JPH0684917A - 高周波用バンプの形成方法 - Google Patents
高周波用バンプの形成方法Info
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- JPH0684917A JPH0684917A JP25568992A JP25568992A JPH0684917A JP H0684917 A JPH0684917 A JP H0684917A JP 25568992 A JP25568992 A JP 25568992A JP 25568992 A JP25568992 A JP 25568992A JP H0684917 A JPH0684917 A JP H0684917A
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- JP
- Japan
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- bump
- thin film
- forming
- cushion
- electrode pad
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性が良く、高さ、形状が均一で、表面が
平滑で、接続が安定し、しかも接続時の熱影響による半
導体素子やプリント基板の歪を吸収できて疲労破壊が生
ぜず、また電極パッドにおけるクレータリングの発生を
防止でき、さらに表面の導電層に高周波信号が十分に流
れ、且つ直流信号にも何ら問題がなく、低い抵抗で機能
する高周波用バンプを提供する。 【構成】 ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に、
パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ型の感
光性レジスト又は感光性ポリイミドを用いて角柱又は円
柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部及びクッ
ションバンプの全面を包み込むように、密着用Ｔｉ薄膜
100Å〜3000Å又はＰｄ薄膜 100Å〜3000Åを形成し、
その上に導電用Ａｕ薄膜1000Å〜10μｍ又はＣｕ薄膜10
00Å〜10μｍを形成する高周波用バンプの形成方法。
平滑で、接続が安定し、しかも接続時の熱影響による半
導体素子やプリント基板の歪を吸収できて疲労破壊が生
ぜず、また電極パッドにおけるクレータリングの発生を
防止でき、さらに表面の導電層に高周波信号が十分に流
れ、且つ直流信号にも何ら問題がなく、低い抵抗で機能
する高周波用バンプを提供する。 【構成】 ウェハー上の半導体素子の電極パッド上に、
パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ型の感
光性レジスト又は感光性ポリイミドを用いて角柱又は円
柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部及びクッ
ションバンプの全面を包み込むように、密着用Ｔｉ薄膜
100Å〜3000Å又はＰｄ薄膜 100Å〜3000Åを形成し、
その上に導電用Ａｕ薄膜1000Å〜10μｍ又はＣｕ薄膜10
00Å〜10μｍを形成する高周波用バンプの形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波信号電流が流れ
る半導体素子の高周波用バンプの形成方法に関する。
る半導体素子の高周波用バンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のバンプ形成方法を図によって説明
すると、図８に示すように多数の半導体素子２の周辺
に、夫々Ａｌ−Ｓｉ１wt％の電極パッド部３が設けられ
ているシリコンウェハー１の全面に、図９に示すように
Ｔｉ1000Å、Ｐｄ3000Å、Ａｕ3000Åをスパッタリング
してバリアーメタル層４を形成した。次にその上に図10
に示すように感光性レジスト５を25μｍスピンコート
し、電極パッド部３のみを開口させるようにフォトリソ
グラフにより図11に示すように感光性レジスト５をパタ
ーニングした。次いで図12に示すようにバリアーメタル
層４をメッキ用電極として湿式メッキ法により開口部に
20μｍ厚のＡｕバンプ６を形成した。次に図13に示すよ
うに感光性レジスト５を剥離し、図14に示すように全面
に感光性レジスト７を塗布し、Ａｕバンプ６を被うよう
にフォトリソグラフにより図15に示すように感光性レジ
スト７をパターニングした。次いでパターニングされた
感光性レジスト７をマスクに、バリアーメタル層４を図
16に示すようにエッチングした。然る後Ａｕバンプ６を
被っていた感光性レジスト７を剥離して図17に示すよう
にＡｕバンプ６の形成を完了させた。このＡｕバンプ６
の半導体素子２に於ける配列、形状は図18に示す通りで
ある。尚、図18中の区画線８はウェハー１における半導
体素子２の切断線である。
すると、図８に示すように多数の半導体素子２の周辺
に、夫々Ａｌ−Ｓｉ１wt％の電極パッド部３が設けられ
ているシリコンウェハー１の全面に、図９に示すように
Ｔｉ1000Å、Ｐｄ3000Å、Ａｕ3000Åをスパッタリング
してバリアーメタル層４を形成した。次にその上に図10
に示すように感光性レジスト５を25μｍスピンコート
し、電極パッド部３のみを開口させるようにフォトリソ
グラフにより図11に示すように感光性レジスト５をパタ
ーニングした。次いで図12に示すようにバリアーメタル
層４をメッキ用電極として湿式メッキ法により開口部に
20μｍ厚のＡｕバンプ６を形成した。次に図13に示すよ
うに感光性レジスト５を剥離し、図14に示すように全面
に感光性レジスト７を塗布し、Ａｕバンプ６を被うよう
にフォトリソグラフにより図15に示すように感光性レジ
スト７をパターニングした。次いでパターニングされた
感光性レジスト７をマスクに、バリアーメタル層４を図
16に示すようにエッチングした。然る後Ａｕバンプ６を
被っていた感光性レジスト７を剥離して図17に示すよう
にＡｕバンプ６の形成を完了させた。このＡｕバンプ６
の半導体素子２に於ける配列、形状は図18に示す通りで
ある。尚、図18中の区画線８はウェハー１における半導
体素子２の切断線である。
【０００３】上記のように湿式メッキ法により形成する
バンプは、仕様により異なるが、大概30分〜１時間もか
かり、生産性が悪かった。またウェハー１の面上での湿
式メッキ条件のばらつきにより、湿式メッキバンプの表
面は凸凹に荒れ、一様ではなかった。この状態でのプリ
ント基板やＴＡＢ用テープとの接続は不安定の原因とな
っていた。
バンプは、仕様により異なるが、大概30分〜１時間もか
かり、生産性が悪かった。またウェハー１の面上での湿
式メッキ条件のばらつきにより、湿式メッキバンプの表
面は凸凹に荒れ、一様ではなかった。この状態でのプリ
ント基板やＴＡＢ用テープとの接続は不安定の原因とな
っていた。
【０００４】さらにＡｕバンプ６ではＴＡＢ用テープと
の接続時熱圧力を加えるが、この時半導体素子２の電極
パッド部３がダメージを受け、「クレータリング」が生
じる。即ち、電極パッド部３の下のＳｉウェハー１がク
レータ状（貝殻状）にクラックが入ってしまい、電極パ
ッド部３が取れてしまうことがある。特に転写バンプで
は、ＴＡＢ用テープ側にバンプがあり、半導体素子２の
電極パッド部３は裸の状態で何の保護もなく、熱圧着さ
れるので「クレータリング」が多発する。
の接続時熱圧力を加えるが、この時半導体素子２の電極
パッド部３がダメージを受け、「クレータリング」が生
じる。即ち、電極パッド部３の下のＳｉウェハー１がク
レータ状（貝殻状）にクラックが入ってしまい、電極パ
ッド部３が取れてしまうことがある。特に転写バンプで
は、ＴＡＢ用テープ側にバンプがあり、半導体素子２の
電極パッド部３は裸の状態で何の保護もなく、熱圧着さ
れるので「クレータリング」が多発する。
【０００５】またフリップ・チップ法で半導体素子をハ
ンダバンプにてガラス・エポキシ基板又はアルミナ基板
等に接続した場合、夫々の材質の違いによる線膨張係数
の差により、熱膨張時、熱収縮時に歪が発生し、ハンダ
バンプが変形を受ける。ヒートサイクルが加わると、ハ
ンダバンプが疲労破壊する。
ンダバンプにてガラス・エポキシ基板又はアルミナ基板
等に接続した場合、夫々の材質の違いによる線膨張係数
の差により、熱膨張時、熱収縮時に歪が発生し、ハンダ
バンプが変形を受ける。ヒートサイクルが加わると、ハ
ンダバンプが疲労破壊する。
【０００６】一方、近年は半導体素子２の処理速度が高
速化し、これに伴い回路を流れる信号電流は高周波とな
る。このような高周波信号はバンプ６の表面を流れるの
でバンプ６の高さ、形状が均一で、表面が平滑であるこ
とを要する。
速化し、これに伴い回路を流れる信号電流は高周波とな
る。このような高周波信号はバンプ６の表面を流れるの
でバンプ６の高さ、形状が均一で、表面が平滑であるこ
とを要する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、生産
性が良く、高さ、形状が均一で、表面が平滑で接続が安
定し、しかも接続時の熱影響による半導体素子やプリン
ト基板の歪を吸収できて疲労破壊が生ぜず、また電極パ
ッド部におけるウェハーのクレータリングの発生を防止
できる高周波用バンプの形成方法を提供しようとするも
のである。
性が良く、高さ、形状が均一で、表面が平滑で接続が安
定し、しかも接続時の熱影響による半導体素子やプリン
ト基板の歪を吸収できて疲労破壊が生ぜず、また電極パ
ッド部におけるウェハーのクレータリングの発生を防止
できる高周波用バンプの形成方法を提供しようとするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の高周波用バンプの形成方法は、ウェハー上の
半導体素子の電極パッド部上に、パッド部面積より小さ
い大きさでポジ型又はネガ型の感光性レジスト又は感光
性ポリイミドを用いて角柱又は円柱のクッションバンプ
を形成し、次にパッド部及びクッションバンプの全面を
包み込むように、密着用Ｔｉ薄膜 100Å〜3000Å又はＰ
ｄ薄膜 100Å〜3000Åを形成し、その上に導電用Ａｕ薄
膜1000Å〜10μｍ又はＣｕ薄膜1000Å〜10μｍを形成す
ることを特徴とするものである。
の本発明の高周波用バンプの形成方法は、ウェハー上の
半導体素子の電極パッド部上に、パッド部面積より小さ
い大きさでポジ型又はネガ型の感光性レジスト又は感光
性ポリイミドを用いて角柱又は円柱のクッションバンプ
を形成し、次にパッド部及びクッションバンプの全面を
包み込むように、密着用Ｔｉ薄膜 100Å〜3000Å又はＰ
ｄ薄膜 100Å〜3000Åを形成し、その上に導電用Ａｕ薄
膜1000Å〜10μｍ又はＣｕ薄膜1000Å〜10μｍを形成す
ることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】上記のように本発明の高周波用バンプの形成方
法は、湿式メッキ工程を無くし、感光性樹脂によるバン
プ形成を行って、工数を削減したので、生産性が向上す
る。また感光性樹脂は処理後も絶縁物であるが、電極パ
ッド部よりも小さく形成したので、プリント基板やＴＡ
Ｂ用テープとの接続時、電極パッド部から導電性を得る
ことができる。さらに密着用Ｔｉ薄膜又はＰｄ薄膜、導
電用Ａｕ薄膜又はＣｕ薄膜で感光性樹脂の全面を包み込
み、電極パッド部の残りで導電用Ａｕ薄膜又はＣｕ薄膜
の電気的導通を取ったので、バンプとしては低い抵抗で
機能するものとなる。しかも高周波信号は表皮効果で導
電材料の表面を流れるのであるからＡｕ薄膜又はＣｕ薄
膜でも十分に機能するものとなる。
法は、湿式メッキ工程を無くし、感光性樹脂によるバン
プ形成を行って、工数を削減したので、生産性が向上す
る。また感光性樹脂は処理後も絶縁物であるが、電極パ
ッド部よりも小さく形成したので、プリント基板やＴＡ
Ｂ用テープとの接続時、電極パッド部から導電性を得る
ことができる。さらに密着用Ｔｉ薄膜又はＰｄ薄膜、導
電用Ａｕ薄膜又はＣｕ薄膜で感光性樹脂の全面を包み込
み、電極パッド部の残りで導電用Ａｕ薄膜又はＣｕ薄膜
の電気的導通を取ったので、バンプとしては低い抵抗で
機能するものとなる。しかも高周波信号は表皮効果で導
電材料の表面を流れるのであるからＡｕ薄膜又はＣｕ薄
膜でも十分に機能するものとなる。
【００１０】然して高周波用バンプはＴＡＢ用テープと
の接続時熱圧力を受けるが、弾性を有する感光性樹脂の
クッションバンプが衝撃を吸収するので、ウェハーにク
レータリングが発生することがない。また高周波用バン
プとガラスエポキシ基板やアルミナ基板とを接続した
際、熱膨張、熱収縮により歪が発生することがあっても
クッションバンプがこれを吸収するので疲労破壊するこ
とがなく、バンプの寿命が増長する。
の接続時熱圧力を受けるが、弾性を有する感光性樹脂の
クッションバンプが衝撃を吸収するので、ウェハーにク
レータリングが発生することがない。また高周波用バン
プとガラスエポキシ基板やアルミナ基板とを接続した
際、熱膨張、熱収縮により歪が発生することがあっても
クッションバンプがこれを吸収するので疲労破壊するこ
とがなく、バンプの寿命が増長する。
【００１１】
【実施例】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施
例を図によって説明すると、図１に示すようにシリコン
ウェハー１上の半導体素子２の電極パッド部３上に図２
に示すようにネガ型の感光性ポリイミド10を塗布し、乾
燥し、膜厚40μｍとした。次に一辺 110μｍの方形の電
極パッド部３に対し、図３に示すように、一辺50μｍの
方形の大きさで露光させ、現像した後、キュアさせ、膜
厚20μｍのクッションバンプ11を形成した。次いで図４
に示すように感光性レジスト12を塗布し、乾燥し、膜厚
1.3μｍとした。次に図５に示すように電極パッド部３
より少し広い部分を開口するマスクを用いて、露光、現
像、乾燥した。次いでシリコンウェハー１を２×10-1Ｔ
ｏｒｒ、Ｏ2 プラズマ 500Ｗ、５min でアッシングし
た。次に電極パッド部３及びクッションバンプ11の全面
を包み込むようにスパッター装置（Ａｒ、５×10-3Ｔｏ
ｒｒ、１KW）で、図６に示すように密着用Ｐｄ薄膜13を
1000Å、導電用Ａｕ薄膜14を２μｍ形成した。そして感
光性レジスト12を図７に示すように剥離し、且つその上
に付着していた不要なメタル層も除去して、高周波用バ
ンプ15を完成させた。
例を図によって説明すると、図１に示すようにシリコン
ウェハー１上の半導体素子２の電極パッド部３上に図２
に示すようにネガ型の感光性ポリイミド10を塗布し、乾
燥し、膜厚40μｍとした。次に一辺 110μｍの方形の電
極パッド部３に対し、図３に示すように、一辺50μｍの
方形の大きさで露光させ、現像した後、キュアさせ、膜
厚20μｍのクッションバンプ11を形成した。次いで図４
に示すように感光性レジスト12を塗布し、乾燥し、膜厚
1.3μｍとした。次に図５に示すように電極パッド部３
より少し広い部分を開口するマスクを用いて、露光、現
像、乾燥した。次いでシリコンウェハー１を２×10-1Ｔ
ｏｒｒ、Ｏ2 プラズマ 500Ｗ、５min でアッシングし
た。次に電極パッド部３及びクッションバンプ11の全面
を包み込むようにスパッター装置（Ａｒ、５×10-3Ｔｏ
ｒｒ、１KW）で、図６に示すように密着用Ｐｄ薄膜13を
1000Å、導電用Ａｕ薄膜14を２μｍ形成した。そして感
光性レジスト12を図７に示すように剥離し、且つその上
に付着していた不要なメタル層も除去して、高周波用バ
ンプ15を完成させた。
【００１２】このように本発明では、湿式メッキ工程を
無くし、感光性樹脂によるバンプ形成を行って、工数を
削減したので、生産性が向上した。そしてこの方法によ
って得た高周波用バンプは、導電層がＡｕ薄膜14のみで
あるが、高周波信号は十分に流れ、且つ直流信号にも何
ら問題がなく、低い抵抗で機能した。
無くし、感光性樹脂によるバンプ形成を行って、工数を
削減したので、生産性が向上した。そしてこの方法によ
って得た高周波用バンプは、導電層がＡｕ薄膜14のみで
あるが、高周波信号は十分に流れ、且つ直流信号にも何
ら問題がなく、低い抵抗で機能した。
【００１３】また、信頼性評価試験に於いて、ヒートサ
イクル試験を行った処、ＭＴＴＦサイクルで 800回まで
バンプ破断するケースは観察されなかったが、通常の湿
式メッキ（Ｐｂ−Ｓｎ）バンプは、半導体素子のコーナ
ー部付近のバンプがＭＴＴＦサイクルで 100回までに破
断してしまった。
イクル試験を行った処、ＭＴＴＦサイクルで 800回まで
バンプ破断するケースは観察されなかったが、通常の湿
式メッキ（Ｐｂ−Ｓｎ）バンプは、半導体素子のコーナ
ー部付近のバンプがＭＴＴＦサイクルで 100回までに破
断してしまった。
【００１４】さらに上記のようにして得た高周波用バン
プ15は、バンプ高さ、バンプ形状が均一で、表面が平滑
であるので、プリント基板やＴＡＢ用テープとの接続時
のばらつきが少なく、安定したものとなった。またクッ
ションバンプ11がＴＡＢ用テープとの接続時の熱圧力に
よる衝撃を吸収するので、電極パッド部分におけるウェ
ハー１にクレータリングが発生することがなかった。さ
らにクッションバンプ11がプリント基板との接続時の熱
膨張、熱収縮による歪を吸収するので、疲労破壊するこ
とがなく、バンプの寿命が増長した。
プ15は、バンプ高さ、バンプ形状が均一で、表面が平滑
であるので、プリント基板やＴＡＢ用テープとの接続時
のばらつきが少なく、安定したものとなった。またクッ
ションバンプ11がＴＡＢ用テープとの接続時の熱圧力に
よる衝撃を吸収するので、電極パッド部分におけるウェ
ハー１にクレータリングが発生することがなかった。さ
らにクッションバンプ11がプリント基板との接続時の熱
膨張、熱収縮による歪を吸収するので、疲労破壊するこ
とがなく、バンプの寿命が増長した。
【００１５】
【発明の効果】以上の通り本発明の高周波用バンプの形
成方法は、湿式メッキ工程を無くし、感光性樹脂による
バンプ形成を行って、工数を削減したので、生産性が向
上する。また本発明の高周波用バンプの形成方法による
と、表面のＡｕ薄膜の導電層に高周波信号が十分に流
れ、且つ直流信号にも何ら問題がなく、低い抵抗で機能
する高周波用バンプが得られ、しかも高さ、形状が均一
で表面が平滑でプリント基板やＴＡＢ用テープとの接続
のばらつきが少なくて安定する高周波用バンプが得られ
る。さらに接続時の熱影響による半導体素子やプリント
基板の歪を吸収できて疲労破壊が生ぜず、バンプ寿命を
増長でき、その上電極パッド部におけるウェハーにクレ
ータリングが発生するのを防止できる高周波用バンプが
得られる。
成方法は、湿式メッキ工程を無くし、感光性樹脂による
バンプ形成を行って、工数を削減したので、生産性が向
上する。また本発明の高周波用バンプの形成方法による
と、表面のＡｕ薄膜の導電層に高周波信号が十分に流
れ、且つ直流信号にも何ら問題がなく、低い抵抗で機能
する高周波用バンプが得られ、しかも高さ、形状が均一
で表面が平滑でプリント基板やＴＡＢ用テープとの接続
のばらつきが少なくて安定する高周波用バンプが得られ
る。さらに接続時の熱影響による半導体素子やプリント
基板の歪を吸収できて疲労破壊が生ぜず、バンプ寿命を
増長でき、その上電極パッド部におけるウェハーにクレ
ータリングが発生するのを防止できる高周波用バンプが
得られる。
【図１】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図２】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図３】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図４】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図５】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図６】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図７】本発明の高周波用バンプの形成方法の一実施例
の工程を示す図である。
の工程を示す図である。
【図８】ウェハーの上面における半導体素子の電極パッ
ド部の配列を示す斜視図である。
ド部の配列を示す斜視図である。
【図９】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図10】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図11】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図12】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図13】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図14】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図15】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図16】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図17】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図18】従来のバンプ形成方法によって得られたバンプ
のＳｉウェハーの半導体素子における配列、形状を示す
斜視図である。
のＳｉウェハーの半導体素子における配列、形状を示す
斜視図である。
１ シリコンウェハー ２ 半導体素子 ３ 電極パッド部 10 感光性ポリイミド 11 クッションバンプ 12 感光性レジスト 13 密着用Ｐｄ薄膜 14 導電用Ａｕ薄膜 15 高周波用バンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上の半導体素子の電極パッド部
上に、パッド部面積より小さい大きさでポジ型又はネガ
型の、感光性レジスト又は感光性ポリイミドを用いて角
柱又は円柱のクッションバンプを形成し、次にパッド部
及びクッションバンプの全面を包み込むように、密着用
Ｔｉ薄膜 100Å〜3000Å又はＰｄ薄膜100Å〜3000Åを
形成し、その上に導電用Ａｕ薄膜1000Å〜10μｍ又はＣ
ｕ薄膜1000Å〜10μｍを形成することを特徴とする高周
波用バンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25568992A JPH0684917A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25568992A JPH0684917A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684917A true JPH0684917A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17282264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25568992A Pending JPH0684917A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 高周波用バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684917A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5668410A (en) * | 1994-01-31 | 1997-09-16 | Casio Computer Co., Ltd. | Projecting electrode structure having a double-layer conductive layer |
| DE10318078A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Schutz der Umverdrahtung auf Wafern/Chips |
| US6956287B2 (en) | 1999-06-17 | 2005-10-18 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible bonding pads and method of producing such a component |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25568992A patent/JPH0684917A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6956287B2 (en) | 1999-06-17 | 2005-10-18 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible bonding pads and method of producing such a component |
| US7820482B2 (en) | 1999-06-17 | 2010-10-26 | Qimonda Ag | Method of producing an electronic component with flexible bonding |
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