 | 2007-08-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung |
DE10239080A1 (de) * | 2002-08-26 | 2004-03-11 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung |
DE10261410B4 (de) * | 2002-12-30 | 2008-09-04 | Qimonda Ag | Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung |
JP3945415B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2007-07-18 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20040222518A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-11-11 | Tessera, Inc. | Ball grid array with bumps |
DE10318074B4 (de) * | 2003-04-17 | 2009-05-20 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung von BOC Modul Anordnungen mit verbesserten mechanischen Eigenschaften |
US7294929B2 (en) * | 2003-12-30 | 2007-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Solder ball pad structure |
JP3873986B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品、実装構造体、電気光学装置および電子機器 |
DE102004030140B3 (de) * | 2004-06-22 | 2006-01-19 | Infineon Technologies Ag | Flexible Kontaktierungsvorrichtung |
DE102004030813B4 (de) * | 2004-06-25 | 2007-03-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung mit einem Substrat und entsprechende Schaltungsanordnung |
US8680534B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-03-25 | Semileds Corporation | Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light |
US8012774B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-09-06 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Coating process for a light-emitting diode (LED) |
KR101357765B1 (ko) * | 2005-02-25 | 2014-02-11 | 테세라, 인코포레이티드 | 유연성을 갖는 마이크로 전자회로 조립체 |
US7749886B2 (en) | 2006-12-20 | 2010-07-06 | Tessera, Inc. | Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor |
TWI381464B (zh) * | 2008-08-29 | 2013-01-01 | Hannstar Display Corp | The bump structure and its making method |
JP5149876B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-02-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8492746B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-07-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers |
US8410508B1 (en) | 2011-09-12 | 2013-04-02 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method |
US8841146B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-09-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics |
US8912021B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-12-16 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers |
CN103906803B (zh) | 2011-10-31 | 2016-05-25 | 提克纳有限责任公司 | 用于形成激光直接构建基材的热塑性组合物 |
AT17082U1 (de) * | 2020-04-27 | 2021-05-15 | Zkw Group Gmbh | Verfahren zur befestigung eines elektronischen bauteils |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3641254A (en) * | 1969-06-27 | 1972-02-08 | W S Electronic Services Corp | Microcircuit package and method of making same |
US4001870A (en) | 1972-08-18 | 1977-01-04 | Hitachi, Ltd. | Isolating protective film for semiconductor devices and method for making the same |
US4074342A (en) | 1974-12-20 | 1978-02-14 | International Business Machines Corporation | Electrical package for lsi devices and assembly process therefor |
JPS5519850A (en) | 1978-07-31 | 1980-02-12 | Hitachi Ltd | Semiconductor |
JPS601846A (ja) | 1983-06-18 | 1985-01-08 | Toshiba Corp | 多層配線構造の半導体装置とその製造方法 |
US4902606A (en) | 1985-12-20 | 1990-02-20 | Hughes Aircraft Company | Compressive pedestal for microminiature connections |
US4740700A (en) | 1986-09-02 | 1988-04-26 | Hughes Aircraft Company | Thermally insulative and electrically conductive interconnect and process for making same |
US4885126A (en) | 1986-10-17 | 1989-12-05 | Polonio John D | Interconnection mechanisms for electronic components |
US4813129A (en) * | 1987-06-19 | 1989-03-21 | Hewlett-Packard Company | Interconnect structure for PC boards and integrated circuits |
JP2781560B2 (ja) | 1988-01-22 | 1998-07-30 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5074947A (en) | 1989-12-18 | 1991-12-24 | Epoxy Technology, Inc. | Flip chip technology using electrically conductive polymers and dielectrics |
US5148265A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies with fan-in leads |
US5679977A (en) | 1990-09-24 | 1997-10-21 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip assemblies, methods of making same and components for same |
US5148266A (en) | 1990-09-24 | 1992-09-15 | Ist Associates, Inc. | Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead |
US5072520A (en) | 1990-10-23 | 1991-12-17 | Rogers Corporation | Method of manufacturing an interconnect device having coplanar contact bumps |
US5180311A (en) | 1991-01-22 | 1993-01-19 | Hughes Aircraft Company | Resilient interconnection bridge |
JP2958136B2 (ja) * | 1991-03-08 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置、その製造方法および実装構造 |
IL104056A (en) | 1991-12-13 | 1997-02-18 | Hoechst Ag | Process for the preparation of L-phosphinothricin and its derivatives |
JP2833326B2 (ja) | 1992-03-03 | 1998-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装接続体およびその製造方法 |
JPH05251455A (ja) * | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP3151219B2 (ja) | 1992-07-24 | 2001-04-03 | テツセラ,インコーポレイテッド | 取り外し自在のリード支持体を備えた半導体接続構成体およびその製造方法 |
JPH0684917A (ja) | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 高周波用バンプの形成方法 |
US6544825B1 (en) * | 1992-12-26 | 2003-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a MIS transistor |
DE4300652C1 (de) * | 1993-01-13 | 1994-03-31 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung einer hybrid integrierten optischen Schaltung und Vorrichtung zur Emission von Lichtwellen |
JP3214186B2 (ja) | 1993-10-07 | 2001-10-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH07115096A (ja) | 1993-10-18 | 1995-05-02 | Fujitsu Ltd | バンプ電極 |
US5455390A (en) | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
US5508228A (en) * | 1994-02-14 | 1996-04-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Compliant electrically connective bumps for an adhesive flip chip integrated circuit device and methods for forming same |
US5491302A (en) | 1994-09-19 | 1996-02-13 | Tessera, Inc. | Microelectronic bonding with lead motion |
US5777379A (en) | 1995-08-18 | 1998-07-07 | Tessera, Inc. | Semiconductor assemblies with reinforced peripheral regions |
US5874782A (en) | 1995-08-24 | 1999-02-23 | International Business Machines Corporation | Wafer with elevated contact structures |
US6211572B1 (en) * | 1995-10-31 | 2001-04-03 | Tessera, Inc. | Semiconductor chip package with fan-in leads |
US6284563B1 (en) | 1995-10-31 | 2001-09-04 | Tessera, Inc. | Method of making compliant microelectronic assemblies |
US5749997A (en) | 1995-12-27 | 1998-05-12 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonding method and bonded structure |
US5808874A (en) * | 1996-05-02 | 1998-09-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic connections with liquid conductive elements |
DE19618447A1 (de) * | 1996-05-08 | 1997-11-20 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Lithographisches Verfahren zur Erzeugung von Nanostrukturen auf Oberflächen |
DE19639934A1 (de) | 1996-09-27 | 1998-04-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Flipchip-Kontaktierung eines Halbleiterchips mit geringer Anschlußzahl |
US5910687A (en) * | 1997-01-24 | 1999-06-08 | Chipscale, Inc. | Wafer fabrication of die-bottom contacts for electronic devices |
US5783465A (en) | 1997-04-03 | 1998-07-21 | Lucent Technologies Inc. | Compliant bump technology |
WO1998050950A1 (fr) | 1997-05-07 | 1998-11-12 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et production de ce dispositif |
US6051489A (en) * | 1997-05-13 | 2000-04-18 | Chipscale, Inc. | Electronic component package with posts on the active side of the substrate |
DE19723734C2 (de) | 1997-06-06 | 2002-02-07 | Gerhard Naundorf | Leiterbahnstrukturen auf einem nichtleitenden Trägermaterial und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE19731346C2 (de) * | 1997-06-06 | 2003-09-25 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Leiterbahnstrukturen und ein Verfahren zu deren Herstellung |
JPH1167776A (ja) | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Citizen Watch Co Ltd | 突起電極およびその製造方法 |
US6140456A (en) * | 1997-10-24 | 2000-10-31 | Quester Techology, Inc. | Chemicals and processes for making fluorinated poly(para-xylylenes) |
CA2255441C (en) * | 1997-12-08 | 2003-08-05 | Hiroki Sekiya | Package for semiconductor power device and method for assembling the same |
US6261941B1 (en) * | 1998-02-12 | 2001-07-17 | Georgia Tech Research Corp. | Method for manufacturing a multilayer wiring substrate |
US6100175A (en) * | 1998-08-28 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for aligning and attaching balls to a substrate |
US6075712A (en) * | 1999-01-08 | 2000-06-13 | Intel Corporation | Flip-chip having electrical contact pads on the backside of the chip |
US6426564B1 (en) * | 1999-02-24 | 2002-07-30 | Micron Technology, Inc. | Recessed tape and method for forming a BGA assembly |
US6225206B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Flip chip C4 extension structure and process |
WO2000079589A1 (de) | 1999-06-17 | 2000-12-28 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements |
-
2000
- 2000-04-11 WO PCT/DE2000/001123 patent/WO2000079589A1/de not_active Application Discontinuation
- 2000-04-11 EP EP00934894A patent/EP1186035A1/de not_active Withdrawn
- 2000-04-11 KR KR1020017016160A patent/KR20020011440A/ko active Search and Examination
- 2000-04-11 JP JP2001505058A patent/JP2003502866A/ja active Pending
-
2001
- 2001-12-17 US US10/022,226 patent/US6956287B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-06 US US11/124,515 patent/US7820482B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-24 JP JP2005339301A patent/JP4226589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7820482B2 (en) | 2010-10-26 |
JP4226589B2 (ja) | 2009-02-18 |
EP1186035A1 (de) | 2002-03-13 |
JP2003502866A (ja) | 2003-01-21 |
WO2000079589A1 (de) | 2000-12-28 |
US6956287B2 (en) | 2005-10-18 |
US20050208703A1 (en) | 2005-09-22 |
KR20020011440A (ko) | 2002-02-08 |
US20020089058A1 (en) | 2002-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4226589B2 (ja) | 軟質ボンディング部を有する電子部品およびこのような部品を製造するための方法 | |
US7777352B2 (en) | Semiconductor device with semiconductor device components embedded in plastic package compound | |
US20220053633A1 (en) | Embedding Component in Component Carrier by Component Fixation Structure | |
JP4366316B2 (ja) | ランド・グリッド・アレイ用のインタポーザ及びこれの製造方法 | |
US20060121719A1 (en) | Method of manufacturing a circuit substrate and method of manufacturing an electronic parts packaging structure | |
JPH0917829A (ja) | フィルムキャリアおよびそれを用いてなる半導体装置 | |
KR20060080549A (ko) | 반도체 장치 | |
JP2000228460A (ja) | ポリマースタッドグリッドアレイのための基板の製造のための方法 | |
US9320153B2 (en) | Printed wiring board and method for manufacturing the same | |
US20210243901A1 (en) | Printed circuit board and method of fabricating the same | |
US6660942B2 (en) | Semiconductor device with an exposed external-connection terminal | |
US6485999B1 (en) | Wiring arrangements having electrically conductive cross connections and method for producing same | |
KR20160072822A (ko) | 전자 모듈 및 전자 모듈의 제조 방법 | |
US7056764B2 (en) | Electronic sensor device and method for producing the electronic sensor device | |
US6781215B2 (en) | Intermediate base for a semiconductor module and a semiconductor module using the intermediate base | |
US7148566B2 (en) | Method and structure for an organic package with improved BGA life | |
KR100602847B1 (ko) | 방열판이 장착된 인쇄회로기판과 이 회로기판을 이용한발광다이오드 패캐지 및 그 제조방법 | |
TW201021652A (en) | Process of fabricating circuit board | |
US20040029361A1 (en) | Method for producing semiconductor modules and a module produced according to said method | |
WO2007100173A1 (en) | Multi-layer package structure and fabrication method thereof | |
JP2005109486A (ja) | マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール | |
JP5176500B2 (ja) | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 | |
JP2923145B2 (ja) | 回路端子付プラスチック成形品 | |
WO2024057447A1 (ja) | コネクタ接続構造及びその製造方法 | |
WO2023203757A1 (ja) | 実装部品の位置決め固定構造及び製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081028 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111205 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121205 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131205 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |