JP2006092640A - メモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このメモリは、データを記憶する複数のメモリセル20と、通常アクセス動作を行う際に外部から入力されるメモリセル20に対応する外部アドレス信号を、3クロック分遅延させて出力する遅延回路22と、データのリフレッシュ動作を行うメモリセル20に対応するリフレッシュアドレス信号を出力するリフレッシュ制御回路5と、遅延回路22から出力される外部アドレス信号と、リフレッシュ制御回路5から出力されるリフレッシュアドレス信号とを切り替えて出力する切替回路23とを備えている。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の第1実施形態によるクロスポイント型の強誘電体メモリの全体構成を示したブロック図である。図2は、図1に示した第1実施形態によるクロスポイント型の強誘電体メモリのリフレッシュ制御回路、クロック生成回路およびロウアドレスバッファの構成を説明するためのブロック図である。図3は、図2に示した第1実施形態によるリフレッシュ制御回路、クロック生成回路およびロウアドレスバッファの回路構成を説明するための回路図である。まず、図1〜図3を参照して、本発明の第1実施形態によるクロスポイント型の強誘電体メモリの構成について説明する。
図5は、本発明の第2実施形態によるクロスポイント型の強誘電体メモリの全体構成を示したブロック図である。次に、図5を参照して、本発明の第2実施形態によるクロスポイント型の強誘電体メモリの構成について説明する。
5 リフレッシュ制御回路
20、60 メモリセル
21 アドレスラッチ回路(アドレス保持回路)
22 遅延回路
23 切替回路
33 タイマー(アクセス時間計測回路)
WL ワード線
BL ビット線
Claims (7)
- データを記憶する複数のメモリセルと、
通常アクセス動作を行う際に外部から入力される前記メモリセルに対応する第1アドレス信号を、所定の期間遅延させて出力する遅延回路と、
前記データのリフレッシュ動作を行う前記メモリセルに対応する第2アドレス信号を出力するリフレッシュ制御回路と、
前記遅延回路から出力される前記第1アドレス信号と、前記リフレッシュ制御回路から出力される前記第2アドレス信号とを切り替えて出力する切替回路とを備えた、メモリ。 - 前記遅延回路によって前記第1アドレス信号が遅延される前記所定の期間内に、前記切替回路から前記第2アドレス信号が出力されるとともに、前記第2アドレス信号に対応する前記メモリセルに対して前記リフレッシュ動作が行われる、請求項1に記載のメモリ。
- 互いに交差するように配置された複数のワード線および複数のビット線をさらに備え、
前記メモリセルは、前記複数のワード線と前記複数のビット線とが交差する位置にそれぞれ設けられ、
前記遅延回路によって前記第1アドレス信号が遅延される前記所定の期間内に、前記第2アドレス信号に対応する1本の前記ワード線に繋がる全ての前記メモリセルに前記リフレッシュ動作が行われる、請求項2に記載のメモリ。 - 前記リフレッシュ動作は、全ての前記ワード線に対して、前記通常アクセス動作毎に前記ワード線1本ずつ順次行われる、請求項3に記載のメモリ。
- 前記リフレッシュ制御回路は、前記メモリセルに対するアクセス回数を検出するアクセス回数検出回路を含み、
前記アクセス回数検出回路によって前記アクセス回数の合計が所定の回数に達したことが検出されたことに基づいて、前記切替回路から前記第1アドレス信号の代わりに前記第2アドレス信号が出力されたことに応答して、前記第2アドレス信号に対応する前記メモリセルに前記リフレッシュ動作が行われる、請求項1〜4のいずれか1項に記載のメモリ。 - 前記リフレッシュ制御回路は、前記メモリセルに対するアクセス時間を計測するアクセス時間計測回路を含み、
前記アクセス時間計測回路によって計測された前記アクセス時間の合計が所定の時間に達したことに基づいて、前記切替回路から前記第1アドレス信号の代わりに前記第2アドレス信号が出力されたことに応答して、前記第2アドレス信号に対応する前記メモリセルに前記リフレッシュ動作が行われる、請求項1〜4のいずれか1項に記載のメモリ。 - 前記通常アクセス動作を行う前記メモリセルに対応する前記第1アドレス信号を保持するアドレス保持回路をさらに備え、
前記遅延回路は、前記アドレス保持回路により保持された前記第1アドレス信号を遅延させて出力する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のメモリ。
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