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Claims (20)
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、６ボルト以上の形成電圧で形成され、且つＤＣ漏れが１５ｎＡ／ＣＶ未満である、キャパシターアノードであり、ここで該ＤＣ漏れは、１５００℃で１０分間にわたって焼結され且つ６０℃の形成温度で形成されたアノードについて測定される、キャパシターアノード。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、６ボルト以上の形成電圧で形成され、且つ１２００℃〜１６００℃で１０分間にわたる焼結温度および８５℃の形成温度でのキャパシタンスが、４０，０００ＣＶ／ｇ以上である、キャパシターアノード。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、６ボルト以上の形成電圧で形成され、且つ２０，０００ＣＶ／ｇ以上のキャパシタンスを有するキャパシターアノードであり、ここで該キャパシタンスは、１３００℃で１０分間にわたる焼結温度および８５℃の形成温度で測定される、キャパシターアノード。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、且つキャパシターアノードを形成する粉末が５mm／ｓ未満の燃焼速度を有する、キャパシターアノード。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含み、且つ１００ｍＪ以上の最小点火エネルギーを有する、キャパシターアノード。
- 該酸化ニオブが、ＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、もしくはその組合わせである、請求項１〜５のいずれか記載のキャパシターアノード。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含むキャパシターアノードの形成方法であって、
該酸化ニオブをアノードの形状に形成し、１２００℃〜１６００℃の温度で１分〜３０分の時間にわたって焼結すること；
８５℃の形成温度で１６〜７５ボルトで陽極酸化すること；
該アノードを３００〜３５０℃の温度で１０分〜６０分の時間にわたってアニールすること；ならびに
該アノードを２２０〜２８０℃の温度でマンガン処理すること、
を含む、キャパシターアノードの形成方法。 - 出発酸化ニオブおよびゲッター材料から酸素が減少した酸化ニオブを形成するのに十分な時間および十分な温度で、出発酸化ニオブからゲッター材料に酸素原子を移動させるのを可能にする雰囲気下において、ゲッター材料の存在下に出発酸化ニオブを熱処理することを含む、酸化ニオブを少なくとも部分的に還元する方法。
- 該ゲッター材料がニオブ粉末である、請求項８記載の方法。
- 該酸素が減少した酸素ニオブが、ＮｂＯである、請求項８記載の方法。
- 該酸素が減少した酸化ニオブが、ＮｂＯ、酸素が減少したＮｂＯ、ＮｂＯを伴う金属ニオブ、もしくはその組合わせである、請求項８記載の方法。
- 該雰囲気が水素含有雰囲気である、請求項８記載の方法。
- 該雰囲気が水素である、請求項８記載の方法。
- 該熱処理が、８００℃〜１９００℃の温度で５分〜１００分の時間である、請求項８記載の方法。
- 請求項８〜１４のいずれか記載の方法を含む、酸素が減少した酸化ニオブの製造方法。
- ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含むキャパシターアノードの形成方法であって、
該酸化ニオブをアノードの形状に形成し、８００℃〜１２００℃の温度で１時間〜１０時間にわたって焼結すること；
約８５℃の形成温度及び１６〜７５ボルトで陽極酸化すること；
該アノードを、３００〜３５０℃の温度で１０分〜６０分の時間にわたってアニールすること；ならびに
該アノードを、２２０℃〜２８０℃の温度でマンガン処理すること、
を含む、キャパシターアノードの形成方法。 - ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブをアノードの形状に形成し、８００℃〜１２００℃の温度でキャパシターアノードを形成するのに十分な時間にわたって焼結することを含む、ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含むキャパシターアノードの形成方法。
- 該時間が１時間以上〜１０時間以下である、請求項１７記載の方法。
- 酸化ニオブをアノードの形状に形成するし、８００℃〜１２００℃の温度で、キャパシタンスを有するキャパシターアノードを形成するのに十分な時間にわたって焼結することを含む、ニオブ：酸素の原子比が１：２．５未満である酸化ニオブを含むキャパシターアノードを形成することを含むキャパシターアノードの低収縮を達成する方法。
- 該時間が１日以上である、請求項１７記載の方法。
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