JP2005510072A - 基板表面を研磨するための方法 - Google Patents
基板表面を研磨するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005510072A JP2005510072A JP2003545445A JP2003545445A JP2005510072A JP 2005510072 A JP2005510072 A JP 2005510072A JP 2003545445 A JP2003545445 A JP 2003545445A JP 2003545445 A JP2003545445 A JP 2003545445A JP 2005510072 A JP2005510072 A JP 2005510072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- act
- polishing
- substrate
- aln substrate
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 52
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 17
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 62
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 41
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000011149 active material Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 5
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLJCFNUYUJEXET-UHFFFAOYSA-K aluminum;trinitrite Chemical compound [Al+3].[O-]N=O.[O-]N=O.[O-]N=O QLJCFNUYUJEXET-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/0056—Control means for lapping machines or devices taking regard of the pH-value of lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/006—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the speed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Abstract
Description
本出願は、共に係属する米国仮出願番号No.60/331/868の米国特許法第119条(e)の利益を主張し、それはレオ、ジェイ、ショーウォーター(Schowalter)、ジェイ、カルロス、ロジョ(Rojo)、ジャビエアー(Javier)、マルティネス(Martinez)ロペス、およびキネス(Kenneth)モーガンにより、2001年11月20日に出願され、タイトルが“化学的機械的研磨(CMP)工程”であって、ここでは参考として内容が組み込まれている。
化学的機械的研磨(CMP)は、半導体ウエハー表面を研磨するために用いられる工程である。特に、CMPは、ウエハー表面を研磨するために化学的および物理的な力を使う。まず、研磨パッド上にウエハー
を置く間、ウエハーの後ろ側に負荷を与える。次に、研磨化学薬品および反応性化学薬品の双方を含有するスラリーを下方に流しながら、パッドとウエハーとの双方を回転させる。
CMPは、典型的には、集積回路をつくる目的で、ウエハー表面を平坦化するために用いられる。CMPは、旧来の平坦化技術よりより広い範囲平坦化することができるため、平坦化方法として浮上してきた。上記したように、CMPは化学的反応と機械的作用との組み合わせである。まず、スラリーがウエハー表面を弱め、スラリー粒子、付加的にパッド上の粒子が、ウエハー表面からの物質除去を達成する。
本発明の一つの具体的な態様は、基板表面の下処理方法に対して行われ、該方法は、化学的機械的研磨(CMP)工程のために基板表面を下処理する、および基板表面にCMP工程を施し、および基板表面を仕上げる行為を含み、ここで、CMP工程を施す行為は、さらにCMP工程中研磨懸濁溶液を適用する行為を含む。本発明のある面においては、基板が窒化アルミニウム(AlN)である方法が提供される。
本発明は、捕捉クレームで詳細に説明される。本発明の上記したおよび更なる利点は、類似する参照番号が同様または類似の要素を示すことを併せて、以下の記載を参照してより理解することができる。
図中、
図1は、通常のCMP装置は、本発明の一つの態様によれば、CMP工程における基板表面を研磨するために用いることができることを示し、
図2は、本発明の一つの態様により、基板表面を研磨するために用いられる工程のフローチャートを示し、
図3は、本発明の一つの態様により、基板表面を研磨するためのより詳細な工程を示し、
図4は、本発明の一つの態様により、CMP研磨を施した後にAIN基板のAl−極性c面をAFMイメージを示し、および
図5は、AIN基板のc軸方向に関し、45度傾いたAIN基板表面のAFMイメージを示し、本発明の一態様により、CMP研磨を施した後の画像表面を示す。
亜硝酸塩の単結晶IIIの使用は、改善された熱伝導性だけでなく、改善されたエピタキシャル成長、改善された熱的および化学的適合性をも与える。バンドギャップが広く高温の半導体の適用は、ブルー/UV固体電荷注入レーザー、UV光源および検知器、高出力マイクロ波デバイス、高出力スイッチ、および高温適用の発達を含む。しかしながら、エピタキシャル成長のために、亜硝酸アルミニウム(AlN)基板表面を適切に下処理する方法を得、これらのデバイスを製造する需要がある。例えば、亜硝酸塩(例えば、AlN、Alx、Ga(1−x)Nなど)は、例えば、有機金属気相エピタキシー(OMVPE)および他の形成工程により、単結晶AlN基板上にエピタキシャルに成長することができる。
本発明の一面によれば、基板表面を下処理する改善された工程が提供され、ここで該基板表面は、化学的機械的研磨(CMP)工程で下処理され、該CMP工程は基板上で施され、および基板表面は、CMP工程からの如何なる活性原料をも基板表面から洗浄し、仕上げられる。また、該方法により製造された改善された基板が提供される。本発明の一面によれば、特別な研磨物質および研磨手段を用いることができ、AlN基板表面の質を改善することを可能にする。
図1は、通常のCMP装置を示し、それは、本発明の一態様によるCMP工程の基板表面を研磨するために用いることができる。研磨されるウエハー101は、ウエハーキャリアー102上に乗せ、該ウエハーキャリアーは、ウエハー101とチャック108との間に位置し、それはウエハーおよびウエハーキャリアー102を保持している。ウエハーキャリアー102は、支軸105により回転される。力がウエハーキャリアー102に適用され、ウエハー101が1つまたは2つ以上の研磨パッド103A−103Bと接触する。1つまたは2つ以上の研磨パッド103A−103Bが、回転する圧盤106に接着される。さらにスラリー107が、パッド103A−103Bに適用され、および滴る割合が、例えばコントロールフローディスペンサー(control flow dispenser)(示されていない)により、調節される。
本発明の一面によれば、CMP工程は、スラリーおよび研磨懸濁溶液を含むスラリーを用いて、基板を研磨することを含むことができ、スラリーは、基板表面をエッチングすることができ、およびエピタキシャル成長に適した仕上げ表面をつくることができる。例えば、シリカ研磨懸濁溶液を用いることができる。この溶液は、例えば、水酸化物溶液(塩基性)のシリカ懸濁液であることができる。そのようなスラリーは商業的に入手可能で、例えば、SS−25(Semik−Sperse25)として当該分野で知られるKOHベースのCMPスラリーとして、カボット マイクロ エレクトロニクス(Cabot Microelectronics)から入手可能であり、またシトン(Syton)スラリーとして、モンサント(Monsanto)から入手可能である。
1.サンプル表面およびマウンティングブロックの実質的にすべての可能な汚染粒子(例えば、ワックス、汚れ、およびより大きな機械的砂粒)を洗浄すべきである。これは典型的には、例えば有機溶媒(例えば、アセトンおよび/またはメタノールにより)でなされ、洗浄はブロック302で施される。また、前工程から残存する如何なる粒子(例えば流動性残留物)は、研磨面積と接触する全面積で洗浄すべきであり、それにより、研磨表面を汚染する可能性、および基板表面にダメージを与えことになりかねない可能性を低下させる。
以下は、本発明の一つの態様による、AlN基板表面を下処理する段階の詳細な順序、および本発明の一つの態様による、CMP工程のための滴り割合である。
新規の“Multitex1000”精密研磨パッドまたは他の適切な精密研磨パッドを研磨テーブル(圧盤)に適用すべきである。一般的に、そのような研磨パッドは、圧盤表面に接着するように自己吸着裏地を有する。ブロック305において、研磨パッドは、圧盤表面に接着される。最も良い結果のために、研磨パッドは、起伏をパッドに引き起こさないように、パッドの裏に空間をもって置かないように、研磨デッキに適用されるべきである。例えば、研磨パッドは、先頭の端から他方の端まで、洗浄された棒で転がすことができ、パッドの裏の空間を避けることができる。
この段階の典型的な工程時間(研磨時間)は約1時間であるが、5分〜100時間の範囲の工程時間が、表面を十分に研磨するために示されている。本発明は特別な工程時間に限定されず、むしろ例のつもりで、工程時間範囲が提供されると理解すべきである。
本発明の一つの態様によれば、サンプルは洗浄され、CMP工程からの如何なる汚染物を除去され、および基板との残留反応を阻止するため基板表面からの微量の反応性化学物質を除去する。
1.ブロック309において、サンプルはリンスされる。CMP工程の最後に、サンプルは研磨表面から降ろされ、例えば蒸留水で即座にリンスされる。これは、AlNとスラリー中の活性原料との間の反応を阻止するのを確実にし、および下処理された表面にまで乾燥することができる研磨剤を除去するために、施される。
図4は、本発明の一つの態様による研磨を施した後の、c面基板のAl―極性のAFMイメージを示す。基板表面は、c−軸の方向から通常約5°離れて配向する。表面がほぼ原子レベルで平坦なことがわかる。広範囲の分析は、全ての機械的ダメージが除去されているのを示している。同様に、滑らかな表面は、c−面基板のN−極性に対しても得ることができる。
図5は、本発明の一つの態様による研磨を施した後の基板のAFMイメージを示す。表面はc−軸方向に関し45°傾いている。基板表面がほぼ原子レベルで平坦であることを観察することができる。機械的ダメージの痕跡が除去されている。中央の交差したボックスが、統計分析に対するイメージから除去されている。
本発明の詳細な幾つかの態様を記載したが、当業者には、様々な変更および改善が思いつくだろう。そのような変更および改善は、本発明の精神および範囲内でなされる。従って、先の記載は単なる例であり、限定を意図しない。本発明は、以下のクレームにより定義されるもの、およびそれらの均等なものだけに限定される。
Claims (26)
- 窒化アルミニウム基板の表面を整備する方法であって、該方法は、化学的機械的研磨(CMP)工程のために、AlN基板の表面を下処理すること、AlN基板の表面にCMP工程を施すこと、およびAlN基板の表面を仕上げること、ここでCMP工程を施す行為には、さらにCMP工程中に、研磨懸濁溶液を適用する行為を含むことの行為を含む前記方法。
- 研磨懸濁液が、さらに水酸化物溶液(塩基性)のシリカ懸濁液を含む、請求項1に記載の方法。
- 研磨懸濁液が、KOHベースのスラリーを含む、請求項3に記載の方法。
- 研磨懸濁溶液が、アンモニウムベースのスラリーに懸濁したシリカ粒子をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- CMP工程を施す行為に、直径8.0インチ(20.32cm)の円形の研磨表面に対し、毎分約0.5mLの割合で、研磨懸濁液を適用する行為を含む、請求項1に記載の方法。
- CMP工程を施す行為が、サンプルの研磨スピードを約13〜18m/secの範囲で維持する行為を含む、請求項6に記載の方法。
- 下処理する行為が、AlN基板の表面を研磨する前に、実質的な研磨表面の汚染を減少させるため、研磨装置を洗浄することを含む、請求項1に記載の方法。
- AlN基板表面を仕上げる行為が、AlN基板の表面から、研磨懸濁液を実質的にリンスする行為を含む、請求項1に記載の方法。
- 下処理行為中に、AlN基板を溶媒で洗浄することをさらに含む請求項1に記載の方法。
- AlN基板が、軸上、Al−極性、c−面表面であり、および研磨懸濁液のpH値が約10.5またはそれ以上である、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法により製造される基板。
- 請求項1に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
- 窒化アルミニウム(AlN)の表面を下処理するための方法であって、該方法は、
化学的機械的研磨(CMP)工程のために、AlN基板の表面を下処理する行為を含み、 該下処理工程が
AlN基板の配向を決定すること、および
配向に基づいてAlN基板表面の除去を施すことの行為を含む前記方法。 - 配向を決定する行為が、AlN基板のために、少なくとも1つの面および磨くべき表面への配向を決定する行為を含む、請求項14に記載の方法。
- 除去を施す行為が、配向に基づいた除去の周期を決定する行為を含む、請求項15に記載の方法。
- 除去を施す行為が、AlN基板表面から露出した軸外の物質を除去する行為を含む請求項14に記載の方法。
- 露出した軸外の物質を除去する行為が、AlN基板表面から物質を50〜100μm除去することを含む、請求項17に記載の方法。
- AlN基板が磨くべき通常の表面を含み、および配向を決定する行為が、AlN基板の所定の面のために、所定の面に関して、通常の表面の配向を決定することを含む、請求項14に記載の方法。
- AlN基板表面の除去を施す行為が、所定の面に関して、通常の表面の配向に基づいている、請求項19に記載の方法。
- AlN基板がc−面基板のAl―極性側を含み、および除去を施す行為が、c−面基板のAl―極性側を下処理するために、ポリマーダイヤモンド懸濁液を用いて、乾式研削および研磨することの少なくとも1種を施すことを含む、請求項14に記載の方法。
- AlN基板が非極性表面を含み、および除去を施す行為が、非極性表面を10〜20μm除去する行為をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 方法が、化学的機械的研磨(CMP)工程を施す行為をさらに含み、およびAlN基板表面の研磨が、配向に基づいて施される、請求項14に記載の方法。
- 研磨が、pHを有するスラリーでAlN基板表面を研磨する行為をさらに含み、およびスラリーが基板面およびpH値に基づき選択される、請求項23に記載の方法。
- AlN基板表面が、軸上Al−極性、c−面表面であり、および選択されるスラリーのpH値が10.5より大きい、請求項24に記載の方法。
- 請求項14に記載の方法により製造される基板。
- 請求項14に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33186801P | 2001-11-20 | 2001-11-20 | |
PCT/US2002/037135 WO2003043780A2 (en) | 2001-11-20 | 2002-11-20 | Method for polishing a substrate surface |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012022627A Division JP5628224B2 (ja) | 2001-11-20 | 2012-02-06 | 基板表面を研磨するための方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005510072A true JP2005510072A (ja) | 2005-04-14 |
JP2005510072A5 JP2005510072A5 (ja) | 2009-04-16 |
Family
ID=23295726
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003545445A Pending JP2005510072A (ja) | 2001-11-20 | 2002-11-20 | 基板表面を研磨するための方法 |
JP2012022627A Expired - Lifetime JP5628224B2 (ja) | 2001-11-20 | 2012-02-06 | 基板表面を研磨するための方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012022627A Expired - Lifetime JP5628224B2 (ja) | 2001-11-20 | 2012-02-06 | 基板表面を研磨するための方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7037838B2 (ja) |
EP (1) | EP1446263B1 (ja) |
JP (2) | JP2005510072A (ja) |
AT (1) | ATE418420T1 (ja) |
AU (1) | AU2002365979A1 (ja) |
CA (1) | CA2467806C (ja) |
DE (1) | DE60230538D1 (ja) |
HK (1) | HK1068840A1 (ja) |
WO (1) | WO2003043780A2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281671A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶の研磨方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP2011049610A (ja) * | 2010-12-10 | 2011-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
WO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
JP2018170491A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-11-01 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
US10208400B2 (en) | 2015-02-02 | 2019-02-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device |
WO2023277103A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 京セラ株式会社 | 周期表第13族元素窒化物結晶基板の製造方法 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8545629B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US7638346B2 (en) * | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
US20060005763A1 (en) * | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US8025808B2 (en) * | 2003-04-25 | 2011-09-27 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machine ceramics |
JP4752214B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2011-08-17 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャル層形成用AlN結晶の表面処理方法 |
JP4792802B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の表面処理方法 |
WO2006124067A1 (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-23 | North Carolina State University | Controlled polarity group iii-nitride films and methods of preparing such films |
US20060288929A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-28 | Crystal Is, Inc. | Polar surface preparation of nitride substrates |
US7670902B2 (en) * | 2005-07-26 | 2010-03-02 | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | Method and structure for landing polysilicon contact |
CN101415864B (zh) * | 2005-11-28 | 2014-01-08 | 晶体公司 | 具有减少缺陷的大的氮化铝晶体及其制造方法 |
JP5281408B2 (ja) | 2005-12-02 | 2013-09-04 | クリスタル・イズ,インコーポレイテッド | ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法 |
EP2918708B1 (en) | 2006-03-30 | 2019-10-30 | Crystal Is, Inc. | Method for annealing of aluminium nitride wafer |
US9034103B2 (en) * | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
WO2008060505A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Cabot Microelectronics Corporation | Methods for polishing aluminum nitride |
WO2008079704A2 (en) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Methods for machining inorganic, non-metallic workpieces |
WO2008088838A1 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
US9028612B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-05-12 | Crystal Is, Inc. | Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control |
US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
CN101652832B (zh) * | 2007-01-26 | 2011-06-22 | 晶体公司 | 厚的赝晶氮化物外延层 |
US8088220B2 (en) * | 2007-05-24 | 2012-01-03 | Crystal Is, Inc. | Deep-eutectic melt growth of nitride crystals |
US8210904B2 (en) * | 2008-04-29 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Slurryless mechanical planarization for substrate reclamation |
US7915178B2 (en) | 2008-07-30 | 2011-03-29 | North Carolina State University | Passivation of aluminum nitride substrates |
US20100314551A1 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Bettles Timothy J | In-line Fluid Treatment by UV Radiation |
JP5931862B2 (ja) | 2010-07-20 | 2016-06-08 | ヘクサテック,インコーポレイテッド | 多結晶窒化アルミニウム材料およびその製造方法 |
US9299594B2 (en) | 2010-07-27 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Substrate bonding system and method of modifying the same |
JP5319628B2 (ja) * | 2010-08-26 | 2013-10-16 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子および半導体光学装置 |
WO2012082729A1 (en) | 2010-12-14 | 2012-06-21 | Hexatech, Inc. | Thermal expansion engineering for polycrystalline aluminum nitride sintered bodies, and application to the manufacture of semi-conductors |
US8962359B2 (en) | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
JP6275817B2 (ja) | 2013-03-15 | 2018-02-07 | クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. | 仮像電子及び光学電子装置に対する平面コンタクト |
US10550493B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-02-04 | Crystal Is, Inc. | Thermal control for formation and processing of aluminum nitride |
DE112020003863T5 (de) | 2019-08-15 | 2022-05-19 | Crystal Is, Inc. | Durchmessererweiterung von aluminiumnitridkristallen |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04315457A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Toshiba Corp | AlN回路基板 |
JPH04355920A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板およびその製造方法 |
JPH077237A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-01-10 | Ibiden Co Ltd | セラミックス基板、セラミックス基板の表面処理方法、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 |
JP2002016023A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の加工方法 |
JP2002083793A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械研磨における終点検出方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3629023A (en) * | 1968-07-17 | 1971-12-21 | Minnesota Mining & Mfg | METHOD OF CHEMICALLY POLISHING CRYSTALS OF II(b){14 VI(a) SYSTEM |
DE69516035T2 (de) * | 1994-05-23 | 2000-08-31 | Sumitomo Electric Industries | Verfharen zum Herstellen eines mit hartem Material bedeckten Halbleiters |
US5597443A (en) * | 1994-08-31 | 1997-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer |
US5478436A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-26 | Motorola, Inc. | Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device |
US5534462A (en) * | 1995-02-24 | 1996-07-09 | Motorola, Inc. | Method for forming a plug and semiconductor device having the same |
US5652176A (en) * | 1995-02-24 | 1997-07-29 | Motorola, Inc. | Method for providing trench isolation and borderless contact |
US5645682A (en) * | 1996-05-28 | 1997-07-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5962343A (en) * | 1996-07-30 | 1999-10-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive |
JP3450683B2 (ja) * | 1997-01-10 | 2003-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体被処理面の調製方法 |
TW426556B (en) * | 1997-01-24 | 2001-03-21 | United Microelectronics Corp | Method of cleaning slurry remnants left on a chemical-mechanical polish machine |
US6063306A (en) * | 1998-06-26 | 2000-05-16 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate |
KR100574259B1 (ko) * | 1999-03-31 | 2006-04-27 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 연마제 및 연마 방법 |
US6379223B1 (en) * | 1999-11-29 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization |
WO2001058644A1 (en) * | 2000-02-10 | 2001-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus |
EP1129816A3 (en) * | 2000-03-02 | 2003-01-15 | Corning Incorporated | Method for polishing ceramics |
-
2002
- 2002-11-20 CA CA2467806A patent/CA2467806C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-20 DE DE60230538T patent/DE60230538D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-20 US US10/300,481 patent/US7037838B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-20 AT AT02803675T patent/ATE418420T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-11-20 JP JP2003545445A patent/JP2005510072A/ja active Pending
- 2002-11-20 AU AU2002365979A patent/AU2002365979A1/en not_active Abandoned
- 2002-11-20 WO PCT/US2002/037135 patent/WO2003043780A2/en active Application Filing
- 2002-11-20 EP EP02803675A patent/EP1446263B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-02-18 HK HK05101413.2A patent/HK1068840A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-02-28 US US11/363,816 patent/US7323414B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-02-06 JP JP2012022627A patent/JP5628224B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04355920A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-12-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体素子形成用基板およびその製造方法 |
JPH04315457A (ja) * | 1991-04-15 | 1992-11-06 | Toshiba Corp | AlN回路基板 |
JPH077237A (ja) * | 1993-06-14 | 1995-01-10 | Ibiden Co Ltd | セラミックス基板、セラミックス基板の表面処理方法、セラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法 |
JP2002083793A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 化学機械研磨における終点検出方法 |
JP2002016023A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄板の加工方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004281671A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶の研磨方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP4511801B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2010-07-28 | 株式会社リコー | Iii族窒化物結晶の研磨方法およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
JP2011049610A (ja) * | 2010-12-10 | 2011-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス |
WO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
JPWO2016039116A1 (ja) * | 2014-09-11 | 2017-06-29 | 株式会社トクヤマ | 窒化アルミニウム単結晶基板の洗浄方法および積層体 |
US10753011B2 (en) | 2014-09-11 | 2020-08-25 | Tokuyama Corporation | Cleaning method and laminate of aluminum nitride single-crystal substrate |
US11952677B2 (en) | 2014-09-11 | 2024-04-09 | Tokuyama Corporation | Laminate of aluminum nitride single-crystal substrate |
US10208400B2 (en) | 2015-02-02 | 2019-02-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device |
JP2018170491A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-11-01 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
JP2022028712A (ja) * | 2016-11-29 | 2022-02-16 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
JP7216790B2 (ja) | 2016-11-29 | 2023-02-01 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
WO2023277103A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 京セラ株式会社 | 周期表第13族元素窒化物結晶基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7037838B2 (en) | 2006-05-02 |
US7323414B2 (en) | 2008-01-29 |
EP1446263B1 (en) | 2008-12-24 |
JP5628224B2 (ja) | 2014-11-19 |
EP1446263A2 (en) | 2004-08-18 |
CA2467806C (en) | 2011-04-19 |
HK1068840A1 (en) | 2005-05-06 |
WO2003043780B1 (en) | 2003-10-30 |
CA2467806A1 (en) | 2003-05-30 |
AU2002365979A8 (en) | 2003-06-10 |
DE60230538D1 (de) | 2009-02-05 |
AU2002365979A1 (en) | 2003-06-10 |
WO2003043780A3 (en) | 2003-08-28 |
ATE418420T1 (de) | 2009-01-15 |
US20070289946A1 (en) | 2007-12-20 |
JP2012134515A (ja) | 2012-07-12 |
WO2003043780A2 (en) | 2003-05-30 |
US20040033690A1 (en) | 2004-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5628224B2 (ja) | 基板表面を研磨するための方法 | |
JP5455282B2 (ja) | シリコン・オン・インシュレータ搬送ウエハのエッジ除去 | |
JP2012134515A5 (ja) | ||
JP3247301B2 (ja) | 再生半導体ウェハとその再生方法 | |
KR101110682B1 (ko) | 탄화규소 단결정 기판 연마용 수계 연마 슬러리 및 그 연마방법 | |
JP5557506B2 (ja) | 半導体ウェーハの両面をポリッシングする方法 | |
US6406923B1 (en) | Process for reclaiming wafer substrates | |
US6376335B1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing process | |
WO2006135688A2 (en) | Polar surface preparation of nitride substrates | |
JP2007204286A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
KR20000017512A (ko) | 웨이퍼 기판 재생방법 및 웨이퍼 기판 재생을 위한 연마액 조성물 | |
KR20080069531A (ko) | Iii-v족 화합물 반도체 기판의 제조 방법 | |
US20060246724A1 (en) | Method for polishing wafer | |
US20190348270A1 (en) | Method of polishing silicon wafer and method of producing silicon wafer | |
US6558227B1 (en) | Method for polishing a work and an apparatus for polishing a work | |
JP2005534516A (ja) | ウエハ材の研磨方法 | |
US6514423B1 (en) | Method for wafer processing | |
CN113043159A (zh) | 硅晶圆的研磨方法 | |
US5972863A (en) | Slurry compositions for polishing wafers used in integrated circuit devices and cleaning compositions for removing electron wax after polishing | |
JP3482321B2 (ja) | 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法 | |
JP3482313B2 (ja) | 半導体基板用研磨布のドレッサーおよびその製造方法 | |
JPS6381934A (ja) | ウエハおよびその製造方法 | |
WO2001071730A1 (en) | Systems and methods to reduce grinding marks and metallic contamination | |
WO2001096065A1 (fr) | Procede de polissage de pieces | |
JP3014152B2 (ja) | 半導体ウエハの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20051114 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080930 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081226 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090202 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090227 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20090227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100310 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100317 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100409 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100510 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110302 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110309 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110506 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120206 |