JP4714590B2 - メモリ - Google Patents
メモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4714590B2 JP4714590B2 JP2006013351A JP2006013351A JP4714590B2 JP 4714590 B2 JP4714590 B2 JP 4714590B2 JP 2006013351 A JP2006013351 A JP 2006013351A JP 2006013351 A JP2006013351 A JP 2006013351A JP 4714590 B2 JP4714590 B2 JP 4714590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- memory cell
- block
- memory cells
- refresh operation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 91
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/221—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using ferroelectric capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2273—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2275—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
- G11C2029/5002—Characteristic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dram (AREA)
Description
1a、1b、1c、1d メモリセルブロック
2 動作制御回路
4 ロウデコーダ
5 第2カウンタ(第2回数検出手段)
6 第3カウンタ(第3回数検出手段)
18 メモリセル
20 外部アクセス検知回路
21 第1カウンタ(第1回数検出手段)
22 ディスターブ防止制御回路
23 アクセス制御回路
24 インプリント防止制御回路
Claims (9)
- 複数のメモリセルブロックであって、前記複数のメモリセルブロックのそれぞれは、複数のメモリセルを含む、複数のメモリセルブロックと、
前記複数のメモリセルブロックのうちの任意のメモリセルブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントするように構成されている第1のカウント回路と、
前記複数のメモリセルブロックのうちの第1のメモリセルブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントするように構成されている第2のカウント回路と、
前記第2のカウント回路が所定のカウントに到達しておらず、かつ、前記第1のカウント回路が別の所定のカウントに到達した場合に、前記複数のメモリセルブロックのうちの前記第1のメモリセルブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントするように構成されている第3のカウント回路と、
前記第3のカウント回路が所定のリフレッシュカウントに到達した場合に、前記複数のメモリセルブロックのうちの前記第1のメモリセルブロックのメモリセルに対して、第1の読み出し動作および第1の再書き込み動作を含む第1のリフレッシュ動作を行うように構成されているリフレッシュ制御回路と
を含む、メモリ。 - 前記第1のリフレッシュ動作は、前記メモリセルに保持されているデータと逆極性を有するデータを前記メモリセルに書き込むことと、その後、前記保持されていたデータを前記メモリセルに再書き込みすることとを含む、請求項1に記載のメモリ。
- 前記メモリは、前記第1のリフレッシュ動作において、第1の方向の電界を有する第1の電圧パルスと、前記第1の方向と逆方向の第2の方向の電界を有する第2の電圧パルスとを、選択された前記メモリセルに対して、それぞれ同じ回数ずつ印加するように構成されている、請求項1または2に記載のメモリ。
- 前記リフレッシュ制御回路は、前記第2のカウント回路が前記所定のカウントに到達した場合に、前記複数のメモリセルブロックのうちの前記第1のメモリセルブロックのメモリセルに対して、第2の読み出し動作および第2の再書き込み動作を含む第2のリフレッシュ動作を行うようにさらに構成されている、請求項1または2に記載のメモリ。
- 複数のメモリブロックを有するメモリデバイスを動作させる方法であって、前記複数のメモリブロックは、複数のメモリセルを有する第1のメモリブロックを含み、
前記方法は、
第1のカウンタを用いて、前記複数のメモリブロックのうちの任意のメモリブロックに対するアクセスをカウントすることと、
第2のカウンタを用いて、前記第1のメモリブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントすることと、
前記第1のカウンタが第1の所定のカウントに到達したが、前記第2のカウンタが第2の所定のカウントに到達していない場合に、第3のカウンタを用いて、前記第1のメモリブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントすることと、
前記第3のカウンタが所定のリフレッシュカウントに到達した場合に、リフレッシュ動作を行うことと
を含み、
前記リフレッシュ動作を行うことは、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第1の読み出し動作を行うことと、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第1の再書き込み動作を行うことと
を含む、方法。 - 前記リフレッシュ動作を行うことは、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対してデータを書き込むことであって、書き込まれるデータは、前記第1のメモリブロックのメモリセルに保持されていたデータと逆の値のデータである、ことと、
その後、前記第1のメモリブロックのメモリセルに保持されていたデータを前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して再書き込みすることと
をさらに含む、請求項5に記載の方法。 - 前記リフレッシュ動作を行うことは、
第1の方向の電界を有する第1の電圧パルスを前記第1のメモリブロックの選択されたメモリセルに対して、第1の回数分、印加することと、
前記第1の方向と逆方向の第2の方向の電界を有する第2の電圧パルスを前記第1のメモリブロックの選択されたメモリセルに対して、第2の回数分、印加することと
をさらに含み、
前記第1の回数は、前記第2の回数に等しい、請求項5または6に記載の方法。 - 前記方法は、前記第2のカウンタが前記第2の所定のカウントに到達した場合に、別のリフレッシュ動作を行うことをさらに含み、
前記別のリフレッシュ動作を行うことは、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第2の読み出し動作を行うことと、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第2の再書き込み動作を行うことと
を含む、請求項5〜7のうちのいずれか一項に記載の方法。 - 複数のメモリセルを有する第1のメモリブロックを含む複数のメモリブロックと、
前記複数のメモリブロックのうちの任意のメモリブロックに対するアクセスをカウントする第1の手段と、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対するアクセスをカウントする第2の手段と、
前記複数のメモリブロックのうちの任意のメモリブロックに対する第1の所定の量のアクセスがカウントされ、かつ、前記第1のメモリブロックのメモリセルに対する第2の所定の量のアクセスがまだカウントされていない場合に、前記第1のメモリブロックのメモリセルに対するアクセスの数をカウントする第3の手段と、
前記カウントする第3の手段によってカウントされた数がリフレッシュしきい値よりも大きいか等しい場合に、リフレッシュ動作を行う手段と
を含み、
前記リフレッシュ動作を行う手段は、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第1の読み出し動作を行う手段と、
前記第1のメモリブロックのメモリセルに対して第1の再書き込み動作を行う手段と
を含む、メモリ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013351A JP4714590B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | メモリ |
CN200710002032A CN100587837C (zh) | 2006-01-23 | 2007-01-18 | 存储器 |
KR1020070006543A KR100859257B1 (ko) | 2006-01-23 | 2007-01-22 | 메모리 |
US11/656,480 US7460425B2 (en) | 2006-01-23 | 2007-01-23 | Memory having count detection circuitry for detecting access frequency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006013351A JP4714590B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007193922A JP2007193922A (ja) | 2007-08-02 |
JP4714590B2 true JP4714590B2 (ja) | 2011-06-29 |
Family
ID=38333900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006013351A Active JP4714590B2 (ja) | 2006-01-23 | 2006-01-23 | メモリ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7460425B2 (ja) |
JP (1) | JP4714590B2 (ja) |
KR (1) | KR100859257B1 (ja) |
CN (1) | CN100587837C (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4753637B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-08-24 | パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー | メモリ |
JP4718354B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2011-07-06 | パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー | メモリ |
EP2501137A3 (en) | 2007-06-11 | 2012-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for generating header information of stereoscopic image |
US9183917B1 (en) | 2012-12-21 | 2015-11-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device, operating method thereof, and system having the memory device |
KR102182368B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2020-11-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 어드레스 검출회로 및 이를 포함하는 메모리 |
KR102193993B1 (ko) | 2014-02-21 | 2020-12-22 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
US9697913B1 (en) | 2016-06-10 | 2017-07-04 | Micron Technology, Inc. | Ferroelectric memory cell recovery |
US9711231B1 (en) * | 2016-06-24 | 2017-07-18 | Sandisk Technologies Llc | System solution for first read issue using time dependent read voltages |
US9613676B1 (en) * | 2016-06-29 | 2017-04-04 | Micron Technology, Inc. | Writing to cross-point non-volatile memory |
US10262743B2 (en) | 2016-10-25 | 2019-04-16 | Sandisk Technologies Llc | Command sequence for first read solution for memory |
US9952944B1 (en) | 2016-10-25 | 2018-04-24 | Sandisk Technologies Llc | First read solution for memory |
US10109339B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-10-23 | Micron Technology, Inc. | Memory devices with selective page-based refresh |
US10347315B2 (en) | 2017-10-31 | 2019-07-09 | Sandisk Technologies Llc | Group read refresh |
KR102530641B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2023-05-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치 및 그 동작 방법 |
CN110660426A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器装置及其刷新方法 |
US10991411B2 (en) * | 2018-08-17 | 2021-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatuses for performing a voltage adjustment operation on a section of memory cells based on a quantity of access operations |
US11579797B2 (en) * | 2021-04-29 | 2023-02-14 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system refresh |
US11971772B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-04-30 | Micron Technology, Inc. | Unified sequencer concurrency controller for a memory sub-system |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59159196A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-08 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | グラフイツク・デイスプレイ・システム |
JPH0677434A (ja) | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH0773682A (ja) * | 1993-06-12 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3355595B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2002-12-09 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH10162588A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 強誘電体メモリおよびその制御方法並びに強誘電体メモリシステム |
US5907483A (en) * | 1998-04-29 | 1999-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Control system for power conversion system |
JP3720983B2 (ja) | 1998-06-23 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ |
JP2000235789A (ja) | 1999-02-16 | 2000-08-29 | Hitachi Ltd | メモリ制御装置 |
JP2001210795A (ja) | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 誘電体素子 |
US6720096B1 (en) | 1999-11-17 | 2004-04-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Dielectric element |
JP2002343078A (ja) | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体メモリ装置 |
JP2003000751A (ja) | 2001-06-26 | 2003-01-07 | Nippon Soda Co Ltd | 難分解性ハロゲン化合物の分解処理方法 |
JP4024166B2 (ja) | 2002-03-20 | 2007-12-19 | 三洋電機株式会社 | 強誘電体メモリ |
JP4024196B2 (ja) | 2003-09-30 | 2007-12-19 | 三洋電機株式会社 | 強誘電体メモリ |
JP4753873B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-08-24 | パトレネラ キャピタル リミテッド, エルエルシー | メモリ |
JP2006092640A (ja) | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | メモリ |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006013351A patent/JP4714590B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-18 CN CN200710002032A patent/CN100587837C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-22 KR KR1020070006543A patent/KR100859257B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-23 US US11/656,480 patent/US7460425B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070183242A1 (en) | 2007-08-09 |
KR20070077460A (ko) | 2007-07-26 |
US7460425B2 (en) | 2008-12-02 |
KR100859257B1 (ko) | 2008-09-18 |
CN100587837C (zh) | 2010-02-03 |
JP2007193922A (ja) | 2007-08-02 |
CN101009133A (zh) | 2007-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4714590B2 (ja) | メモリ | |
KR102469065B1 (ko) | 메모리 장치 | |
JP4753873B2 (ja) | メモリ | |
JP4362573B2 (ja) | メモリ | |
TW201601149A (zh) | 記憶體裝置 | |
KR100682436B1 (ko) | 메모리 | |
KR20070102235A (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그의 구동방법 | |
KR101783873B1 (ko) | 데이터 감지를 위한 반도체 메모리 장치 | |
JP4195899B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
US6522570B1 (en) | System and method for inhibiting imprinting of capacitor structures of a memory | |
JP2006228291A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2005108326A (ja) | メモリ | |
JP2003007051A (ja) | メモリおよびその動作方法 | |
JP2007058969A (ja) | メモリ | |
JP4753637B2 (ja) | メモリ | |
US10290342B2 (en) | Methods and apparatus for memory programming | |
WO2009093548A1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20230221871A1 (en) | Memory device and operating method thereof | |
KR100866752B1 (ko) | 강유전체 소자를 적용한 반도체 메모리 장치 및 그 제어방법 | |
JP2015191676A (ja) | 半導体装置 | |
KR100866753B1 (ko) | 강유전체 소자를 적용한 반도체 메모리 장치 및 그 제어방법 | |
KR20230108676A (ko) | 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 | |
JP2004288276A (ja) | 強誘電体記憶装置 | |
JP2005108391A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20150122366A (ko) | 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070918 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090717 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100608 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100830 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101104 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4714590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |