JP2006010898A - 液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、配線を延長することも、配線に接続された電極部分を露出させることもない構造であって、故障解析時にドライバＬＳＩの出力信号を検査することが可能な液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る解決手段は、相対向する二枚の絶縁基板（電極基板１及び対向基板２）によって液晶層を挟持し、複数の表示素子が形成された表示部と、絶縁基板の少なくとも一方に形成され、複数の表示素子に信号を供給する配線３ａと、絶縁基板の周縁部に設けられ、配線３ａ，３ｂの端子と接続することで複数の表示素子を駆動するドライバＬＳＩ６と、絶縁基板の周縁部に位置する配線３ａ上に、第１の絶縁層を介して形成される導電膜パターン部とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法に係る発明であって、特に、表示素子を駆動するためのトライバーＬＳＩが設けられた液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法に関するものである。

小型化、低コスト化の観点から、液晶表示装置ではドライバＬＳＩのバンプをガラス基板上に設けられた配線の電極端子に直接接続させるＣＯＧ（Chip On Glass）方式を採用する場合が多い。このＣＯＧ方式を含め液晶表示装置において、線欠陥等の表示不良が生じた場合、ドライバＬＳＩに原因があるのか配線に原因があるのかを区別する必要があった。

しかし、配線は、ドライバＬＳＩのバンプと接続する端子以外は絶縁層に覆われているため、表示不良の究明を容易に行うことができなかった。そこで、解決手段として、例えば特許文献１に開示されているような手段が提案されていた。この特許文献１では、搭載されるドライバＬＳＩと接続される出力側の配線を、ドライバＬＳＩの真下に滞らせて延長している。そして、延長した出力側の配線に、ドライバＬＳＩの長辺部の外側であるパネル端近傍部分に電極部が形成されており、この電極を用いてドライバＬＳＩの接続確認及び波形確認を行うことで、表示不良の原因究明を行っていた。

特開２０００−３２１５９１号公報

特許文献１で示した接続形態の場合、ドライバＬＳＩへの入力側の配線を、出力側の配線と交差しない位置に配置する必要があるため、必然的に、入力側の配線をドライバＬＳＩの短辺側に接続させることになる。本来であれば、入力側の配線は、出力側の配線が接続されるドライバＬＳＩの長辺の反対側に接続されるため、最短距離で配線することが可能であった。しかし、入力側の配線を延長して出力側の配線を避けながらドライバＬＳＩの短辺側に入力すると、入力側の配線が、長く引き回されることになるので配線抵抗が増大し、入力信号及び電源の劣化を起こす問題があった。

また、特許文献１のように、延長した出力側の配線に形成された電極部は、常に露出している。露出する電極が存在する場合、配線の腐食を誘発させる問題があった。

そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、配線を延長することも、配線に接続された電極部分を露出させることもない構造であって、故障解析時にドライバＬＳＩの出力信号又は出力波形を検査することが可能な液晶表示装置及び液晶表示装置の検査方法を提供することを目的とする。

本発明に係る解決手段は、相対向する二枚の絶縁基板によって液晶層を挟持し、複数の表示素子が形成された表示部と、絶縁基板の少なくとも一方に形成され、複数の表示素子に信号を供給する配線と、絶縁基板の周縁部に設けられ、配線の端子と接続することで複数の表示素子を駆動するドライバＬＳＩと、絶縁基板の周縁部に位置する配線上に、第１の絶縁層を介して形成される導電膜パターン部とを備える。

本発明に記載の液晶表示装置は、絶縁基板の周縁部に位置する配線上に、第１の絶縁層を介して形成される導電膜パターン部とを備えるので、配線を延長することも、配線に接続された電極部分を露出させることもなく不良原因を究明するための端子を設けることができ、故障解析時にレーザーで所定の箇所をウェルドするだけで、容易にドライバＬＳＩの出力信号又は出力波形を検査することができる効果がある。

（実施の形態１）
以下に、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。図１に、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極端子部を示す平面図である。まず、液晶表示装置の構造について簡単に説明する。液晶表示装置は、相対向する二枚の絶縁性基板（例えばガラス基板）である電極基板１と対向基板２との間に液晶層を挟むことで、複数の液晶表示素子が形成された表示部を備えている。図示していないが、表示部の電極基板１上には、複数のゲート配線及び複数のソース配線が設けられており、これらの交差部付近には、スイッチング素子である薄膜トランジスタが配置されている。そして、この薄膜トランジスタに接続された画素電極等がマトリックス状に配置されている（いずれも図示せず）。

また、表示部の対向基板２には、透明導電膜よりなる対向電極、カラー表示用の着色フィルタ層及び各画素間に配置されたブラックマトリックス等が形成されている（いずれも図示せず）。電極基板１と対向基板２とは、液晶層及びスペーサーを介して重ね合わされ、シール材により封止されている。また、表示部の外側に位置する電極基板１上（以下、電極基板１の周縁部ともいう）には、電極端子部が形成され、液晶表示素子を駆動する駆動用ＩＣであるドライバＬＳＩ６がＣＯＧ方式により搭載されている。

図１では、電極基板１の周縁部に複数の出力側の配線３ａが設けられている。この出力側の配線３ａは、表示部の電極基板１上に形成されるソース配線と繋がっており、ドライバＬＳＩ６からの信号を薄膜トランジスタに供給する。一方、電極基板１の端部（図１では、図中下側）からドライバＬＳＩ６までは、入力側の配線３ｂが設けられている。この入力側の配線３ｂは、ドライバＬＳＩ６に必要な信号や電源を供給している。

本実施の形態に係る液晶表示装置は、図１から分かるようにＣＯＧ方式を採用している。そのため、出力側及び入力側の配線３ａ，３ｂには、ドライバＬＳＩ６に形成されたバンプ（図示せず）と接続するための電極端子５ａ，５ｂが設けられている。また、入力側の配線３ｂには、ドライバＬＳＩ６と接続される反対側に外部入力の電極端子５ｃが設けられている。さらに、本実施の形態に係る液晶表示装置では、ドライバＬＳＩ６の出力信号を検査するための測定パターン部４が出力側の配線３ａに設けられている。

この測定パターン部４は、出力側の配線３ａの配線幅よりも幅広に形成され、隣接する測定パターン部４間の距離を確保するために千鳥状に配置されている。そして、測定パターン部４上には絶縁層（図示せず）を介して導電性パターン部７が設けられている。図１に示す導電性パターン部７は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。また、導電性パターン部７は、同一のドライバＬＳＩ６に接続される複数の出力側の配線３ａを横断する形状である。

次に、電極端子部について詳しく説明する。図２は、図１に示す電極端子部をＡ−Ｂ面で切断した断面図である。なお、図２に示す電極端子部は、ソース配線側の電極端子部である。図２に示す電極基板１の周縁部上にはゲート絶縁膜８が積層され、このゲート絶縁膜８上に出力側の配線３ａ及び入力側の配線３ｂが形成されている。出力側の配線３ａの先端部には、ドライバＬＳＩ６の出力バンプ６aを接合するための電極端子５ａが設けられ、さらに、中間部には測定パターン部４が設けられている。そして、出力側の配線３ａ上には、絶縁層である保護膜９が設けられ、さらに測定パターン部４の真上に位置する保護膜９上にＩＴＯで形成された導電性パターン部７が設けられている。

一方、入力側の配線３ｂにおいて対向基板２側の先端部には、ドライバＬＳＩ６の入力バンプ６ｂを接合するための電極端子５ｂが設けられ、他方の先端部には外部入力の電極端子５ｃが設けられている。なお、ドライバＬＳＩ６には、複数のバンプ６ａ，６ｂが設けられている。そのため、電極基板１の周縁部上にはバンプ６ａ，６ｂの数と同数の電極端子５ａ，５ｂを近接して配置する必要があり、これら電極端子５ａ，５ｂは、電極端子ブロックを構成している。

次に、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。特に、以下では電極基板１における製造方法について説明する。まず、無アルカリガラス（例えば商品名ＡＮ６３５）等の透明絶縁性基板上に、スパッタリングによりＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ等の金属膜あるいは当該金属成分を主成分とする合金膜を成膜し、写真製版技術によりパターニングすることで、ゲート電極及び表示部のゲート配線、電極端子部のゲート配線等を同時に形成する。

次に、プラズマＣＶＤを用いて、例えばＳｉＮをさらに成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。続いて、ゲート電極及びゲート配線、ゲート絶縁膜上に、チャネル層となるアモルファスＳｉ及びコンタクト層となるＮ＋型のアモルファスＳｉを連続する。成膜後に、写真製版技術によりパターニングして表示部の各液晶表示素子を駆動するための薄膜トランジスタを形成する。さらに、スパッタリングにてＣｒ，Ａｌ，Ｍｏ等の金属膜あるいは当該金属成分を主成分とする合金膜を成膜し、写真製版技術によりパターニングを行うことで、表示部のドレイン電極及びソース電極、表示部のソース配線、電極端子部のソース配線等を同時に形成する。

次に、液晶層にＤＣ成分が印加されるのを防ぐために、プラズマＣＶＤによりＳｉＮ等を成膜し、保護膜を形成する。その後、ゲート配線及びソース配線の電極端子部分の絶縁膜を除去する。最後にスパッタリングにてＩＴＯを成膜し、写真製版技術によりパターニングして画素電極を形成する。同時に電極端子部のゲート配線及びソース配線の電極端子部分にもＩＴＯを形成する。このＩＴＯを成膜することで、Ｃｒ，Ａｌ等の配線材料で形成された電極端子が露出せず、電極端子に酸化膜が形成されるのを防止でき、外部入力との導通不良の発生を防ぐことができる。以上の製造方法を経て、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板１が完成する。なお、対向基板２の製造方法や、電極基板１と対向基板２を重ね合わせて接着し液晶を注入する組立工程等については、ここでは説明を省略する。

次に、ドライバＬＳＩ６を電極基板１に搭載する方法を図３に基づいて説明する。まず、図３に示す電極基板１の周縁部上に形成された電極端子５ａ，５ｂ上に、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）１１を貼り付けする。次に、ドライバＬＳＩ６の裏面に形成されたＡｕよりなる複数のバンプ６ａ，６ｂと電極端子５ａ，５ｂとを精度良くアライメントした後、加熱加圧ツールを用いて熱圧着する。このときの条件は、例えば加熱温度１７０〜２００℃、時間１０〜２０秒、圧力３０〜１００Pａである。熱圧着することで、ドライバＬＳＩ６の出力バンプ６ａと電極端子５ａ、入力バンプ６ｂと電極端子５ｂの間に挟まったＡＣＦ１１の導電粒子１１ａにより、バンプ６ａ，６ｂと電極端子５ａ，５ｂとが導通することになる。すなわち、ＡＣＦ１１を介して熱圧着することで、ドライバＬＳＩ６が液晶表示装置の電極端子５ａ，５ｂと電気的に接続される。

なお、ＡＣＦ１１は、水平方向において導電粒子１１ａの周囲に絶縁性のエポキシ樹脂１１ｂが存在するため絶縁が保たれる。続いて、外部入力の接続するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１０と外部入力の電極端子５ｃとの接続も同様にＡＣＦ１１を用いて行う。ＦＰＣ１０は、厚さ３０〜7０μm程度のポリイミドフィルム、厚さ８〜２５μmの銅箔１０ａ及びポリイミド系のソルダーレジストより構成されている。

最後に、ドライバＬＳＩ６とＦＰＣ１０間の配線３ｂを含む、電極端子部に絶縁性コート材１２を塗布する。コート材１２としては、主にシリコン樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂等が用いられ、ディスペンサーを用いて塗布される。コート材１２を電極端子部に塗布することにより配線の腐食を防止することができる。

次に、液晶表示装置の組立方法について、図４を用いて説明する。本実施の形態に係る液晶表示装置は、ドライバＬＳＩ６を電極基板１に搭載済みの液晶パネル１６を、平面発光源となるバックライト１８に載せ、液晶パネル１６の前面側よりフロントフレーム１７を嵌め込むことで組立ている。また、電極基板１に接続されたＦＰＣ１０は、回路基板１５と接続させる。

次に、本実施の形態による液晶表示装置において、表示不良が発生した際の検査方法について説明する。説明には、図５及び図６を用いる。なお、図６は、図５の平面図をＣ−Ｄ面で切断した場合の断面図である。まず、検査は、ドライバＬＳＩ６及びＦＰＣ１０を搭載後の液晶表示パネルにおいて、信号発生器より各ソース配線に順次信号を入力する。信号の入力により表示部において所定の映像信号が得られなかった箇所、すなわち線欠陥等の表示不良が発生したアドレスを、信号発生器の機能により特定する。図５では、右から２番目の配線３ａである。

次に、当該アドレスの配線３ａの測定パターン部４と導電性パターン部７との重ね合わせ部に対し、電極基板１の裏面側すなわちガラス基板側からレーザーを照射する。図５では、右から２番目の配線３ａの測定パターン部４にレーザー痕１４が形成されている。レーザーを照射することにより、熱で測定パターン部４の金属が保護膜９を突き破って導電性パターン部７と接触することで、測定パターン部４と導電性パターン部７とが短絡し電気的に接続する。図６に示す断面図では、測定パターン部４と導電性パターン部７とが短絡している様子が示されている。なお、確実な導通をとるためには、レーザーの照射を数回に分けて行うことが望ましい。

図１に示す導電性パターン部７では、複数の出力側の配線３ａを横断する形状であるが、図７に示すような測定パターン部４毎に導電性パターン部７を個別に設けても良い。導電性パターン部７を個別に設けることにより、同一のドライバＬＳＩ６に接続された複数の配線上に複数の不良が発生した場合であっても、不良原因の究明を行うことができる。

また、図７に示すように、測定パターン部４と導電性パターン部７の幅を、出力側の配線３ａの幅よりも幅広に形成することで、レーザーの照射エリアを十分に確保することができる。なお、レーザーを電極基板１の裏面側から照射するので、導電性パターン部７を測定パターン部４より大きくして導通しやすくしている。さらに、図示していないが、レーザーを照射する測定パターン部４を容易に探すことができるように、導電性パターン部７は複数の形状を有し、配線毎にその形状を変化させても良い。例えば、配線のアドレスが１〜１０までは導電性パターン部７を四角に、配線のアドレスが１１〜２０までは導電性パターン部７を丸形にすることが考えられる。

レーザー照射により測定パターン部４と導電性パターン部７とを導通させた後に、導電性パターン部７にオシロスコープ又はディジタルマルチメータなどの測定機器のプローブ又は針を接触させる。導電性パターン部７と接続した測定機器によって、不良発生箇所を有する配線に接続されたドライバＬＳＩ６からの出力信号又は出力波形を測定し、不良原因を究明する。

なお、測定機器によって測定する際、導電性パターン部７と測定パターン部４と間の保護膜９が静電気によって破壊されることも考えられるので、図８に示すように、隣接する導電性パターン部７の間に導電性膜で形成された長距離接続線１９又は高抵抗のシリコン膜、双方向トランジスタの少なくともいずれか１つを設けることでショートさせる。つまり、隣接する導電性パターン部７の間を高抵抗状態で接続することで、静電気を複数の導電性パターン部７で受け止め、保護膜９の静電気による破壊を防止している。

以上のように、本実施の形態に記載された液晶表示装置は、電極基板１の周縁部に位置する配線３ａ上に、絶縁層である保護膜９を介して形成される導電膜パターン部７を備えているので、配線を延長することも、配線に接続された電極部分を露出させることもなく不良原因を究明するための端子を設けることができる。そして、故障解析時には、レーザーで所定の部分をウェルドすることによって、容易にドライバＬＳＩ６の出力信号又は出力波形を検査することが可能となる。

また、本実施の形態に記載された液晶表示装置は、導電膜パターン部７の真下に位置する配線３ａに測定パターン部４が形成されているので、レーザーを電極基板１の裏面側から照射する際に、照射箇所を特定しやすく作業効率が向上する。

さらに、本実施の形態に記載された液晶表示装置は、測定パターン部４及び導電膜パターン部７が千鳥状に配置されているので、隣接するパターン間を短絡させることなく、測定パターン部４及び導電膜パターン部７を大きくすることが可能となり、測定パターン部４と導電膜パターン部７とを導通しやすくなる。また、導電膜パターン部７は、表示素子の導電膜である画素電極の形成時に同時に作成することで、製造工程を簡略化させコストを低減することができる。

なお、本実施の形態では、測定パターン部４上に保護膜９を介して導電膜パターン部７を設けているが、図９に示すように導電膜パターン部７を設けない場合も考えられる。但し、故障解析時には、導電膜パターン部７の代わりに保護膜９上に銀ペーストなど導電性の物質を塗布し、当該導電性の物質と測定パターン部４とをレーザーでウェルドする必要がある。

（実施の形態２）
図１０に、本実施の形態に係る液晶表示装置のゲート側の電極端子部を示す断面図である。図１０に示す電極基板１の周縁部上には、表示部の複数の液晶表示素子に接続された複数の出力側の配線３ａ、及び入力側の配線３ｂが配置されている。出力側の配線３ａの先端部には、ドライバＬＳＩ６の出力バンプ６ａを接合するための電極端子５ａが設けられている。また、出力側の配線３ａの中間部には測定パターン部４が設けられている。

本実施の形態では、さらに測定パターン部４上に絶縁層であるゲート絶縁膜８を介してメタルパッド部１３が設けられている。そして、このメタルパッド部１３の上部には、絶縁層である保護膜９を介してＩＴＯの導電膜パターン部７が設けられている。つまり、実施の形態１では、測定パターン部４−絶縁層−導電膜パターン部７の構成であったが、本実施の形態では、測定パターン部４−絶縁層−メタルパッド部１３−絶縁層−導電膜パターン部７の構成である。

一方、入力側の配線３ｂの先端部にはドライバＬＳＩ６の入力バンプ６ｂが接合される電極端子５ｂが設けられている。なお、電極端子５ａ，５ｂは、ドライバＬＳＩ６の複数のバンプ６ａ，６ｂと同数必要であり、これら電極端子５ａ，５ｂが近接して配置されることで、電極端子ブロックを構成している。

次に、電極基板１の製造方法、ドライバＬＳＩ６の搭載方法及び液晶表示装置の組立方法については、実施の形態１と同じであるため、詳細な説明は省略する。次に、本実施の形態に係る液晶表示装置において表示不良が発生した場合の検査方法について説明する。基本的には、本実施の形態の検査方法は実施の形態１の検査方法とほぼ同じである。

まず、検査は、ドライバＬＳＩ６及びＦＰＣ１０を搭載後の液晶表示パネルにおいて、信号発生器より各ソース配線に順次信号を入力する。信号の入力により表示部において所定の映像信号が得られなかった箇所、すなわち線欠陥等の表示不良が発生したアドレスを、信号発生器の機能により特定する。次に、当該アドレスの配線３ａの測定パターン部４とメタルパッド部１３と導電性パターン部７との重ね合わせ部に対し、電極基板１の裏面側すなわちガラス基板側からレーザーを照射する。

レーザーを照射することにより、熱で測定パターン部４及びメタルパッド部１３の金属が保護膜９を突き破って導電性パターン部７と接触することで、測定パターン部４と導電性パターン部７とが短絡し電気的に接続する。本実施の形態では、メタルパッド部１３を設けることにより、レーザーにより絶縁層を突き破る金属が多くなり測定パターン部４と導電性パターン部７の導通を確保しやすくなる、なお、確実な導通をとるためには、レーザーの照射を数回に分けて行うことが望ましい。

レーザー照射により測定パターン部４と導電性パターン部７とを導通させた後に、導電性パターン部７にオシロスコープ又はディジタルマルチメータなどの測定機器のプローブ又は針を接触させる。導電性パターン部７と接続した測定機器によって、不良発生箇所を有する配線に接続されたドライバＬＳＩ６からの出力信号又は出力波形を測定し、不良原因を究明する。

なお、本実施の形態においても、図７に示すような測定パターン部４毎に導電性パターン部７を個別に設けても良い。導電性パターン部７を個別に設けることにより、同一のドライバＬＳＩ６に接続された複数の配線上に複数の不良が発生した場合であっても、不良原因の究明を行うことができる。

また、本実施の形態においても、図７に示すように、測定パターン部４と導電性パターン部７の幅を、出力側の配線３ａの幅よりも幅広に形成することで、レーザーの照射エリアを十分に確保することができる。なお、レーザーを電極基板１の裏面側から照射するので、導電性パターン部７を測定パターン部４より大きくして導通しやすくしている。さらに、図示していないが、本実施の形態においても、レーザーを照射する測定パターン部４を容易に探すことができるように、導電性パターン部７は複数の形状を有し、配線毎にその形状を変化させても良い。

なお、本実施の形態においても、測定機器によって測定する際、導電性パターン部７と測定パターン部４と間の保護膜９が静電気によって破壊されることも考えられるので、図８に示すように、隣接する導電性パターン部７の間に導電性膜で形成された長距離接続線１９又は高抵抗のシリコン膜、双方向トランジスタの少なくともいずれか１つを設けることでショートさせる。

以上のように、本実施の形態に記載の液晶表示装置は、絶縁層であるゲート絶縁膜８と導電膜パターン部７との間に、メタルパッド部１３と、メタルパッド部上に設けられる絶縁層である保護膜９とをさらに備えるので、レーザーにより絶縁層を突き破る金属が多くなり測定パターン部４と導電性パターン部７の導通を確保しやすくなる。

なお、本実施の形態においても、図９に示すように導電膜パターン部７を設けない場合も考えられる。但し、故障解析時には、導電膜パターン部７の代わりに保護膜９上に銀ペーストなど導電性の物質を塗布し、当該導電性の物質と測定パターン部４とをレーザーでウェルドする必要がある。

本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の組立図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部のレーザー後の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部のレーザー後の断面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極端子部の平面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の電極端子部の断面図である。

符号の説明

１ 電極基板、２ 対向基板、３ａ，３ｂ 配線、４ 測定パターン部、５ａ，５ｂ，５ｃ 電極端子、６ ドライバＬＳＩ、６ａ，６ｂ バンプ、７ 導電性パターン部、８ 絶縁膜、９ 保護膜、１０ ＦＰＣ、１１ ＡＣＦ、１１ａ 導電粒子、１２ コート材、１３ メタルパッド部、１４ レーザー痕、１５ 回路基板、１６ 液晶パネル、１７ フロントフレーム、１８ バックライト。

Claims (13)

1. 相対向する二枚の絶縁基板によって液晶層を挟持し、複数の表示素子が形成された表示部と、
   前記絶縁基板の少なくとも一方に形成され、前記複数の表示素子に信号を供給する配線と、
   前記絶縁基板の周縁部に設けられ、前記配線の端子と接続することで前記複数の表示素子を駆動するドライバＬＳＩと、
   前記絶縁基板の周縁部に位置する前記配線上に、第１の絶縁層を介して形成される導電膜パターン部とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置であって、
   前記導電膜パターン部は、前記配線毎に個別に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項２に記載の液晶表示装置であって、
   前記導電膜パターン部は複数の形状からなり、前記配線毎に所定の形状を有していることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記導電膜パターン部の真下に位置する前記配線に形成される測定パターン部をさらに備えることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項４に記載の液晶表示装置であって、
   前記導電膜パターン部の形状は、前記測定パターン部の形状より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項４又は請求項５に記載の液晶表示装置であって、
   前記測定パターン部及び前記導電膜パターン部は、千鳥状に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記第１の絶縁層と前記導電膜パターン部との間に、メタルパッド部と、前記メタルパッド部上に設けられる第２の絶縁層とをさらに備えることを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項２乃至請求項７のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   隣接する前記導電膜パターン部間を所定の高抵抗状態で短絡させるために、隣接する前記導電膜パターン部間に、導電性膜で形成した接続線又はシリコン膜、双方向トランジスタの少なくともいずれか１つを設けることを特徴とする液晶表示装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
   前記導電膜パターン部は、コート材で覆われていることを特徴とする液晶表示装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
    前記導電膜パターン部は、前記表示素子の導電膜と同一の工程で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか１つに記載の液晶表示装置を検査する方法であって、
    （ａ）前記表示部において不良が発生した前記配線を特定し、当該特定した前記配線に設けられた前記測定パターン部と前記導電膜パターン部とをレーザー照射によって接続する工程と、
    （ｂ）前記工程（ａ）により前記測定パターン部と接続された前記導電膜パターン部に測定器を接続させることで、前記ドライバＬＳＩからの出力信号を測定する工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の検査方法。
12. 相対向する二枚の絶縁基板によって液晶層を挟持し、複数の表示素子が形成された表示部と、
    前記絶縁基板の少なくとも一方に形成され、前記複数の表示素子に信号を供給する配線と、
    前記配線の入力端子と接続するように前記絶縁基板上に設けられ、前記複数の表示素子を駆動するドライバＬＳＩとを備え、
    前記配線は、前記絶縁基板の周縁部に、前記配線毎に流れる信号を測定するための測定パターン部を備え、
    前記測定パターン部は、第１の絶縁層に覆われていることを特徴とする液晶表示装置。
13. 請求項１に記載の液晶表示装置であって、
    前記測定パターン部は、前記配線の配線幅より幅広に形成されていことを特徴とする液晶表示装置。
    

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