DE10239080A1 - Integrierte Schaltung - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt eine integrierte Schaltung (10) bereit, mit: mindestens einer elastisch deformierbaren Erhebung (11) auf einer integrierten Schaltung (10); einer Kontaktiereinrichtung (13) auf der Erhebung (11) zum Vorsehen einer elektrischen Anbindung; einer Umverdrahtungseinrichtung (12) zum elektrischen Verbinden eines aktiven Halbleiterabschnitts der integrierten Schaltung (10) mit der Kontaktierungseinrichtung (13); wobei die Umverdrahtungseinrichtung (12) auf der Erhebung spiralförmig verläuft und elastisch deformierbar zum Kontaktieren einer elektrischen Einrichtung unter elastischer Deformation der elastischen Erhebung (11) und der Umverdrahtungseinrichtung (12) auf der Erhebung (11) vorgesehen ist. Die Erfindung stellt ebenfalls eine integrierte Schaltung bereit, bei welcher mindestens zwei Umverdrahtungseinrichtungen auf direktem Weg nach oben zur Kontaktierungseinrichtung an der Oberfläche der nachgiebigen Erhebung verlaufen, wobei die Umverdrahtungseinrichtungen, insbesondere am Übergang zwischen der integrierten Schaltung und der nachgiebigen Erhebung, so ausgerichtet sind, daß sie in Richtung eines neutralen Punktes auf der integrierten Schaltung oder entgegengesetzt dazu weisen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung.
  • Integrierte Schaltungen bzw. Halbleitervorrichtungen in Wafer-Level-Packages (WLP) sind im Gegensatz zu Standard-Packages auf einer vollständigen, d.h. noch nicht aufgeteilten, Silizium-Wafer-Scheibe aufgebaut. Ein Vorteil dieser Anordnung besteht in der Möglichkeit, daß man die einzelnen bereits verpackten Halbleitervorrichtungen bzw. integrierten Schaltungen bereits auf Wafer-Ebene in einem Parallelprozeß testen kann. Dies setzt Kontakteinrichtungen bzw. Kontaktelemente auf dem Wafer voraus, welche in Z-Richtung, d.h. normal zur Wafer-Ebene, nachgiebig bzw. elastisch sind.
  • DRAM-Chips z.B. weisen kleine Kontakteinrichtungen bzw. Pads mit sehr schmalen Abständen (Pitch) zueinander auf, welche zu Kontaktierungseinrichtungen mit größeren Abständen umverdrahtet werden. Dies erfolgt üblicherweise durch Metalleitungen bzw. Leiterbahnen, um eine Benetzbarkeit durch Lot für eventuell vorgesehene Anschlußeinrichtungen bereitzustellen. Diese Leitungen bzw. Leiterbahnen müssen auf den nachgiebigen Kontaktelementen enden, um die elektrischen Kontakte während eines Tests sicherstellen zu können.
  • Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine integrierte Schaltung bereitzustellen, welche eine Umverdrahtungseinrichtung auf einer Erhebung aufweist, die während einer vorübergehenden Druckkontaktierung deformierbar sind, ohne sich plastisch zu verformen oder zu brechen und ihre ursprüngliche Form im nachhinein wieder einnehmen.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im Anspruch 1 und Anspruch 4 angegebene integrierte Schaltung gelöst.
  • Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht darin, eine Umverdrahtungseinrichtung vorzusehen, welche auf einer nachgiebigen Erhebung eine Kontaktierungseinrichtung aufweist und gebogen bzw. verdreht werden kann, ohne plastisch deformiert zu werden oder zu brechen.
  • In der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem insbesondere dadurch gelöst, daß die integrierte Schaltung eine Umverdrahtungseinrichtung zum elektrischen Verbinden eines aktiven Halbleiterabschnitts der integrierten Schaltung mit einer Kontaktierungseinrichtung vorsieht, wobei die Umverdrahtungseinrichtung spiralförmig verläuft und elastisch deformierbar auf einer nachgiebigen Erhebung zum Kontaktieren einer elektrischen Einrichtung unter elastischer Deformation der nachgiebigen Erhebung vorgesehen ist.
  • Alternativ dazu verlaufen bei mindestens zwei Umverdrahtungseinrichtungen diese auf direktem Weg nach oben zu den jeweiligen Kontaktierungseinrichtungen auf der Oberfläche der nachgiebigen Erhebung, wobei die Umverdrahtungseinrichtungen, insbesondere am Übergang zwischen der integrierten Schaltung und den nachgiebigen Erhebungen, so ausgerichtet ist, daß sie in Richtung eines neutralen Punktes, d.h. den Mittelpunkt eines Chips der sich als Bezugspunkt bei wärmebedingter Ausdehnung des Chips nicht bewegt, auf der integrierten Schaltung oder entgegengesetzt dazu weisen.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Erfindungsgegenstandes.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung verläuft die Umverdrahtungseinrichtung mäanderförmig auf der nachgiebigen Erhebung bis zur Kontaktierungseinrichtung.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung verläuft die Umverdrahtungseinrichtung schlingenförmig oder zick-zack- förmig an der nachgiebigen Erhebung nach oben zur Kontaktierungseinrichtung.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weist die Umverdrahtungseinrichtung geschichtete Metallisierungen auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die Kontaktierungseinrichtung zur elektrischen Kontaktierung einer Test- bzw. Meßeinrichtung zum Durchführen eines Tests der integrierten Schaltung auf Wafer-Ebene vorgesehen.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist die nachgiebige Erhebung halbkugelförmig ausgebildet.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Kontaktierungseinrichtung eine korrosionsbeständige, vorzugsweise mit Lot benetzbare, Oberflächenmetallisierung auf.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung besteht die nachgiebige Erhebung aus einem nicht leitfähigen Kunststoff, wie beispielsweise Silikon.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist sowohl die nachgiebige Erhebung als auch die sich darauf befindliche Umverdrahtungseinrichtung in allen drei Raumrichtungen elastisch deformierbar.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfelgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Draufsicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine Seitenansicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 1;
  • 3 eine Draufsicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 4 die Seitenansicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 3; und
  • 5A,B eine Draufsicht einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 3 und 4, wobei 5A eine Ausführungsalternative zu 5B darstellt.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
  • 1 zeigt eine Draufsicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 1 ist eine integrierte Schaltung 10, z.B. ein Halbleiterchip, dargestellt, auf welchen eine nachgiebige Erhebung 11, z.B. eine flexible halbkugelförmige, elektrisch nicht leitfähige Einrichtung, insbesondere aus Silikon, aufgebracht ist. Die Erhebung 11 bildet eine Erhebung in Z-Richtung, d.h. normal bzw. senkrecht zur Oberfläche der integrierten Schaltung 10. Auf der integrierten Schaltung 10 verläuft eine Umverdrahtungseinrichtung 12, welche vorzugsweise einer geschichteten Leiterbahn entspricht, die aus mehreren Metallagen aufgebaut ist und vorzugsweise über Sput ter- und/oder elektrochemische Verfahren aufgebracht ist und photolithographisch strukturiert wird.
  • Gemäß dieser ersten Ausführungsform verläuft die Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der Erhebung 11 spiralförmig bis zur Spitze der Erhebung 11, auf welcher eine Kontaktierungseinrichtung 13, z.B. ein Kontaktpad, angeordnet ist. Vorzugsweise überstreicht der Bogen der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der Erhebung 11 360° oder mehr. Die Kontaktierungseinrichtung 13 ist vorzugsweise mit einer leicht benetzbaren Oberflächenmetallisierung versehen und/oder vor elektrochemischer Korrosion geschützt.
  • Durch den spiralförmigen Verlauf der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der flexiblen Erhebung 11 wird eine elektrische Kontaktierungs- bzw. Anschlußeinrichtung vorgesehen, welche gebogen und verdreht werden kann, ohne plastisch verformt zu werden oder zu brechen. So ist z.B. bei einem Test der integrierten Schaltung 10 auf Wafer-Ebene, bei welchem eine elektrische Einrichtung (nicht dargestellt) die Kontaktierungseinrichtung 13 unter Druck und folglich unter einer Deformation der Kombination aus flexibler Erhebung 11 und Umverdrahtungseinrichtung 12 kontaktiert, sichergestellt, daß nach dem Test die Kombination aus flexibler Erhebung 11 und darauf befindlicher Umverdrahtungseinrichtung 12 wieder ihre ursprüngliche Form einnimmt, ohne daß die Umverdrahtungseinrichtung 12 beispielsweise bricht.
  • 2 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 1.
  • In 2 ist im wesentlichen die Anordnung gemäß 1 jedoch in Seitenansicht dargestellt, wobei der Übergang zwischen der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der integrierten Schaltung 10 und dem weiteren Verlauf auf der vorzugsweise halbkugelförmigen elastischen Erhebung 11 insbesondere mit einer geringen Steigung erfolgt. Dadurch wird ein abrupter Steigungswechsel der Umverdrahtungseinrichtung 12 und damit eine potentielle Knick- bzw. Sollbruchstelle vermieden. Anstelle des spiralförmigen Verlaufs der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der flexiblen Erhebung 11 ist alternativ ein mäanderförmiger Verlauf, ein zickzackförmiger Verlauf oder Ähnliches auf der Oberfläche der Erhebung 11 vorgesehen.
  • 3 zeigt eine Draufsicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 3 ist eine vorzugsweise halbkugelförmige flexible Erhebung 11 auf der Oberfläche einer integrierten Schaltung 10 vorgesehen. Eine Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der integrierten Schaltung 10 verläuft auf direktem Weg an der Oberfläche der Erhebung 11 zur Spitze der Erhebung 11, welche mit einem Kontaktierungselement 13, z.B. einem Pad, versehen ist. Auch hier ist die vorzugsweise halbkugelförmige Erhebung 11 aus einem flexiblen, elektrisch nicht leitfähigen Material, wie beispielsweise Silikon, und die Umverdrahtungseinrichtung 12 ist ebenfalls aus einer mehrschichtigen leiterbahnähnlichen, strukturierten Metallisierung gebildet.
  • Wird dieser geradlinige Verlauf der Umverdrahtungseinrichtung 12 von der Oberfläche der integrierten Schaltung zur Kontaktierungseinrichtung 13 gewählt, so sollte die Umverdrahtungsleitung 12 die flexible Erhebung 11 vorzugsweise aus der Richtung eines neutralen Punktes 14 des Chips bzw. der integrierten Schaltung 10 oder aus der gegenüberliegenden Richtung, also 180°, versetzt zu der Richtung des neutralen Punktes 14 erfolgen, wie in 5A und 5B dargestellt. Der neutrale Punkt 14 entspricht dem Mittelpunkt einer integrierten Schaltung 10 bzw. des Chips, welcher seine Lage bei Erwärmung und damit verbundener Ausdehnung des Chips als Bezugspunkt nicht verändert. Eine Umverdrahtung, welche auf diese Weise gestaltet ist, leidet weniger unter einer diffe rentiellen Längenänderung der Umverdrahtungseinrichtung während Temperaturzyklen wechselnder Temperatur und ist deshalb mechanisch weniger anfällig bzw. zerbrechlich.
  • 4 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnitts einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 3.
  • In 4 ist im wesentlichen die Anordnung gemäß 3 dargestellt, wobei der Verlauf der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf kürzestem Wege an der Oberfläche der vorzugsweise halbkugelförmigen flexiblen Erhebung 11 zur Kontaktierungseinrichtung 13 verdeutlicht ist. Der Übergang zwischen dem Abschnitt der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der integrierten Schaltung 10 und dem Abschnitt der Umverdrahtungseinrichtung 12 auf der Erhebung 11 erfolgt hier mit einem großen Steigungswechsel.
  • Auch hier folgt aus einer Kontaktierung der Kontaktierungseinrichtung 13, z.B. bei einem Wafer-Level-Test, eine Deformation der Erhebung 11 und somit auch des Abschnitts der Umverdrahtungseinrichtung 12, welcher auf der Oberfläche der Erhebung 11 verläuft, durch Druckkontaktierung einer elektrischen Einrichtung (nicht dargestellt) der Testeinrichtung für die integrierte Schaltung 10. Nach Beendigung des Tests bleibt die flexible Erhebung 11 und auch die Umverdrahtungseinrichtung 12 jedoch nicht dauerhaft bzw, plastisch deformiert, sondern nimmt aufgrund der Elastizität der Kombination aus Umverdrahtungseinrichtung 12 und Erhebung 11 ihre ursprüngliche Gestalt wieder ein.
  • 5A, 5B zeigt eine Draufsicht einer integrierten Schaltung zur Erläuterung der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gemäß 3 und 4.
  • In 5A ist eine Anordnung von mit Kontaktierungseinrichtungen 13 versehenen Erhebungen 11 auf einer integrierten Schaltung 10 dargestellt, wobei die auf den Erhebungen 11 geradlinig verlaufenden Umverdrahtungseinrichtungen in Richtung eines neutralen Punktes 14 der integrierten Schaltung 10 ausgerichtet sind. Dadurch leidet die Umverdrahtungseinrichtung 12 jeweils weniger unter differentieller Verlängerung der Umverdrahtungseinrichtung während Temperaturzyklen mit schwankender Temperatur und ist deshalb mechanisch weniger anfällig bzw. zerbrechlich.
  • In 5B ist eine Anordnung von mit Kontaktierungseinrichtungen 13 versehenen Erhebungen 11 auf einer integrierten Schaltung 10 dargestellt, wobei die auf den Erhebungen 11 geradlinig verlaufenden Umverdrahtungseinrichtungen 12 in die entgegengesetzte Richtung von einem neutralen Punkt 14 auf der integrierten Schaltung 10 bzw. dem Chip weisen. Die Umverdrahtungseinrichtungen 12 verlaufen in diesem Bereich aus dem mit Bezug auf 5A beschriebenen Grunde um 180° versetzt zur Orientierungsrichtung der Umverdrahtungseinrichtungen 12 gemäß 5A. Auf diese Weise wird eine Beanspruchung durch Biegung bzw. Torsion der Umverdrahtungseinrichtungen wie bei der Ausführungsform gemäß 1 und 2 vermieden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
  • So sind insbesondere andere Umverdrahtungseinrichtungsverläufe als die verdeutlichte Spiralform möglich, wie z.B. eine Schlingenform, eine Mäanderform oder eine Zickzackform. Darüber hinaus sind die angegebenen Materialien, wie z.B. Silikon, für die flexiblen Erhebungen beispielhaft zu sehen. Die Form der Erhebung ist ebenfalls beliebig gestaltbar, wie z.B. abgeflacht, quaderförmig oder vieleckig.
    • 10
    integrierte Schaltung, insbesondere Halbleiterchip
    11
    nachgiebige Erhebung, z.B. flexible Silikonhalbkugel
    12
    Umverdrahtungseinrichtung, vorzugsweise mehrschichtige
    Metallisierung als Leiterbahn strukturiert
    13
    Kontaktierungseinrichtung, vorzugsweise leicht benetzbar
    und/oder korrosionsgeschützt
    14
    neutraler Punkt der integrierten Schaltung bzw. des
    Chips
    z
    Raumrichtung senkrecht zur Oberfläche der integrierten
    Schaltung

Claims (10)

  1. Integrierte Schaltung (10) mit: mindestens einer elastisch deformierbaren Erhebung (11) auf einer integrierten Schaltung (10); einer Kontaktierungseinrichtung (13) auf der Erhebung (11) zum Vorsehen einer elektrischen Anbindung; einer Umverdrahtungseinrichtung (12) zum elektrischen Verbinden eines aktiven Halbleiterabschnitts der integrierten Schaltung (10) mit der Kontaktierungseinrichtung (13); wobei die Umverdrahtungseinrichtung (12) auf der Erhebung (11) spiralförmig verlaüft und elastisch deformierbar zum Kontaktieren einer elektrischen Einrichtung unter elastischer Deformation der elastischen Erhebung (11) und der Umverdrahtungseinrichtung (12) auf der Erhebung (11) vorgesehen ist.
  2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungseinrichtung (12) mäanderförmig anstatt spiralförmig auf der nachgiebigen Erhebung (11) bis zur Kontaktierungseinrichtung (13) verläuft.
  3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungseinrichtung (12) schlingenförmig oder zick-zack-förmig anstatt spiralförmig an der nach giebigen Erhebung (11) nach oben zur Kontaktierungseinrichtung (13) verläuft.
  4. Integrierte Schaltung (10) mit: mindestens einer elastisch deformierbaren Erhebung (11) auf einer integrierten Schaltung (10); einer Kontaktierungseinrichtung (13) auf der Erhebung (11) zum Vorsehen einer elektrischen Anbindung; mindestens zwei Umverdrahtungseinrichtungen (12) zum elektrischen Verbinden aktiver Halbleiterabschnitte der integrierten Schaltung (10) mit Kontaktierungseinrichtungen (13); wobei die Umverdrahtungseinrichtungen (11) auf direktem Weg nach oben zur Kontaktierungseinrichtung (13) auf der Oberfläche der nachgiebigen Erhebung (11) verlaufen, und die Umverdrahtungseinrichtungen (12), insbesondere am Übergang zwischen der integrierten Schaltung (10) und der nachgiebigen Erhebung (11), so ausgerichtet sind, daß sie in Richtung eines neutralen Punktes (14), der sich als Mittelpunkt bei Wärmeausdehnung als Bezugspunkt in der Lage nicht ändert, auf der integrierten Schaltung (10) oder entgegengesetzt dazu weisen.
  5. Integrierte Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Umverdrahtungseinrichtung (12) geschichtete Metallisierungen aufweist.
  6. Integrierte Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungseinrichtung (13) eine korrosionsbeständige, vorzugsweise mit Lot benetzbare, Oberflächenmetallisierung aufweist.
  7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungseinrichtung (13) zur elektrischen Kontaktierung einer Test- bzw. Meßeinrichtung zum Durchführen eines Tests der integrierten Schaltung (10) auf Wafer-Ebene vorgesehen ist.
  8. Integrierte Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nachgiebige Erhebung (11) halbkugelförmig und/oder abgeflacht oder quaderförmig ausgebildet ist.
  9. Integrierte Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die nachgiebige Erhebung (11) aus einem nicht leitfähigen Kunststoff, wie beispielsweise Silikon, besteht.
  10. Integrierte Schaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die nachgiebige Erhebung (11) als auch die sich darauf befindliche Umverdrahtungseinrichtung (12) in allen drei Raumrichtungen elastisch deformierbar ist.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093189A1 (en) * 2003-04-10 2004-10-28 Formactor, Inc. Helical microelectronic contact and method for fabricating same
WO2004093164A3 (en) * 2003-04-10 2005-02-17 Formfactor Inc Layered microelectronic contact and method for fabricating same
DE102004028572A1 (de) * 2004-06-15 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Umverdrahtungseinrichtung für elektronische Bauelemente
EP1748476A1 (de) * 2004-05-18 2007-01-31 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Elektroden-kontaktstelle auf einem leitfähigen halbleitersubstrat
DE102005046008A1 (de) * 2005-09-26 2007-03-29 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102017106055A1 (de) 2017-03-21 2018-09-27 Epcos Ag Trägersubstrat für stressempflindliches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5812378A (en) * 1994-06-07 1998-09-22 Tessera, Inc. Microelectronic connector for engaging bump leads
JP2000261110A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Fuji Xerox Co Ltd プリント配線基板およびこれを用いた半導体実装装置
DE19927749A1 (de) * 1999-06-17 2000-12-28 Siemens Ag Elektronische Anordnung mit flexiblen Kontaktierungsstellen
DE10014300A1 (de) * 2000-03-23 2001-10-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10016132A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10125035A1 (de) * 2000-05-25 2001-12-06 Sharp Kk Halbleiterbauteil
US20020089058A1 (en) * 1999-06-17 2002-07-11 Harry Hedler Electronic component with flexible bonding pads and method of producing such a component

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5812378A (en) * 1994-06-07 1998-09-22 Tessera, Inc. Microelectronic connector for engaging bump leads
JP2000261110A (ja) * 1999-03-11 2000-09-22 Fuji Xerox Co Ltd プリント配線基板およびこれを用いた半導体実装装置
DE19927749A1 (de) * 1999-06-17 2000-12-28 Siemens Ag Elektronische Anordnung mit flexiblen Kontaktierungsstellen
US20020089058A1 (en) * 1999-06-17 2002-07-11 Harry Hedler Electronic component with flexible bonding pads and method of producing such a component
DE10014300A1 (de) * 2000-03-23 2001-10-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10016132A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauelement mit flexiblen Kontaktierungsstellen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10125035A1 (de) * 2000-05-25 2001-12-06 Sharp Kk Halbleiterbauteil

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004093164A3 (en) * 2003-04-10 2005-02-17 Formfactor Inc Layered microelectronic contact and method for fabricating same
US7005751B2 (en) 2003-04-10 2006-02-28 Formfactor, Inc. Layered microelectronic contact and method for fabricating same
US7131848B2 (en) 2003-04-10 2006-11-07 Formfactor, Inc. Helical microelectronic contact and method for fabricating same
WO2004093189A1 (en) * 2003-04-10 2004-10-28 Formactor, Inc. Helical microelectronic contact and method for fabricating same
EP1748476A1 (de) * 2004-05-18 2007-01-31 Nippon Telegraph and Telephone Corporation Elektroden-kontaktstelle auf einem leitfähigen halbleitersubstrat
EP1748476A4 (de) * 2004-05-18 2011-03-30 Nippon Telegraph & Telephone Elektroden-kontaktstelle auf einem leitfähigen halbleitersubstrat
DE102004028572B4 (de) * 2004-06-15 2008-08-14 Qimonda Ag Umverdrahtungseinrichtung für elektronische Bauelemente
DE102004028572A1 (de) * 2004-06-15 2006-01-12 Infineon Technologies Ag Umverdrahtungseinrichtung für elektronische Bauelemente
DE102005046008A1 (de) * 2005-09-26 2007-03-29 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
US7732915B2 (en) 2005-09-26 2010-06-08 Infineon Technologies Ag Semiconductor sensor device with sensor chip and method for producing the same
DE102005046008B4 (de) * 2005-09-26 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102017106055A1 (de) 2017-03-21 2018-09-27 Epcos Ag Trägersubstrat für stressempflindliches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE102017106055B4 (de) * 2017-03-21 2021-04-08 Tdk Corporation Trägersubstrat für stressempflindliches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US11234082B2 (en) 2017-03-21 2022-01-25 Tdk Corporation Carrier substrate for stress sensitive device and method of manufacture

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