TWI395037B - 主動元件陣列基板及其檢測方法 - Google Patents

Description

主動元件陣列基板及其檢測方法

本發明是有關於一種主動元件陣列基板及其檢測方法，且特別是有關於一種能夠防止靜電透過檢測墊擊傷電路的主動元件陣列基板及其檢測方法。

由於主動式平面顯示面板具有體積小、重量輕且反應速度快等優點，因此目前已被廣泛地應用於各種電子產品中。主動式平面顯示面板係由主動元件陣列基板、顯示層以及透光基板所構成，其中顯示層係位於主動元件陣列基板與透光基板之間，如液晶顯示面板(liquid crystal display panel,LCD panel)之液晶層、電泳顯示面板(elector-phoretic display panel,EPD panel)之電泳層等。

圖1繪示為習知主動元件陣列基板的示意圖。請參照圖1，主動元件陣列基板100具有顯示區102與周邊電路區104，其中顯示區102內配置有多個畫素單元110，而周邊電路區104內則配置有多條訊號導線120，用以將顯示區102內的畫素單元110電性連接至驅動電路130。

以現行的主動式平面顯示面板之製程來說，在完成主動元件陣列基板100上的所有電路配置之後，通常會接著進行電路檢測來確認主動元件陣列基板100上的電路是否有缺陷存在，因此主動元件陣列基板100的周邊電路區104內會設置有檢測墊140，檢測工具(如探針，圖未示)即是透過檢測墊140而與主動元件陣列基板100上的電路電性連接。

然而，不論是製造設備、操作人員以及主動元件陣列基板100本身都可能會累積許多靜電荷。因此，當主動元件陣列基板100在製造過程中接觸到製造設備、操作人員或其他物體時，這些靜電荷往往容易經由這些帶電體而傳至主動元件陣列基板100上，並透過檢測墊140經訊號導線120傳至顯示區102內的電路，因而造成顯示區102內的電路遭受靜電擊傷而損壞主動元件陣列基板100。

圖2繪示為圖1之主動元件陣列基板沿I-I’線的剖面示意圖。請同時參照圖1及圖2，為了避免主動元件陣列基板100上的靜電荷透過檢測墊140散逸至顯示區102內，習知是先在訊號導線120上形成介電層125，接著再於訊號導線120上方的介電層125上形成檢測墊140。換言之，檢測墊140與訊號導線120之間隔有介電層125，以避免靜電荷直接由檢測墊140經訊號導線120傳導至顯示區102內的電路。檢測墊140上則依序形成有具有開口152的介電層150及導電層160，且導電層160是透過介電層150的開口152而與檢測墊140電性連接。當欲進行檢測時，可利用雷射光熔接檢測墊140與訊號導線120，再將檢測工具與導電層160電性接觸，即可對主動元件陣列基板100上的電路進行檢測。

然而，在未利用雷射光熔接檢測墊140與訊號導線120之前，由於檢測墊140、介電層125與訊號導線120係構成電容C，因此雖然靜電荷不會直接從檢測墊140傳至訊號導線120，但是當檢測墊140上累積過多的靜電荷時，將會在瞬間發生靜電擊穿的現象，因而對主動元件陣列基板100上的電路造成更大的損傷。

本發明的目的就是在提供一種主動元件陣列基板，具有低靜電擊傷率低與高電路穩定性。

本發明的另一目的是提供一種檢測方法，適於檢測上述之主動元件陣列基板，以降低上述主動元件陣列基板的靜電擊傷率，進而提高其電路穩定性。

本發明提出一種主動元件陣列基板，具有一顯示區與一周邊電路區，且此主動元件陣列基板包括多個畫素單元、多條訊號導線、多個檢測墊以及第一介電層。其中，上述畫素單元是以陣列的方式排列於顯示區內，上述訊號導線與檢測墊則是配置於周邊電路區內，且第一介電層係覆蓋住上述檢測墊。

在本發明的較佳實施例中，上述各檢測墊均與上述訊號導線其中之一電性連接。

本發明提出一種檢測方法，適於檢測上述主動元件陣列基板，此檢測方法係先移除部分之第一介電層，以暴露出至少一檢測墊，接著再將檢測工具與暴露出的檢測墊電性接觸。

在本發明的較佳實施例中，上述移除部分之第一介電層的方法包括雷射移除。

在本發明的較佳實施例中，上述之主動元件陣列基板更包括第二介電層以及導電層，其中第二介電層係配置於上述檢測墊與訊號導線之間，而導電層則是配置於檢測墊上方的第一介電層上。

本發明提出一種檢測方法，適於檢測上述主動元件陣列基板，此檢測方法係將導電層與上述檢測墊至少其中之一熔接在一起，並且將熔接至導電層之檢測墊與位於其下方的訊號導線熔接在一起。之後，將檢測工具與上述導電層電性接觸。

在本發明的較佳實施例中，熔接導電層與檢測墊的方法包括雷射熔接。

在本發明的較佳實施例中，熔接檢測墊與訊號導線的方法包括雷射熔接。

在本發明的較佳實施例中，上述導電層的材質例如是透明導電材料，如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)或銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。

在本發明的較佳實施例中，上述主動元件陣列基板更包括多個驅動晶片，配置於上述周邊電路區內，且上述驅動晶片係分別透過上述訊號導線而電性連接至上述畫素單元。

在本發明之主動元件陣列基板中，由於檢測墊在進行檢測過程前係藉由介電層的保護而與外界電性絕緣，因此能夠防止主動元件陣列基板上的靜電荷由檢測墊經訊號導線傳入畫素單元內，以避免畫素單元遭受靜電擊傷。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖3繪示為本發明之主動元件陣列基板在一實施例中的示意圖，圖4則繪示為本發明之主動元件陣列基板在一實施例中於配置有檢測墊之處的剖面示意圖。請同時參照圖3及圖4，主動元件陣列基板300具有顯示區302與周邊電路區304，且主動元件陣列基板300包括多個畫素單元310、多條訊號導線320、多個檢測墊330以及第一介電層340。其中，畫素單元310是以陣列的方式配置於顯示區302內。

詳細來說，每一畫素單元310例如是由掃瞄配線(scan line)312、資料配線(data line)314、主動元件316以及畫素電極(pixel electrode)318所構成。其中，掃瞄配線312與資料配線314彼此垂直，而主動元件316與畫素電極318則是配置於掃瞄配線312與資料配線314所圍成的區域內，並與掃瞄配線312、資料配線314及畫素電極318電性連接。在本實施例中，主動元件316可以是薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)或其他主動式開關元件。

請繼續參照圖3，訊號導線320係配置於主動元件陣列基板300的周邊電路區304內，且顯示區302內的這些畫素單元310係藉由訊號導線320而與周邊電路區304內的電路電性連接。以本實施例來說，畫素單元310即是藉由訊號導線320電性連接至驅動電路350。也就是說來說，驅動電路350所輸出的訊號係經由訊號導線320而傳輸至畫素單元310的掃瞄配線312或資料配線314，以驅動畫素單元310。

另一方面，檢測墊330同樣是配置於周邊電路區304內，且如圖4所示，本實施例之檢測墊330與訊號導線320係位於同一膜層，並彼此電性連接。值得一提的是，本發明並不限定檢測墊330的形狀輪廓，其可以是如圖3所示之橢圓形，也可以是圖5A所示之四邊形或圖5B所示之具有弧形曲線的四邊形。

請再次參照圖3及圖4，第一介電層340係覆蓋於檢測墊330上，且第一介電層340並未具有任何暴露出檢測墊330的開口。如此一來，存在主動元件陣列基板100上的靜電荷即無法經由檢測墊330傳至顯示區302內。也就是說，本實施例之第一介電層340可以作為檢測墊330的電性保護層，以避免靜電荷經由檢測墊330與訊號導線320傳至顯示區302內而使畫素單元310遭受靜電擊傷。在本實施例中，由於檢測墊330與訊號導線320同層，因此第一介電層340亦同時覆蓋住訊號導線320。

以下將舉實施例說明上述主動元件陣列基板的檢測方法。圖6A至圖6B繪示為圖3之主動元件陣列基板在檢測過程中的部分剖面示意圖。請參照圖6A，當欲透過檢測墊330對顯示區302內的電路進行檢測時，則需先移除部分的第一介電層340，以暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊330。在本實施例中，其例如是以雷射移除的方法來移除部分的第一介電層340。

請參照圖6B，接著即是將檢測工具600與暴露於第一介電層340外的檢測墊330電性接觸。熟習此技藝者應該知道，檢測工具600可以是連接至檢測機台(圖未示)的探針(probe)，用以將檢測訊號透過檢測墊330與訊號導線320輸入至顯示區302內的畫素單元310，以對各畫素單元310的電性進行檢測。除此之外，檢測工具600也可以是連接至電性量測表(如三用電表)的探針，用以透過檢測墊330來檢測訊號導線320是否存在短路或斷路的異常情況。

圖7繪示為本發明之主動元件陣列基板在另一實施例中於配置有檢測墊之處的剖面示意圖。以下僅針對本實施例與前述實施例之相異處加以說明，其餘與前述實施例之標號相同的元件，請參照前述實施例之說明，以下不再贅述。

請參照圖7，本實施例之主動元件陣列基板除了包括有圖3與圖4所示之畫素單元310、訊號導線320、檢測墊330及第一介電層340之外，更包括第二介電層710與導電層720。其中，第二介電層710係配置於檢測墊330與訊號導線320之間，也就是說，本實施例之檢測墊330與訊號導線320並不同層。而導電層720則是配置於檢測墊330上方的第一介電層340上。

請同時參照圖3與圖7，在未進行檢測前，本實施例之檢測墊330並未與訊號導線320電性連接，因此即使累積於導電層720的靜電荷擊穿至檢測墊330，其亦不會由檢測墊330經訊號導線320進入至顯示區302內的電路，因而能夠保護顯示區302內的畫素單元310免於遭受靜電擊傷。

以下將舉實施例說明上述主動元件陣列基板的檢測方法。圖8A至圖8B繪示為本發明之主動元件陣列基板在另一實施例中於檢測過程中的部分剖面示意圖。請參照圖8A，當欲透過檢測墊330對顯示區302內的電路進行檢測時，則需將導電層720與檢測墊330熔接在一起，並且將檢測墊330與訊號導線320熔接在一起。其中，本實施例例如是以雷射熔接的方式熔接導電層720與檢測墊330以及檢測墊330與訊號導線320。詳細來說，以雷射光熔接導電層720與檢測墊330的方法例如是令雷射光810從導電層720上方入射。而如欲熔接檢測墊330與訊號導線320，則需令雷射光820從訊號導線320的下方入射。

請參照圖8B，在完成導電層720與檢測墊330以及檢測墊330與訊號導線320的熔接之後，接著即是將檢測工具800與導電層720電性接觸，以便於透過檢測工具800對主動元件陣列基板700上的電路進行檢測。如同前述實施例所述，檢測工具800可以是連接至檢測機台的探針，也可以是連接至電性量測表的探針，熟習此技藝者可以自行依據檢測過程所需來選擇所欲使用的檢測工具800。

由上述可知，本發明之主動元件陣列基板係將介電層覆蓋在檢測墊上，以作為檢測墊的電性保護層。在對本發明之主動元件陣列基板進行檢測的過程中，若檢測墊與訊號導線同層，且檢測墊上方的介電層上未配置有任何膜層，則僅需將檢測墊上方的介電層移除即可暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊。另一方面，若檢測墊與訊號導線不同層，且檢測墊上方的介電層上配置有導電層，則可先後將導電層與檢測墊及檢測墊與訊號導線熔接在一起後，再令檢測工具與熔接至檢測墊的導電層電性接觸，即可對主動元件陣列基板上的電路進行檢測。

綜上所述，本發明之主動元件陣列基板在進行檢測過程前，其檢測墊係藉由介電層的保護而與外界電性絕緣，因而能夠防止主動元件陣列基板上的靜電荷由檢測墊經訊號導線傳入畫素單元內，以避免畫素單元遭受靜電擊傷，並藉此提高主動元件陣列基板的電路穩定性。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、300．．．主動元件陣列基板

102、302．．．顯示區

104、304．．．周邊電路區

110、310．．．畫素單元

120、320．．．訊號導線

125、150．．．介電層

130、350．．．驅動電路

140、330．．．檢測墊

152．．．開口

160、720．．．導電層

312．．．掃瞄配線

314．．．資料配線

316．．．主動元件

318．．．畫素電極

340．．．第一介電層

600、800．．．檢測工具

710．．．第二介電層

810、820．．．雷射光

C．．．電容

圖1繪示為習知主動元件陣列基板的示意圖。

圖2繪示為圖1之主動元件陣列基板沿I-I’線的剖面示意圖。

圖3繪示為本發明之主動元件陣列基板在一實施例中的示意圖。

圖4繪示為本發明之主動元件陣列基板在一實施例中於配置有檢測墊之處的剖面示意圖。

圖5A與圖5B分別繪示為本發明之主動元件陣列基板在其他實施例中的示意圖。

圖6A至圖6B繪示為圖3之主動元件陣列基板在檢測過程中的部分剖面示意圖。

圖7繪示為本發明之主動元件陣列基板在另一實施例中於配置有檢測墊之處的剖面示意圖。

圖8A至圖8B繪示為本發明之主動元件陣列基板在另一實施例中於檢測過程中的部分剖面示意圖。

320．．．訊號導線

330．．．檢測墊

340．．．第一介電層

710．．．第二介電層

720．．．導電層

Claims (2)

1. 一種主動元件陣列基板，適於以一檢測工具進行檢測，該主動元件陣列基板具有一顯示區與一周邊電路區，該主動元件陣列基板包括：多個畫素單元，陣列排列於該顯示區內；多條訊號導線，配置於該周邊電路區內，並電性連接至該些畫素單元；多個檢測墊，配置於該周邊電路區內，且與該些訊號導線同層，每一檢測墊與該些訊號導線其中之一直接接觸並電性連接；以及一第一介電層，覆蓋該些檢測墊及該些訊號導線，且具有至少一開口以暴露該些檢測墊之至少其中之一，而該檢測工具適於直接接觸被該開口暴露出之該檢測墊，以進行檢測。
2. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基板，更包括多個驅動晶片，配置於該周邊電路區內，且該些驅動晶片係分別透過該些訊號導線而電性連接至該些畫素單元。