JP2005510072A5

JP2005510072A5 -

Info

Publication number: JP2005510072A5
Application number: JP2003545445A
Authority: JP
Filing date: 2002-11-20
Publication date: 2009-04-16

Claims

窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の表面を整備する方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為；
ＡｌＮ基板の表面にＣＭＰ工程を施す行為；および
ＡｌＮ基板の表面を仕上げる行為を含み、ここでＣＭＰ工程を施す行為には、さらにＣＭＰ工程中に、溶液中の研磨懸濁液を適用する行為を含み、前記研磨懸濁液は９よりも大きいｐＨを有する、前記方法。
溶液中の研磨懸濁液が、さらに水酸化物（塩基性）溶液中のシリカ懸濁液を含む、請求項１に記載の方法。
研磨懸濁液が、ＫＯＨベースのスラリーを含む、請求項２に記載の方法。
溶液中の研磨懸濁液が、アンモニウムベースのスラリーに懸濁したシリカ粒子をさらに含む、請求項１に記載の方法。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の表面を整備する方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為；
ＡｌＮ基板の表面にＣＭＰ工程を施す行為；および
ＡｌＮ基板の表面を仕上げる行為、ここでＣＭＰ工程を施す行為には、さらにＣＭＰ工程中に、直径８．０インチ（２０．３２ｃｍ）の円形の研磨表面に対し、毎分約０．５ｍＬの割合で、溶液中の研磨懸濁液を適用する行為を含む、前記方法。
ＣＭＰ工程を施す行為が、サンプルの研磨スピードを約４５〜６０回転／分（ＲＰＭ）の範囲で維持する行為を含む、請求項５に記載の方法。
下処理する行為が、ＡｌＮ基板の表面を研磨する前に、実質的な研磨表面の汚染を減少させるため、研磨装置を洗浄することを含む、請求項１に記載の方法。
ＡｌＮ基板表面を仕上げる行為が、ＡｌＮ基板の表面から、研磨懸濁液を実質的にリンスする行為を含む、請求項１に記載の方法。
下処理行為中に、ＡｌＮ基板を溶媒で洗浄することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
ＡｌＮ基板が、実質的に軸上にある、Ａｌ−極性、ｃ−面表面であり、および研磨懸濁液のｐＨ値が約１０．５以上である、請求項１に記載の方法。
請求項１に記載の方法により製造される基板。
請求項１に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の表面を整備するための方法であって、該方法は：
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために、ＡｌＮ基板の表面を下処理する行為を含み、該下処理行為は：
ＡｌＮ基板の配向を決定する行為；および
配向に基づいてＡｌＮ基板表面の除去を施す行為を含む、前記方法。
ＡｌＮ基板が、少なくとも部分的に、ＡｌＮ結晶構造の結晶配向を規定するｃ−軸を有するＡｌＮ結晶構造から形成され、そして、ＡｌＮ基板の配向を決定する行為が、ｃ−軸とＡｌＮ基板の表面法線との間の角度を決定する行為を含む、請求項１３に記載の方法。
除去を施す行為が、配向に基づいて除去の周期を決定する行為を含む、請求項１３に記載の方法。
角度を決定する行為が、Ａｌ−極性ｃ−面表面およびＮ−極性ｃ−面表面の極性に対する、ＡｌＮ基板表面の相対的極性を決定する行為を含む、請求項１４に記載の方法。
除去を施す行為が、少なくとも第１の期間および第２の期間から選択される期間であって、第２の期間は第１の期間よりも長く、ここで、第２の期間は相対的極性が主にＡｌ−極性である場合に選択される、前記期間中に、基板においてＣＭＰ工程を施す行為を含む、請求項１６に記載の方法。
第２の期間が、ｃ−軸と表面法線との間の角度が約２０度未満である場合に選択され、ここで第１の期間は、前記角度が約２０度以上である場合に選択される、請求項１７に記載の方法。
選択された洗浄工程であって、少なくとも部分的に、ＡｌＮ基板の配向および／またはＡｌＮ表面基板の相対的極性に基づいて選択される、前記洗浄工程を施す行為をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
ＡｌＮ基板の相対的極性が主にＡｌ−極性であり、そして、除去を施す行為が、ＡｌＮ基板を下処理するために、ポリマーダイヤモンド懸濁液を用いた乾式研削および研磨の少なくとも１種を施す行為を含む、請求項１６に記載の方法。
ＡｌＮ基板にスラリーを適用する行為を含む、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程を施す行為をさらに含み、ここで、スラリー組成物は、少なくとも部分的に、ｃ−軸と表面法線との角度および／またはＡｌＮ表面の相対的極性に基づいて選択される、請求項１６に記載の方法。
スラリーのｐＨ値が、少なくとも部分的に、ＡｌＮ基板の相対的極性に基づいて選択される、請求項２１に記載の方法。
ＡｌＮ基板表面の相対的極性が、主にＡｌ極性であると決定される場合に、スラリーのｐＨ値が１０．５より大きいことが選択される、請求項２２に記載の方法。
請求項１３に記載の方法により製造される基板。
請求項１３に記載の方法により製造される基板を有するデバイス。
ＡｌＮ基板の表面が、非極性表面であると決定されるか、または、ＡｌＮ基板の表面の相対的極性が主にＮ−極性であると決定される場合に、ｐＨ値が１１未満であることが選択される、請求項２２に記載の方法。