JP2005524243A5

JP2005524243A5 -

Info

Publication number: JP2005524243A5
Application number: JP2004502363A
Authority: JP
Filing date: 2003-04-28
Publication date: 2006-06-15

Claims

基板を提供するステップと、
前記基板上に絶縁体を提供するステップと、
前記絶縁体上にポリシリコン本体を提供するステップと、
前記ポリシリコン本体上に金属層を提供するステップと、
前記ポリシリコン本体全体を実質的にシリサイド化すべく、シリサイド化プロセスを実行するステップと、
を含む、半導体構造を製造する方法。
前記ポリシリコン本体上に提供される前記金属層は、前記ポリシリコン本体の厚みの半分以上の厚みのニッケル金属層である、請求項１記載の方法。
前記ポリシリコン本体全体を実質的にシリサイド化すべく、シリサイド化プロセスを実行するステップは、前記絶縁体上にゲートを形成するステップを含む、請求項１記載の方法。
基板を提供するステップと、
前記基板上に絶縁体を提供するステップと、
前記絶縁体上にドーパント種を含むポリシリコン本体を提供するステップと、
前記ポリシリコン本体上に金属層を提供するステップと、
シリサイド化プロセスを実行し、前記ポリシリコン本体全体を実質的にシリサイド化するとともに、前記絶縁体上に導電体を提供するステップと、
を含む、半導体構造を製造する方法。
前記シリサイド化プロセスを実行するステップは、前記ドーパント種の大部分を前記絶縁体に隣接するように移動させる、請求項４記載の方法。
前記ポリシリコン本体中のドーパント種を、前記導電体の所望の仕事関数に応じて選択するステップをさらに含む、請求項４記載の方法。
さらに、前記導電体を提供するステップで提供される前記導電体はゲートである、請求項６記載の方法。
前記金属層は、前記ポリシリコン本体の厚みの半分以上の厚みのニッケル金属層である、請求項４記載の方法。
前記ドーパント種は、Ｎ型ドーパントである、請求項６記載の方法。
前記ドーパント種は、ヒ素である、請求項９記載の方法。
前記ドーパント種は、Ｐ型ドーパントである、請求項６記載の方法。
前記ドーパント種は、ホウ素である、請求項１１記載の方法。
前記ドーパント種は、Ｎ型でもＰ型でもない、請求項６記載の方法。
基板を提供するステップと、
前記基板上に絶縁体を提供するステップと、
前記絶縁体上にポリシリコン本体を提供するステップと、
前記ポリシリコン本体上にキャップ本体を提供するステップと、
前記キャップ本体と前記ポリシリコン本体をマスクとして使用して、前記基板中にドーパントを導くステップと、
前記ポリシリコン本体から前記キャップ本体を除去するステップと、
前記ポリシリコン本体上に金属層を提供するステップと、
前記ポリシリコン本体全体を実質的にシリサイド化するようにシリサイドプロセスを実行するステップと、
を含む、半導体構造を製造する方法。
前記キャップ本体および前記ポリシリコン本体の両側に、これらの前記キャップ本体および前記ポリシリコン本体に沿っており、前記基板中にドーパントを導く際にマスクとして働くスペーサを提供するステップをさらに含む、請求項１４記載の方法。
前記ポリシリコン本体上に提供される前記金属層は、前記ポリシリコン本体の厚みの半分以上の厚みのニッケル層である、請求項１４記載の方法。
前記ポリシリコン本体全体を実質的にシリサイド化するようにシリサイドプロセスを実行するステップは、前記絶縁体上にゲートを形成するステップを含む、請求項１４記載の方法。
前記絶縁体上にポリシリコン本体を提供するステップは、ドーパント種を含むポリシリコン本体を提供するステップを含む、請求項１４記載の方法。
前記ポリシリコン本体中の前記ドーパント種は、Ｎ型ドーパントである、請求項１８記載の方法。
前記ポリシリコン本体中の前記ドーパント種は、ヒ素である、請求項１９記載の方法。
前記ポリシリコン本体中の前記ドーパント種は、Ｐ型ドーパントである、請求項１８記載の方法。
前記ポリシリコン本体中の前記ドーパント種は、ホウ素である、請求項２１記載の方法。
前記ポリシリコン本体中の前記ドーパント種は、Ｎ型でもＰ型でもない、請求項１８記載の方法。
基板と、
前記基板上にある絶縁体と、
前記絶縁体上にあり、ドーパント種を含むゲートであって、前記絶縁体に隣接する前記ゲート部分のドーパント種の濃度は、前記絶縁体から離れた位置にある前記ゲート部分のドーパント種の濃度よりも高いゲートと、を有する、
半導体構造。
前記ゲートは、シリサイドを含む、請求項２４記載の半導体構造。