JP2010040710A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- 半導体基板上にN型MISトランジスタとP型MISトランジスタとを備えた半導体装置であって、
前記N型MISトランジスタは、
前記半導体基板の第1の領域上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、
前記P型MISトランジスタは、
前記半導体基板の第2の領域上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は共にランタノイドを含み、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜のみがさらに III族元素を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記第1のゲート電極は、前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1の金属含有膜と、前記第1の金属含有膜上に形成された第1のシリコン膜とを有し、
前記第2のゲート電極は、前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2の金属含有膜と、前記第2の金属含有膜上に形成された第2のシリコン膜とを有していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記第2の金属含有膜は前記 III族元素を含む一方、前記第1の金属含有膜は前記 III族元素を含んでいないことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2又は3に記載の半導体装置において、
前記第1の金属含有膜及び前記第2の金属含有膜は、同じ厚さを持つTiN膜、TiNO膜、TaN膜、TaCN膜又はTaCNO膜からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記ランタノイドは、ランタン、セリウム又はプラセオジムであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記 III族元素は、アルミニウム、ボロン又はガリウムであることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に第1導電型MISトランジスタと第2導電型MISトランジスタとを備えた半導体装置であって、
前記第1導電型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第1の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極とを備え、
前記第2導電型MISトランジスタは、
前記半導体基板上に形成された第2の高誘電率ゲート絶縁膜と、
前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを備え、
前記第1の高誘電率ゲート絶縁膜及び前記第2の高誘電率ゲート絶縁膜は同じ高誘電率膜からなり、
前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、実質的に同じ厚さを持つ異なる組成の金属含有膜を有することを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、
前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜を形成する工程(b)と、
前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜上に金属含有膜を堆積する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記金属含有膜上にシリコン膜を堆積する工程(e)と、
前記金属含有膜及び前記シリコン膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(f)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(d)の後に、熱処理を行って、前記高誘電率絶縁膜と前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成すると共に前記高誘電率絶縁膜と前記第2導電型MISトランジスタ用キャップ膜とを反応させることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート絶縁膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8又は9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1導電型MISトランジスタはN型MISトランジスタであり、
前記第2導電型MISトランジスタはP型MISトランジスタであり、
前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜はランタノイド含有酸化膜であり、
前記イオンは III族元素含有イオンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8〜10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程(d)において、イオン注入法又はプラズマドーピング法を用いて前記第1導電型MISトランジスタ用キャップ膜に前記イオンを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、
前記高誘電率絶縁膜上に金属含有膜を堆積する工程(b)と、
前記工程(b)よりも後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆う第1のマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記高誘電率絶縁膜に第1のイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用高誘電率絶縁膜に改質した後、前記第1のマスクパターンを除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、
前記金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより、第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極及び第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型MISトランジスタ領域及び第2導電型MISトランジスタ領域を含む半導体基板の上に高誘電率絶縁膜を形成する工程(a)と、
前記高誘電率絶縁膜上に第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜を堆積する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ領域を覆うマスクパターンを用いて、前記第2導電型MISトランジスタ領域に位置する前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜にイオンを導入して第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜に改質した後、前記マスクパターンを除去する工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜上及び前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜上にシリコン含有膜を堆積する工程(d)と、
前記第1導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第1導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成すると共に前記第2導電型MISトランジスタ用金属含有膜及び前記シリコン含有膜をパターニングすることにより第2導電型MISトランジスタ用ゲート電極を形成する工程(e)とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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